Гофштейн-Гардт
Аппарат для получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов
Номер патента: 392857
Опубликовано: 25.08.1977
Авторы: Гофштейн-Гардт, Деготь, Дененберг, Дмитриев, Дохман, Коган, Царенков, Шкармутин, Яковлев
МПК: H01L 21/20
Метки: аппарат, полупроводниковых, слоев, эпитаксиальных
...как в условиях отсутствия фазового равновесия между компонентами раствора-расплава (открытый объем), так и в условиях фазового равновесия,(закрытый, объем). Это достигается тем, что внутренняя Мамера аппарата снабжена подвижвымв герметиэиру 3 ощими пробками и расположена в температурной зоне нагревателя,На чертеже показан предлагаемый аппарат.Аппарат содержит камеру 1 с отверстиями для продувания рабочего газв, нвгре ватель 2, кварцевую трубу 3 е конически ми шлифами и пробками 4 из кварца, зв крепленными на штоках 5; Каждый шток соо. тоит иэ двух частей, соединенных между собой. полусферическим шарниром 6 и имеет ручной привод, сосгояший иэ маховика 7 и пружины 8, которая поджимает шток к трубе Э. В месте выхода из рабочей...