H03H 3/08 — для изготовления резонаторов или цепей (схем) с использованием поверхностных акустических волн

Номер патента: 881980

Опубликовано: 15.11.1981

Авторы: Пирогов, Чалабян

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волн, поверхностных, преобразователя

...стравливание незащищенных контактной маской участков облученной поверхности пластины 1 с использованием процесса ионного травления;удаляют контактную маску. Оставшийся35 участок 7 ограничен в плоскости.плас" тины 1 контурными линиями 8, при этом характер изменения контура участка соответствует функции аподизации импульсного отклика преобразователя ПАВ;, 40 производят металлизацию рабочей поверхности пластины 1 (например, термовакуумным напылением алюминия) .При этом на поверхности пластины 1 и на участке создается. слой металла 9;снова применяют фотолитографический процесс для формирования электродов 10 и шин 11 преобразователя ПАВ,Обработка рабочей поверхности пластины 1 ионизирующим излучением и последующее формирование из...

Номер патента: 1319247

Опубликовано: 23.06.1987

Авторы: Евдокимов, Запорожец, Строганов

МПК: H03H 3/08

Метки: защиты, нагрузки, перегрузок, токовых

...насыщении, т. е. устройство остается во включенном положении,При подаче на базу транзистора 1через вывод 14 импульса положительной полярности (замыкание базы транзистора 1на шину 2) происходит отключение устройства.При увеличении тока нагрузки независимо от того, чем это вызвано - увеличением напряжения источника питания припостоянном сопротивлении нагрузки, снижением сопротивления нагрузки при постоянном напряжении источника питания илиуменьшением сопротивления нагрузки и увеличением напряжения источника питанияодновременно, увеличивается напряжение насыщения Уэ транзистора 4. При увеличении напряжения Укэ транзистора 4 допорогового значения, здданного диодами 6и 13, транзистор 12 переходит в режимцасыгцения, шунтируя резисторы 8...

Номер патента: 1739477

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Алексеев, Веневцев, Попов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, групповой, поверхностных, пьезокерамических, технологии, фильтров

...между электродами - равным или большим расстоянию между элект родами аподизова нного В Ш П.Аналогично выбирают длину, ширину электродов и расстояние между ними в другой группе меандровых структур в соответствии с размерами неаподизованного ВШП фильтра. Апертуру одной из групп ВШС выбирают пропорциональной суммарной длине перекрытий противофазных электродов аподизованного ВШП, расстояние между электродами ВШС - равным расстоянию между противофазными электродами аподизованного ВШП, а ширину электродов ВШС - равной или большей ширине электродов аподизованного ВШП, Аналогично выбирают апертуру, расстояние между электродами и их ширину в другой группе ВШС на основе размеров неаподизованного ВШП фильтра, Под длиной перек р ытий В Ш П Ьи...

Номер патента: 1535332

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Гуляев, Котелянский, Магомедов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, работающих, устройств, элементов

...в 0,51-ном КОН (фиг, 2) и проводилась его последующая вторичнаясушка при 115 С в течение 30 мии.о 40Затем на оставшиеся участки фоторезиста 1 и вскрытые участки рабочейповерхности эвукопровода 2 методоммагнетронного распыления в аргоиооой1 45плазме наносили металлическии слои 3(фиг, 3), состоящий иэ подслоя нихро"ма толщиной 0,03 мкм и слоя алюминиятолщиной 0,15 мкм. Для подавлениякристаллизации окисла алюминия приего последующем оксидироеании е целях создания на поверхности полосокметалла оксидного слоя, в алюминиймишени магнетрона о виде добавки вводился германий (11). Давление о вакуумной камере составило 1-0,5 Па 55при температуре звукопровода 200 С.Цапее прооодипесь операция "взрыва" - удаление участков фоторезиста 1 со слоем...

Номер патента: 1797733

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Зима, Кизиитов, Корж

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, настройки, поверхностных, прибора, узкополосного, центральную, частоту

...2 - встречно-штыревые преобрасвязана с подложкойто упругие свойства зователи;:3 - диэлектрическая пленка; 4 - поверхностного слоя подложки измеряют- . инфракрасное излучение; 5 - потокионов ся, что приводит к изменению фазовой ско эргона; б - стравливаемый слой диэлектрирости ПАВ, С течением времени происходит ческой пленки; 7 - оставшийся слой диэлекрелаксация механических напряжений еди- трической пленки, толщина которого электрической пленке, что приводит к не- необходима для получения заданной цент- контролируемому уходу центральной ральной частоты узкополосного прибора на частоты прибора на ПАВ. Метод химическо ПАВ, Способ настройки на центральную чаго травления не устраняет эти недостатки. стоту узкополосного прибора на ПАВ...

Номер патента: 1838877

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Андреев, Белявский, Кмита, Марков

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волн, встречно-штыревого, поверхностных, преобразователя

...каждой пары электродов 14, 15, и 16, 17 соответственно. Пространственный период 50 электродов в каждой секции равен 2(А/2-Ь)++ 2 Ь = А. Покажем, что при изготовлении преобразователя предложенным способом отключения размеров а и Ь от расчетных значений, связанные с трудностью контро ля процесса травления, не приводят к заметному искажению электротехнических характеристик преобразователя. В случае, если подтрав первого слоя металлизации не соответствует расчетному значению Ь, на 1838877пример, превышает ее на величину ЬЬ, электроды 14 и 16 первой и третьей групп, формируемые иэ первого слоя металлизаци, как было описано выше, будет иметь ширину а 1 " ( Л/2 - Ь- Ь Ь). В то же время ширина электродов 15 и 17, формируемых и второго слоя...

Номер патента: 1762727

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонаторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ , включающий обpаботку повеpхности пьезоэлектpической подложки, нанесение фотоpезиста, фоpмиpование pисунка встpечно-штыpевых пpеобpазователей и отpажательных pешеток и фоpмиpование металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения пpоцента выхода годных pезонатоpов, за счет повышения адгезии фотоpезиста к повеpхности подложки, обpаботку повеpхности пьезоэлектpической подложки пpоводят путем ионно-химического тpавления на глубину 80 - 120 нм, пpи этом используют в качестве газа - тpавителя фpеон CF4, а фотоpезист наносят не более чем чеpез 2 ч после обpаботки повеpхности тpавителем.

Номер патента: 1750407

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, поверхностных, подстройки, приборов, центральной, частоты

1. СПОСОБ ПОДСТРОЙКИ ЦЕНТРАЛЬНОЙ ЧАСТОТЫ ПРИБОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий измерение центральной частоты прибора, сравнение ее с заданной, при несовпадении которых осуществляют обработку поверхности прибора в ВЧ-плазме нейтрального газа, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных за счет увеличения точности подстройки центральной частоты прибора, управление величиной подстройки центральной частоты осуществляют путем изменения плотности ВЧ-мощности в плазме, при этом обработку прибора в ВЧ-плазме осуществляют в течение 15 - 20 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при проведении обработки прибора в плазме аргона требуемую плотность ВЧ-мощности в плазме определяют, исходя из...

Номер патента: 1750406

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, настройки, поверхностных, резонаторов, центральной, частоты

СПОСОБ НАСТРОЙКИ ЦЕНТРАЛЬНОЙ ЧАСТОТЫ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий обработку в плазме аргона в течение 120 - 600 с, отличающийся тем, что, с целью повышения точности настройки, перед обработкой в плазме аргона проводят предварительную настройку частоты путем отжига кристаллов в атмосфере водорода при 250 - 450oС, а обработку в плазме аргона проводят в течение времениt = ,где t - время обработки/ с;f - частота резонатора перед окончательной подстройкой, Гц;

Номер патента: 1419474

Опубликовано: 30.11.1994

Авторы: Колковский, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, поверхностных, устройств

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ УСТРОЙСТВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий формирование на пьезоэлектрической подложке токопроводящего слоя электродов и электрических шин встречно-штыревых преобразователей (ВШП), регистрацию амплитудно-частотной характеристики, сравнение ее с заданной по результатам которого осуществляют отбраковку изготавливаемых устройств, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изготавливаемых устройств, одновременно с формированием токопроводящего слоя электродов и электрических шин ВШП формируют между электрическими шинами ВШП токопроводящий слой в виде меандра, измеряют его сопротивление, производят сравнение его значения с заданным; по результатам которого осуществляют дополнительную отбраковку...

Номер патента: 1783947

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, настройки, поверхностных, резонаторов, центральной, частоты

СПОСОБ НАСТРОЙКИ ЦЕНТРАЛЬНОЙ ЧАСТОТЫ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий измерение центральной частоты резонатора, сравнение ее с заданной и плазмохимическое травление рабочей поверхности кристалла резонатора в плазме фторсодержащего газа, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных резонаторов, перед измерением центральной частоты дополнительно проводят обработку резонатора в плазме нейтрального газа в течение 200 - 300 с.

Номер патента: 1648232

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Иноземцев, Куликов, Федорец

МПК: H03H 3/08

Метки: аттестации, мер, периодических, растровой, решетки, типа

СПОСОБ АТТЕСТАЦИИ МЕР ПЕРИОДИЧЕСКИХ ТИПА РАСТРОВОЙ РЕШЕТКИ в маскирующем слое на прозрачной аморфной подложке, включающий облучение решетки поверхностной акустической волной (ПАВ) релеевского типа с волновым вектором, перпендикулярным ее штрихам, измерение верхней (Fв) и нижней (Fн) частот полосы режекции ПАВ и определение периода решетки в соответствии с выражением = Vs/(Fн+Fв),где период решетки, м;Vs - скорость ПАВ, м/с,отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности, перед облучением решетки формируют методом...

Номер патента: 1762726

Опубликовано: 10.02.1997

Авторы: Кондратьев, Тимошев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, поверхностных, подстройки, резонаторов, центральной, частоты

Способ подстройки центральной частоты резонаторов на поверхностных акустических волнах, включающий плазмохимическое травление рабочей поверхности кристалла резонатора при использовании в качестве рабочего газа соединений фтора, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных резонаторов, перед плазмохимическим травлением обрабатывают рабочую поверхность кристалла резонатора пучком ионов аргона при энергии 4 5 кэВ в течение 2 15 мин, а плазмохимическое травление проводят в течение 1 8 мин.

Номер патента: 1783948

Опубликовано: 10.02.1997

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, кристаллов, поверхностных, резонаторов

Способ изготовления кристаллов резонаторов на поверхностных акустических волнах, включающий фотолитографию встречно-штыревых преобразователей и отражательных решеток, ионно-химическое травление канавок в материале подложки, напыление металла, взрывное травление фоторезиста и последующее удаление металла из канавок отражательных решеток, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных резонаторов, после напыления металла наносят второй слой фоторезиста, в котором вскрывают окна над структурами электродов встречно-штыревых преобразователей, в этих окнах вытравливают металл, затем проводят ионно-химическое дотравливание канавок под электроды встречно-штыревых преобразователей заданной глубины, напыляют второй слой металла с толщиной,...