Способ контроля ограненных пластинчатых кристаллов гексагонального типа

Номер патента: 725001

Авторы: Фомин, Шумский

ZIP архив

Текст

АН Союз СоветскихСоциалистически Республик ЕТЕНУ С 8 ИДЕТЕ АВТОРСКО ополнительное к авт. сви 2) Заявлено 23 Л 1.78 (21) 26присоединением заявки -М.Кл 1 М 23/2 Государственный комитет(45 ата опубликования описан 2) Авторы изобретени В. Г Фомин иМ. Г, Шумскийдена Октябрьской революции напроектный институт редкометаллышленности Гиредмет(54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ОГРАНЕННЫХ ПЛАСТИ НЧАТЫХ КРИСТАЛЛОВ ГЕКСАГОНАЛЬНОГО ТИПАИзобретение относится к области рентгеноструктурного анализа и может быть ис. пользовано для контроля качества полупроводниковых материалов; например, однородности пластинчатых кристаллов, обра. 5 зующих политипы (51 С, СЙЯ, СЙЯз и др,).Известен дифрактометрический метод определения присутствия включений политипов 11, включающий облучение кристалла монахроматическим рентгеновским пучкоМ 10 лучей, направленных под соответствуюЩим углом Вульфа-Брэггов к кристаллографической плоскости 1 ОООЦ, совпадающей или от. клоняющейся от плоскости пластины на угол не более 3, и регистрацию рентгеновских дифракционных отражений, запрещен. ных структурным фактором, с .помощью счетчика квантов, Отражения получают,по схеме съемкиБрэгга. По угловому положе. нию запрещенных отражений определяют, 20 состоит кристалл из одного политипа или является" сростром:Известен также способ контроля кристаллов на присутствие включений полатипов 12, в котором облучают кристалл моно. 25 хроматическим пучком лучей, направлен. ным перпендикулярно кристаллографическому направлению 1 ОООЦ пластины кристалла, покачивая объект, регистрируют рентгеновсиие дифракционные отражения; полу- З 9 2ченные по схеме съемки Брэгга, на фотопленку и, анализируя положения и интенсивности разрешенных отражений, определяют, состоит кристалл из одного политипа или представляет сросток.Ближайшим к изобретению техническим решением является способ контроля ограненных пластинчатых кристаллов гексаго- нальното типа 131, включающий облучение их полихроматическймпу тком рентгенов-ских лучей, направляемым с одной стороны пластинчатом кристалла перпендикулярно его поверхности, фотографическую регистрацию дифрагированного излучения с другой стороны и сопоставление полученной рентгенограммы с эталонными,Недостаток прототипа состоит в том, чтов процессе съемки освещается"участок"кри-" сталла необходимого объема, вследствие чего чувствительность способа и надежность контроля оказывается недостаточной. Простое увеличение объема, освещаемого рентгеновским лучом, благодаря увеличенпо ттла расходимости пучка не приводит к достижению цели, поскольку при этом снижается чувствительность способа вследствие размытия дифракционных рефлексов.Целью изобретения является повышение надежностй выявления включений полити.

Смотреть

Заявка

2686447, 23.11.1978

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ОРДЕНА ОКТЯБРЬСКОЙ РЕВОЛЮЦИИ НАУЧНО ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ И ПРОЕКТНЫЙ ИНСТИТУТ РЕДКОМЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ "ГИРЕДМЕТ"

ФОМИН ВЛАДИМИР ГЕОРГИЕВИЧ, ШУМСКИЙ МАРК ГРИГОРЬЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: G01N 23/20

Метки: гексагонального, кристаллов, ограненных, пластинчатых, типа

Опубликовано: 30.03.1980

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-725001-sposob-kontrolya-ogranennykh-plastinchatykh-kristallov-geksagonalnogo-tipa.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ контроля ограненных пластинчатых кристаллов гексагонального типа</a>

Похожие патенты