Марончук

Страница 2

Способ получения p-n структур соединений типа aiiibv

Номер патента: 1094511

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: aiiibv, соединений, структур, типа

Способ получения p-n-структур соединений типа AIIIBV эпитаксией из жидкой фазы, включающий приготовление насыщенного раствора-расплава, содержащего галлий, висмут, мышьяк, амфотерную примесь IV группы, контактирование его с подложкой и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью увеличения быстродействия электролюминесцентных приборов в основе структур GaAs и GaAlAs, повышения их квантовой эффективности при низких температурах и смещения максимума излучения в длинноволновую область, в состав раствора-расплава вводят 65 - 90 ат.% висмута, 10-35 ат.% галлия и 0,5 - 5 ат.% германия.

Способ получения варизонных структур с p-n переходом

Номер патента: 689467

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко, Якушева

МПК: H01L 21/20

Метки: варизонных, переходом, структур

Способ получения варизонных структур с p-n переходом, основанный на изотермическом смешивании растворов-расплавов при диффузии высокоактивного компонента через узкую щель в слой бинарного расплава, легированного амфотерной примесью, покрывающего перемещающуюся подложку, отличающийся тем, что, с целью получения высокоэффективных излучательных p-n переходов с контролируемой глубиной залегания и получения на их основе приборов с различными характеристиками, изменяют температуру наращивания до достижения состава варизонной структуры, соответствующего точке инверсии амфотерной примеси, на различной толщине структуры, причем температуру наращивания выбирают на 50 - 150 градусов ниже точки...

Способ обработки пластин арсенида галлия

Номер патента: 865057

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гудзь, Коновалов, Лисовенко, Марончук, Ходыко

МПК: H01L 21/208

Метки: арсенида, галлия, пластин

Способ обработки пластин арсенида галлия, включающий их отжиг в градиенте температуры при постоянной средней температуре в течение 1 - 4 часов, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пластин - подложек для эпитаксии и структур на их основе, устанавливают величину градиента температуры 473 - 1073 К/см при средней температуре 873 - 1073 К

Способ изготовления гетеролазерных структур на основе gaas algaas

Номер патента: 1091766

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: algaas, гетеролазерных, основе, структур

Способ изготовления гетеролазерных структур на основе GaAs - AlGaAs жидкофазной эпитаксией на подложках GaAs, включающий приготовление первого раствора-расплава для наращивания слоев AlGaAs, содержащего алюминий, галлий и мышьяк, и второго раствора-расплава для наращивания слоев GaAs, содержащего металл-растворитель и материал насыщения - арсенид галлия, и последующее наращивание эпитаксиальных слоев, отличающийся тем, что, с целью снижения деградации структур, улучшения их электрооптических характеристик и увеличения срока службы, в первый раствор-расплав дополнительно вводят 3-6 ат.% индия, а в качестве металла растворителя во втором растворе-расплаве используют висмут.

Способ легирования полупроводниковых соединений типа aiii bv

Номер патента: 686542

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Максимов, Марончук, Пухов

МПК: H01L 21/22

Метки: легирования, полупроводниковых, соединений, типа

Способ легирования полупроводниковых соединений типа AIII BV, преимущественно арсенида галлия и фосфида галлия, основанный на диффузии из жидкой фазы, содержащей легирующий элемент, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества диффузионных слоев и упрощения процесса, диффузию проводят из насыщенного относительно материала подложки раствора-расплава арсенида - фосфида галлия.

Способ обработки полупроводниковых структур

Номер патента: 807903

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/228

Метки: полупроводниковых, структур

Способ обработки полупроводниковых структур на основе соединений типа AIII BV, включающий приведение поверхности структуры в контакт с раствором-расплавом, содержащим 3-10 вес.% алюминия и 90-97 вес.% галлия и высокотемпературный отжиг, отличающийся тем, что, с целью получения варизонных гетероструктур с высоким градиентом ширины запрещенной зоны, отжиг проводят при температурах 850-1000oC в течение 10-100 минут.

Способ получения p-n-переходов

Номер патента: 683399

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: p-n-переходов

Способ получения p-n-переходов методом жидкостной эпитаксии путем охлаждения раствора-расплава с добавкой амфотерной примеси, приведенного в контакт с подложкой, ниже температуры инверсии, отличающийся тем, что, с целью получения p-n-переходов, плоскость которых перпендикулярна поверхности подложки, выращивание производят при контакте раствора-расплава с подложкой по узкой полоске при одновременном перемещении ее по поверхности подложки, причем скорость относительного движения после достижения температуры инверсии по крайней мере в 5 раз больше, чем при температуре выше точки инверсии.

Способ получения полупроводниковых структур

Номер патента: 803747

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Сушко, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: полупроводниковых, структур

Способ получения полупроводниковых структур, включающий маскирование подложки, создание в маске окон, локальное травление и наращивание в процессе жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и улучшения качества структур, травление подложки расплавом бинарной системы осуществляют через окна маски толщиной 0,2 - 2,0 мм, а наращивание проводят из слоя раствора-расплава толщиной 0,5 - 1,5 мм, нанесенного на поверхность маски.

Способ автоэпитаксиального наращивания полупроводников из жидкой фазы

Номер патента: 940603

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Марончук, Сушко, Тузовский

МПК: H01L 21/208

Метки: автоэпитаксиального, жидкой, наращивания, полупроводников, фазы

Способ автоэпитаксиального наращивания полупроводников из жидкой фазы, включающий приготовление двух насыщенных растворов-расплавов, содержащих мышьяк, с использованием в качестве металла-растворителя галлия и индия, введение одного раствора-расплава в узкий зазор между подложками, приведение полученной системы в контакт с другим раствором-расплавом, объем которого по крайней мере на порядок больше объема расплава в узком зазоре, и изотермическую выдержку, отличающийся тем, что, с целью получения толстых слоев кремния в улучшения их качества, вводят в узкий зазор раствор кремния в галии при содержании мышьяка в растворах 1-5 вес.% и осуществляют контактирование растворов - расплавов по...

Способ изготовления многослойных p-n структур соединений типа aiiibv

Номер патента: 990016

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: aiiibv, многослойных, соединений, структур, типа

Способ изготовления многослойных p-n-структур соединений типа AIIIBV, включающий соединение пакета эпитаксиальных структур в монолитный блок при нагревании, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур и упрощения технологии их получения, пакет эпитаксиальных структур сжимают давлением 10-20 кг/см2 и перемещают в градиенте температур вдоль оси пакета 300-600 град/см в направлении уменьшения температуры со скоростью 5 10-4-10-3 см/с, причем температура составляет 850-1000 К.

Способ селективного травления полупроводниковых соединений типа aiiibv

Номер патента: 797459

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Максимов, Марончук

МПК: H01L 21/302

Метки: aiiibv, полупроводниковых, селективного, соединений, типа, травления

Способ селективного травления полупроводниковых соединений типа AIII BV, включающий нанесение металла на поверхность полупроводникового соединения с последующей термообработкой, отличающийся тем, что, с целью упрощения селективного травления и увеличения глубины травления, металл, преимущественно индий или галлий, наносят в виде пленки толщиной 0,1-10 мкм на участки полупроводника, подлежащие травлению а термообработку проводят при температуре, превышающей температуру диссоциации полупроводника на 20-200oC в потоке инертного газа.

Способ получения эпитаксиальных p-n-структур

Номер патента: 880170

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: p-n-структур, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных р-п-структур на основе полупроводников типа AIIIBV путем принудительного охлаждения раствора-расплава, легированного амфотерной примесью, включающий создание трех температурных зон, профиль которых изменяется по длине реактора, и перемещение подложек с постоянной скоростью (1 - 5) 10-2 см/с вдоль реакционной трубы, во время которого осуществляют операции эпитаксильного наращивания, отличающийся тем, что, с целью получения резко-несимметричных р-п-переходов, улучшения качества структур и приборов на их основе, в первой зоне снижения температуры устанавливают...

Способ изготовления электролюминесцентных экранов

Номер патента: 795317

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: экранов, электролюминесцентных

Способ изготовления электролюминесцентных экранов, включающий селективное эпитаксиальное выращивание p-n структур на полупроводниковой пластине, покрытие диэлектриком и изготовление контактных выводов, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения эффективности излучения экрана в полупроводниковой пластине вытравливают сквозные отверстия, на внутренней поверхности и которых выращивают p-n переходы, а оставшиеся отверстия заполняют контактным металлическим сплавом.

Способ изготовления интегральных структур

Номер патента: 1077512

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Марончук

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, структур

1. Способ изготовления интегральных структур, включающий проведение в исходной пластине одного полупроводника локального травления на глубину, превышающую глубину "карманов", присоединение ее с использованием диэлектрика к пластине другого полупроводника, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции компонентов схем и улучшения их электрофизических параметров путем снижения механических напряжений в структуре, в пластине другого полупроводника дополнительно производят локальное травление по технологии, соответствующей негативу технологии исходной пластине, в их присоединение осуществляют под давлением 2-10 кг/см2 до взаимного проникновения в пазы друг друга при...

Твердотельный экран

Номер патента: 730223

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Литвин, Марончук, Сушко

МПК: H01L 33/00

Метки: твердотельный, экран

Твердотельный экран на основе выполненных в полупроводниковых брусках электролюминесцентных p-n-переходов с контактами, связанных между собой в строчки и столбцы металлическими шинами, отличающийся тем, что, с целью увеличения КОД при одновременном повышении контрастности, бруски расположены друг к другу однотипными областями и между ними расположена металлическая пластина, соединяющая однотипные области в сточки, контакты к областям противоположного типа проводимости расположены перпендикулярно поверхности экрана и на тыльной поверхности соединены в столбцы балочными выводами.

Композиционный магнитный материал

Загрузка...

Номер патента: 1720098

Опубликовано: 15.03.1992

Авторы: Марончук, Саенко

МПК: C22C 33/02, H01F 1/00

Метки: композиционный, магнитный, материал

...критических и выталкивается из магнитного поля при снижении температуры и напряженности поля ниже критических.В том же диапазоне предлагаемый материал при температуре и напряженности магнитного поля выше критических является магнитодиэлектриком с проницаемостью (и восприимчивостью) р =к =5 - 100, При температуре и напряженности поля ниже критических композит переходит в состояние с отрицательной восприимчивостью к = =-0,50,8 и имеет проницаемость меньше единицы,и =0,5-0,2.Более широкий диапазон изменения и возможность управления восприимчивостью и намагниченностью (от ферромагнитной до диамагнитной),температурой или полем существенно расширяет область применения предлагаемого материала по сравнению с магнитодиэлектриками, в связи с чем...

Оптическая клавиатура

Загрузка...

Номер патента: 1515156

Опубликовано: 15.10.1989

Авторы: Зозуля, Марончук, Масевич, Меньшикова, Пилипенко, Чумакова

МПК: G06F 3/023

Метки: клавиатура, оптическая

...потока в приемнике 2 интерпретируется как управляющий сигнал (есть нажатие). Вертикальное перемещение клавишных головок обеспечивается пружинами 15 возврата (фиг. 3, 4). При опускании клавиши клавиатура возвращается в исходное состояние.Для уменьшения потерь светового по- потока при переходе из световода 9 в информационные световоды 11 между кодовой решеткой 10 и световодами 11 могут быть установлены согласующие призмы 18 (фиг. 5) или дифракционная решетка 19 (фиг. 6). Использование этих средств особенно актуально в случае применения в оптическом коммутаторе 4 световодов круглой формы.Связь через призму 18 основана на явлении затухания света при полном внутреннем отражении от граней призмы. Для оптимизации оптической связи с...

Устройство для отображения информации

Загрузка...

Номер патента: 1462410

Опубликовано: 28.02.1989

Авторы: Колесницкий, Красиленко, Марончук, Прангишвили

МПК: G09G 3/32

Метки: информации, отображения

...1 первой строки первого столбца, а ключ 11 размыкается, напряжение со всех светоизлучающих фототиристоров 1 исчезает и светоиэлучающий Фототиристор 1 первой строки первого столбца перестает излу" чать свет, т.е. происходит сдвиг светящейся точки на одну ячейку вниз. Если же в следукеций момент времени единичный сигнал появляется не на втором выходе блока 16, а на пятом,ото светящаяся точка сдвигается вверх на одну ячейку (фиг,2). Появление единичного сигнала на третьем выходе приводит к сдвигу влево на одну ячейку, а на четвертом выходе - к сдвигу вправо на одну ячейку. Таким образом, управляя последовательностью единичного сигнала на выходах блока б развертки, можно производить сдвиг светящейся точки в одном из четырех...

Устройство для двумерной развертки светового луча

Загрузка...

Номер патента: 1436121

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Кожемяко, Красиленко, Кузьмин, Марончук, Теренчук

МПК: G09G 3/20

Метки: двумерной, луча, развертки, светового

...18, а скважность равна 1.При поступлении напряжения логической единицы на вход 24 светодиод 12гаснет, но вследствие того, что фототиристор 11 был ранее подготовленк открыванию излучением светодиода12 и в первом такте на шину 23 тактовых импульсов, к которой подключенкатод фототиристора 11, поступаетнулевое напряжение, фототиристор 11открывается и остается открытым доконца этого такта.Если в первом такте на вход 15напряженке не поступает, то его состояние не изменяется и ток протекает через резистор 3и фототиристор 11, а светодиод 4 1 остаетсяневозбужденным и не излучает, так510 Процесс отображения может быть р 50 прерван в любой нужный момент време,ни путем подачи нулевого напряженияна вход 24,При этом на шины 22 и 23...

Устройство для измерения квантовой эффективности излучения электролюминесцентных структур

Загрузка...

Номер патента: 894821

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Золотухин, Криворотов, Марончук, Пивоварова, Рудая

МПК: H01L 21/66

Метки: излучения, квантовой, структур, электролюминесцентных, эффективности

...который подключенк блоку измерений, капиллярный микро 20 зонд и предметный столик с омическимконтактом, который подключен к блоку питания, омический контакт предметного столика выполнен в виде кольцевого электрода и размещен в пазупредметного столика, а в фотоприемнике выполнено сквозное отверстие, вкотором установлен капиллярный микрозонд.Кроме того, кольцевой электрод вы 30 полнен из индия, покрытого слоем галлия.На фиг. 1 и 2 представлены примеры выполнения устройства.Устройство содержит предметныйстолик 1, в котором выполнен паз дляразмещения кольцевого электрода 2 изакреплено ограничительное кольцо 3для фиксации исследуемой структуры4,фотоприемник 5, снабженный контактами б, имеет отверстие, в которомрасположен микрозонд 7 с...

Измерительный ртутный зонд

Загрузка...

Номер патента: 860360

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Золотухин, Криворотов, Марончук

МПК: H05K 1/11

Метки: зонд, измерительный, ртутный

...несмачивания конусной заглушки, во тствне перемещению ртути верхностн контакта,860360 20 НИИПИ Заказ 7576/3ираж 889 Подписное Цель изобретения - повышение надежностиработы.Поставленная цель достигается тем, что изме.рительный ртутный зонд, состоящий из контакт.ного устройства с капилляром, заполненнымртутью, и механизмом для перемещения ртути,снабжен металлическим стержнем, расположен.ным внутри капилляра, диаметр которого меньше половины диаметра капилляра,Наличие металлического стержня в капилляре улучшает воспроизводимость площади ртут.ного контакта с объектом измерения при многократной установке зонда.Диаметр металлического стержня не долженбыть больше половины диаметра капилляра, впротивном случае изменяетсй форма и...

Способ изготовления электролюминесцентного экрана

Загрузка...

Номер патента: 655257

Опубликовано: 05.09.1979

Авторы: Золотухин, Лисенкер, Марончук

МПК: H01L 21/20

Метки: экрана, электролюминесцентного

...разныхсторонах табло, этим существенноповышается КПД табло, Таким способом также достигается хорошая контрастность изображения за счет того,что каждый элемент табло окружен металлом, Такая конструкция решает ипроблему теплоотвода, что в свою очередь позволяет экрану работать сбольшой светоотдачей, т,е, одновременно включать большое число элементов,Предлагаемый способ позволяетупростить технологию изготовлениятабло, получить значительную экономиюисходного полупроводникового материала, так как нет необходимости, например, стравливать значительнуючасть полупроводника, кроме того,разрезание р - и-переходов большихплощадей на стержни позволяет существенно увеличить полезную плошадь полупроводникк ов ого матери ал а,П р и м е р. На подложках...

Способ получения светодиодов на арсениде галлия

Загрузка...

Номер патента: 680085

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Коваленко, Марончук, Пухов

МПК: H01L 21/18

Метки: арсениде, галлия, светодиодов

...и сохраняется высокая эффективность,Активная р-область ЯаАЗ ограничиваетсяпотенциальным барьером, подученным при33выращивании гетероперехода р 6 аА р АХОа Аз который ограничивает область рекомбинации неосновных носителей (потенциальный барьер отражает электроны инжектированные в р-области).Толщина активной области лежит в пределах 1,5-5 мкм оптимальное значение2-3 мкм.П р и м е р. Эпитаксиальные структу-, ры на основе арсенида галлия выращивали 43 методом жидкостной эпитаксии из раствора-расплава Са-Аа-Ы, ограниченного подложками 6 аАэ, собранными в пакет с зазором между ними 2 мм. В расплав галлия помещали 6 вес. % Аэ и 0,4 вес. % Зэ Й . Выращивание осуществляли на подложках бай, легированных оловом с и =7 10 см 3. При 900...

Способ получения полупроводниковых приборов на основе соединений типа а в

Загрузка...

Номер патента: 599659

Опубликовано: 30.07.1979

Авторы: Лисенкер, Марончук

МПК: H01L 21/18

Метки: основе, полупроводниковых, приборов, соединений, типа

...с малыми размерами планарных р - п-переходов (менее 5 - 1 лгклг) их. элекг,рофизические характеристики лучптаготся, если с начала на поверхности полупроводника формируют непрерывный ряд твер,-дых растворов с шириной запрещенной зогны, возрастающей к поверхностги с градиентом 10" - 10 В/с 11, а затем образуют пла: нарный р - и-переход, например, путем ,диффузии примеси в структуру.В этом случае существенно уыеньшаетгся кривизна р - и-перехода и уменьшается угол выхода р - и-перехода на поверхность.В овязи с этим возрастает пробивное .нап 1)5 жение. Уменг,цгение кривизны р - п-перехода и угла выхода его ца паверхность вызвано особенностями диффузии примеси в такой структуре. Коэффициент диффузии примеси резко, возрастает с увеличением...

Полупроводниковый прибор

Загрузка...

Номер патента: 639362

Опубликовано: 30.07.1979

Авторы: Лисенкер, Марончук

МПК: H01L 29/04

Метки: полупроводниковый, прибор

...сущности к предлагаемому является полупроводниковый прибор на основе р - п-структуры 2.Свойство известных устройств выпрямлять переменный электрический ток обусловлено тем, что сопротивление р - п-структуры сильно меняется при изменении мощности напряжения, прикладываемого к ри и-областям р - п-структуры.Однако в известных полупроводниковых приборах имеются краевые токи утечки, которые приводят к снижению пробивного напряжения.Цель изобретения - уменьшение краевых токов утечки и увеличение пробивного напряжения.Это достигается т опиковом приборе на рпо крайней мере одотуры выполнена нав При приложении переменного напряжения к р- и п-областям р - п-структуры происходит выпрямление электрического тока. Уменьшение краевых токов...

Способ получения р-п структур

Загрузка...

Номер патента: 639358

Опубликовано: 30.07.1979

Авторы: Лисовенко, Марончук, Масенко, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: р-п, структур

...в арсениде галлия и его твердых растворах путем изменения температуры соответственно выше или ниже точки инверсии амфотерной примеси.Однако этот способ не пригоден для получения многослойных переходов с толстой площадью р - п-перехода; кроме того невозможно сохранить толщину перекристаллизуемой области, неизменной при значительной глубине перекристаллизации.Известен способ получения р - п-структур жидкостной эпитаксией при переходе через критическую температуру, а именно точку инверсии амфотерной примеси.Однако при использовании этого способа с понижением температуры изменяются коэффициенты согрегации примесей, что затрудняет получение структур с контролируемым распределением примесей (и состава твердого раствора) по толщине....

Способ электролитического травления фосфида галлия

Загрузка...

Номер патента: 632269

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Криворотов, Литвин, Марончук, Пинтус

МПК: H01L 21/3063

Метки: галлия, травления, фосфида, электролитического

...Р Ог ис ( 1,. и ы й э а сБ О Р х с 3 с Е )ростьО 3 5 ч,с, в которьй по ружаот от- Рнис 1 Т(ссЬНЫИ ЭГЕКТРОЛ 4. ЗсТЕХ НВИР 5 ЖСЦИС5 куклу эг(с 1 ктролаз 3 3 и 4 ИО 3 ь 1 пск)т ло Ос)- РсЗОВс(НИЯ ЭГ(ЕКТРИсС.СКОГО НРОО)53 В СТРЧКГЗ - рс. 11 ри эточ ток через 0(рдзец 1 резко возРс 1 стс 1 ст, а нс 1 пэЯжс нис на н(. 1 псзлс 1(.т.,10 СТН Х 13 ЭКС РетБЛЬНЫХ ВЕ Ннц, НспР 51- жение и ток стремятся к первоначальным Зо ЗНДЧСПИЯЧ. КсК ТОЛЬКО НБПРЯжЕНИЕ НД ОО.рдзцс лстиаст Величины, неоохоличой лля н р азова 1 Ия п роси) я. процесс ИОВторяс тс 51.:ттот Д 3 ОКЛЕОДтСЛЬНЫЙ ПРОЕСС СОПРОВОж ЛДСГСЯ СЗС)ВЫЧ ИЗЛУЧЕНИСМ В ВЛИХ 031 Н- ,асти сн ктрд.Е)личина напряжения чсж;) электро- )сУ И Б ЧОХЦТ Нс 1 сЛД ПР(30051 СОСТДВ 15 С 1 140 10 Б Б зависим(сги (и...

Способ обработки кварца

Загрузка...

Номер патента: 668897

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Литвин, Максимов, Марончук, Сушко

МПК: C03C 23/00

Метки: кварца

...- при 800.1000 С в течение 10-40 ч.6.68897 Формула изобретения Составитель Г. БуровцеваРедактор А. Морозова Техред Н. Андрейчук Корректор С. Патрушева Заказ 3582/15 Тираж 555 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий13035, Москва, Ж -35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал Г 1 ПП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 3Суть способа состоит в том, что при термообработке в указанном режиме кварцевых деталей заданной геометрии в расплаве 5-30% А и 95.70% Оа происходит замещение окиси кремния окисью алюминия (алундом) по реакции5 ЗБО+4 А 1=2 А 0 з+38, Кремний переходит в расплав, а алюминий, окисляясь, покрывает стен. ки реактора, сохраняя заданную геометрическую форму, возможно при этом полное замещение...

Устройство для визуализации инфракрасного излучения

Загрузка...

Номер патента: 588859

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Баскин, Кравченко, Лисенкер, Марончук, Шегай

МПК: H01L 31/14

Метки: визуализации, излучения, инфракрасного

...ИК изображения и подготовка, пластины к приемунового изображения производитсяпутем нагрева пластины или облучением ее интечсивным светом из областисобственного поглощения.Использование описанного активного элемента позволяет существенноупростить конструкцию устройства:исключить сложные системы, связанныес питанием и коммутацией электрических цепей приемника и излучателя,повысить разрешающую способность устройства, увеличить время запоминанияизображения. Причем иэображение хранится без подачи на устройство электропитания и потребления электроэнергии. 48На чертеже показана схема предлагаемого устройства.Оно состоит из системы 1, проектирующей инфракрасное изображение,элемента 2,в качестве которого используется полупроводниковая...

Способ получения варизонных структур

Загрузка...

Номер патента: 586758

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Марончук, Масенко, Сушко

МПК: H01L 21/20

Метки: варизонных, структур

...слой толщйной 2-3 мкм.После повторения циклов растворениерост 15-20 раз вблизи поверхностинаблюдался состав, близкий к 1 пР, 10 Предлагаемый способ позволяет получать вариэонные структуры с профилем распределения ширины запрещеннойзоны, регулируемым в широких пределахс высокой степенью воспроизводимости.Он может быть использован для создания, варизониых слоев на многочисленных материалах например на основетвердых растворов типа А -В" -А" -В",А -В" -АфВ, дефектных полупроводников, четверных систем и др. Формула изобретения 3слоя иа обеих подложках. Однако из-заразличия удельных весов компонентоврасплава и с возникновением в связис этим, конвективной диффузии компонентов в растворе - раславе, помещенном в силовое поле,...