Шабалтай

Номер патента: 727469

Опубликовано: 15.04.1980

Авторы: Ахметов, Давыдченко, Нефедов, Полянский, Шабалтай

МПК: B28D 5/00

Метки: кристаллов

...происходит растворение части кристалла, так как он находится в неравновесных условиях с расплавом.Так как расплав не содержит иныхкомпонентов кроме входящих в составкристалла, то обрабатываемая поверхность не загрязняется постороннимипримесями в процессе травления,Равномерность травления обеспечивается изотермической выдержкой крис-талла в расплаве в течение 0,01-0,1часа,Скорость травления поверхностив глубину составляет 1-3 мм в минуту, а продолжительность выдержки кристалла в расплаве зависитот толщины-снимаемого слоя,Обработка кристалла состава Аможет проводиться в области температури составов расплава смеси компонентов А и С, лежащей внутри замкнутой кривой 1-2-3-4-5-7-1. Областьсоставов и температур расплава дляобработки...