Кревс

Номер патента: 642798

Опубликовано: 15.01.1979

Авторы: Кревс, Пашковский, Спитковский, Чеджемова

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллов, кристаллографической, ориентации, структурой, сфалерита

...исв 15 5 е,типа У тямиы конкретного использования мого способа.м е р 1, Поверхность 1 П( мо НТе, выраженного из гаэоимпульсно индентируют алрамидой микротвердомера тс нагрузкой 5 г. На исс верхности системы полос с уют равносторонний треугольдая иэ сторон которого дает ческое направление типа н и- ледвико длческо лов, произ талла скость скола Нгье, выращениндентируют после чего на; е р 2. Пл кристалла м Бриджмен примеру 1,Прим 1110 ( мо ного метод аналогично преде- нтации Изобретение относится к полупроводниковому материаловедению и можетбыть использовано в кристаллографии,в частности, для определения кристаллографической ориентации непрозрачных кристаллов,Известен способ определения кристаллографическойориентации непрозрачных...