Способ получения полупроводниковых пленок на диэлектриках

, Кузне оицкии СОВ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОДИ ЭЛЕКТР И КАХ 1 Х ПЛЕ 959 г. за633156/23 в Комитет по делам изобрегеиийоткрытий при Совете Министров СССР явлено 8 июл убликовано в Бюллетене изобретенийза 1960одящие закрепРазработанные ранее полупроводниковые пленки из окислов некоторых металлов (олова, индия, кадмия позволяют превращать такие изоляторы как стекло и керамику в электропроводяший материал. Эти пленки па 1 пли широкое применение в промышленности для устранения запотевапия стекол в оптических приоорах и на транспорте для снятия электростатических зарядов в электронных приборах и для многих других целей.Однако все разработанные как в СССР, так и за границей полупроводниковые,пленки прозрачны лишь в видимой части спектра, Полупроводниковых пленок, прозрачных в инфракрасной области спектра, до настоящего времени пе было.Быстро развивающаяся инфракрасная техника применяет и к; честве оптических сред такие материалы как природные и искусственные монокристаллы, являющиеся диэлектриками, В связи с этим необходимы электропроводящие пленки, прозрачные в инфракрасной области спектра.Найден новый способ с применением трсхокиси вольфрама для получения на диэлектриках полупроводниковых пленок, прозрачных пе только в видимой, но и в инфракрасной области спектра, путем термообработки в атмосфере водорода диэлектриков, например, оптических деталей, покрытых слоем шестихлористого вольфрама, нанесенного из раствора в сухом этиловом спирте, илп непосредственно слоем трехокиси вольфрама испарением последнего в вакууме.Предлагаемые способы позволяют получать электропров пленки, прозрачные в инфракрасной области спектра и хорошо ляющиеся на поверхности стекол и оптических кристаллов.Первый способ заключается в том, что известным методом химического просветления наносят тонкий слой диэлектрика из трехокисп вольфрама путем смачивания поверхности горизонтально-вращающей. ся детали некоторым количеством 5 - 255;-ного раствора шестихлорисгоМ 128008 П редм ет из оо р етени яПрименение трехокиси вольфрама для получения на диэлектриках полупроводниковых пленок, прозрачных не только в видимой, но и ь инфракрасной области спектра, путем термообработки в атмосфере водорода диэлектриков, например, оптических деталей, покрытых слоем шестихлористого вольфрама, нанесенного из раствора в сухом этиловом спирте или непосредственно слоем трехокиси вольфрама путем испарения последнего в вакууме. Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор Н. И. Мосин Гр. 43Подп. к печ, 28.11-60 г.Тираж 830 Цена 2 з коп Информационно. издательский отдел.Объем 0,17 п. л. Зак, 2337 Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Петровка, 14.го вольфрама в сухом этнловом спирте. В результате испарения растворителя и реакций гидролиза поверхность детали покрывается пленкойтрехокиси вольфрама. Затем деталь с свеженанесенной пленкой подвергают термической обработке в атмосфере водорода при 350 - 450.В результате процессов восстановления при термообраоотке образуется электропроводящая пленка окисла вольфрама. В зависимости оттемпературы, времени восстановления водородом и концентрации рас;вора можно получить пленки с удельным поверхностным сопротивлением от 10 - до 10 ол. Характер проводимости пленок - электронный.Прн этом чем больше концентрация раствора, тем то,пце пленка именьне ее поверхностное сопротивле 11 ие.Оптимальное вземя термоооработки и водороде:для 350 - 1 ч,400 - 2450 - 15 - 20 пин.500 - 10 --5При втором способе на поверхно:ть оптической детали наносяттолстый слой трехокиси вольфрама путем испарения в вакууме, Испа.рение трехокиси вольфрама можно вести как из кварцевого тигля свольфрамовым проволочным нагревателем, так и непосредственно свольфрамовой спирали. В последнем случае трехокись вольфрама, предварительно прессуют в палочки. Гроцесс испарения требует вакуума10- - 1 О-зля рт. ст, После нанесения слоя диэлектрика - трехокисивольфрама, деталь для придания слою полупроводниковых свойств подвергают термической обработке в атмосфере водорода при 350 - 450.В зависимости от толщины слоя трехокисп вольфрама, температуры ивремени восстановления водородом можно получать полупроводниковые слои с удельным поверхностным сопротивлением от 10 до 10 ол.Полупроводниковые, пленки двуокиси вольфрама прозрачны в видимой и инфракрасной областях спектра до 10,0 лк. Коэффициент отражения достигает 15 - 20%.Пленки не изменяют своих электрических свойств при воздейстьиитемператур до б 0 в течение длительного времени и под действием электрического тока.Полупроводниковые пленки обладают достаточной химической и механической устойчивостью, прочно сцепляются с подложкой,В лаооратории были изготовлены обычными способами несколькодесятков образцов из кварца, монокристаллов флюорита, фтористогобария, фтористого лития и оптического корунда с электропроводящейпленкой окиси вольфрама, на которых и были испытаны вышеуказан.ные свойства,