Способ получения полупроводниковых пленок на диэлектриках

Номер патента: 128009

Авторы: Крыжановский, Кузнецов

ZIP архив

Текст

/,:1Класс 32 Ь, о128009 12 п, 1 О ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Я Кузнецо. Крыжановск СОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЬ ПЛЕНОК НА ДИЭЛЕКТРИКАХ зобретеп н за ЛЪ 633157/2 тий при Сове аявлеио 8 июля 1959 по дела СССР в Комите Министро в Бюллетене изобретений М 9 за 1960 публиков В качестве эгектропроводящих окрытнй до настоящего времени были предложены и используютсЯ пгенк ПО 11 роводниковой двокисн олова, окиси индия и окиси кадмия. Однако все зти покрытия прозрачны в основном лишь в видимой части спектра и не могут удовлетворять потребностей инфракрасной техники.Как в СССР, так и заграницей, электропроводящие слои, позволяющие превращать поверхность диэлектрика в полупроводник и прозрачные в инфракрасной области спектра, до настоящего времени нс разработаны. Однако, в связи с быстрым развитием инфракрасной техники, такие слои необходимы.Найден новый способ с применением трехокнси молибдена для получения па диэлектриках полупроьоднпковых пленок, прозрачных нс только в видимой, но и в инфракрасной области спектра, путем термообработки в атмосфере водорода диэлектриков, например, опти ескпх деталей, покрытых слоем пятихлористого молибдена, нанесенного пз раствора в сухом этиловом спирте, нли непосредственно слоем трехокиси молибдена путем испарения последнего в вакууме.Описанные способы позволяют создавать полупроводниковые слон окисла молибдена, прозрачные в нф 1 закрзсо Облсти спектра, на стекле и оптических монокристаллах.Первый способ заключается в том, О поверхность гореЗОгзсьо вращающейся детали смачивают раствором пятнхлористого молибдена в сухом этиловом спирте (99,5 Ъ). Прн этом в рсзультзтс спарения растворителей и процессов гидролиза пятихлористого молпбдега об разуется топкий слой окиси молибдс:н;. Деталь с этим слоем:Одверга 1- ют затем термической обработке, в атмосфере сухого водорода прп 370 - 500.М 128009 П р сдмет из о бретени я Применение трехокиси молибдена для получения на диэлектриках полупроводниковых пленок, прозрачных не только в видимой, но и в инфракрасной области спектра, путем термообработки в атмосфере водорода диэлектриков, например, оптических деталей, покрытых слоем пятихлористого молибдена, нанесенного из раствора в сухом этиловом спирте, или непосредственно слоем трехокиси молибдена путем испарения последнего в вакууме,Комитет но делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор и. И. Мосин Гр. 145Информационно. издательский отдел.Объем 0,17 и. л. Зак. 2382 Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Петровка, 14.В результате такой ооработки окись молибдена частично восстанавливается и приобретает полупроводниковые свойства. Меняя концентрацию раствора пятихлористого молибдена (5 - 25%) время и температуру обработки в водороде можно получать слои с удельной поверхностной электропроводностью от 10до 10ол -.При втором способе поверхность оптической детали покрывают тонким слоем трехокиси молибдена путем испарения его в вакууме, Давление при этом должно лежать в интервале 10 " - 10 - " лм рт. ст. Испяре 1 п 1 е трехокиси молибдена можно производить как из кварцевого тигелькя, ооогревае;:ого с помошью вольфрамовой спирали, так и непосредственно нз спирали. Полученный указанным способом слой трех- окиси молибдена подвергают затем ооряботке в атмосфере сухого водорода при 370 - 500, в результате чего слой приобретает полупроводниковые свойства. Поверхностная электропроводность полученных этим способом слое,з:зязисит оз их толгцины и времени об 1 забогки в атмосфере водорода и лежит в интервале 10 - - 10 - зол . Слои обладают достаточной химической устойчивостью и механической прочностью, не изменяют своих электрических свойсть при нагреве до 50 - 70 и под действием тока ь течение длительного времени.Пропускание инфракрасных излучений слоями, полученными по обоим способам, составляет 60% при длине волны излучения 1 як, достигает 90 при д,.нзнс волны от 6 до 8 пк и снижается до 80 о/а при длине волны 9 як.Б лабораторных условиях были получены полупроводниковые слои окиси молибдена на образцах оптического флюорита, фтористого лития, нскусст 1 зенного оптического монокристалла корунда и плавленного кзярця.

Смотреть

Заявка

633157, 08.07.1959

Крыжановский Б. П, Кузнецов А. Я

МПК / Метки

МПК: C03C 17/22, G02B 1/10

Метки: диэлектриках, пленок, полупроводниковых

Опубликовано: 01.01.1960

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-128009-sposob-polucheniya-poluprovodnikovykh-plenok-na-diehlektrikakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения полупроводниковых пленок на диэлектриках</a>

Похожие патенты