Марончук

Номер патента: 580772

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Золотухин, Лисовенко, Литвин, Марончук

МПК: H01L 21/20

Метки: экрана, электролюминесцентного

...В связи с тем, что коэффициентпреломления сплава Се-Ав значительновыше, чем Са-Ав, выход рекомбина- )5ционного излучения через и-областиинкрустированного Са-Ав происходитс высокой квантовой эффективностью.В качестве подложек для выращивания используют моиокристаллы ЮСа-Ав п-тина ( й =10 см), нарезанные в виде тонких стержней с размерами 0,5 х 0,5 х 50 ьы, боковые плоскости которых ориентированы в направлении 100. Стержни собирают в пакет сзазором 0,8 мм, который определяетсяграфитовыми (или арсенид галлиевыми)прокладками,Полученный пакет нрн Т = 920 Сзаполняют раствором - расплавом галлия насыщенного мышьяком и 0,4 вес.кремния, после чего проводят принудительное охлаждение его со скоростью 1,5 /мин, При этом наращивается,слой...

Номер патента: 500714

Опубликовано: 25.12.1977

Авторы: Гудзь, Лисенкер, Марончук

МПК: H01L 21/205

Метки: арсенида, галлия, слоев

...реакторов,2цепь изобретения - разработка способа снижения уровня неконтролируемого пегирования растущих слоев бааз кремнием.Это достигается тем, что в зону роста эпитвксиапьных слоев Ьо А 6 при температуре роста подаются пары гидразина (ипи вм ми вка) .Гидразих (ипи аммиак) при взаимодействии с хпоридвми кремния обрвзуют комплексы типа ЬЙ Я (нвпримеп,Ы Я), которые при встраивании их в решетку растущего слоябаАьявпяются, в отличие от 3 ь, электрически неактивными.Сущность предпвгаемого способа звкпючается в следующем.Хпориды кремния, образующиеся в зоне роста, связываются гидразином ипи аммиаком с образованием нитрида кремния, что уменьшает концентрацию эпектрически активного кремния в растущем слое Ьо Аь П р и м е р. Устройство...

Номер патента: 557701

Опубликовано: 25.12.1977

Авторы: Лисенкер, Марончук, Пухов

МПК: H01L 21/66

Метки: излучающих, отбраковки, полупроводниковых, структур

...содержит подвижный капиллярныймикрозонд, заполненный электролитом, поцентральной оси которого расположен световод с фотоприемником,Микрозонд может легко перемструктуре, а фотоприемник при эрует вет ичину квантового выходав соответствующей тоЧке,На чертеже приведена структурная схемапредложенного устройства,Устройство содержит измерительную пластину 1, на которой установлен капиллярныймикрозонд 2, заполненный прозрачным электролитом, который является омическим контактом 3. По центральной оси микрозондарасположен световод 4 с фотоприемником 5,Пластина размещена на норвижном держа557701 Подписноеа Совета Министрооткрытийшская наб., д. 4/ 4 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Прое теле, р6 об азца Микроэонд и держатель образца...

Номер патента: 376030

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Лисенкер, Марончук, Сеношенко

МПК: H01L 29/00

Метки: арсенида, галлия, основе, прибор

...сущест"венно улучшить характеристики полевыхприборов на основе баАз, например,увеличить максимальную рабочую часто. -ту полевых транзисторов и МДП-варика 2 О пов . трук в нающих кон ройс поль рмула изобретения Прибор изолиров ю щ и й ния его дом галл ложен до Зогаллия с тли ч ю улусе . арсеннка распс" трида г;-.з арсенидодом, ос целк междиэлектрслой н на основе иным элект я тем, чт арактерист я и слоем д олнительныгаетс диэле Изобретение относится к с циям полупроводниковых уст т основе арсенида галлия, ис зу принципы эффекта поля.Известна конструкция полевого транзистора на основе арсенида галлия с использованием однослойного диэлектрика из нитрида кремния (МДП-структу ры) еИзвестные МДП- структуры не позволяют получить плотность...

Номер патента: 432840

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Марончук, Сеношенко

МПК: H01L 29/76

Метки: полупроводниковый, прибор

...йз ссцовной плас На чертеже изображе прибор, который состоит тины 1, выполненной из ду выводами ходит излуче ый поглошв я при поглошеяда диффундиластины 1, о ирокозоцного поа, например вр 2-5 истока и сто ся пластин нии неосновн руют и дрейф лупроводникового матер сенида, галлия, областе уют в области Изобретение относится к полупроводниковых приборов использующих режим ицверс Для увеличения крутизнь ной характеристики в предл боре основная пластина вып рокозонного материала, в отов состоят из двух частейпроводимости одинаковой шиной зоны, образуя электрор а-переход, излучающий свепоглощается каналом. тип проводимости оложец ему. Облвсазуют истоковый и цно) электролюминесНа пластину 1 наце, сверху которого ектрод 7 из метвлол п...

Номер патента: 513575

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Марончук, Пухов, Сушко

МПК: H01L 21/20

Метки: кремнием, легированных, поверхности, слоев, эпитаксиальных

...легированнь ченных методом жидкос личаюшийс яте ворения избыточного кр шают в,раствор-расплав 3-10 вес. % алюминия галлия при 800-850 С рхностих кремнитной эпи итаксиальм, полуксии о т м, что,емния,, содери 90-9 елью р омеес, % в течение Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для получения эпитаксиальных р-и структур на основе арсенида галлия, предназначенных для изготовления ИК-светодиодов. 5Известен способ получения р-и структур из ограниченног раствора-расплава, Использование этого способа при получении сильно легированных кремнием эпитаксиальных слоев приводит к образованию на поверхности слоевО арсенида галлия дентритов кремния.Целью изобретения является получение р-п структур арсенида галлия...

Номер патента: 444507

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Лисенкер, Марончук, Сеношенко

МПК: H01L 29/00

Метки: арсенида, галлия, мдп-структур, основе

...разложения тетраэтоксисилана,В другом известном способе слоокиси кремния Ят О выращиваетссениде галлия в результате термичразложения тетэтоксисилана притуре более 550 С.Однако границы раздела адиэлектрик, полученные извсобами, неудовлетворительныплотности поверхностных состоянийболее 10 см.Белью изобретеграницы раздела птрик с низкой плосостояний. образования промежуточногоначиная с критической толщи4445После выращивания промежуточного слоя 5 а И создающего хорошую границу раздела, выращивают слой основного диэлектрика, который обеспечивает высокие рабочие- напряжения, Основной слой диэлектрика5 получают любыми известными иизкотемперв турными способами.В газотранспортной системе, использую щейся для выращивания слоев диэлектрика,...

Номер патента: 500509

Опубликовано: 25.01.1976

Авторы: Лисенкер, Марончук

МПК: G01R 31/00

Метки: полупроводниковых

...поро говому для эффекта Ганна, в диапазоне частот, по крайней мере; в 1000 раз меньшепролетной.Предлагаемый способ контроля прлупроводниковых материалов обладает тем преимушеством, что он учитывает процессы, протв-фкаюшие в сильных электрических полях искажающие эффект Ганне, и позволяет пред-сказать ожидаемую мощность по пролетнойчастоте,Сущность предлагаемого изобретения сооит в си500509 Составитель р ал,х,Редактор Е,Гончнр Техред Иуарандашова Корректор р.црыксина Изд. МТираж 1029 Подписное Заказ 4915 сударствениого комитета Совета Минис по делам изоор.тений и открытий Москва, 113035, Раушская наб 4 в СССР ИИПИ филиал ППП "Патентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 примесный пробой центров с анергией меньше Ес,36 эв и др,Эти процессы...