Патенты с меткой «галлия»

Номер патента: 388563

Опубликовано: 05.04.1976

Авторы: Брегадзе, Голубинская, Грибов, Козыркин

МПК: C07F 5/00

Метки: алкильных, галлия, производ-ных

...9,6.г (43%) трнбу";е)лгвлщея с т. кип. 110-115 ОС/12 мм рт. ст.П р и м е р 5, Получение трыбутылГаЛЛИя ЫЗ ГВЛ)ПЕЕЕМаГНЕЕЕВОГО СПлаВа И ХЛО. рпстого бутыля в еерисутс)вии 1,2-диметоксызтанаПроцесс проводят квк в примере 4 (20 Г сплава., 52 Г хлор)петого бутыля 60 . мл дыметоксизтянв). После Отгонки 1)ася11 ытеля НО;тчвют 9.8 Г (44 трыбутищ ЕеДня; т кееп 1 1 2 .11 3 С/12 ммрт ст. П р и м е р Г).Ону ч нпе т 1 ибу т илгаллия из г)11)гймвгне)ев) гн.яе)в и )слеп ристого бутилв в присутствии дибутилового эфира.Процесс осуПестеияк)т, кяк я н 1)имере 4, Ив 20 Г сплава, 52 Г хг)орпстого бутыля в присутствии 60 лл еЕП)уте 1)ового эфира и получают 1.0,0 Г (46 трибутил галлия, с т, кин. 110-115 С/12 мм 1)т. ст.П р и м е р 7. Голучееееее зфирвтя...

Номер патента: 513117

Опубликовано: 05.05.1976

Авторы: Кершман, Максимова, Федоров

МПК: C23F 1/02

Метки: арсенида, галлия, локального, пленок, раствор, травления

...может быть осуществлено ни одним из известных травителей. Либо травитель не являетея полирующим к используемой плоскости (100), либо обладает недопустимо большой скоростью травления (1,0- - выше), либо дает Чмкмобразный профиль травления с одновременным разрушением пленки фоторезиста, либо обладает диф- М Плавиковая кислотаПерекись водородаФторид аммония 385,71,5-26 стальн условиях комнатной температуры (20 С) и ушает пленки фоторезиста. Травление эпитак ых пленок ОаА 5 проводится в объемес пе раэаль. та пленок ОаА 5 используется пр меэа-планарных транзисторов, р -ди назоне, н раствор для локал,ного травлнок арсенида галлия, содержащий плавиколоту и перекись водорода. Раствор обеспечивает получение полированноиверхности дна фигур...

Номер патента: 521358

Опубликовано: 15.07.1976

Авторы: Муртазаев, Хамудханова, Шереметева

МПК: C25D 3/54

Метки: галлия, осаждения, электролит

...и повышения электро- пров одно сти электролита.Электролит готовят следующим образом, Расчетное количество соединения галлия растворяют в соляной кислоте (растворение металлического галлия проводят в присутствии нескольких капель перекиси водорода), избыток соляной кислоты упаривают, полученный хлористый галлий521358 Составитель В, БобокТехред М. Левицкая Корректор Т. Чаброва Редактор Н. Корченко Заказ 4267/538 Тираж 830 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 смешивают с хлористым аммонием винной кислотойжелатином и глицерином. Смесь нагревают до полно.го растворения всех компонентов....

Номер патента: 533680

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Жураев, Хамудханова, Шереметева

МПК: C25D 3/56

Метки: галлия, осаждения, основе, покрытий, электролит

...как поверх- по:тно-активное вещество, способствующее получению равномерного покрытия.Процесс осаждения рекомендуется проводить при рН 2,0 - 2,5, температуре 60 - 80"-С п катодпой плотности тока 2,5 - 15,0 адм-, Катодом является мед;., анодом - платина пли графит.Рассспваогцая способность злесгроппта составляет 50%.Из указанного электролита осаждаются покрытия, содержащие 1,5 - 12% фосфора и обладаю.цце орошпм спепленцем с основой (прп изгибе под углом 90 и 180 излом покрытия происо тпт сов .с:тпо с основой).Покрьтчя явля)отея практически беспорцстымц.533680 видимом диапазоне света составляет 5020/и.Зависимость некоторых характеристик покрытия из сплава галлий - фосфор от содержания фосфора в покрытии представлена в 5 табл....

Номер патента: 537408

Опубликовано: 30.11.1976

Авторы: Гаванин, Тарасова, Шульгина

МПК: H01J 9/12

Метки: арсенида, галлия, основе, фотокатода

...паров цезия в течение нескольких минут, затем обработку цезием и кислородом поочередно при комнатной температуре до прекращения роста фототока 11.Однако с течением времени чувствительность фотокатода уменьшается,Известен также способ изготовления фото- катода на основе арсенида галлия, включающий активировку путем, многократной обработки фотокатода цезием, затем одновременно цезием и кислородом, прогрев фотокатода и повторную активировку 2.Однако недостаточная долговечность фото- катода приводит к уменьшению его чувствительности с течением времени. проводят до снижения от максимума фототок дыдущей обработке це ведут до прекращения чения фототока, а за тельную обработку це тока на 80 в 9 и п токатода при температ 5 - 10...

Номер патента: 555325

Опубликовано: 25.04.1977

Авторы: Галлай, Олиференко, Шведене, Шеина

МПК: G01N 27/04

Метки: амперометрического, галлия, титрования

...и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д, 4/5Заказ 45",рб Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ническом растворителе, например в этаноле, Фоновыми растворами служат буферные смеси со значениями рН 2,2 - 3,8. Титрование проводят припотенциале предельного тока окисления реагента0,5 - 0,8 пас,к.э.), который выбирают в зависимости от рН фона.Стандартный раствор САФГА готовят по точнойнавеске реагента, титр раствора вычисляют, исходяиз постоянного соотношения САФГА к галлию,равному 3:1.Разработанным способом можно определятьгаллий в различных природных и техническихобъектах.При мер 1 . Определение галлия в медныхсплавах.Способ может быть рекомендован для анализасплавов галлия с медью, содержащих до 1%...

Номер патента: 558860

Опубликовано: 25.05.1977

Авторы: Данилин, Долесов, Петренко, Шапошников, Шурай

МПК: C01G 15/00

Метки: галлия, интерметаллического, соединения, фазы

...при высокотемпературной изотермической выдержке в течение 35 часов, прн этом периодически содержимое ампулы иэмель. чают, затем спрессовывают и снова выдерживают при указанной температуре.Однако при использовании этого способа про. цесс длителен и трудоемок.Целью предполагаемого изобретения является интенсификация процесса, кроме того, способ позволяет снизить трудоемкость процесса. течение 4 - 5 часов. В кварцевый тигель загружают3,17 г галлия маркг ГЛ - СВЧ и 1,10 ЧС 1 г, которыенеобходимы для получения 3 г ЧСа 4 по уравнениюреакции: 5 5 ба+ЧСг =Чба+баС гКварцевый тигель помешают в находящуюся впечи кварцевую пробирку, после чего в атмосфере аргона нагревают до температуры 740 С и выдерживают при этой температуре в течение 5...

Номер патента: 565954

Опубликовано: 25.07.1977

Авторы: Емельянов, Козлов, Сорокин

МПК: C25D 11/32

Метки: анодирования, арсенида, галлия, электролит

...содержащие50 об.% изобутилового спирта, 2; 5; 10;15 и 20 об.% гидроокиси аммония и этиленгликоль - до 100% в каждой смеси,оТемпература электролитов 20 С, расстояние между полупроводниковыми дискамидиаметром 25-30 мм и катодом из нержавеющей стали 1,5 см,Значения скорости анодирования, толщины получаемых пленок а также некоторые характеристики последних представлены в табл. 1,Как видно из табл. 1, при концентрации гидроокиси аммония меньше 5 об,% уменьшаютсяскорость анодирования и толщина оксидной пленки, снижается пробивное напряжение и увеличивается скорость травления, т.е. получаемые окисные слои нестабильны.При концентрации гидроокиси аммония более 1 5 об,% ухудшается качеств о окисных слоев и уменьшается скорость окисления, что...

Номер патента: 573740

Опубликовано: 25.09.1977

Авторы: Артемова, Максимычева, Талипов

МПК: G01N 21/38

Метки: галлия, флуориметрического

...Узбекистана,экстракцией сначала хлороформа, затем метанола ипи этанола,Элементный состав соответствует формуле С 2 Нэ)Ои еНайдено, %; С = 48,52; Н5,00,Вычислено, %; С ф- "48,80; Н = 4,70,Имеет следующее строение О Н - глюкоз Каннабисцитринталлический порош дставляет собой крисркс-желтого цвета. Хо- зОетаноле, этаноле ацеетате; плохо растворярошо тоне,иоксане, этил створы каннагапкриется в воде.Спиртовый и ацетоновый рабисцитрина очень слабо фпуоресцируют в ульт 55рафиолетовых лучах желтым цветом, 1.(аегфпуоресцирующие комплексные соединения с,алюминием, индием, торием, цирконием и гафкием,Галлий образует скайнабисцитриномв кислом растворе, в водно-этаноловой среде комплексное соединение, фпуоресцирующее в ульт.р;-фиолетовых лучах...

Номер патента: 444507

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Лисенкер, Марончук, Сеношенко

МПК: H01L 29/00

Метки: арсенида, галлия, мдп-структур, основе

...разложения тетраэтоксисилана,В другом известном способе слоокиси кремния Ят О выращиваетссениде галлия в результате термичразложения тетэтоксисилана притуре более 550 С.Однако границы раздела адиэлектрик, полученные извсобами, неудовлетворительныплотности поверхностных состоянийболее 10 см.Белью изобретеграницы раздела птрик с низкой плосостояний. образования промежуточногоначиная с критической толщи4445После выращивания промежуточного слоя 5 а И создающего хорошую границу раздела, выращивают слой основного диэлектрика, который обеспечивает высокие рабочие- напряжения, Основной слой диэлектрика5 получают любыми известными иизкотемперв турными способами.В газотранспортной системе, использую щейся для выращивания слоев диэлектрика,...

Номер патента: 263154

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Гусарова, Зазубин, Пономарев, Пономарева, Шалавина

МПК: C22B 58/00

Метки: алюминатных, галлийсодержащих, галлия, извлечения, растворов, цементацией, щелочных

...в расси, а геллнй остаетсяП р и. и е р, Иэ0,1 г/л галлия и 180о18 мин при 30 С и780 об/мвн в присминню гилламы алюм90% таллня в металл.ре до 30 г/д алюминиусловиш степень ц70 %,форм на об ения Способ павленых щелочныхцементацней,что, с цельаовыщения стетЗт лийсоцерж150-300 г/обраба тывамой ацюмнн ащне раст я ЙаО ия (О. Известен способ получения галлия. иэ рлюминцтньтх растворов цементацией на амальгаму начрня.По предложенному способу цементацню галлия осуществляют на галламу алюминия. Это улучшает условия труда и повышает степень извлечения галлия,Сущность предложенного способа заклю чается в следующем.В щелочной гвллнйсодержищий раствор с содержанием 150-300 гlп ецкого натри и ЗО 60 г/л алюминия при 30-80 С вводят жнд кую гилламу...

Номер патента: 329792

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Беспалов, Васильев, Гусарова, Зазубин, Иванова, Поважный, Прокопов, Романов, Смирнов, Туракбаев, Шалавина

МПК: C22B 58/00

Метки: галлия

...4,64 ипаривают на 27% и 47%. В пеза 100 чнн извлечение галлия сос6,4%, во втором за 110 мин - 63 ют на я соподвер цемент ставляПрровско 5 об получения ров. В этом твора в ртут двух оиераци я и выделение олизом с тв галлия из алюслучае галлийи необходимо - разложениеиэ полученных рдым катодом. йе., гтл. с с бихром 1,74 у случае ляет 7 рвом тав. 5 ормула изобретени 1, Способиолучення галлия из алюминатных растворов, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса, галлий извлекают цементацией на галламе алюминия из упаренной смеси маточного раствора спека. тельной ветви и маточного раствора ветви Байера.2, Способ по п. 1, отличающийся тем, что галлий извлекают из предварительно упаренного маточного раствора спекательной ветви. Цель...

Номер патента: 510848

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Зазубин, Кунаев, Остапенко, Прокопов, Романов, Туракбаев, Турсунбаев, Шалавина

МПК: C22B 58/00

Метки: алюмощелочного, галлия, извлечения, раствора, цементацией

...Ц, Ковалева Редактор 11, Коган Заказ 4763/12 Тирахк 766 Поппи сц ОеЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРПО делам, изооретоиий и О к 12 ьтий13035 Москва, Ж111 юггская наб., д. 4/5 Т Филиал П 1 П "11 атеит), г, Ужгорги 1 у, Проектная,делением иа иервопачапь 11 ых гг)111 ахвместе с галлцем основного количестваПРИМЕСЕЙ Иа ПОСЛЕДУЮангх - Гаплг 1 Я = ПОЗВО-.ляет одновременнно осушествить доноццтепьиую очистку раствора от ирцмессейполучить галлий и осушествить оНотку егоот примесей. Многократная последовательная цементация обеспечивает новые возмоя.ности процесса цементации, заключа 10 и 1 иесяв совмещении извлечения галтия и его 35 очистки, осу 3 цествле 1 пги непрерывного легкого автоматизируемого процесса цементациив...

Номер патента: 305768

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Гусарова, Зазубин, Иванова, Романов, Шалавина

МПК: C22B 58/00

Метки: галлийсодержащих, галлия, растворов, щелочных

...веденинв цементаторе емкостобъемом 3,2 мэ. Иэвлет 65%. обретени форму очных галацией галем, что, с устраненияобедненной е галламы ведут прн 50 об/мин, алюминия Это поза ного в непрер Сущносп ет я в том,лення галлаеревести легкагаемовмещаюцемента есс из прерыватизируемый. оба заключаесс нриготовллия в один. оляет нывны предл то со ы н проц автоо спос ю г Пример осущес Цементацию га содержащего, г/л: вленн лия и способоводя э раствора Изобретение относится к области метал лургии галлия.Известен способ получения галлия из ще. лочных галлийсодержащих растворов цемен. тацией галламой алюминия, при котором галламу алюминия готовят введением алюминиевой стружки в жидкий галлий перед подачей в процесс вне аппарата, в котором...

Номер патента: 376030

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Лисенкер, Марончук, Сеношенко

МПК: H01L 29/00

Метки: арсенида, галлия, основе, прибор

...сущест"венно улучшить характеристики полевыхприборов на основе баАз, например,увеличить максимальную рабочую часто. -ту полевых транзисторов и МДП-варика 2 О пов . трук в нающих кон ройс поль рмула изобретения Прибор изолиров ю щ и й ния его дом галл ложен до Зогаллия с тли ч ю улусе . арсеннка распс" трида г;-.з арсенидодом, ос целк междиэлектрслой н на основе иным элект я тем, чт арактерист я и слоем д олнительныгаетс диэле Изобретение относится к с циям полупроводниковых уст т основе арсенида галлия, ис зу принципы эффекта поля.Известна конструкция полевого транзистора на основе арсенида галлия с использованием однослойного диэлектрика из нитрида кремния (МДП-структу ры) еИзвестные МДП- структуры не позволяют получить плотность...

Номер патента: 500714

Опубликовано: 25.12.1977

Авторы: Гудзь, Лисенкер, Марончук

МПК: H01L 21/205

Метки: арсенида, галлия, слоев

...реакторов,2цепь изобретения - разработка способа снижения уровня неконтролируемого пегирования растущих слоев бааз кремнием.Это достигается тем, что в зону роста эпитвксиапьных слоев Ьо А 6 при температуре роста подаются пары гидразина (ипи вм ми вка) .Гидразих (ипи аммиак) при взаимодействии с хпоридвми кремния обрвзуют комплексы типа ЬЙ Я (нвпримеп,Ы Я), которые при встраивании их в решетку растущего слоябаАьявпяются, в отличие от 3 ь, электрически неактивными.Сущность предпвгаемого способа звкпючается в следующем.Хпориды кремния, образующиеся в зоне роста, связываются гидразином ипи аммиаком с образованием нитрида кремния, что уменьшает концентрацию эпектрически активного кремния в растущем слое Ьо Аь П р и м е р. Устройство...

Номер патента: 600203

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Зазубин, Никольская, Романов, Шалавина

МПК: C22B 58/00

Метки: галлийсодержающих, галлия, извлеченяи, шламов

...галлий из фильтрата известным электрохимическим способом.Способ позволяет повысить степень очистки растворов при вскрытии галлийсодержащих шламов, увеличить извлечение галлия и снизить выход вторичного шлама при переработке полученных растворов электролизом.П р и м е р 1. Галлийсодержащий шлам в количестве 77 г, содержащий, %: ба 93,8; А 10 в 1,2; РЬ 0,016; Лп 0,14; % 0,01; 1 0,1; Мп 0,048; Сг 0,1; Мо 0,043; Ма 1,25; 31 О 0,46; Ре 3,1; Мд 0,5, растворяют в литре щелочного раствора Ха,Он,. (130 г/л) при 90 С. При выщелачивании пульпу обрабатывают воздухом (8 л/ч) в течение 2,5 ч, Полиакриламид с концентрацией 0,035% (по массе) в количестве 7,5 мг/л вводят в пульпу за 0,25 ч до конца обработки пульпы воздухом. Пульпу фильтруют при...

Номер патента: 601324

Опубликовано: 05.04.1978

Авторы: Диев, Скачкова, Янковский, Яценко

МПК: C25D 3/54

Метки: галлия, осаждения, электролит

...О дооавляют нужное количество свободной серной кислоты. После проверки электролита анализом ц корректирования содержания свободной серной кислоты электролит готов к работе.П р и м е р 1. При осаждении галлия на вержавеющую сталь берется электро,тит состава: сернокцслый галлий - 122 г/л, серийная кислота - 45 г/л. Осаждение проводят,в электро лизере из оргстекла (емкостью 1 л ц размером О 20 Х 10 х 10 слг) при следующих режимах: катодная плотность тока - 200 а/для, температура - 30 С. Анод - платича, катоды - цилиндрические образцы из нержавеющей стали (ф = 1 сц, й=0,5 ся).25 Получается облестящее ровное покрытиетолщиной 0,2 мм, прочность сцепления его с основой составляет 2,7 кг/мме.П р и м е р 2. г 1 ри осаждении галлия налатунь из...

Номер патента: 324873

Опубликовано: 15.05.1978

Авторы: Алексеева, Бельский, Иванова, Новиков

МПК: C22B 58/00

Метки: галлия, цементации

...осится к области гидроиввния пракцементациивзывают, что амы существупичение интенсивности перемеш тически не изменяет скорости Экспериментальные данные пок для определенной высоты галл ет . оптимвпьное значение иап магнитного поля в исследуемо высоты гаппамы (1-100 мм), порционапьное высоте споя. яженност интерввпе обратно про Формула иэобрет Изобретение отнметаллургии.Известен способ цементации галлия галламой впюминия, по которому цементацию проводят в усповиях механического перемешивания галпамы, что не поддается высокой интенсификации изв явлений кввитации и разбрызгивания,Отпичие предложенного способа состоит в том, что цементацию проводят с электро О магнитным перемешиванием при напряженности магнитного попя 1500-500000 А/м и...

Номер патента: 400209

Опубликовано: 15.05.1978

Авторы: Иванова, Новиков

МПК: C22B 58/00

Метки: выделения, галлия, растворов, солей, цементацией

...изкой к эвт ии озвопяет выдепяюпнтес га евести в ограниа образованияий примесей сых в гаппиивенно приментации примеси перстворимую фазу из-заппических соединенрастворимость которьно ниже, чем собспозвопяет повысить етения Фор мула Способ выдепеего сопей цемент енно рантермет створованния,иэ ия гап ппа е цинкомзначитсей.Этопроцес с отпичаюшцелью повышенияпементацию ведутний-цинк. с тем, 5 ости роцесса, й-апюмиэффектив а сплаивносг Изобретение ния гаппия из р ми способами. Известен способ растворов его соней г анния. Однако примеси,ре даже в небопьши читепьно загрязняют Предлагае " сп(43) Опублнковано 15,05.78.Бюл педоватепьскии и проектныйй промышпенности 4) СПОСОБ ВЫДЕЛЕНИЯ ГАЛЛИЯ ИЗ РАСТВОРО ЕГО СОЛЕЙ ЫЕМЕНТАЦИЕЙП р и м е р....

Номер патента: 378112

Опубликовано: 15.05.1978

Авторы: Иванова, Любимова, Новиков

МПК: C25C 1/22

Метки: галлия, растворов, электролизом

...катоде при наложении электромагнитного поня напряженностью 30000 А/м, частотой 50 Гц и топщине слоя катода 0,015 м. Через 6 ч извлечение галлия из раствора состае,7,3%,вип и. 3 о б р н и у и Способ попучени эпектролизом на ж ч а ю щ и й с я щения эффективност проводят в электро женностью 1500 5 10-300 Гц при то тода 0,01 0,1 м. и иовыопиз и кого каИзобретение относится к метанпургииредких металлов, а именно к эпектропитическизвлечению гаппия из растворов.Известен способ попучения гаппия израстворов эпектропизом на жидком катоднапример на амальгаме, гаппаме или галпии.Предложенный способ позволяет псвысить эффективность процесса получения галлия за счет сокращений продолжитепьности процесса и увепичения степени извпечения. Это...

Номер патента: 607557

Опубликовано: 15.05.1978

Авторы: Бела, Иштван, Йожеф, Янош

МПК: C22B 58/00

Метки: «и—или», алюминатного, галлия, глиноземного, извлечения, металла, производства, раствора, щелочного

...более отрицательным из-за действия натрия;3. Галлий, выделяемый путем цементации или электролиза на ртутном като- ф де, осаждающемся на электродной подложке, так входит в ртутный, составляющий несколько микрон по толщине слой, что водород, неизбежно выделяющийся во время электролиза, не может 25 увлечь за собой галлий.По сравнению со способами, работа которых основана на ртутных катодах, преимущество предлагаемого способа заключается в том, что вредное дейст вие от ртути практически исключается; способ рентабелен, поскольку не требуется большого количества серебра, и затраты на производство, благодаря отсутствию потерь ртути, снижаются.По описываемому способу в первой стадии создается ртутный электрод злектролизера, наносимый на...

Номер патента: 643788

Опубликовано: 25.01.1979

Авторы: Горбачева, Иванова, Минина, Рыцарев, Сидохин

МПК: G01N 19/08

Метки: галлия, чистоты

...ступени нагрузки, а в качестве измеряемого параметра используют нагрузку, соответствующую началу ползучесги, или скорость деформации при заданной нагрузке.Способ осуществляется следующим образом.Образец, продольная ось которого соосгавляег 45+5 с кристаллографическим направлением 010, что обеспечивает высокую чувствительность материала к внешним нагрузкам, помешают в термосгат при температуре 0,96-0,99 температуры плавления галлия, прикладывают растягиваюшую нагрузку, ступенчато ее повышая, выдерживают образец в течение заданного времени на каждой ступени нагСпособ контроля чистоты галлия, заключающийся в том, что образец галлия термостатируют, прикладывают к нему нагрузку, измеряют физический параметр 20 образца, по которому судят о...

Номер патента: 664925

Опубликовано: 30.05.1979

Авторы: Денисов, Рязанов

МПК: C01G 15/00

Метки: галлия, трехиодистого

...начинается возгонка трехиодистого галлия, который в виде светло-желтых кристаллов осаждается на холодильнике аппарата. ла изобретения о Способ путем вз ме при тем, что, акции и проводят иода и те тельным галлия п сти,Изобретение относится к способам получения трехиодистого галлия.Известен способ получения трехиодистого галлия непосредственным синтезом изэлементов, взятых в стехиометрических соотношениях, в вакууме прои нагревании,Процесс этот длителен, и конечный продукт - тремиодистый галлий - содержитнепрореагировавший металлический галлий. 10По предлагаемому способу проводят синтез из элементов в вакууме при -2%-номизбытке иода и температуре 220 - 230 С спредварительным распределением металлического галлия по поверхности...

Номер патента: 632269

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Криворотов, Литвин, Марончук, Пинтус

МПК: H01L 21/3063

Метки: галлия, травления, фосфида, электролитического

...Р Ог ис ( 1,. и ы й э а сБ О Р х с 3 с Е )ростьО 3 5 ч,с, в которьй по ружаот от- Рнис 1 Т(ссЬНЫИ ЭГЕКТРОЛ 4. ЗсТЕХ НВИР 5 ЖСЦИС5 куклу эг(с 1 ктролаз 3 3 и 4 ИО 3 ь 1 пск)т ло Ос)- РсЗОВс(НИЯ ЭГ(ЕКТРИсС.СКОГО НРОО)53 В СТРЧКГЗ - рс. 11 ри эточ ток через 0(рдзец 1 резко возРс 1 стс 1 ст, а нс 1 пэЯжс нис на н(. 1 псзлс 1(.т.,10 СТН Х 13 ЭКС РетБЛЬНЫХ ВЕ Ннц, НспР 51- жение и ток стремятся к первоначальным Зо ЗНДЧСПИЯЧ. КсК ТОЛЬКО НБПРЯжЕНИЕ НД ОО.рдзцс лстиаст Величины, неоохоличой лля н р азова 1 Ия п роси) я. процесс ИОВторяс тс 51.:ттот Д 3 ОКЛЕОДтСЛЬНЫЙ ПРОЕСС СОПРОВОж ЛДСГСЯ СЗС)ВЫЧ ИЗЛУЧЕНИСМ В ВЛИХ 031 Н- ,асти сн ктрд.Е)личина напряжения чсж;) электро- )сУ И Б ЧОХЦТ Нс 1 сЛД ПР(30051 СОСТДВ 15 С 1 140 10 Б Б зависим(сги (и...

Номер патента: 674989

Опубликовано: 25.07.1979

Авторы: Ещенко, Печковский, Становая

МПК: G01G 15/00

Метки: галлия, дигидрата, трехзамещенного, фосфата

...галлия сбольшим количеством кристаллизационной воды, а с более концентрнрованныьщ - безводная соль.Осаждение фосфата галлия в течение 20-24 ч необходимо для получениясредних Фосфатов: сокращение временипроведения процесса приводит к неполному взаимодействию окиси галлия сФосфориой кислотой, а увеличение -674989 Формула иэобретення Составитель 3. ИткинаТехред И. Асталош Редактор С. Суркова Корректор Е. Папп Заказ 4214/1 ба Тираж 590 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Филиал ППП Патент, г. ужгород, ул. Проектная,3к взаимодействию среднего фосфатагаллия с избытком фоафорной кислотыс образованием кислых Фосфатов галлия,Для.осуществления этого...

Номер патента: 680085

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Коваленко, Марончук, Пухов

МПК: H01L 21/18

Метки: арсениде, галлия, светодиодов

...и сохраняется высокая эффективность,Активная р-область ЯаАЗ ограничиваетсяпотенциальным барьером, подученным при33выращивании гетероперехода р 6 аА р АХОа Аз который ограничивает область рекомбинации неосновных носителей (потенциальный барьер отражает электроны инжектированные в р-области).Толщина активной области лежит в пределах 1,5-5 мкм оптимальное значение2-3 мкм.П р и м е р. Эпитаксиальные структу-, ры на основе арсенида галлия выращивали 43 методом жидкостной эпитаксии из раствора-расплава Са-Аа-Ы, ограниченного подложками 6 аАэ, собранными в пакет с зазором между ними 2 мм. В расплав галлия помещали 6 вес. % Аэ и 0,4 вес. % Зэ Й . Выращивание осуществляли на подложках бай, легированных оловом с и =7 10 см 3. При 900...

Номер патента: 718490

Опубликовано: 29.02.1980

Авторы: Ажажа, Ковтун, Кравченко

МПК: C22B 58/00

Метки: вакууме, высокотемпературной, галлия, обработкой, рафинирования

...давления 1 10 -мм рт. ст. Процесс рафинирования проводится при давлении 5 10- мм рт, ст. Первоначально заслонка 5 опущена вниз и закрывает отверстие патрубка-конденсатора 7, отверстие в крышке 4 тигля открыто. Температура металла в тигле при помощи нагревателей повышается до значения 1000 в 10 С, при которой в течение 1 - 2 ч проводится процесс удаления легко- летучих примесей. Их удаление из объема тигля 1 происходит через открытое отверстие в крышке 4 тигля в объем вакуумной камеры.Затем заслонка 5 поднимается и закрывает отверстие в крышке 4 тигля. Отверстие патрубка-конденсатора 7 открывается. Увеличением мощности нагревателей температура расплава повышается до 1250 С, при которой происходит дистилляция рафинпруемого галлия. Пары...

Номер патента: 683505

Опубликовано: 05.03.1980

Авторы: Грайфер, Кравченко, Кузнецов

МПК: C01B 21/06

Метки: галлия, нитрида

...взятого в весовом соотношении к металлическому галлию, равном 1:10-1:5, при 380 420 С.П р и м е р 1. Смесь 10 г галлия и 1 г гидрида лития в кварцевой ло-,дочке помещают в трубчатый проточный реактор и нагревают до 420 С, пропуская при этом аммиак. Через 2 ч реактор охлаждают, лодочку с веществом извлекают, содержимое обрабатывают концентрированной соляной кислотой, а затем спиртом. Осадок высушивают при 100 оС.Данные по основному составу и примесям сведены в таблицу.683505 Составитель Р. ГерасимовТехред М,Петко КорРектор И. Муска Редактор Т, Колодцева ш аею ш жТираж 565, Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 1 1 3035 р Москва у Ж 35 р Раушская наб р д 4/5Заказ 10260/52 филиал ППП, Патент г,...

Номер патента: 724446

Опубликовано: 30.03.1980

Авторы: Головина, Рунов, Сапежинская

МПК: C01G 15/00

Метки: галлия

...нм, Хфд -- 530 нм для хлоргаллата этилового эфира незамещенного родамийа.Разработанным способом-можно определять галлий в различных полупроводниковых материалах.П р и м е р 1, Определение галлия вполупрьводнйковьгх"сплавах на"основе инлий.Способ может быть рекомендован дляанализа сплавов индия, содержащих до6,7 10- 7 о галлия.Навеску сплава 1,2202 г растворяют"при нагревании в 10 мл концентрированнойсоляной кислоты. После растворения образца раствор упаривают до влажных солей.Добавляют 7 мл 7 М соляной кйслоты, пе:реносят раствор в мерную колбу емкостью50 мл и доводят до метки 7 М соляйойкислотой; АликвЬтную частьполученногограствора 1 мл ввбдятв "делйтельггую-" воронку, куда помещают 7 мл раствора незамещейного,родамина (2,0 10М) в 7...