Способ получения монодоменных кристаллов метатанталата лития
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(5 Ц И, КлС 03 3 11/02 В 01,У 17/00 присоединением заявки эйфВЗРОЯВб ВВВЩ ссср Дмам 13 Ффйзмии и ет 1 цйпяяЩ Приоритет Опублввоваи Дата опубли 27 К 546.883 ф4 07:548.55(088.8 25.07. 79.5 вллетеи оваини описания 28(54) СПОСОБ ННЫХ КРИСТАЛЛ ПОЛУЧЕНИЯ ИОНОД АТАНТАЛАТА ЛИТ я к техмонок рис Известен спсных кристалловтем отжига образповерхность, перодами под постонем при темперааутуре Кюри, с посл соб и метит олучення моно нталата лити нанесенными улярио оси Й, элект ким по- перанаем. янкым электричес ре, близкой к тем едуюшим охлажде втм Предлагаемый способ относитс нодогии получения монодоменных талион сегнетоэлектрика метвтвнталата лития, Монодоменщм кристаллы метатааталатв лития нг;-.дя: Широкое применение в кээВРюой .:ж .":,1. " "пйе ддя мощчииим лавэфюй О иэлучэиж а также при конст руиро 4 йиии некоторых схем в пьезотехни ке. Кристаллы метатантвдвта лития в настоящее время вырашиввют из расплава методом Чохральского.ЮПолучение монодоменшг, кристаллов сегнетоэлектриков сводится к обжигу обрвзпов с приложением эдектрнчесви о поля при определенной температуре - ойа". но близкой к точке Кюри. Цель изобретении - получение 90%-ного выхода годных кристаллов, ускорение пропессв и улучшение качества конечного продукта. Для этого пропесс веут прк температуре не более чем нв 5 С ниже температуры Кюри и течение 50-70 миа и напряженности электрического поля Е = (5 + 0,005 Т) В/см для Тк620 С, где Т - температура Кюри, а Т 620 С - Тк и Е (5 + 0,5 Т В/см ддя Т С620 С, с посдеопуюшим охлвхцением со скоростью 60-90 С/ч, снимая электрио ческое поде прн температуре на 80-100 С ниже температуры Кюри.Г риме р. Берут 374;ОгТвО.С,-, и 78,5 гСОт О.С.Ч. Состав композкпни соответствует соотношению ионов;.:мтия н тантала и рвспдаве, равном 1, Смесь этих продуктов перемешивают в течение 24 ч в полиэтиленовом сосуде и брикетируют под давлением 150в таблетки диаметром 48 мм.Тигель пдвтино:-родиевый 56 хЗх 53 с платиновым вкладышем 50 х 2 х 50 мм ус.ЦНИИПИ Заказ 4389/55 Тираж 590 Подписное филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 танавлнвают в алундовом стакане в нижнюю часть двухсекционного индуктора. Тигель заполняют таблетками и затем наиндуктор подают высокочастотные колебания от генератора мощностью 450 кГц.Повышением подаваемой мощности в течение 0,5 ч достигают условий, необходимыхдля расплавления исходного сырья вты 6 ле и затем выключают ВЧ генератор.Процесс наплввления повторяют до полного заполнения тигля,Затравку 2 х 2 х 10 мм, вырезанную внаправлении оси У (90 к направлениюооси Я ), закрепляют платиновой проволокой на платиновом штоке. 15В верхней части индуктора устанавливают экран 50 х 2 х 50 мм в керамическомэкране и затравку опускают в зону надзакристаллизовавшимся расплавом. Включают БЧ генератор и, увеличивая мощ йность, подаваемую на индуктор, повышают температуру и расплавляют в тиглетаблетки (температура в зоне экрана должна быть 1400-1500, С),Процесс в сращивания производитсяпри следующих технологических параметрах: скорость вытягивания 6 мм/ч, скорость вращения затравки 50 об/мин. Размер выращенного кристалла: диаметр 16 мми длина 30 мм. После отрыва кристаллаот расплава мощность ВЧ генератора постепенно снижают в течение 4 ч.Выращенные кристаллы могут обрабапаваться без дополнительного отжига.Для проведения процесса монодоменизациикристалл обри эатывают в форме прямоугольника со сторонами, параллельнымиоосям Х, У,2 с точностью 30 размером10 х 10 х 25 мм соответственно.Стороыы, перпендикулярные ыаправле онию оси У, полируют, На стороны образца, перпендикулярные оси Е. наносят электроды из палладиевой пасты. Вжигаыиеоэлектродов производится при 1000 С втечение 3 ч.,45 Образец с нанесенными электродамн вставляют между двумя прижимыымн пластинами в, прямокаыальную печь, обеспечивающую малые осевые и вертикальные температурные градиенты (мень 1 ше 0,5 град/см). Термопару закрепляют рядом с образпрм, Доводят темпераЧру ф печи в течение двух часов до 500 С,4а затем иагревание ведут со скоростью 40 град/ч. Одновременно производятизмерения емкости образца в зависимости от температуры мостом Р 568 на частоте 100 кГц.По максимуму зависимости С У (Т)определяют точку Кюри 625 С.Температуру в печи снижают до 620 С.При этой температуре для лроведеыия процесса монодоменизации к образцу прикладывают поле напряженностью, рассчитанной по формулеЕ5+ 0,05 Х (-"5)4,75 В/смИсхода из этого величину подводимогонапряжения У определяют как О = Ед "4,75 х 1,04,75 В, где 1 - расстояние между электродами.Образец выдерживают при 620 С подполем в течение 1 ч.По окончании выдержки кристалл флаждают нод полем температуры 400 С,после чего производят очтлюченне печии пола.Проверку моводоменыости образца осуществляют путем измерения электроопткческой характеристики (величина полуволнового напряжения равна дпа моиоааюнвах образцов 2800 ВФ 50),Формула изобретении Способ получения моыодомевных кристаллов метатанталата литва путем отжига образцов с нанесенными на поверхность, перпендикулярно оси я, электродами под постоянным электрическим полем при температуре, близкой к температуре Кюри,с последующим охлаждением, о т л ич а ю щи й с я тем, что, с целью получения,90%-ного выхода годных кристал-.лов, ускорения процесса и улуипениа качества конечного продукта, процесс ведут при температуре не более, чем на 5 Сониже температура Кюри в течеыие 5070 мин и напряженности электрическогополиЕ = (5+ 0,005 Т) В/см дпа Тк620 С, где Тк - температура Кюри, а Т = 620 С,- - Тки Е = (5 + 0,5 Т) В/см дляоТк620 С, с последующим охлаждением со скоростью 60-90 С/чснимая элект- рическое поле при температуре на 80- 100 С ниже температуры Кюрв.о
СмотретьЗаявка
1481624, 08.10.1970
АНГЕРТ Н. Б, ГАРМАШ В. М, КЛЮЕВ В. П, КОЛБАЦКОВ Ю. М
МПК / Метки
МПК: C01D 15/00
Метки: кристаллов, лития, метатанталата, монодоменных
Опубликовано: 25.07.1979
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-388498-sposob-polucheniya-monodomennykh-kristallov-metatantalata-litiya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения монодоменных кристаллов метатанталата лития</a>
Предыдущий патент: Способ очистки сточных вод
Следующий патент: Роторно-дисковый экстрактор
Случайный патент: Штамп для термомеханической обработки листовых деталей