H01C 7/108 — из оксидов металлов

Номер патента: 127310

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Князев, Плотников

МПК: H01C 17/30, H01C 7/108

Метки: нелинейных, полупроводниковых, сопротивлений

...такого сопротивления являются также незначительная зависимость его электрических и механических свойств от температуры, влагостойкость и способность без изменения указанных свойств длительно работать в электрических схемах в режиме, сопровождающемся нагреванием,Технология получения предлагаемого сопротивления на основе окислов кремния и цинка заключается в следующем. Металлические окислы цинка и кремния в виде мелкоразмолотых порошков (величина диаметра зерна 10 - 20 мк) смешиваются в весовом соотношении 6; 1 и прокаливаются в течение 2 час. при температуре 1300. Охлажденный продукт снова измельчается, связывается водным раствором поливинилового спирта (преимущественно) и прессуется в металлических пресс-формах в заготовки...

Номер патента: 426242

Опубликовано: 30.04.1974

Авторы: Глот, Чакк, Черный, Якунин

МПК: H01C 7/108, H01C 7/112

Метки: варисторов, материал, окисловметаллов, основе, смеси, трехкомпонентнои

...увеличение нелинейности варистора.Достигается это тем, чттьего компонента введенокисел, например двуокисьпоненты взяты в следующвес. %):Двуокись олова 86,4 +0,1 Окись цинка 11,64+0,1Двуокись германия Остальное 20Варисторы изготавливают методом керамической технологии с однократным обжигом.Предварительно просушенные до постоянного веса материалы взвешивают. Мокрый помол шихты производят в фарфоровых ступ ках в течение трех часов, после чего шихту подвергают сушке в термостате при температуре 100 - 120 С. Из полученного порошка прессуют диски диаметром 15 - 20 мм и толщиной 2 - 3 мм под давлением 50 кг/см. 30 Диски располагают на магнезитовой подложке, на которую предварительно нанесен тонкий слой порошкообразной окиси алюми ния, и...

Номер патента: 1026170

Опубликовано: 30.06.1983

Автор: Глот

МПК: H01C 7/108

Метки: материал, нелинейных, резисторов

...ренциальное сопро- тивлексид исмут Коэффици ент нели нвйности иоксид ремния 5 7 80 6,5 0-" 0 93 7 300 800 Составитель Ю.Герасичкактор Е,Лушникова Техред А, Бабинец к писное омитета ССС открытийушская наб., д, 4/5 илиал ППП Патент, г.ужгоро ектная,Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в техналогии изготовления нелинейных резисторов.Известен материал для нелинейныхрезисторов, представляющий собой состав стекла системы Ав " Те - Г (1).Недостаток известного материаласостоит в низком коэффициенте нелинейности (до 4)Наиболее близким к предлагаемомутехническим решением является материал для нелинейных резисторов, включакщий оксид висмута и диоксид кремния (2) .Недостаток заключается в низком...

Номер патента: 1026171

Опубликовано: 30.06.1983

Авторы: Ивон, Черненко

МПК: H01C 7/108

Метки: переключателей, пороговых

...- уменьшение раэ-З 0броса порогового напряжения,Поставленная цель достигается тем,что в способе изготовления пороговыхпереключателей, включающем приготов,ление шихты из .смеси оксидов ванадия, 35Фосфора и меди, варку из нее стеклапри 1100-1300 ОС, введение в него платиновых электродов и электрическуюФормовку порогового переключателяприложением напряжения к платиновым 40электродам, электрическую формовкуосуществляют в течение 1-10 мин при600-1200 С и напряжении между платиновыми электродами на порядок нижепорогового напряжения. 45Эффект переключения в ванадиевофосфатных стеклах проявляется благодаря Фазбвому переходу полупроводник - металл в кристаллах оксида ванация, образукщегося вканале переключения в процессе...

Номер патента: 1109814

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Богаткова, Волкова, Гудков, Загинайло, Закс, Максимцова, Ряхин

МПК: H01C 17/08, H01C 7/108

Метки: пленочных, резисторов, цилиндрических

...собой механическую смесь металла и диэлектрика С - 5102, добавляется смесь порошков алюминйя и его окисла в количестве 28 от керметного материала при соотношении металла и его окисла 2:1, Полученная смесь порошков после тщательного перемешивания наносится на испаритель в коли. честве, обеспечивающем требуемую толщину реэистивной пленки. Испаритель с нанесенным реэистивным материалом помещается в камеру вакуумного напыления и вокруг него размещаются керамические основания резисторов . По достижении в камере вакуума порядка 10 4 -10торр испаритель постепенно разогревается путем увеличения величины подаваемого на него электрического тока и проводят двухступенчатый режим испарения.Первая ступень испарения заканчивается по...

Номер патента: 1120413

Опубликовано: 23.10.1984

Авторы: Глот, Черненко

МПК: H01C 7/108

Метки: нелинейных, резисторов

...становитсявозможным благодаря наличию находя 50щейся в контакте с зернами .оксида цинка фазы на основе оксида висмута, являющегося важной добавкой керамики. Использование в качестве стеклосвязки взятых в определенных количествах оксидов свинца, кремния и бора обеспечивает при обжиге ограничение рос-. та низкоомных зерен керамики одновременно с образованием высоких ( л 1 эВ) потенциальных барьеров на границах раздела фаз, В результате образуется керамика с малым средним размером зерен оксида цинка и высокими потеницальными барьерами на границах зерен, что обеспечивает уве личение рабочего напряжения нелинейных резисторов.П р и м е р. Вначале смешивают 97,5 мас.7 оксида цинка с добавками оксидов металлов: 1 мас.7 оксида сурьмы и по 0,5...