Патенты с меткой «галлия»

Номер патента: 1785281

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Давыдов, Синельникова

МПК: C22B 58/00

Метки: байера, галлия, извлечения, маточных, оборотных, процесса, растворов

Способ извлечения галлия из маточных и оборотных растворов процесса Байера, включающий цементацию на галламе алюминия с предварительной очисткой растворов от примесей, отличающийся тем, что, с целью увеличения извлечения галлия и снижения затрат на его производство, очистку ведут путем обработки маточного раствора известью из расчета 20-60 г/л активной окиси кальция в течение 0,5-1,0 ч, смешивания полученной пульпы с оборотным раствором в соотношении к маточному (1,0-0,5):1, перемешивания в течение 0,5-2,0 ч и декантации с последующим отстаиванием и направлением осадка в процесс Байера, а раствора на цементацию.

Номер патента: 1136501

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Водаков, Мохов, Роенков

МПК: C30B 25/02, C30B 29/40

Метки: выращивания, газовой, галлия, нитрида, фазы, эпитаксиального

Способ эпитаксиального выращивания нитрида галлия из газовой фазы, включающий пропускание потока аммиака над источником металлического галлия и осаждение слоев на подложки, отличающийся тем, что, с целью увеличения толщины слоев, источник галлия располагают напротив подложек на расстоянии 2 5 мм, поток аммиака пропускают между ними со скоростью 25 50 л/ч и осаждение ведут при температуре 1170 1270oС и температуре источника на 10 50oС выше этой температуры.

Номер патента: 1589918

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Абрамов, Дерягин, Долганов, Мизеров, Селиверстов, Третьяков

МПК: H01L 21/208

Метки: арсенида, галлия, гетероэпитаксиальных, слоев

Способ получения гетероэпитаксиальных слоев арсенида галлия, включающий перемещение насыщенного раствора-расплава с температурой Tр по поверхности подложки с температурой Tп, где 100oC Tр Tп 800oC, отличающийся тем, что, с целью получения слоев арсенида галлия на подложках кремния и повышения их качества за счет улучшения планарности, используют насыщенный при Tп раствор-расплав арсенида галлия в олове с добавкой 2 10 ат. германия, а температуру расплава устанавливают в пределах 500 700oC.

Номер патента: 1559980

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Башевская, Колмакова, Пащенко, Сарнацкий, Тюнькова

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, поверхности

Способ очистки поверхности арсенида галлия, включающий химико-механическую полировку поверхности арсенида галлия, окисление поверхности путем химической обработки в концентрированном растворе перекиси водорода при одновременном воздействии ультразвука, удаление окисла с поверхности, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества очистки за счет снижения уровня углеродных загрязнений, окисление поверхности проводят не более чем через 10 мин после химико-механической полировки в растворе, дополнительно содержащем соль щелочного металла, при следующем соотношении ингредиентов, мас.Соль щелочного металла 2 7,4Перекись водорода (30%-ная) Остальноев течение 7 15 мин.

Номер патента: 1582921

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Колмакова, Пащенко, Сарманов

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, консервации, межоперационной, пластин

Способ межоперационной консервации пластин арсенида галлия, включающий очистку поверхности пластин от углеродосодержащих загрязнений, обработку в концентрированной перекиси водорода, отмывку в деионизованной воде, сушку в потоке инертного газа, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени консервации уровня углеродосодержащих загрязнений, обработку в концентрированной перекиси водорода проводят в течение не менее 5 мин, а после сушки в потоке инертного газа половину пластин дополнительно обрабатывают в концентрированном растворе водного аммиака в течение не менее 3 мин, сушат в потоке инертного газа и не более чем через 12 мин приводят в контакт попарно рабочие поверхности пластин, обработанных только в концентрированной перекиси...

Номер патента: 1593513

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Башевская, Колмакова, Пащенко, Тюнькова

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, пластин, предэпитаксиальной

Способ предэпитаксиальной очистки пластин арсенида галлия, включающий обработку в травителе, содержащем перекись водорода и воду, промывку в деионизованной воде, промывку в концентрированном водном аммиаке, повторную промывку в деионизованной воде и сушку, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества поверхности пластин за счет снижения уровня загрязнения углеродом, обработку проводят в травителе, дополнительно содержащем хлористый натрий и водный аммиак, при следующем количественном соотношении ингредиентов, мас.ч.Водный аммиак (25%) 1Перекись водорода (30%) 1,5 2,18Вода 1,09 5,45Соль щелочного металла 0,0218 0,0981при этом обработку проводят в течение 15 20 мин.

Номер патента: 1127479

Опубликовано: 20.02.1997

Автор: Лапин

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, равномерных, слоев, эпитаксиальных

Способ получения равномерных эпитаксиальных слоев арсенида галлия, включающий нанесение эпитаксиального слоя арсенида галлия на полуизолирующую подложку, анодное окисление эпитаксиального слоя вплоть до прекращения процесса окисления с последующим стравливанием анодного окисла, отличающийся тем, что, с целью получения равномерных эпитаксиальных слоев большей толщины, перед анодным окислением путем фотолитографии на поверхности эпитаксиального слоя вскрывают окна, через которые проводят локальное анодное окисление эпитаксиального слоя на глубину h W, где h конечная толщина эпитаксиального слоя, W глубина распространения области объемного заряда, возникающей на границе окисел полупроводник с последующим стравливанием анодного окисла.

Номер патента: 1591751

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Белобровая, Биленко, Медведев, Мокеров, Пылаев, Слепнев, Ципоруха

МПК: H01L 21/205

Метки: арсенида, галлия, основе, структур, эпитаксиальных

Способ получения этипаксиальных структур на основе арсенида галлия, включающий осаждение на нагретую подложку арсенида галлия буферного слоя с последующим осаждением рабочих слоев, освещение структуры в процессе осаждения буферного и рабочих слоев оптическим излучением с длиной волны = 0,6328 мкм и регистрацию временной зависимости интенсивности отраженного монохроматического излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения качества осаждаемых рабочих слоев, осаждение буферного слоя прекращают после достижения интенсивностью регистрируемого отраженного излучения постоянного уровня в момент времени t3,...

Номер патента: 1369593

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Вяткин, Итальянцев, Копецкий, Мордкович, Пащенко

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, монокристаллического, основе, приборных, структур

1. Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия, включающий формирование локальных ионнолегированных областей в арсениде галлия, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем повышения кристаллического совершенства и снятия упругих напряжений в арсениде галлия, перед формированием локальных легированных областей рабочую поверхность арсенида галлия подвергают высокотемпературному полирующему газовому травлению при 650-950oC на глубину 0,5-25 мкм со скоростью 0,02-30 мкм/мин.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при формировании легированных областей в пленке арсенида галлия толщину пленки при...

Номер патента: 1369319

Опубликовано: 27.08.1999

Авторы: Дмитриев, Смирнов, Таций

МПК: C22B 58/00

Метки: галлия, рафинирования

Способ рафинирования галлия, включающий обработку галлия хлоридом аммония при нагревании с последующим отделением примесей вакуумной фильтрацией, отличающийся тем, что, с целью повышения степени рафинирования, перед обработкой хлоридом аммония галлий обрабатывают пероксидом водорода при нагревании.

Номер патента: 1391117

Опубликовано: 27.08.1999

Авторы: Дмитриев, Смирнов, Таций

МПК: C22B 58/00

Метки: галлия, рафинирования

Способ рафинирования галлия, включающий термическую обработку его хлоридом аммония при размещении его под слоем галлия и последующее удаление шлама вакуумной фильтрацией, отличающийся тем, что, с целью повышения степени рафинирования, обработку хлоридом аммония проводят при 300 - 350oC с последующим вакуумированием полученных продуктов и перемешиванием при 200 - 250oC в течение 20 - 24 ч.

Номер патента: 865057

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гудзь, Коновалов, Лисовенко, Марончук, Ходыко

МПК: H01L 21/208

Метки: арсенида, галлия, пластин

Способ обработки пластин арсенида галлия, включающий их отжиг в градиенте температуры при постоянной средней температуре в течение 1 - 4 часов, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пластин - подложек для эпитаксии и структур на их основе, устанавливают величину градиента температуры 473 - 1073 К/см при средней температуре 873 - 1073 К

Номер патента: 1009242

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Зайцева, Лисовенко, Марончук, Соловьев, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: p-n-структур, арсенида, галлия

Способ получения р-n-структур арсенида галлия эпитаксиальным наращиванием из жидкой фазы, включающий приготовление насыщенного мышьяком раствора-расплава, содержащего в качестве металла-растворителя галлий с добавкой индия, легирующую примесь-кремний, приведение в контакт раствора-расплава с подложкой и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур, дополнительно водят в раствор-расплав висмут в количестве 3,310 ат.% при содержании индия 6-18,2 ат.%.

Номер патента: 830961

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Крыжановский, Марончук

МПК: H01L 21/208

Метки: галлия, наращивания, слоев, фосфида, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания слоев фосфида галлия из жидкой фазы, включающий принудительное охлаждение насыщенного раствора-расплава, содержащего нейтральный изовалентный компонент с атомным весом, большим атомного веса компонента соединения, при одновременном легировании азотом из газовой фазы, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации легирующей примеси в слоях, в качестве изовалентного компонента используется индий в количестве 30 - 70 ат.%.

Номер патента: 1819053

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Мамонтов, Чернов

МПК: H01L 21/263

Метки: n-n-ni-слоях, арсенида, галлия, интегральных, полупроводниковых, приборов, схем

Способ изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем на n-n--ni-слоях арсенида галлия, включающий создание омических контактов и/или контактов с барьером Шоттки, формирование активных областей структуры, покрытие защитной маской активных областей, удаление незащищенных участков n-слоя травлением, ионное легирование на глубину n--слоя ускоренными заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров и повышения процента выхода годных полупроводниковых приборов и интегральных схем путем повышения термической стабильности межэлементной изоляции, в качестве активных заряженных частиц используют дейтроны, при этом...

Номер патента: 1435068

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Копецкий, Мессерер, Омельяновский, Пахомов, Поляков, Шаповал

МПК: H01L 21/223

Метки: активных, арсениде, галлия, кремнии, пассивации, центров, электрически

1. Способ пассивации электрически активных центров в кремнии и арсениде галлия, включающий проведение диффузии атомарного водорода ил тлеющего разряда в кремний или арсенид галлия, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и воспроизводимости пассивации по глубине полупроводника, диффузию атомарного водорода проводят путем выдержки кремния или арсенида галлия при температуре 500 - 670oС соответственно в течение времени, определяемого из формулыгде Nx - концентрация водорода в полупроводнике на глубине x, ат ...

Номер патента: 1424630

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Итальянцев, Пащенко

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, монокристаллического, основе, приборных, структур

Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия, включающий высокотемпературное полирующее газовое травление рабочей поверхности арсенида галлия ориентации <100> при 650 - 950oC со скоростью 0,02 - 30 мкм/мин на глубину 0,5 - 25 мкм в газовой смеси Ga-AsCl3-H2, ионную имплантацию атомов элемента IV группы периодической системы элементов, последующий отжиг в атмосфере водорода и паров мышьяка при температуре не менее 800oC в течение времени не менее 10 мин, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров приборных структур за счет улучшения электрофизических и структурных свойств ионолегированных...

Номер патента: 754881

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Диев, Еремеев, Лавренчук, Старков, Фомин, Яценко

МПК: C22B 58/00

Метки: алюминатных, галлия, извлечения, растворов, щелочных

Способ извлечения галлия из щелочных алюминатных растворов, включающий электролиз на твердых электродах в присутствии металла-носителя, отличающийся тем, что, с целью повышения степени извлечения галлия, перед электролизом растворы упаривают с выделением соды, содержащей галлий, репульпируют ее водой при 50 - 100oC, фильтруют и из полученных растворов извлекают галлий электролизом.

Номер патента: 1580824

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Бушманов, Диев, Машкауцан, Скачков, Яценко

МПК: C22C 1/02, C22C 1/06

Метки: галлия, основе, сплава

Способ получения сплава на основе галлия, включающий сплавление компонентов шихты и фильтрацию расплава, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и улучшения качества сплава за счет снижения в нем содержания кислорода, перед сплавлением в шихту дополнительно вводят интерметаллическое соединение MgIn из расчета содержания в сплаве 0,1-0,5 мас.% магния и выдерживают при 30-150oC в течение 0,5-1,5 ч в защитной атмосфере с одновременным перемешиванием.

Номер патента: 917545

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Артеменко, Бехтев, Гусаренко, Диев, Диева, Лисогор, Морозов, Панов, Рубинштейн, Ташликович, Яценко

МПК: C22B 5/00, C25C 1/22

Метки: алюминатных, галлия, извлечения, растворов, щелочных, электролизом

Способ извлечения галлия из щелочных алюминатных растворов электролизом с использованием твердых электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода по току, процесс ведут в две стадии с поддержанием катодной плотности тока 500-1000 и 15-300 А/м2 на первой и второй стадиях в течение 50-70 и 170-190 мин соответственно.

Номер патента: 1170793

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Диев, Диева, Панов, Рубинштейн, Хаяк, Яценко

МПК: C22B 58/00, C25C 1/22

Метки: галлия, сплавов, электрохимической

1. Способ электрохимической очистки галлия и его сплавов от примесей, включающий анодное растворение исходного материала в щелочном электролите с выделением на твердом катоде очищенного металла, отличающийся тем, что, с целью повышения степени очистки галлия от цинка, процесс осуществляют с введением в электролит сульфит-иона в количестве 1,0-4,5% при циркуляции электролита с кратностью обмена 0,5-2,0 об./ч.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что процесс осуществляют при 60-80oC, катодной и анодной плотностях тока 300-700 и 250-600 А/м2 соответственно.

Номер патента: 519043

Опубликовано: 20.05.2000

Автор: Теплова

МПК: C22C 9/00, H01L 21/00

Метки: n-типа, арсениду, галлия, контактный, материал, омический

Омический контактный материал к арсениду галлия n-типа на основе меди, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры вжигания контакта, материал, кроме меди, содержит олово и галлий, причем меди 70 - 75 вес.%, олова 14 - 17 вес.% и галлия 11 - 13 вес.%.

Номер патента: 531430

Опубликовано: 20.05.2000

Автор: Сидоров

МПК: H01L 21/20

Метки: арсенида, газотранспортной, галлия, источник, эпитаксии

1. Источник галлия для газотранспортной эпитаксии арсенида галлия, представляющий собой кварцевую лодочку закрытого типа, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности работы и уменьшения времени насыщения источника, в отверстие источника опущен капилляр, имеющий на другом конце развитую поверхность контакта с газовой фазой.2. Источник по п.1, отличающийся тем, что капилляр образован близкорасположенными пластинами из материала, смачиваемого галлием, например вольфрама, имеющего отверстия в верхнем конце пластины.3. Источник по п.1, отличающийся тем, что капилляр образован спиралью, намотанной на пластину.

Номер патента: 511755

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Васильева, Дворецкий, Сидоров

МПК: H01L 21/205

Метки: n+-слоев, арсенида, галлия, кристаллах, пленках

Способ получения n+-слоев на кристаллах и пленках арсенида галлия в кварцевом реакторе при выращивании из газовой фазы или при отжиге пластин, отличающийся тем, что, с целью получения поверхностных слоев с концентрацией носителей до 1019 см-3, в газовую фазу вводят треххлористый алюминий в концентрации, большей, чем содержание кислорода и кислородсодержащих соединений, например при содержании в газовой фазе паров воды ~ 2 10-5 атм, концентрация вводимого треххлористого алюминия составляет 3,5 10-4 атм.

Номер патента: 1459538

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Васильев, Герасименко, Мойзеш

МПК: H01L 21/268

Метки: арсениде, галлия, контактов, омических, формирования

Способ формирования омических контактов на арсениде галлия, включающий нанесение на полупроводниковую подложку проводящего покрытия и термообработку ее СВЧ-излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения качества контактов и повышения процента выхода годных за счет уменьшения контактного сопротивления с одновременным устранением опасности разрушения подложки в процессе СВЧ-обработки, термообработку СВЧ-излучением проводят с частотой 0,95 - 10 ГГц при времени обработки 30 - 300 с при нерастающей плотности мощности излучения от (2 - 10) до (10 - 200) Вт/см2 в течение времени, равного 10 - 50% времени обработки.

Номер патента: 774462

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Асадов, Бахышев, Исмаилов, Максимов, Марончук, Соловьев

МПК: H01L 21/365

Метки: галлия, пленок, полупроводниковых, халькогенида

Способ получения полупроводниковых пленок халькогенида галлия в открытой газотранспортной системе с использованием жидкого источника галлия, включающий взаимодействие галогенсодержащего вещества с галлием, транспортирование галогенида галлия в зону роста, подачу в зону наращивания элемента VI группы потоком газа-носителя и наращивание монокристалла на подложку, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения качества пленок, наращивание осуществляют в системе HCl-Ga-Se-H2 при температурах зон источников галлия и селена 400 - 600oC и 230 - 300oC соответственно, температуре зоны наращивания 700 - 750oC, потоке водорода над источником...

Номер патента: 1127466

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Болховитянов

МПК: H01L 21/208

Метки: алюминия, арсенида, галлия, наращивания, слоев, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания слоев арсенида галлия-алюминия на подложках бинарного соединения типа AIII - BV из жидкой фазы алюминий-галлий-мышьяк, содержащей 3 - 7 ат.% сурьмы, отличающийся тем, что, с целью улучшения кристаллического совершенства слоев арсенида галлия-алюминия на подложках фосфида галлия, поверхность подложек предварительно приводят в контакт на 5 - 10 мин с насыщенной жидкой фазой индий-сурьма при температуре 723 - 798 К.

Номер патента: 1593508

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Губарев, Локтаев, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: алюминия, галлия, диффузии, кремниевые, пластины

Способ диффузии алюминия и галлия в кремневые пластины, включающий очистку поверхности, осаждение из растворов легированных пленок, складывание пластин одноименными сторонами в стопку, загрузку в окислительной атмосфере в реактор диффузионной печи, нагретой до температуры ниже температуры диффузии, выдержку при этой температуре для проведения деструкции, нагрев до температуры диффузии в потоке газа и термообработку, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров изготавливаемых силовых полупроводниковых структур на основе полированных пластин за счет повышения времени жизни дырок и повышения воспроизводимости легирования, стопку пластин предварительно помещают в заваренный с одного...

Номер патента: 1545638

Опубликовано: 27.08.2000

Авторы: Диев, Ишин, Новиков, Пересторонина, Рубинштейн, Скачков, Токарев, Яценко

МПК: C22B 58/00

Метки: галлийсодержащих, галлия, глиноземного, металлического, производства, растворов, щелочных

1. Способ получения металлического галлия из щелочных галлийсодержащих растворов глиноземного производства, включающий цементацию галлия галламой алюминия с получением сплава галлия и галлийсодержащего шлама, последующую промывку водой и фильтрование с разделением металлической фазы и галлийсодержащего шлама, получение галлатного раствора путем растворения галлийсодержащего шлама в гидроксиде натрия, отличающийся тем, что, с целью повышения качества галлия за счет снижения содержания примесей, в качестве исходных растворов используют смесь цинк-галлийсодержащего раствора с концентрацией цинка 1 - 10 г/дм3 и галлатного раствора после растворения галлийсодержащего шлама, цементацию...