Патенты с меткой «галлия»

Номер патента: 1692942

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Димитрова, Пополитов, Рез, Ярославский

МПК: C01G 15/00

Метки: галлия, гидротермальной, ортофосфата, перекристаллизации

...давление жидкой фазы поряд- ка 5 атм. Температурный перепад между зонами поддерживают равным 15", время выдержки в стационарном режиме 7 сут, Исходное стекло равномерно растворяется с поверхности, переходит в раствор и за счет конвекции, вызванной температурным перепадом, транспортируется в зону кристаллизации с последующим образованием спонтанных монокристаллов ортофосфата .галлия. Выход кристаллического ортофосфата галлия составляет 97,5 ь от веса исходной загрузки, Спектральный анализ показывает, что сумма примесей в полученных кристаллах составляет 10 - 10, что свидетельствует о их хорошей частоте. Размер монокристаллов находится в пределах 0,2 - 0,3 см.П р и м е р 2. Процесс получения кристаллического ортофосфата галлия...

Номер патента: 1701758

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Елсаков, Искорнев, Окунев, Росс

МПК: C30B 27/02, C30B 29/40

Метки: галлия, монокристаллов, фосфида

...чем на 50 С повышается вероятность растрескивания монокри 50 сталла за счет повышения величин термонапряжений из-за сплошного слоя флюса на его поверхности Повышение температуры со скоростью более 7 С/мин приводит к растрескиванию монокристалла из-зэ наличия термоудэроз и повышения на этой основе величин термонапряжений,ния монокристалла. При этом плотностьЗО Я-ямок травления возрастает. Если передПовышение температуры со скоростью менее 0,7 С/мин нецелесообразно иэ-эа резкого увеличения времени процесса без заметного эффекта повышения структурного совершенства монокристаллов. 5Пои скорости последующего охлаждения монокристалла менее чем в 1,5 раза меньшей скорости первоначального охлаждения происходит растрескивание моно- кристалла...

Номер патента: 1705425

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Зелимханов, Марасина, Пичугин

МПК: C30B 19/02, C30B 29/40

Метки: галлия, нитрида, слоев, эпитаксиальных

...в заданном градиенте температуры, наложенном нормально к поверхности расплава. Время эпитаксиального осаждения составляет 3 ч и в течение этого времени поддерживают постоянный градиент температуры, равный 2 ОС/см. После эксперимента подложки и раствор-расплав разобщают, подложки со слоем очищают от остатков металлов в горячей царской водке и промывают в дистиллированной воде.Морфологию поверхности слоев исследуют в оптическом и растровом электронном микроскопах при различных увеличениях. Структурные характеристики исследуют электронографическим и рентгендифрактометрическим методами. Толщину слоев и однородность слоев по толщине измеряют интерференционным микроскопом МИИ.Выращенные эпитаксиальные слои нитрида галлия были...

Номер патента: 1730217

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Алешин, Антонов, Булеков, Савельев

МПК: C30B 15/00, C30B 29/42

Метки: арсенида, выращивания, галлия, малодислокационных, монокристаллов

...со скоростью 0,5 - 2 атм/ч, скорость извлечения кристалла из-под флюса составляет 10 - 20 мм/ч и скоростьохлаждения кристалла до комнатной температуры - 25 - 50 С/ч.П р и м е р 1, В тепловую системукамеры установки Астра устанавливают тигель из высокочистого пиролитического нитрида бора диаметром 100 мм, в которыйзагружают 1500 г высокочистого поликристаллического арсенида галлия, 0,45 г оксида ванадия (Ч 205) и 400 г обезвоженногоборного ангидрида (флюса). Тигель помещают в повторяющую его форму графитовуюподставку, установленную через переходник на нижнем штоке камеры установки. На 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 верхнем штоке укрепляют держатель с монокристаллической затравкой ориентации /100/ размером 4 х 4 х 50 мм....

Номер патента: 1742715

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Амелин, Иванов, Свистунова

МПК: G01N 31/16

Метки: галлия

...при70 . 80 С. что усложняет анализ. снижа"его экспрессность,Целью изобрел ния является повь;шение чувствительнос. и и упрощение анализа.Поставленная цель достигается тем, чтосогласно способу комплексонометрическо- фь,го определения галлия путем титрованияраствором ЗДТА с органическим индикатором в качестве органического индикатог 1используют смесь тиазолилазопирокатехина(ТАП) и хлорида цетилпиридиния (ЦП) в соотношении 1;(20 - 30). Титрование осуществляется при рН 3 - 4 (ацетатно-аммиачныйбуфер).Применение тиазолилазопирокатехинаи хлорида цетилплридиния по отдельностии в совокупности для увеличения чувствительностии ускорения комплексономерического определения галлия (за счетисключения нагревания до 70 - 80 С...

Номер патента: 1742903

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Бляшко, Кедяркин, Пекерская

МПК: H01L 21/477

Метки: арсенида, галлия, подложке, проводящих, участков, формирования

...коэффициентытермического расширения алюмосиликатного стекла и арсенида галлия близки (5 10 и 5,9 10 собтветственно), то минимизируются механические напряжения на границе раздела, что приводит к уменьшению механических повреждений пленки алюмосиликатного стекла и повышению качества маскирования, Кроме того, слой алюмосиликатного стекла наносят прикомнатной температуре и, следовательно,повышенные температуры не воздействуютна незащищенную поверхность арсенидагаллия. Интервалы температур и временидеструкции обуславливаются условиями,необходимыми и достаточными для сформирования защитного слоя. При температуредеструкции меньше 250 С и времени меньше 3 мин не полностью завершаются реакции разложения промежуточных продуктовгидролиза и...

Номер патента: 1782247

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Бенуа, Мишель, Юбер

МПК: C22B 58/00

Метки: галлия

...этой операции жидкость удаляют из сосуда,перемычку опускают и кристаллическоескопление оставляют скапывать до прекращения всяческого течения,Тогда можно удалять кристаллы, кото 30 рые еще покрыты поверхнрстным слоем загрязненной жидкости, прилипшим инеотделяемым за счет скапывания, Этотслой может быть удален предпочтительнопутем обработки с помощью растворителя,35 такого, как соляная кислота или азотная кис.лота, операции, которая может быть проведена в устройстве кристаллизации путемвведения растворителя через отверстие.расположенное на крышке.40 Затем обработанное скопление кристаллов переплавляют и предпочтительнофильтруют для удаления всяких следов суспендированного твердого вещества. Очевидно, что такой способ может быть легко45...

Номер патента: 1803446

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Козлов, Потолоков, Сажин

МПК: C22B 58/00

Метки: галлия, рафинирования

...способности смеси, при концентрации более 30 об.возрастают потери галлия за счет болеесильного его окисления, Содержание паровводы в смеси составляет от 1 до 10 обПри содержании воды ниже 1 об. снижается окислительная способность хлороводорода, что также приводит к уменьшениюэффективности. При концентрации воды более 10 об, происходит образование жидкой фазы на поверхности расплава галлияза счет конденсации образующейся соляной кислоты и увеличение потерь галлия за. счет его стравливания с поверхности расплава,Способ рафинирования галлия барботированием расплава газовой смесью с цельюуменьшения потерь галлия и снижения ко личества отходов ранее в литературе не упоминался и соответствует критерию"существенные отличия",П р и м е р. В...

Номер патента: 1806421

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Полторацкий, Решетников, Рычков

МПК: H01L 27/098

Метки: арсенида, галлия, интегральная, основе, схема

...заряда 7,В предлагаемой конструкции емкостьсвязи между электродом 6 и областью 5 азатвора возникает из-за образования барьера Шоттки и, так как при концентрации вобласти 5 а,равной 2 10 см, величина пз18 3при напряжении пробоя контакта ШотткиЧпр = 1 В не более 0,04 мкм. что меньшетолщины области 5 а, то эквивалентная схема структуры металл-полупроводник будеттой, которая дана на рис,2 а с ВАХ шунтирующего диода, представленной на фиг.2 бКанальный транзистор с р-и-переходом, рассмотренным выше, имеет пороговое напрякение %, равное 03 В при Н =0.55 мкм и Чт = - 0,7 В при Н = - 0,7 мкм, т.е,в зависимости от параметра Н, транзисторявляется либо транзистором с индуцированным каналом, либо со встроенным каналом, Причем, поскольку...

Номер патента: 1807533

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Терентьев, Яфаров

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, окисным, плазменного, слоем, собственным, травления

...бездефектную обработку поверхности баде, В реалзных случаях знертии ионов е условиях деФицита ) а химического реагента при низких давлениях недостаточно для травления, так как поверхность покрыта слоем собственного окисла, Для его удаления необходимо или увеличивать энергию ионов для физического распыления окисла, или вводить в рабочий газ восстановитель.Состав газа для травления бэАз и егоокисла различается. Скорость травлениябаАз коррелирует с содержанием в плазмеатомарного хлора, тода кэк удаление собственного окисла зависит от содержания вос 5становителя, например, в виде углерода,Восстановление окисного слоя углеродомуменьшает порог энергетичного травлениябаАз, однако скорость травления может снизиться при неправильном...

Номер патента: 1809847

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Антонов, Булеков, Косушкин, Савельев

МПК: C30B 15/00, C30B 29/40

Метки: арсенида, галлия, кристаллического

...кристаллизацией.При скорости охлаждения менее 300град/ч эффективность очистки ниже, чем в предлагаемом оптимальном диапазоне, скорость охлаждения более 320 град/ч труднодостижима технически и не повышает эффективность ояистки по таким примесям как кремний и марганец,Охлаждение расплава с целью кристаллйзации со скоростью менее 70 град/ч снижает чистоту арсенида галлия и производительность процесса, а охлаждение со скоростью выше 100 град/ч приводит к мелкокристаллической структуре слитков и большей вероятности спонтанной кристаллизации со снижением степени чистоты арсенида галлия.Полнота окисления примесей влагой определяется концентрацией остаточной воды в оксиде бора и его массой, температурой расплава, временем контакта расплава...

Номер патента: 1810400

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Кизяев, Кожемякин, Косушкин, Курочкин

МПК: C30B 15/00, C30B 29/42

Метки: арсенида, галлия, монокристаллов

...1 атм, Загруженные в тигель арсенид галлия и флюс оасплавляют, опувювЪ скают в расплав затравку, проводят затравливание, включают ультразвуковой генератор с частотой 5 10 кГц и вытягива.зют на затравку монокристалл при постоян ной скорости вытягивания при увеличении частоты ультразвуковых колебаний в предеказ 1422 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 КНТ Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 10 лах 8 - 10 кГц на 1 см длины выращиваемого монокристалла. После исчерпания расплава в тигле монокристалл охлаждают и после остывания извлекают из камеры установки,Выращивали монокристаллы арсенида галлия полуизолирующего по технологии...

Номер патента: 1813111

Опубликовано: 30.04.1993

Автор: Жан-Мишель

МПК: C22B 58/00

Метки: алюмината, байера, галлия, извлечения, натрия, промышленного, процесса, раствора

...сильной кислотой на смоле, который переходит в кислый раствор 2 для возможной смеси с другими кислыми растворами 3 наружного происхождения для получения конечного раствора 4.Г) Первая очистка и концнетрация посредством:а) возможной предварительной нейтрализации серных растворов 4 и смешивание с рециркулированными, обедненными галлием растворами 7 и 9,б) осаждения Оа(ОН)з с рН = 4.в) растворение осадка посредством НС 1 с получением раствора 5.Д) Вторая очистка и концентрация посредством.а) первой экстракции растовра 5 посредством насыщения галлием органического раствора на базе трибутилфосфата с получением, в известных случаях, первого экстракта и первого рафината 8,б) первого элюирования водой первого экстракта с получением...

Номер патента: 1817159

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Александров, Волков, Иванова, Крякин, Смирнов

МПК: H01L 21/283

Метки: арсениду, галлия, контактов, омических

...оп 5 робован в Ленинградском государственномтехническом университете на кафедре "Общая и полупроводниковая металлургия",Далее приводятся результаты. этих испытаний.10 Для изготовления омических контактовна подложках иэ арсенида галлия(САГК)предварительно создавалась металлизация, включающая следующие слои:1. Золото-германиевая15 эвтектика толщиной 0,07 мкм2. Никель толщиной 0,03 мкм3. Золото толщиной 0,15 мкмПосле подготовки исходной структурыпроводился процесс вплавления, включаю 20 щий в себя выполнение следующей последовательности технологических операций:1. Структура помещается в реакционную камеру установки для осаждения диэлектрических пленок, После чего реакционная25 камера (реактор) герметизируется и либо вакуумируется и...

Номер патента: 1831729

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 41/22

Метки: галлия, диффузии

...печи, о т л ича ющий с ятем,что;с цельюобразования40 на поверхности кремниевых пластин маскирующего окисла, свободного от аномальныхатомарных скоплений галлия, а также замедления процесса разрушения стенкикварцевого реактора, во время разгонки45 галлия в течение времени ТЗ, где 0 ТЗТ 1,проводят окисление в парах воды, послекорректирующего легирования при рабочейтемпературе проводят дополнительноеокисление в парах воды в течение времени50 Т 4 и по крайней мере начало охлаждениякремниевых пластин проводят в парах водыв течение времени Т 5, где 0 Т 5 Т 2.2. Способ по п.1; отл и ч а ю щ и й с ятем, что время Т 430 мин,3, Способ по пп.1 и 2, о тл и ч а ю щ и йс я тем, что после охлаждения кремниевыхпластин в парах воды следует...

Номер патента: 1831731

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Ваксенбург, Иноземцев, Кораблик, Поляков

МПК: H01L 21/335

Метки: арсениде, галлия, полевых, транзисторов

...кислоте. Для хороших пленок время травления слоя толщиной 0,09 мкм лежит в пределах 2-3 мин.Следующая операция - электронное экспонирование затворной маски: Используется электронной резист марки ЭЛП. Наносится центрифугированием при скорости вращения 4000 об/мин в течение 30 с, Сушка осуществляется в термостате при температуре 170"С 30 мин, Экспонирование проводится по программе в автоматическом режиме на установке 7 ВА(ф. Карл Цейс, Йена), Затворная щель экспонируется методом набора прямоугольных штампов размером 0,2 х 1,0 мкм с коэффициентом пе рекрытия 2. Одновременно с затворной щелью проводится экспонирование контактных областей истока, стока, затвора, Электронный резист ЭЛПявляется позитивным, поэтому экспонированные...

Номер патента: 1213723

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Жукова, Коршунов, Ласкорин, Филиппов, Царенко, Якшин

МПК: C07D 323/00, C22B 3/00

Метки: галлия, диалкилдициклогексил-18-краун-6, железа, индия, калия, растворов, ртути, свинца, стронция, таллия, экстрагенты

...с чистотой 94,5 о .Получено 13,8 г ди(2-хлорэтилового)эфира 4-изопропилциклогександиола,2 (И 25а), выход 92,2 о , содержание С 23,6 о(теор.25,03). Аналогично получают ди(2-хлорэтиловые) эфиры 4-бутилциклогександиола 1,2 (И б), 4-пентилциклогександиола,2 (Ив), 4-гексилциклогександиола,2 (И г), 4-октилциклогександиола,2 (И д), 4-децилциклогександиола,2 (И е), 4-додецилциклогександиола,2 (11 ж),Ч 1, Получение диизопропилдициклогексил-краун. 35Смесь 5,5 г соединения 1 а, 6.8 г соединения 1 а, 0,4 г 18-крауни 25.мл 40-ноговодного раствора КОН нагревают при интенсивном перемешивании при 80 С в течение 7 ч. После охлаждения добавляют 40 мл 40воды для полного растворения осадка, органический слой отделяют, водную фазу экстрагируют...

Номер патента: 1825234

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Воронин, Губа, Плахотная

МПК: H01L 21/18

Метки: арсенида, галлия, интегральных, основе, полевых, структур, схем, транзисторов, шоттки

...Е 12 п 1=10 г см г и пг=104 см ш. Суммарная35 40 45 50 55 5 10 15 20 25 30 заданная толщина буферного слоя равна 1 мкм, толщина каждой области (подслоя) порядка 0,14 мкм, В эпитаксиальную установку С 2877 подают водород, включают печь и выводят ее в рабочий температурный режим (температура источника 780 С, зоны роста 690 С), Через шлюзовое устройство на пьедестале устанавливают подложку ОаАз марки АГПЧ-12-18 (100), затем пьедестал помещают в зону роста. По достижении подложками температуры 690 С с помощью программы производят пуск ростовой (Нг+АзСз) и регулирующей (Нг+Аз 4) парогазовой смеси и проводят наращивание эпитаксиальных структур, управляя концентрацией глубоких уровней Е 12. Для получения в подслое концентрации глубоких...

Номер патента: 1811708

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Абишева, Жаназаров, Истомин, Касымова, Комлев, Пономарева

МПК: C22B 58/00

Метки: алюминия, галлия, извлечения, пылей, электролиза

СПОСОБ ИЗВЛЕЧЕНИЯ ГАЛЛИЯ ИЗ ПЫЛЕЙ ЭЛЕКТРОЛИЗА АЛЮМИНИЯ, включающий высокотемпературный обжиг пыли с получением галлийсодержащего огарка и последующим его выщелачиванием, отличающийся тем, что, с целью повышения степени извлечения галлия и отделения его от фтора, огарок перед выщелачиванием подвергают сульфатизации при скорости подачи серной кислоты, равной 0,8-1,2 дм3/кг.ч, а выщелачивание ведут водой.

Номер патента: 1800856

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Захаров, Нестерова, Пащенко, Шубин

МПК: C30B 25/02, C30B 29/40

Метки: арсенида, галлия, подложках, структур, эпитаксиальных

...удельной мощности в такой системе нетпоэтому. целесообразно привести и геометрические характеристики используемой авторами установки. Высота пирамиды-подложкодержателя 220 мм, максимальный размер (диаметр) верхнего торца пирамиды 120 мм, нижнего торца 150 мм, Боковая поверхность пирамиды, как сумма площадей ее восьми граней, составляет 924 см, Наружный диаметр кварцевой трубы2реактора 190 мм. Высота катушки индукто5 10 15 20 30 35 40 45 50 ра-излучателя 250 мм, средний диаметр 220 мм. Диаметр медной трубки, из которой навит индуктор, 12 мм, число витков катушки индуктора-излучателя 11. Этих сведений достаточно для оценки энергетики получаемой плазмы и воспроизведения способа не только,в увстановке описанной конструкции, но ив других...

Номер патента: 1771335

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Захаров, Лымарь, Нестерова, Шубин

МПК: H01L 21/205

Метки: арсенида, галлия, основе, структур, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, включающий наращивание на полуизолирующих арсенидогаллиевых подложках методом пиролиза металлоорганических соединений элементов III группы в среде водорода при пониженном давлении в присутствии избытка гидридных или металлоорганических соединений мышьяка буферного слоя полуизолирующего арсенида галлия и последующее наращивание легированных низкоомных слоев, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет улучшения изолирующих свойств буферного слоя и повышения воспроизводимости его параметров, наращивание буферного слоя проводят при давлении 12 30 Торр в среде водородной плазмы высококачественного тлеющего разряда при температуре подложек 530...

Номер патента: 1824956

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Косушкин, Савельев

МПК: C30B 15/00, C30B 29/42

Метки: арсенида, галлия, монокристаллов

...продувают газообразный азот, содержащий 0,5-0,8 об. 7 ь влаги в объеме 0,8 + 1,2 л/кг загруженного арсенида галлия.После продувки трубку для ввода азота удаляют из расплава, в расплав вводят в затравку, проводят затравление и вытягивание монокристалла на затравку,По окончании процесса роста и охлаждения установки монокристалл извлекается из камеры и передается на обработку.П р и м е р. Выращивали монокристаллы полуизолирующего арсенида галлия диа 5 10 15 20 25 30 35 40 45 метром 76-80 мм на установках "Астра". В тигель диаметром 152 мм загружали 3 кг предварительно синтезированного поликристаллического арсенида галлия и флюс - оксид бора (600 г). Флюс предварительно отжигали в вакууме при температуре 1300 С в течение 48 ч, что...

Номер патента: 1715133

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Башевская, Заказнова, Колмакова, Рогов, Тюнькова

МПК: H01L 21/302

Метки: арсенида, галлия, пластин, полирования, химико-механического

СПОСОБ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПЛАСТИН АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, включающий обработку пластины вращающимся полировальником и полирующим составом, содержащим абразив, сульфаминовую кислоту, пероксид водорода, поверхностно активное вещество и воду, отличающийся тем, что, с целью улучщения плоскостности пластин при сохранении качества поверхности, химико - механическое полирование проводят в два этапа на одном полировальнике, причем на первом этапе удаляют 80 95% припуска полирующим составом, содержащим в качестве абразива натриевый цеолит, а на втором этапе удаляют 5 20% припуска полирующим составом, содержащим в качестве абразива силиказоль, а в качестве поверхностно активного вещества используют сульфанол при следующем содержании...

Номер патента: 1820783

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Захаров, Лымарь, Пашенко, Шубин

МПК: H01L 21/205

Метки: арсенида, галлия, слоев, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ p типа проводимости, включающий наращивание искомых слоев на нагретых подложках методом пиролиза металлоорганических соединений галлия в среде водорода при пониженном давлении в присутствии избытка арсина, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев за счет повышения концентрации носителей и повышения воспроизводимости их параметров, наращивание проводят при температуре подложек 530 690oС, давлении 2 10 торр, при этом расход металлоорганических соединений галлия и арсина задают таким, чтобы соотношение образовавшихся в процессе их термического распада мышьяка и галлия в газовой фазе составляло (5-35) 1.

Номер патента: 1814446

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Либо, Пригода, Пухляков

МПК: H01L 21/308

Метки: галлия, локального, травления, фосфида

...топологии на пластине в направ лениях 100 или ЙО Вб/Вг составляет0,08-0,15 и свидетельствует о том, что приглубоком (40-50 мкм) травлении можно безискажений перенести на пластину рисунок,заданный фотошаблоном, т.е, сохранить то-30 пологие. При Изменении направления110 до 100 расположения элементов топологии на пластине боковое подтравливание (Вб/Вг) увеличивается до 1.Температурный диапазон травителя О 30 С. Уменьшение температуры травителяниже О С приводит к кристаллизации раствора, а следовательно, к прекращениютравления, Увеличение температуры трави-теля выше 30 С вызывает селективный ха рактер травления и снижает качествотравления.Уменьшение частоты вращения при перемешивании менее 30 об/мин приводит к, ухудшению полирующих свойств...

Номер патента: 1440296

Опубликовано: 10.12.1995

Автор: Минеева

МПК: H01L 21/28

Метки: арсениду, галлия, контактов, омических, проводимости, типа

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К АРСЕНИДУ ГАЛЛИЯ n-ТИПА ПРОВОДИМОСТИ, включающий химическую очистку пластины, нанесение германия и палладия, нагрев в инертной среде, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности контактов путем снижения переходного сопротивления, на пластину после химической очистки наносят химическим путем палладий, толщиной нагревают структуру до 200 300oС, германий наносят толщиной после чего наносят никель или алюминий, толщиной

Номер патента: 1567030

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Богушевич, Николенков, Самохин, Сутырин, Хриткин

МПК: H01L 21/312

Метки: арсенида, галлия, литографии, метка, подложке, совмещения, электронной

МЕТКА СОВМЕЩЕНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ЛИТОГРАФИИ, выполненная в виде углубления в подложке, имеющего плоское дно, и выступов, расположенных на дне углубления, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности совмещения, поперечное сечение выступов имеет треугольную форму.

Номер патента: 1542332

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Авдеев, Колмакова, Матвеев, Мкртчан

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, поверхности, полупроводниковых, структур

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, включающий обработку в травителе на основе перекиси водорода и удаление кислородсодержащих примесей с поверхности химической обработкой, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества полупроводниковых структур арсенида галлия за счет снижения уровня загрязнения поверхности углеродом и сохранения геометрических размеров структур, в качестве травителя на основе перекиси водорода используют концентрированный водный раствор перекиси водорода и обработку в нем проводят в течение 5 - 10 мин, затем промывают структуры деионизованной водой в течение 10 - 15 мин, а кислородсодержащие примеси удаляют химической обработкой в концентрированном водном растворе аммиака в...

Номер патента: 1559975

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Артамонов, Ахинько, Гольдберг, Емельянов, Зыбин, Ильичев, Инкин, Кравченко, Липшиц, Полторацкий, Родионов, Шелюхин

МПК: H01L 21/283

Метки: арсениде, галлия, затвором, полевых, сбис, создания, транзисторов, шоттки

1. Способ создания полевых транзисторов с затвором Шоттки для СБИС ЗУ на арсениде галлия, включающий формирование истоковых и стоковых областей, нанесение защитного слоя, вскрытие в нем окон с помощью фотолитографии, локальное окисление подзатворной области, удаление оксида, формирование металлизации затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных схем путем увеличения точности задания пороговых напряжений транзисторов посредством влияния на степень нестехиометрии поверхностного слоя арсенида галлия, локальное окисление проводят методом термического окисления в атмосфере сухого кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, а удаление оксида проводят методом термического отжига в атмосфере водорода при 600...

Номер патента: 1804133

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Акимкулов, Алькенов, Бурдо, Василенко, Копишев, Лохова, Никольская, Пересторонина, Поднебесный, Святов

МПК: C22B 58/00

Метки: алюминия, галламе, галлия, извлечения, растворов, цементацией, щелочно-алюминатных

...органического вещества при температуре выше 80 С приводит к полному разложению полимеров с потерей способности к адсорбции на поверхности галламы, что вызывает снижение степени извлечения галлия и увеличения расхода алюминия.При активации поверхностно-активного органического вещества в растворе щелочи ниже 55 г/л Ха О деполимеризация поверхностно-активного органического вещества не происходит, возрастает вязкость раствора, что увеличивает расход алюминия, снижает степень извлечения галлия из раствора, что ухудшает эффективность процесса цементации,При активации поверхностно-активного органического вещества в растворе щелочи выше 230 г/л Ма О происходит блокировка полярных гидрофильных групп Ма или ОН группами, что не позволяет...