Способ получения p-n-структур арсенида галлия

Номер патента: 1373232

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Авдеев, Колмакова, Матвеев, Пащенко

МПК: H01L 21/20

Метки: индия, локальных, структур, фосфида, эпитаксиальных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР ФОСФИДА ИНДИЯ, включающий создание защитной маски, формирование углублений в подложке, удаление защитной маски и эпитаксиальное заращивание углублений в подложке, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества локальных эпитаксиальных структур за счет устранения высокоомного слоя в переходной области подложка - эпитаксиальный слой, перед эпитаксиальным заращиванием углублений подложку обрабатывают в плавиковой кислоте при 80 - 106oС в течение 5 - 15 мин.

Номер патента: 1323931

Опубликовано: 15.07.1987

Авторы: Лавров, Попель, Спиридонов

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, расплавов, структуры

...направляют сфокусированный пучок электроновот источника 3 вдоль оси ячейки.2 ил.Формула изобретения Составитель Е,СидохинТехред А.Кравчук Редактор А.Лежнинао Корректор С.Черни Заказ 2957/47 Тираж 7/6ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Подписное Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул, Проектная, 413239Изобретение относится к технике изучения структуры металлических, оксидных и солевых расплавов с помощью сфокусированного пучка электронов и может быть использовано для исследования структуры их приповерхностных слоев.Цель изобретения - определение структуры поверхностных слоев расплава. 10На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, общий вид; на...

Номер патента: 1115337

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Киржайкин, Конькова, Сасов, Скачкова, Хорохорин, Яценко

МПК: B23K 35/30

Метки: бесфлюсовой, пайки, припой

Припой для бесфлюсовой пайки, содержащий висмут, свинец, индий, олово, кадмий, галлий, медь, отличающийся тем, что, с целью сохранения герметичности паяных швов при высоких температурах, он дополнительно содержит, по крайней мере, один компонент, выбранный из группы: титан, никель, молибден, алюминий при следующем соотношении компонентов, мас.%:Висмут - 12,5 - 19,9Свинец - 6,2 - 9,9Индий - 6,2 - 9,9Олово - 3,5 - 5,4Кадмий - 1,8 - 2,9Галлий - 0,9 - 1,3один компонент из указанной группы:Титан - 2,5 - 5,6Никель - 3,1 - 14,5Молибден - 4,7 - 15Алюминий - 0,9 - 2,6Медь - Остальное

Номер патента: 1542332

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Авдеев, Колмакова, Матвеев, Мкртчан

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, поверхности, полупроводниковых, структур

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, включающий обработку в травителе на основе перекиси водорода и удаление кислородсодержащих примесей с поверхности химической обработкой, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества полупроводниковых структур арсенида галлия за счет снижения уровня загрязнения поверхности углеродом и сохранения геометрических размеров структур, в качестве травителя на основе перекиси водорода используют концентрированный водный раствор перекиси водорода и обработку в нем проводят в течение 5 - 10 мин, затем промывают структуры деионизованной водой в течение 10 - 15 мин, а кислородсодержащие примеси удаляют химической обработкой в концентрированном водном растворе аммиака в...

Номер патента: 1800856

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Захаров, Нестерова, Пащенко, Шубин

МПК: C30B 25/02, C30B 29/40

Метки: арсенида, галлия, подложках, структур, эпитаксиальных

...удельной мощности в такой системе нетпоэтому. целесообразно привести и геометрические характеристики используемой авторами установки. Высота пирамиды-подложкодержателя 220 мм, максимальный размер (диаметр) верхнего торца пирамиды 120 мм, нижнего торца 150 мм, Боковая поверхность пирамиды, как сумма площадей ее восьми граней, составляет 924 см, Наружный диаметр кварцевой трубы2реактора 190 мм. Высота катушки индукто5 10 15 20 30 35 40 45 50 ра-излучателя 250 мм, средний диаметр 220 мм. Диаметр медной трубки, из которой навит индуктор, 12 мм, число витков катушки индуктора-излучателя 11. Этих сведений достаточно для оценки энергетики получаемой плазмы и воспроизведения способа не только,в увстановке описанной конструкции, но ив других...