Способ определения параметров варизонных структур
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью контроля однородности состава на поверхности варизонных структур, измеряют амплитуду низкоэнергетического пика дифференциальных изменений фотолюминесценции.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью контроля однородности состава вблизи подложки измеряют амплитуду высокоэнергетического пика дифференциальных изменений фотолюминесценции.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью контроля однородности толщины структуры, измеряют относительную величину дифференциальных изменений фотолюминесценции при энергии возбуждающих квантов, большей максимального значения ширины запрещенной зоны.
Заявка
2661642/25, 05.09.1978
Институт физики полупроводников СО АН СССР, Новосибирский государственный университет
Коваленко В. Ф, Марончук И. Е, Марончук Ю. Е
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: варизонных, параметров, структур
Опубликовано: 10.11.1999
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-753313-sposob-opredeleniya-parametrov-varizonnykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения параметров варизонных структур</a>
Предыдущий патент: Травитель для поликристаллического кремния, легированного кислородом
Следующий патент: Матрица фотоприемников
Случайный патент: Агрегатный станок для обработки отверстий