Патенты с меткой «ядерные»

Диффузионный способ введения радиоактивных ядер в ядерные фотоэмульсии

Загрузка...

Номер патента: 170129

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Беркович

МПК: G03C 5/16

Метки: введения, диффузионный, радиоактивных, фотоэмульсии, ядер, ядерные

...отделяют от фо ргают сушке в вакууме,ная ч ешл лои. фольге, пеульсионные а введения льги и поддмет изобный способр в ядерные ф, что, с цельиодического ов новыми поривных ядерьсионные слрительно испо, путем послэтих эмульльг. тек Диффуз ион активных яде 10 кающийся тем можности пер сионных слое ние радиоакт мокрые эмул 15 фольг, предва бирания ядер тактирования каждой пз фоПодписная группаДата опубликования оп Известные способы введения радиоактивных ядер в ядерные фотоэмульсии позволяют произвести только однократное введение ядер, синтезированных на ускорителях. В случае регистрации и идентификации ядер, имеющих очень малое сечение образования, однократного введения ядер оказывается недостаточным. Возникает необходимость...

Способ введения лития в толстослойные ядерные фотоэмульсии

Загрузка...

Номер патента: 454525

Опубликовано: 25.12.1974

Авторы: Котиков, Махновский

МПК: G03C 1/50

Метки: введения, лития, толстослойные, фотоэмульсии, ядерные

...растворах 1.З 04, СНзС 001.1, а также в водном растворе 1.1 В 40 т с примесью глицерина.Однако возможность введения малого количества лития в фотоэмульсионный слой (меньше 18 милиграмм лития на 1 см эмульсии) приводит к значительным затратам времени при поиске необходимого числа исследуемых событий.Цель изобретения - разработка способа, который позволяет вводить в толстослойные фотоэмульсии в 3 - 5 раз большее количество лития. Цель осуществляется путем предварительного купания фотоэмульсии в 10% -ном водноспиртовом растворе глицерина с последующей за этим ее пропиткой раствором ацетата лития, заданного объема и титра, заливаемого на поверхность только что проглпцея при - 6,0.объ- тавля- одобышает ьсип в фото- оцедуропитка проводитс...

Способ настройки кристаллов на ядерные дифракционные максимумы

Загрузка...

Номер патента: 714254

Опубликовано: 05.02.1980

Авторы: Лабушкин, Саркисян

МПК: G01N 23/207

Метки: дифракционные, кристаллов, максимумы, настройки, ядерные

...амплитудного анализатора 8, импульсов, фиксируют положение максимума в спектре и убирают источник 3, На кристалл 6 через коппиматор 4 направляют пучок рентгеновского излучения с непрерывньм спектром от рентгеновской трубки 1, Кристапп 6 и детектор 7 устанавливают приблизительно в положение, соответствующее отражению без структурного погасания дпя длины волны мессбауэровского излучения 4 спомощью гониометра 5 и амплитудного анализатора 8 импульсов набирают амппитудный спектр,дифрагировавшего, излучении, получая спектр, аналогичный приведенному на фиг, 2 а. Здесь пику 1 соответствует первый порядок отражения с длиной волны А , пику И - второй порядок отражения с дпиной волны - , ЕсЛ 2пи положение пика 1 не совпадает с попожеиием пика...