Матричное устройство на полупроводниковых диодах

Ло 130243 Класс 42 ш, 14 о21 а, 221 с21 а, 26 с 4 СССР ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная гр 11 ппа Л 174 А ов и И Х. Геллер МАТРИЧНОЕ УСТРО УПРОВОДНИКОВЬ ВО НА П ДИОДАХ гяитет по дслагя нзооретениров СССР 645254 е 645253/26 в Кои Совете Л 1 иниснениегя заявки Х явлено 25 ноября 1959 г. за Ъ и открытий пр с присоедипубликовано в Бюллетене изобретений М 14 за 1960 г Конструкции полупроводниковых схем, в которых полупроводниковые элементы выполнены в виде монолитного блока, состоящего из общих для всего блока изолирующего основания (подложки), проводящего слоя, являющегося одним из электродов схемы, и полупроводникового материала, известны.Подобные устройства сложны в производстве н не обеспечивают достаточно высокую плотность монтажа полупроводниковых деталей.В описываемом матричном устройстве эти недостатки устранены тем, что отдсльпыс электрически связанныс между собой строчные группы полупроводниковых диодов выделены из монол 1 тного блока в виде узких многослойных полосок, закрепленных в обойме матрицы одна над другой, а соответствующие диоды различных строчных групп соедннснь 1 полосками фольги, отогнутые концы которых образуют кодовые шины матрицы.Лля упрощения технологии прп массовом производстве кодовые шины матрицы выполнены в виде прутков пз легкоплавкого припоя, вплавлснного в канавки вдоль боковых обрсзов строчных блоков.Конструкция одной строчной групгн 1 полупроводниковых диодов изображена на чсртсжс.Каждая строчная группа диодов выполняется в видс многослойной полоски, состоящей из наложенных друг на друга диэлектрической подложки 1, проводягцего основания 2 (первый электрод диодов) и полупроводникового материала 3. Вдоль полупроводниковой полоски нанессп второй проводящий слой 4, раздслспый на отдсль 11 ые элементы попсрсчнымп изоляционными промежутками. Злсмснты второго проводящего слоя образуют вторые электроды диодов, объединяемых в строчну 1 о группу проводящим слоем 1, который одновременно выполняет роль строки.Число диодов в строчной группе равно числу гвин матрицы (пли числу разрядов схемы).130243 Предмет изобретения 1. 1 атричное устройство на полупроводниковых диодах с элементами, выполненными в виде многослоиных блоков с общими слоями проводящего и полупроводящего материалов, о т л и ч а ю щ с е с я тем, что,. с целью увеличения плотности монтажа деталей и упрощения процесса производства выполненные в виде указанных блоков строчные группы диодов закреплены в обойме матрицы одна над другой, а соответствующие диоды различных строчных групп соединены между собой полосками фольги, отогнутые концы которых образуют кодовые шины матрицы2. Устройство по п. 1, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью упрощения технологии массового производства, кодовые шины матрицы, соединяющие соответствующие диоды различных строчных блоков, выполнены в виде прутков из легкоплавкого припоя, вплавленного в канавки вдоль боковых обрезов строчных блоков,Паркес Техред А. А. Кудрявицка. Е. Чекунова акт ррек Формат бум. 70 Х 108/иаж 750 Цена 25 коп,; смитете по делам изобретений и открытири Совете Министров СССР, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6. бьем 0 17 п ч 1-61 г. - 3 коп. ч. З.Х 1-60 г,Т Подп к Зак, 877 ЦБТИ п Москв Типография ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открыт при Совете Министров СССР, Москва, Петровка, 14. Матричную схему составляют из строчных групп, наложенных одна на другую. Шипы матричной схемы образованы отогнутыми концами полосок весьма тонкой фольги, нало;кснных на вторыс электроды диодов н расположенных вдоль строки в соответствии с заданным распределением диодов в матричной схеме. Для исключения короткого замыкания между проводящими основаниями одних строчных групп и полосками фольги других строчных групп торцовые стороны строчных полосок покрываются до сборки в матричную схему (пакет) изоляционным лаком, Собранная схема закрепляется в обойме, которая поджимает полоски строчных групп друг к другу,Для упрощения технологии отдельные диоды различных строчных групп могут быть соединены между собой не полосками фольги, а прутками из легкоплавкого припоя, вплавленного в проточенные вдоль боковых обрезов строчных полосок диэлектрика и полупроводника специальные канавки. Отсутствие электрического контакта между вторыми электродами диодов, которые пе входят в электрическую схему матрицы, и шинами, а также между шинами и первым проводящим слосм ооссп гчивается зазорами, оставляемыми в этом случас между проводящими слоями и дном канавок, протачиваемых в боковых обрезах.