Способ выращивания тугоплавких кристаллов из расплава

Номер патента: 1624063

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Багдасаров, Кеворков, Сытин

МПК: C30B 11/00

Метки: веществ, выращивания, кристаллов, тугоплавких

...с возможностью осевого перемещения. Под нагревателем расположены система горизонтальных экранов и гистел 1 а до- -,О, НитЕЛЬНЫХ ЭКраНОВ, ВЫПОЛНг.ННя В форме усеченных конусов с углол 1 раскрытия 9 - 11, установленных на вепем горизонтальном экране раструбами вверх, Получены кристаллы иттрий-алюминиевого Я граната и его модификации. 1 ил,Контеинер 4 с исходным материдгом пол 1 ещают в рабочее пространство коаксиально нагревателю 2 В камере роста 1 создают необходимые температурные условия и давление Выращивание кг)исталлов осуществляют опусканием контейнера 4 через температурный градиент, создаваемый диафрагмой (не указано) нагревателя 2. Часть энергии, излучаемой нагревателем 2, попадает нд внугреннюю повеохносгь конусов 7 и...

Номер патента: 958508

Опубликовано: 15.09.1982

Автор: Гернанд

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, кристаллов, лития, монодоменных, ниобата, расплава

...кристаллов по методу Чохральского, задачей данного изобретения является указание простого метода для выращивания однодоменных кристаллов ниобаталития из расплава.В основу изобретения положен тотфакт, что мероприятия для реализацииоднодоменной структуры по известнымдо сих пор методам и дополнительныемероприятия не только усложняют процесс выращивания кристаллов ниобаталития, но также могут отрицательносказываться на качестве кристаллов,например в отношении оптической однородности и пропускания. Кроме того,однодоменность обеспечивается не повсей полезной длине кристаллов.Существо предлагаемого изобретениязаключается в том, что в противоположность к до сих пор распространеннойтеории однодоменные кристаллы ниобаталития могут...

Номер патента: 1813817

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Александров, Демидов, Юшкевич

МПК: C30B 11/02, C30B 29/54

Метки: веществ, кристаллов, органических

...когда закристаллизовано 80-857 ь расплава. После этого останавливают привод возвратно-поступательного движения и термостат, нагнетающий теплоноситель в рубашку 2. Теплоотводящий элемент 15 с кристаллом поднимают над уровнем расплава, Обогащенный примесями расплав стекает на днососуда 1, Разделительную диафрагму 8 поднимают до верхнего уровня расплава и с помощью дополнительной емкости через патрубок 13 вытесняют из нижней части рубашки 2 термостатирующую жидкость, заменяя ее хладоагентом, Уровень хладоагента доводят до диафрагмы 8, В холодильник 12 пропускают охлажденную воду и понижают температуру хладоагента под диафрагмой 8 до температуры несколько ниже температуры кристаллизации расплава. При этом загрязненный расплав...

Номер патента: 666700

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Александров, Матвеев, Райман, Симун, Соколов, Фритсше

МПК: C30B 11/00

Метки: вертикальной, выращивания, кристаллизацией, кристаллов, направленной, нескольких, расплава

Устройство для выращивания нескольких кристаллов вертикальной направленной кристаллизацией расплава, включающее несколько контейнеров, имеющих форму чаш, с отверстиями, установленных в стопу, и питатель, расположенный сверху, отличающееся тем, что, с целью упрощения изготовления устройства за счет исключения притирки контейнеров друг к другу, облегчения выгрузки кристаллов вследствие предотвращения затекания расплава в места контакта контейнеров и возможности очистки расплава от летучих примесей, отверстия выполнены в виде вертикальных каналов в боковых стенках контейнеров, соседние контейнеры установлены со смещением отверстий относительно друг друга.

Номер патента: 778363

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Зелигман, Малахова, Сытин, Циглер

МПК: C30B 11/10, C30B 29/16

Метки: вернейля, выращивания, кристаллов, методом, окислов, тугоплавких

Способ выращивания кристаллов тугоплавких окислов методом Вернейля, включающий подачу кислорода по внутренним, центральному и соседнему с ним каналам и последующее чередование раздельных потоков водорода и кислорода, отличающийся тем, что, с целью обеспечения более широкого фронта кристаллизации и увеличения за счет этого диаметра выращиваемых кристаллов, скорость истечения кислорода по внутренним каналам поддерживают равной 0,5 - 3,0 м/с, а в каждом последующем внешнем потоке в 1,5 - 4,0 раза большей.