Патенты с меткой «анизотропией»

Номер патента: 207261

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Торотенков

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропией, анизотропии, магнитных, одноосной, пленок, поля, тонких

...поля определяют анизотропию исследуемой пленки.С целью пояснения описываемого способа на чертеже приведена схема устрой:тва для его осуществления.При измерении поля анизотропии вдоль оси легкого намагничивания создают импульсное магнитное поле, меняющееся по знаку, Импульсы магнитного поля должны иметь длиочную для перемагничиватной пленки из насыщенного м направлении в насыщен- противоположном направле207261 Составитель В. Агапов 2 ЬлгОои Типография, пр. Сапунова При дальнейшем увеличении постоянного поля по оси трудного намагничивания вид сигналов с тонкой магнитной пленки принципиально не меняется, уменьшается лишь их площадь и амплитуда за счет меныпего отклонения намагниченности от о и трудного намагничивания импульсами поля по...

Номер патента: 562547

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Адоменас, Даугвила, Денис, Чепоните

МПК: C07C 69/78

Метки: анизотропией, диэлектрической, жидкие, кристаллы, нематического, отрицательной, типа

...1 и 6 и диэлектрическая анизотропия жидкокристаллического ди-(4-н-гексилокси)-бензойного эфира гидрохинона при различнытемпературах ( М 700 кГц) 3,80 1,35 3,80 5,05- 1,25- 1,20 3,80 4,90 1,10 Найден я; .;,. 76; Н 6,92Сзн НОВычисленс%: С 72,91; Н 6,86 аналогично синтезируют все сложные эфяры замещенных гидрохинонов,П р и м е р 2. ди-(н-Гексилокси)-бензойный эфир 2,3 - дициангидрохинона. Выход 62%, Нематический интервал146-168 С,Найдено,%: С 71,53; Н 6,42С Н Й ОВычислено %: С 71, 81; Н 6,38П р и м е р 3, ди-(4-н Бутилокси)-бензоат 2 3- дициангидрохинона,СМ СКн - СЕ)-90.-В-иВыход 65%, Нематический интервал164-195 С,16 П р и м е р 5, ди-( 4-н-Гексилоксн)= -бензоат 2-нитрогидрохинона. Полученные жидкие кристаллы при комнатной...

Номер патента: 595294

Опубликовано: 28.02.1978

Авторы: Болотин, Зерюкина, Курносова, Сафина, Столярова, Шишова, Этинген

МПК: C07C 69/86

Метки: анизотропией, диэлектрической, жидких, качестве, кристаллов, нематических, положительной, транс-п-алкокси-п, цианстильбены

...имеют малую гидролитическую устойчивость - азометины гидролизуются уже влагой атмосферы воздуха.Целью изобретения является выявление новых хкидкцх кристаллов, которые обладают высокой гидролитической устойчивостью.Для этого предлагают неописанные производные стильбена - транс-гг-аклокси-г-ццанстильбены общей формулы595294Наппепп оо Т. пл Н 154 144 81,67 81,90 82,10 82,27 82,44 82,58 92 72 82,95 5,5 6,06 6,50 6,90 7,26 7,59 7,89 8,41 СН С.,Н,- С 3 1 г СНлНз С;Н,5,69 6,13 6,62 6,91 7,29 7,63 7,49 8,48 81,73 81,94 82,21 82,33 82,40 82,6183,00 83,01 145 128,6137 119 117 12 д,д128 88,5 81,2 117,9 126,5123 общей цым хлористым кальцием. Сухой бензольный экстракт пропускают через хроматографическую колонку с окисью алюминия, Элюентом служит...

Номер патента: 1705892

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Векшин, Капитанов, Корнилов, Линецкий, Соколовский, Цветков

МПК: H01F 10/00

Метки: анизотропией, магнитов, перпендикулярной, сплава

...обработку, температура подложки при напылении составляет 300-470 С. ла по намагниченности, максимальное энергетическое произведение, измеренные 3 перпендикулярно плоскости пленочных С) магнитов, Вг и 1 Нс - соответственно оста- (Лч чточная магнитная индукция и коэрцитивная (ф сила по намагниченности, измеренные в сО плоскости пленочных магнитов.П р и м е р 2. Пленки сплава Мб - Ре - В толщиной 90 мкм напыляли так же, как в примере 1, но при температуре подложки 300 С. После напыления пленки имели 1 Нс ф менее 40 кА/м. После термической орработки 700 С, 0,5 часа магниты имели Вг = 1,05 Тл, Нс =1112 кА/м,(ВН)м =195 кДж/м .П р и м е р 3. Пленку сплава )чб-Ге-В толщиной 250 мкм напыляли со скоростью 50 мкм/ч так же, как и в...

Номер патента: 1718162

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Ваньков, Зюзин

МПК: G01R 33/05

Метки: анизотропией, кристаллографических, магнитных, методом, направлений, орторомбической, пленках, резонанса, ферромагнитного

...симметрии кристаллографической, Данное устройство имеет следующее объяснение.Известно, что интенсивность линии ФМР пропорциональна мощности СВЧ-поля, поглощаемой при резонансе, которая определяется антиэрмитовыми компонентами тензора ЯЧ-восприимчивости. В случае линейно поляризованного СВЧ-поля можно показать, не теряя общности, что указанная интенсивность определяется мнимой частью соответствующей диагональной компоненты тензора ВЧ-восприимчивости. Если принять, что ВЧ-поле совпадает с осью Х локальной системы координат, ось Е направлена вдоль вектора намагниченности М, совпадающего с внешним магнитным полем и нормалью к плоскости пленки, то отмеченная мнимая часть будет иметь вид- + + (1) где у- гирамагнитное отнош е,а- параметр...

Номер патента: 1778661

Опубликовано: 30.11.1992

Автор: Джежора

МПК: G01N 27/22

Метки: анизотропией, влаги, материалах, ортогональной, структурной

...пряжи и в направлении перпендикулярном ему (еф 1/(е 1)и 2. из этих графиков видно, что наибольшей чувствительностью к изменению влажности льнопряжи обладает зависимостьЕ 11 - Е 1анизотропии(Е 11 Е 1 "1Учитывая, что при измерении анизотропии, т.е. разности с помощью дифференциальной схемы (например., мостовой) исключаются погрешности, связанные с колебаниями влажности и температуры окружающей среды, то такой способ контроля влаги дополнительно повышает точность измерений.Из графиков также видно, что колебания массы льнопряжи не сказываются на зависимости е 11 - е 1) 11/(е 11 - е 2) 2 от влаги.Пример осуществления способа. Льнопряжа обладает аксиальной анизотропией. В силу этого анизотропия в направлениях перпендикулярных структуре...