Патенты с меткой «проводящего»

Номер патента: 111388

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Вейглер, Гольдштейн, Изюмов, Пивоваров

МПК: H01J 29/88, H01J 5/10

Метки: коллоидно-графитовое, покрытие, проводящего, слоя, создания

...и перемешивают смесь в течение 3 - 5 минут.удельный вес приготовленной суспензии должен быть 1,13 - 1,14. В случае завышенного удельного веса, смесь разбавляют дистиллированной водой.Полученной суспензией с помощью пульверизатора покрывают наружные поьерхностн электрошюлучевых трубок. Нанесенная на трубку суспензия сушится 10 - 15 мин. на воздухе, а затем в сушильном шкафу при температуре 100 - 20 в течение 30 мин. После сушки слой на поверхности трубки должен быть ровным, плотным (без просветов), непрозрачным.Электрическое сопротивление между двумя точками, расположенными друг от друга на расстоянии 10 с,и, должно быть равньгм 10000 - 30000 ол.Пример о коллопдно-грВ-О (ГОСТ ) т111388 11 р едиот изобретения Отв. редактор Л. П, Ситников...

Номер патента: 130556

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Данина, Курсацова, Родин, Родина

МПК: H01C 17/10

Метки: двуокиси, керамики, поверхности, проводящего, слоя, титана

...-ЗхЗ мл;), которая служит для частичного отвода зарядов, образующихся на поверхности керамики при поступлении на нее ионов, Примененцетакой сетки способстьует ускорению процесса образования проводящегослоя и обеспечивает ббльшую его однородность. Сетка должна быть изготовлена из материала, который подвергается минимальному распылению в условиях газового разряда 1 наприме 1 з из молибдена). В результате такой обработки на поверхности керамики образуется слой толщиной менее 1 11 к, обладающиизначительной электропроводостью,Слой имеет бархатисточерный цвет н состоит преимущественно пз гидридов титана,Толщина проводящего слоя может регулироватьсяловий разряда, При малых плотностях тока разряда и хо, До 1 ЗЯ 56получается тонкий резко...

Номер патента: 187860

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Гаври, Трескин, Шпирнов

МПК: H01B 13/06, H01B 13/22

Метки: изоляции, металлического, микропроводе, покрытия, проводящего, стеклянной

...получения проводящего покрытия на микропроводе в стеклянной изоляции по описанному способу.В катушку 1 с микропроводом вставлен пружинный зажим, который в торцах имеет фторопластовые вкладыши. Начальный конец микропровода 2 входит в стеклянный капилляр, который заполнен раствором золота, обеспечивающим хорошее смачивание поверхности стекла микропровода. Стеклянная капиллярная трубка 3 служит микрованной, которую непрерывно заполняют жидким золотом через воронку 4. Для равномерного спекания металла с изоляцией провода и выгорания из жидкого золота органических компонентов по крытую ровным тонким слоем жидкого золотаповерхность провода подвергают термической обработке в трубчатой печи б с различной повышающейся по ее длине...

Номер патента: 325637

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Трескин

МПК: H01B 13/008, H01B 19/04

Метки: диэлектрическойизоляции, изделие, металлическое, нанесения, покрытия, проводящего

...пропитывает эластичные вкладыши 8 и 9, охватьвающие поверхцосгь изделия.При включенном приводе бараоаца 6 изделие, сматываясь с катушки 1, непрерывно проходит через вашу, смачиьаясь при этом топким слоем металла.При цсобходимости пол)чсьця покрытия определеццых зоц изделия по его длине вк;цочают электродвигатель 10, вращающий с задачцой скоростью профилцров;цшьш кулачок 11, взаимодействующий с рычагом 12, что приводит к периодическому цодьему полуцилицдра 8 с воронкой 7 и вкладьппем 8. Так как в исходцом положении полуцилицдр 3 цсхшого цоджихтст изделие к полуццлицдру 2, то при подъеме полуцили дра 8 изделие поднимается отиосительцо полуцилшдра 2, и смачивация поверхности изделия це происходит.После смачивашя раствором металла...

Номер патента: 356314

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Батюн, Горлин

МПК: C23C 20/06, C25D 5/56

Метки: нанесения, пластмассовых, поверхность, проводящего, слоя

...Способверхносттролитичпокрытияспензиейрителе,пластмаспанесениполикарб Изобретение относится к области нанесения металлических покрытий на поверхность пластмассовых изделий, в частности к области нанесения на них проводящего слоя перед осаждением гальванических покрытий,Известен способ нанесения проводящего слоя на поверхность пластмассовых изделий, заключающийся в обработке их суспензией, содержащей наполнитель и органический растворитель, растворяющий металлизируемую пластмассу.Предложенный способ отличается от известного тем, что обработку осуществляют в суспензии карбонильного железа в дихлорэтане, что позволяет наносить проводящую пленку на поверхность изделий из поликарбоната,Согласно предложенному способу нанесение проводящей...

Номер патента: 443120

Опубликовано: 15.09.1974

Автор: Кищенко

МПК: C23C 17/00

Метки: покрытия, проводящего

...оС, а после вжигания ее в водороде поверхностный слой покрытия снимают до основания подложки.Пример реализаций предла мого способа.На подложку из алюмооксидной керамики наносится паста на основе окиси меди методом сеткографии, Вжигание пасты осуществляется сначала на воздухе при температуре 1000-1050 оС, а затем вт водороде при тевпературе 1030 - 20 оС. После вжигания пасты в водороде покрытие снивают до основания подложки. При атом поверхность подложки, пропитанная медью, повторяет класс чистоты поверхности подложки (Р 8 -- РЭ) е является электропроводной и может в дальнейшем покрываться другими металлами гальваническим методом без изменения класса чистоты поверхности.В качестве материала подложки можно применить стеатитовую или...

Номер патента: 469224

Опубликовано: 30.04.1975

Автор: Ионов

МПК: H05B 7/18

Метки: виде, длина, дуги, плазмотронов, проводящего, резки, соплом, тонкостенного, цилиндра

...дуги приводит соответственно к уменьшению или увеличению управляющего сигнала, который подается на дополнительный регулируемый источник тока 10.Величина тока изменяется с изменением величины управляющего сигнала, причем с увеличением управляющего сигнала ток увеличивается, с уменьшением сигнала уменьшается.15 В соответствии с изменением тока дополнительного источника 10 изменяется ток, протекающий по тонкостенному цилиндру сопла плазмотрона, внутри которого горит дуга. Создаваемое током магнитное поле внутри цилинд ра (сопла) взаимодействует с собственныммагнитным полем разрядного тока, Направление токов выбрано так, что при взаимодейст.вии токов увеличивается магнитное давление, направленное к оси дуги. Из-за этой дополни тельной...

Номер патента: 538430

Опубликовано: 05.12.1976

Авторы: Зайцев, Татарчук, Тян

МПК: H01C 17/30

Метки: проводящего, резисторов, элемента

...1. 2 о многократно корректиров овка объемных элементов за достигаемому результат способ изготовления пр тора, при котором в ф исходного материала фенолфурфуролформал подвергают термообраб такой температуре ук полупроводником со зн коэффициентом сопрот пользовать полученньй резисторах 2.Однако получаемые538430 3ким свойствам пирополимер фенолфурфуролформальдегидной смолы без дальнейшей термообработки может стать рабочим элементом переменногорезистора,По предлагаемому способу, с целью полученияпроводящих элементов объемных переменных низкоомных резисторов, имеющих высокую стабиль.ность характеристик, указанную термообработкуведут в интервале температур 850 - 1200 оС, причемконечную температуру выбирают в зависимости от 1 Ожелаемой величины...

Номер патента: 557703

Опубликовано: 05.10.1977

Авторы: Баранов, Горина, Достанко, Королев, Полякова, Савицкий, Чистяков

МПК: H01L 23/54

Метки: интегральных, материал, покрытия, полупроводниковых, приборов, проводящего, схем

...соединений типа А В, А Ви АВ, где А - металл платиновой группыф 60 4В - элемент ПВ или УВ группы: возможен также смешанный состав фаз, напри мер А В + АВ а также наличие промежуточных фаз, дефектных структур и т.д. Промежуточные фазы, в отличие от чистых ме. галлов, имеют свою электронную структуру и, в сэответствии с ней, другие межатомные расстояния, измененную решетку и, в конечном итоге, свой цвет металлического материала. При атом определяющим фактором являетсястроение электронных оболочек компонентов. Покрытие из такого материала будет иметь цвет, этличный от цвета исходных составляющих, его можно задавать выбором материалов и регулированием процентного содержания каждой компоненты, определяющего формульный состав и...

Номер патента: 595841

Опубликовано: 28.02.1978

Авторы: Семенов, Харитонов

МПК: H02P 13/16

Метки: вентиля, преобразователе, проводящего, состояния

...временная зона, в которой ои может находиться в проводящем состоянии. Длительность этой зоны равняется интервалу врс меип между сигналами управления двух веи тилей, второй из которых сменяет в работе первый согласно за 1 Ганному закону управления, обеспечивая тем самым режим естественной коммутации, Таким образом, для определения возможности перехода от одной работающей группы вентилей 1, 2, 3 к другой 4, 5, 6 досатоно Оцепи Гь состоянис вен Гнл 51 Только в зоне его возможной проводимости.Предлагаемый способ поясняется диаграм- МаМИ, ИЗОбражЕННЫМИ На фИГ. 2, ГдЕ Е.4, Ел, ес - питающие напряжения преобр азо)затсля частоты с непосредственной связью; У, - напряжение анод - катод вентиля 1, Ь - преобразованное обратное напряжение вентиля...

Номер патента: 627353

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Барейкис, Либерис, Приходько, Чеснис

МПК: G01K 7/30

Метки: канала, переключающем, проводящего, температуры, элементе

...состоянии и температуру канала вычисляют по Формуле 2 2 В н Тф Т кн,- й ч,2где Тр - температура переключателяйв высокоомном состоянии; (д, Нспектральная плотностьнапряжения шума к% - дифференциальное сопротивнление переключателя в высокоомном и низкоомномсостояниях соответственно,При выводе укаэанной Формулы использована известная Формула Найквиста, отражающая связь между спектральной плотностью напряжения тепловых шумов (д , шумовой температуры Т и сопротивлением Я источника шумовМ фФКТМ, И) где К - постоянная Вольцмана.Переключающий элемент представлен как параллельное включение двух источников шумов. Одним из них является канальная, а другим - неканальная область.Спектральная плотность с го тока шумов 74 в элементе образом,...

Номер патента: 629515

Опубликовано: 25.10.1978

Авторы: Егоркин, Конышев, Филиппов

МПК: G01R 31/27

Метки: преобразователя, проводящего, состояния, статического, тиристоров

...мителя,Нв чертеже изображена структурнаясхеме устройства.Оно содержит тиристор .1, проводяшеесостояние которогоконтролируется, огреничитель 2 напряжения, выпрямитель 3 нпряжения, снимаемого с тиристора ссглаживающим фильтром, нуль-орган629515 С оста витель В. Не мцев Редактор Н, Разумова Техред Н. Андрейчук Корректор Н, ТупицаЗаказ 6063/41 Тираж 1112 Подписное ИНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал П 11 Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 При чаличиинапряжения на тиристоре 1, на выходе выпрямителя 3 появляется напряжение, которое включает нуль-орган 4 и подключает генератор высокочастотных импульсов 5 к выпрямленному напряжению на выходе...

Номер патента: 943856

Опубликовано: 15.07.1982

Авторы: Ларина, Френкель

МПК: H01B 1/08

Метки: керамике, покрытия, проводящего, состав

...сохраняются при всех термосбработках в соответствии с технологическими опера циями производства изделий при температуре до 1100 С в востановительной или защитной атмосфере.Суспензию прокаленных порошков в органической связке наносят на поверхность керамического изолятора намазкой, опрыскиванием или окунанием, толщина слоя 35-60 мкм. После сушки при 18-25 ОС покрытие спекают при 1150-1250 С в увлажненном до точки росы от +20 до +28 С водороде или формиргазе (смеси азота с водородом) с выдержкой при максимал ной температуре в течение 30-60 мин.После спекания излишек покрытия от36 4,4 109 2,8 "10 4,8 10 .5,6 10 43 57 47 Пентаоксид ванадияОксид марганца формула изобретенияСостав для получения приводящего покрытия на керамике, содержащий...

Номер патента: 995225

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Рождественский, Элькин

МПК: H02M 1/18

Метки: проводящего, состояния, тиристоров

...вентилей 1 - 6 (фиг. 1) содержит в каждом канале контроля трансформатор 7 тока с нагрузочным резистором 8, индикаторы положительной 9 и отрицательной О полярности сигналов, одновибраторы 11 и 12, элементы И 13 и 14 и выходные клеммы.Устройство работает следующим обра 2 о зом.При наличии положительного напряжения на выходной обмотке трансформатора 7 тока на выходе индикатора 9 появляется сигнал 1 а при отрицательном напряже 995225нии на выходной обмотке трансформатора тока 7 сигнал 1 появляется в выходе индикатора 1 О. Индикаторы 9 и 10, кроме полезных сигналов, регистрируют и обратные выбросы трансформатора тока, возникающие в моменты спадания до нуля фазных токов. В момент окончания отрицательного фазного тока задним фронтом...

Номер патента: 1044962

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Гаврилин, Григулис

МПК: G01B 7/06

Метки: изделия, проводящего, слоя, толщины

...изделийдо значения реактивной составляющейего полного сопротивления к равнойх:о,о 5 сдр е д,а частоту питания преобразователя вы.бирают так, чтобы глубина П проникновения электромагнитного поля виэделие не превышала1 са(ю и Ьс о д,где я - круговая частота питания;- магнитная проницаемость вакуума;60а - количество витков преобразователя;а - радиус преобраэователя 1А - минимальная толщина измеряемого проводящего слоя. 65 На чертеже представлена блок-схема устройства, реализукщего способизмерения толщины проводящего слояизделия.Устройство содержит генератор 1качающейся частоты, измерительныймост 2 с контурами, блок 3 сравнениявеличины продетектиронанного по высокой частоте с эталонным напряжением, блок 4 эталонного...

Номер патента: 1219992

Опубликовано: 23.03.1986

Авторы: Горохов, Кел, Панов, Садиков

МПК: G01R 33/12

Метки: бесконтактного, магнитной, проводящего, проницаемости, тела

...схем 1 и 18 совпадения соединены с входами схемы ИЛИ 19, выход которой соединен с входом схемы 21 управления. Ключ 26 шунтирует конденсатор 29 при появлении сигнала на выходесхемы 21 управления, Выходы 1 исхемы 21 управления соединены с входами схемы ИЛИ 20, выход которой соединен с вторым выходом схемы И 5, Выходсхемы 21 управления также соединен с входом стробирования записи регистра 22 и управляющим входом коммутатора 8, Выход 11 схемы 21 управления соединен с тактовым входом делителя 24. Выход усилителя 11 соединен с обмоткой 15 подмагничивания датчика 12.Резистор 27 обеспечивает постоянство тока в цепи питания обмотки возбуждения. Резистор 28 задает время заряда конденсатора 29.Устройство измерения магнитной проницаемости работает...

Номер патента: 1278624

Опубликовано: 23.12.1986

Авторы: Гашка, Огинскас, Чеснис

МПК: G01K 7/30

Метки: канала, параметров, переключающем, проводящего, элементе

...представить как суперпозицию источников теплового шума с линейным размером х,. температурой Т и сопротивлением К для каждого из них, Суммарная спектральная плотность напряжения шума такого включения7,=8 кБт(х) рЛ)йщ 4 кт , (1)Огде К = 2 Яр(т)с 1 х;(т) - удельное сопротивление области шнурования в низкоомном состоянии,Из выражения (1) следуетТ(х) р(т)с 1 хгп(2)Р =(т) ах Пусть рабочая площадь переключающего элемента является достаточно 40 большой и шнур при токах, близких пороговому току поддержки низкоомногосостояния занимает лишь часть межэлектродной активной области. Приувеличении тока его плотность в шнуререально переключающего элемента сначала увеличивается. Это увеличениеиз-за расширения шнура постепеннозамедляется и при...

Номер патента: 1377619

Опубликовано: 28.02.1988

Авторы: Лицын, Мамаев, Панов

МПК: G01K 7/38

Метки: бесконтактного, поверхности, проводящего, тела, температуры

...которой определяют, помещают в вихретоковый преобразователь1. Изменение температуры поверхностидетали приведет к изменению фазы напряжения на выходе вихретокового преобразователя 1, которое измеряетсяизмерителем 8 фазы. Величина выходного напряжения вихретокового преобразователя 1 составляет 0,3-0,9 напряжения холостого хода. 0 температуресудят по величине фазы разности напряжения. 2 ип.1377619 и. враУ. Составитель В.КопаеТехред Л.Сердюкова ректор С.Шекма Редактор М,Петро Тираж 607НИИПИ Государственного компо делам изобретений и от13035, Москва, Ж, Раушс аказ858 Подписноетета СССРрытийая наб., д. 4/5 оектная, 4 роизводственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгор да); 3 - О= О, Юхх4 - П=О,ЗБххФормула изобретения Способ бесконтактного...

Номер патента: 1624537

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Ахвен, Эпик

МПК: H01B 1/06

Метки: проводящего, р-типа

...производят дополнительную термообработку полученного материала в среде инертного газа или в воздухе при температуре до 250 С. Конкретнее температуру термообработки выбирают не ниже требуе- в мой рабочей температуры материала.П р и м е р 1. Проводят легирование полип арафенилена с мол. мас, 624-1084 у.е. описанным методом, В качестве легирующей примеси используют йод. Температура легирования 400 С, Легирование проводят в течение 50 ч, Электропровод 9 имость стабилизируется на уровне 3 10 См/см. Концентрация примеси достигает 0,01 моль наз 1 О 20 40 60065700 иоф 1,О 1 Составитель Ю.МещеряковРедактор Л,Веселовская Техред М.Моргентал Корректор И,Муска Подписноео изобретениям и открыти35, Раушская наб., 4/5 4 ГКНТ СС Ужгород, ул...

Номер патента: 1635147

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Вайнер, Васин, Календин, Кононенко, Марченко, Пономарев

МПК: G01R 27/26

Метки: емкости, объекта, проводящего, электрической

...Р 1 входа регистратора 3 емкость С 1 груз и выбирают из ссогношеия1С 1 -" -- ,О Ркгде гк - циклическая частота переменного поля;Й 1 - активное сопротивление нагрузки В этом случае, исходя изх описанной схемы измерений, соотнсоение для цаця. жений имеет видСэ СоСэ+С 1 Со С 1Из системы уравнений (1) определяют собственную электрическую емкоеь уединенного гроводящего обьекта по форглуле Ко КэОэ , Оогде Кэ = - и Ко = -- - - коэфф;ц, тыР уэпреобразования поля;Оэ и Оо - величины измеренного наццяжения на агрузке в случае подклоче 1 я к фидеру эталона и исследуемого объекта сс ответственно;уев потеццал поля в имитаторе, Со и Сэ - собственцаЯ егкость селеДУ емого обьекта и эталона соотвесяго,С 1 - емкость нагрузки, вкпочающэя ем кость кабеля и...

Номер патента: 1636819

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Игнатьев, Панов, Сорокина

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитной, образца, проводящего, проницаемости

...между значениями частоты управляемого генератора 8 и значениями40 входного управляющего напряжения, определяемого кодом, хранящимся в счетчике 2,Одновременно с этим переключается коммутатор 7.Блок 11 срабатывает при45 в =ви =,и, где,и - измеряемое значение магнитной проницаемости образца;,и - относительная магнитная проницае. мость образца,При переключении коммутатора 7 частота ыуменьшится и станет равной ю =йЬ,где в, - наименьшее значение частоты управляемого генератора 8, при этом,и =иа .При переключении коммутатора 7 выходноенапряжение ЦАП 6, усиленное усилителем10, поступает на обмотку 27. По мере возрастания содержимого счетчика 2 значениечастоты не меняется, растет ток подмагничивания, следовательно, уменьшается величина...

Номер патента: 1611158

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Генцелев, Самойлиди

МПК: G03F 7/20, H01L 21/312

Метки: маске, подложки, проводящего, рисунка, рисунком, совмещения

...поверхности другого совмещаемого обьекта ортогонально оси прецессии первого угол между плоскостями, а следовательно, и емкость конденсатора, будут постоянными по времени, цто позволяет использовать для измеоений мостиковую схему.Схема 9 узла контроля непараллельности рабочих поверхностей маски 1 и подложки 2 и микрозазора между ними постоянно следит за меняющейся емкостью конденсатора и совместно с блоком 3 обработки и управления вырабатывает и подает управляющие сигналы на двигатели б, добиваясь при этом такого положения подложки 2, когда величина электрической емкости конденсатора равна определенной наперед заданной велицине (эталонной емкости) и величина ее изменений отклонений от эталонной величины) за период прецессии ми...

Номер патента: 1712286

Опубликовано: 15.02.1992

Автор: Петров

МПК: B65H 3/16, B65H 3/18

Метки: листов, немагнитного, отделения, поштучного, проводящего, стопы

...из немагнитного проводящего материала в соответствии с условиемд СК,йо )Таким образом - надежное недеформирующее отделение листов из немэгнитнага проводящего материала с возможностью автоматической настройки па параметрам, выбором расстояния межд электромагни том и неподнятой частью стопы, экранирующей его поле (функцию экрана может выполнять также массивная крышка стола 20 величины вихревых токов и, соответствен 25 но, необходимого отделяющего усилия). Вазможность обеспечения необходи 30 35 40 45 50 обеспечивающим необходимое отделяющее усилие, решается альтернативна: либо выбором частоты тока электромагнита, наводящего вихревые токи в листах при заданной глубине проникновения электромагнитного поля, не превышающей толщины двух...

Номер патента: 1758599

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Герасимов, Иванов, Сашин

МПК: G01R 29/24

Метки: заряда, поверхностного, проводящего, тела

...входом ключа 6. Вторые управляющие входы каскадов 5 и 6 соединены соответственно с первым и вторым входами Н 02, второй выход которого заземлен, Ключ 7 входом подключен к входу усилителя, выходом заэемлен. Управляющий вход ключа 7 подключен к вторым выходам Н 01 и Н 02,В исходном состоянии устройства, реализующего предлагаемый способ, ключи 3, 5, 6 и 7 разомкнуты, ключ 4 замкнут; информация в ЗУ сброшена; заранее задан и введен в ЗП и в схему Р потенциал,При нажатии кнопки 12 ключ 4 размыкается, а ключи 3 и 5 замыкаются. Заряд с индуктора через каскад 5 поступает на конденсатор 8, Потенциал р со второго вывода конденсатора поступает на усилитель 9 и с него на ЗУ, Н 01, Н 02. В начале зарядки конденсатора потенциал р принимает...

Номер патента: 1778118

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Алешин, Суворов

МПК: C08J 7/18

Метки: полиимиде, проводящего, слоя

...глубине проникновенияионов инертного газа. Кроме того, будетпроисходить большое выделение энергии, 1778118которое ведет к термическому разложениюпленки полиимида.Следующим необходимым признакомявляется величина плотности ионного тока,которая должна ограничиваться интервалом 5 - 7 мкА.Превышение верхней границы интервала плотности тока приводит к локальномуперегреву пленки и к процессу ее термического разложения,При более низких, чем 5 мкА/см плотностях тока, выделяемая при облучениимощность является недостаточной для карбонизации.Также необходимым признаком является доза облучения ионами тяжелых металлов (например, ба ), она Бдолжнаограничиваться интервалом 3 10 - 10см .При дозах меньших 3 10 см г не на. блюдается...

Номер патента: 1141999

Опубликовано: 20.07.2000

Автор: Шуплинская

МПК: H05K 3/00

Метки: пассивации, поверхности, покрытия, проводящего

1. Способ пассивации поверхности проводящего покрытия, включающий нанесение защитного металлического слоя толщиной на поверхность проводящего покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения коррозионной стойкости покрытия, после нанесения защитного покрытия проводят его термообработку на воздухе при температуре 403 - 423 К в течение 1,0 - 1,5 ч.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве защитного покрытия используют хром, или алюминий, или марганец, или железо.