Способ определения параметров полупроводниковых триодов в схеме с общим эмиттером в режиме переключения

Номер патента: 128062

Автор: Потураев

ZIP архив

Текст

ЛЪ 128062 81 РР" Р ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН 1АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ О, С. Потураев ОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМ ДИИКОВЫХ ТРИОДОВ В СХ ЕРОМ В РЕЖИМЕ ПЕРЕКЛ СПО ОЛУПРОВ ЭМИТЗаявлено и 1 июл 959 г, за634483/26 в Комитет иоткрн 1 тий рн Совете Министров СС делам изобретений С.9 за 1960 г. Опубликовано в Бюллетен(зобретенийПрименяеы 1 яе способы проверки и Отораковки полупроВодникоВых триодов не исключают гпропуска ненадежных триодов вследствие инерционности используемых стрелочных приборов и, кроме того, весьма трудоемки.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что по одной кривой на экране осциллографа Одновременно получают следующие характеристики триода: характер зав 11 симости коэффициента усиления ПО току в схеме с заземленным эмиттером от тока базы во Всем диапазоне их возможных изменений; Велич 11 ну максимального значения коэффициента усиления по заданной рабочей частоте; наличие и характер Временных нарушений в переходе коллектор - база.Способ позволяет произвести отбраковку триодов для схем с необходимым запасом надежности.На чертеже изображена блок-схема устройства для определения параметров триодов по предлагаемому способу.Высокочастотные еинусоидальные колебания от генератор(. (ГСС) 1 подаются на усилитель 2, усиливаются в нем и через большое сопротивление 3 или 4 с постоянной амплитудой тока поступают на вход испытуемого триода 5. Усиленные триодом высокочастотные колебания через Высокочастотный фильтр б поступают па дополнительный усилител 1, 7, а затем на вход усилителя осциллографа 8. Дроссель 9 включен для того, чтобы нс пропустить высокочастотные колебания в другие цепи, а дроссель 10 - для увеличения нагрузки на выходе гр 11 ода, Высокочастотный фильтр пропускает только синусоидальные колебания и позволяет не забить большим более низкочастотным сигналом следующие за ним усилители при больших изменениях напряжения на коллекторе триода во время его перекл 1 очения.М 1280 б 2Переключение триод;. из открытого состояния в закрытое осуществляется тумблером 11 путем переброса триггера 12, Одновременно с началом переключения триода происходит запуск мультивибратора И для подсьета луча осциллографа и, таким образом, осуществляется получение кривой на экране осциллографа.Так как па вход триода поступает высокочастотный сигнал постоянной величины по току, то на коллекторе триода получается выходнойИ сигнал, пропорциональный коэффициенту усиления триода р =- 1 б в этой схеме КаАиб 1 овка р производится переключением тумблера 14 для подачи высокочастотных колебаний в коллектор триода, на осциллографе получается масштабная метка, соответствующая Д=1, с которой и возможно осуществлять сраьненйе реальпоГО Д триода,П редмет изобретенияСпособ определения параметров полупроводниковых триодов в схеме с общим эмиттером в режиме переключения, заключающийся в анализе зависимости дифференциального коэффициента усиления по току ф) от времени при переключении триода из открытого состояния в закрытое, с использованием усиленного триодом высокочастотного сигнала, поданного в цепь базы через большое сопротивление, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью упрощенйя процесса отбраковки и увеличения надежности этой операциями, испытуемый триод, предварительно установленный в исследуемой схеме с общим эмиттером в заданный режим насыщения, переключают в закрытое состояние подачей ступенчатого напряжения в базу триода и наблюдают на экране осциллографа зависимость дифференциального коэффициента усиления триода по току на заданной частоте от времени с момента начала его переключения, оценивают ход кривой коэффициента усиления от величины тока базы в определенном масштабе и определяют наличие и характер временных нарушений в коллекторном переходе.

Смотреть

Заявка

634483, 21.07.1959

Потураев О. С

МПК / Метки

МПК: G01R 31/26

Метки: общим, параметров, переключения, полупроводниковых, режиме, схеме, триодов, эмиттером

Опубликовано: 01.01.1960

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-128062-sposob-opredeleniya-parametrov-poluprovodnikovykh-triodov-v-skheme-s-obshhim-ehmitterom-v-rezhime-pereklyucheniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения параметров полупроводниковых триодов в схеме с общим эмиттером в режиме переключения</a>

Похожие патенты