Лабушкин

Номер патента: 1444657

Опубликовано: 15.12.1988

Авторы: Лабушкин, Саркисов, Толпекин

МПК: G01N 24/00

Метки: дифракционного, мессбауэровского, спектра

...по мессбауэровскому иэотопуРе составляло около 90 .Измерялся спектр чисто ядерного магнитного отражения, угол Брэгга для излученияСо (Е=14,4 кэВ) раовен 6 = 5,12 , Ось магнитной аниэотропии, наведенной механическим напряжением (путем приклеивания и небольшого растягивающего усилия до Р = 0,5 Н) была направлена на одной поверхности вдоль наибольшего линейного размера кристалла, а на второй - перпендикулярно ему. В соответствии с ориентациями. этих осей в кристалле возникали при магнитном отношении два параллельных слоя, различающихся направлением намагниченностей подрешеток, т.е. направлением анти- ферромагнитной оси (АФО).На фиг,З и 4 в одном масштабе даны фрагменты энергетических дифракционных спектров (показан только крайний левый...

Номер патента: 1166948

Опубликовано: 15.07.1985

Авторы: Головин, Гордо, Емельянов, Куделин, Лабушкин, Лупаков, Перминов, Поминов, Чертищев, Шевелев

МПК: B23K 20/14

Метки: внахлестку, диффузионной, сварки, труб

...показали, что оптимальная длина перехлеста составляет0,4-0,6 от длины ступенек,Указанное соотношение высотыступенек, их длины и толщины стенкисвариваемых труб является оптимальным. Высота и длина ступенек, равная соответственно 0,1-0,2 и 1,2-1,8от толщины стенки трубы, обеспечивает требуемые толщину титановойвставки и длину соединения, следовательно, и длину нахлестки. Высота ступенек менее указанного предельного значения, например при малых толщинах труб, трудновыполнимаи при этом неоправданно увеличивается общая длина соединения, чтосоздает трудности при выполнении операции сварки, Высота ступенек болееуказанного предельного значенияуменьшает общую длину соединения,прочность соединения; так как с увеличением высоты ступеньки...

Номер патента: 1025226

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Коваленко, Лабушкин, Прокопов, Саркисов, Саркисян, Селезнев

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, кристалла, магнитных, свойств, толщине, электрических

...плоскостей, параллельных поверхности кристалла. Дифрагировавшее на кристалле излучение регистрируют полупроводниковым блоком детектирования б, Импульсы с предусилителя блока детектирования поступают на спектрометрический прибор 7,затем сформированные и усиленные импульсы с выхода прибора подаются .на вход амплитудного анализатора импульсов 8, с выхода которого сигнал поступает на мессбауэровский спектрометр ЯГРС9. Скорость движенин вибратора задается мессбауэровским спектрометром. Поглощение и излучение у -квантов происходит через определенный ядерный переход,для чего спектрометр, работающий в режиме постоянных скоростей, задает определенную скорость движения штока вибратора. Получают зависимости интенсивности дифрагировавшего...

Номер патента: 719282

Опубликовано: 07.01.1982

Авторы: Лабушкин, Саркисян

МПК: G01T 1/36

Метки: излучения, моноэнергетического, фотонного, энергии

...и пика измеряемого источника, Измеряют значение угла ъ и из соотношения (1) определяют значение энергии излучения источника 1,Принципиальное отличие предлагаемого способа состоит в том, что, используя явление дифракции рентгеновского излучения с непрерывным энергетическим спектром, имитируют излучение, энергию которого необходимо измерить, что делает возможным определение энергии короткоживущих изотопов и существенно сокращает время измерения энергии слабоинтенсивных источников, т. к. интенсивность такого имитатора намного больше интенсивности излучения измеряемых источников.Суммарная погрешность определения энергии дается соотношением где ,=, М =дЕйс Ьддд2 дз 1 п о д погрешность, обусловленная ошибкой в определении величины д; дЕ Ь с...

Номер патента: 795191

Опубликовано: 07.01.1982

Авторы: Васильев, Лабушкин, Саркисян

МПК: G01T 1/16

Метки: градуировки, излучения, преобразователя, фотонного, энергии

...элемент устанавливают под углом Вульфа-Брэгга к направлению излучения источника, а градуируемый преобразователь - соответственно под двойным (удвоенным) углом Вульфа-Брэгга и измеряют зависимость параметра выходного сигнала (например, его амплитуду) от величины уг. ла Вульфа-Брэгга, которая по известному "оотношению Брэгга пересчитывается в величину энергии излучения, Изменением угла отражения Вульфа-Брэгга достигается плавное изменение энергии регистрируемо 5 10 15 20 з зо 35 40 45 50 го излучения, причем возможна установка произвольного ряда значений энергии излучения с любым энергетическим интервалом между линиями. Этот интервал между линиями может быть выбран достаточно малым, чтобы уменьшить погрешность измерения...

Номер патента: 533263

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Гарзанов, Лабушкин, Макаров

МПК: G01N 24/00

Метки: олова, содержания, экспрессного

...рассеянных под углами 90( а150.Предлагаемое устройство работает следующим образом. При покоящихся источниках 1 резонансные ядра 5 п"О входящие в состав касситерита в исследуемой пробе 3, поглощают резонансные у-кванты источника, что увеличивает интенсивность рассеянного резонансного у-,излучения под углами 90 а (150. Резонансные радиаторы 16,поглощают эти рассеянные резонансные у-кванты, после чего испускают электролы конверсии, которые ионизируют газ в камере. При наличии между пластинами камеры электрического поля в камере возниЗо 35 40 45 50 55 бО 65 кает ток, который подают на вход электро- метрического усилителя 6, Когда напряжежепие на выходе усилителя 6, которое изменяется по линейному закону, достигает первого уровня...

Номер патента: 750366

Опубликовано: 23.07.1980

Авторы: Гарзанов, Лабушкин, Макаров

МПК: G01N 27/78

Метки: окисного, олова, содержания, экспрессного

...слоя не более, чемна две единицы.Устранение иэ спектра рассеянногоисследуемой пробой излучения, попадающего в резонансную ионизационнуюкамеру, низкоэнергетической флуоресцентной рентгеновской составляющей,достигаемое такой конструкцией, обеспечивает постоянство значений величины эффекта резонансного рассеянияЕ = Е(с) при изменении содержания вматрице исследуемой пробы некоторыххимических элементов, что повышаетточность измерения содержания окисного олова.На фиг, 1 изображена функциональная схема устройства; на фиг. 2амплитудные спектры рассеянного исследуемой пробой (матрица Ре 20 з, содержание олова С = 1%) первичного излучения источника, попадающего нРИК при отсутствии (кривая а ) и на-личии (кривая 6 ) слоев на входномокне...

Номер патента: 714254

Опубликовано: 05.02.1980

Авторы: Лабушкин, Саркисян

МПК: G01N 23/207

Метки: дифракционные, кристаллов, максимумы, настройки, ядерные

...амплитудного анализатора 8, импульсов, фиксируют положение максимума в спектре и убирают источник 3, На кристалл 6 через коппиматор 4 направляют пучок рентгеновского излучения с непрерывньм спектром от рентгеновской трубки 1, Кристапп 6 и детектор 7 устанавливают приблизительно в положение, соответствующее отражению без структурного погасания дпя длины волны мессбауэровского излучения 4 спомощью гониометра 5 и амплитудного анализатора 8 импульсов набирают амппитудный спектр,дифрагировавшего, излучении, получая спектр, аналогичный приведенному на фиг, 2 а. Здесь пику 1 соответствует первый порядок отражения с длиной волны А , пику И - второй порядок отражения с дпиной волны - , ЕсЛ 2пи положение пика 1 не совпадает с попожеиием пика...

Номер патента: 490222

Опубликовано: 30.10.1975

Авторы: Лабушкин, Матусевич, Фалеев, Фигин

МПК: H01V 9/00

Метки: излучения, модуляции, рентгеновского

...электромагнита 4. Кристалл 3 вырезан таким образом,что его поверхность, обращенная к падающему излучению, совпадает с кристаллографической плоскостью (111). Обмотка электромагнита 4, выполненного с возможностью 5 поворота вокруг оси, перпендикулярной к кристаллографической плоскости (111), соединена с генератором 5, с помощью которого подают переменное электрическое напряжение, вызывающее появление магнитного поля меж- О ду полюсами магнита 4 под действием внешнего магнитного поля происходит изменение магнитного упорядочения антиферромагнитного монокристалла 3 со слабым ферромапштизмом, что вызывает изменение условий про хождения рентгеновского излучения через монокристалл. Различные условия прохождения рентгеновского излучения...