H05B 33/10 — способы и устройства для изготовления электролюминесцентных источников света

Номер патента: 188592

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Аветисова, Ларионова, Николаева, Сощин

МПК: H05B 33/10

Метки: электролюминесцентц

...отливкой люминесцентного слоя нанесения на подложку фигурных электродов.Описываемый способ отличается от известных тем, что в качестве такой подложки используется тонкая пленка, с которой после пслимеризацип органической связки снимается электролюминесцентный слой вместе с электродами, переносимый затем на стеклянную пластинку с прозрачным токопроводящим покрытием.Этот способ позволяет автоматизировать производство электролюминесцентных индикаторов и повысить их качество путем увеличения адгезии металлического электрода к элек188592 Предмет изобретения Риг. Я фыр Состави гель Л. Сол актор Н. Джарагетти Техред Т. П. Курилко Корректоры: С. Н. Соколов и В. В. Крыловаказ 3742/7 Тираж 1100 Формат бум. бОХ 90/з Объем 0,16 изд. л,...

Номер патента: 197756

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Кокушкин, Ятлинко

МПК: H05B 33/10

Метки: электролюминесцентныхизделий

...в тлеющем разряде на дефектных участках электролюминесцентного слоя с последующей полимеризацией этого вещества.Это обеспечивает защиту от пробоя электролюминесцентного слоя в местах сквозных пор или в местах с недостаточной электрической прочностью.На чертеже представлена возможная схема устройства для осуществления предложенного способа.Стекло 1 с проводящим слоем 2 иэлектролюминофора помещают в рабо ем вакуумной системы 4, Систему отк до давления 10 4 - 10 з дм рт. ст. иют испаритель 5, в котором находится емое вещество (например, полиэтиле 2стирол, политетрафторэтнлен, стирол, метилметакрилат и др,).Время испарения и количество испаряемоговещества определяют экспериментально, ис ходя из условия, чтобы давление в рабочемобъеме 6...

Номер патента: 197757

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Головкина, Пасынков, Савельев, Семе

МПК: H05B 33/10

Метки: электролюминесцентногоустройства

...с положительной полярностью на металлическом электроде. В вакупрогревапри темпЗатем тевпыляют сдо 1300 -400 в 6ки вновьролюмино рт, ст слоем 1 час и нагретой а быть Спосоного ус на подо 30 дящим одлож- элект 1000 -Известен способ изготовления электролюминесцентных устройств путем вакуумного испарения исходных веществ и активирующих примесей с дальнейшей температурной обработкой в вакууме или на воздухе для диффузии. Напыление проводят послойно, чередуя исходное и активирующее вещество, или одновременно из разных лодочек.Особенностью предложенного способа является то, что на подложку с проводящим слоем наносят легирующий высокоомный подслой сернистых соединений легирующих металлов, например сернистой меди, затем электролюминофор и...

Номер патента: 205950

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Веревкин

МПК: H05B 33/10

Метки: внутреннего, трафарета, электролюминесцентных

...светочувствительный слой наносят краску необходимого цвета, затем вымывают илц удаляюг другим способом светочувствительный слой и краску в местах, где 10 слой не задублсн.Если на панели необходимо иметь рисунки нескольких цветов, эта процедура повторяется в зависимости от числа цветов.Другой способ - это механическая защита 15 всех участков, где не должен лежать слой фоновой краски.Оба известных способа трудоемки и дают погрешность в совмещении рисунков разных цветов. 2Предложен способ менее трудоемкий, который дает более точное совмещение рисунков на панели мнемосхем. Для этого на электропроводящий слой наносят цветочувствительнуо эмульсшо, проводят все тех операции для получения цветного на этой эмульсцц, который дает нужных цвети ьх...

Номер патента: 237264

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Апухтина, Гитина, Грилихес, Евдокимова, Мозжухина, Раппопорт, Эрлих

МПК: G09F 13/22, H05B 33/10

Метки: конденсаторов, связующее, электролюминесцентных

...глицерина и отверждаемый диизоцианатами.Отвержденный полимер НПЗ имеет диэлектрическую проницаемость 13 - 23 в диапазоне частот 400 в 50 ги. При использовании его в качестве электролюминесцентных слоев достигается увеличение яркости в 1,5 - 2 раза по сравнению с конденсаторами, изготовленными на полимере П 9-Т, или может быть снижено до 50 - 60 в питающее напряжение.Для изготовления связующего из НПЗ используют трехгорлый реактор, снабженный мешалкой и термометром, куда помещают навеску нитрополиэфира, Полиэфир вакуумируют при остаточном давлеи 1 ш 3 - о лья рт. ст. и перемешивают при 50 - 60 С в течение 30 - 40 лин. Затем и полиэфиру при комнатной температуре добавляют катализатор (дилаурат дибутилолова) в количестве 0,02 го от веса...

Номер патента: 312395

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Вдовенков

МПК: H05B 33/10

Метки: долговечности, увеличения, электролюминесцентных, элементов

...чем порошковые. Способ 5 стабилизации путем предварительного старения к пленочным элементам неприменим, поскольку относительно медленное изменение яркости для них и стабильная работа в течение сотен часов наблюдается лишь при уров нях яркости порядка единиц Нцгп.Способ увеличения долговечности путем повышения напряжеия на элементе по мере старения усложняет систему управления электролюминесцентными элементами, не исклю чает процесса старения самого электролюминесцентного слоя, а делает жестче режим его работы по мере старения и приводит к повышению вероятности катастрофического отказа, например пробоя.20 Исследование механизма старения пленокХпЯ с высоким содержанием меди, электролюминесцирующпх при возбуждении постоянным...

Номер патента: 385408

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Белогловска, Долгополов, Долгополова

МПК: H05B 33/10

Метки: электролюминесцентных

...отвердителя:и гидроксильных групп высокомолекулярных эпоксидных смолСН - ОН11=.С - О - К-+СН - МН - СООК не проходит полностью.Предлагается способ изготовления ЭЛП, устраняющий вышеотмеченные недоста пки и повышающий срок службы ЭЛП.Предлагаемый снособ состоит в том, что после нанесения и термосушки люминофорного и защитного слоев и с.чоя непрозрачного электрода ЭЛП выдерживают при температуре 20 - 23 С в эксикаторах над хлористым кальцием в течение 5 - 10 суток. Такая технологическая выдержка обеспечивает оптимальные условия отверждения диэлектрика и осуществления,реакции образования устойчивой полиуретановой связи.Кроме того, после герметизации при использовании эпоксидно-полиэфирного компаунда холодного отверждения также...

Номер патента: 396009

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Гольдман, Лысенко, Проскура

МПК: H05B 33/10

Метки: электролюминесцентного

...актуальным становится расширение числа электролюминесцентных источни ков, работа которых управляется состояниемстимулиоованной проводимости.Цель изобретения - создание электролюминесцентного источника света с поликристаллическим рабочим веществом, яркостью 30 которого можно было бы управлять, в частЗаказ 35/8 Изд.967 Тираж 755 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий Москва, Ж.35, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр. Сапунова. 2 ности усиливать ее на несколько порядков, и в котором бы сочетались положительные свойства как электролюминесцентных источников света с порошковым рабочим вещест. вом, так и электролюминесцентных источни ков света с монокристаллическим...

Номер патента: 364127

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H05B 33/10

Метки: электролюминесцеитных

...термического испареция в вакууме.Если на такой индикатор подать переменное напряжение, то ца участках, где нет лака, к электролюминесцентному слою оно приложено полностью, а в местах, покрытых лаковой пленкой, на электролюминесцентный слой действует напряжениеЕ,д Гф, - Е.,11 где Г и сГ - диэлектрическая проницаемость и толщина электролюминесцентного слоя соответственно;Е, и с, - диэлектрическая проницаемость и толщина лакового слоя.Если выорать толщину пленки лака и ця- ПРЯжЕНИЕ ПИТЯНИЯ ТЯК, ЧТО ЬУ оп пор ГДЕ Уэп пор - ПороГОВОЕ ЫЯПРЯЖЕНИЕ СВЕЧЕНИЯ электролюмипофора, то будут светиться только те участки индикатора, где нет лака.Применение в качестве диэлектрического трафарета тонкой лаковой пленки, расположенной поверх...

Номер патента: 373905

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Белогловска, Долгополое

МПК: H05B 33/10

Метки: hthg-txhh4egkaf, iatf, аоесоюзная

...пленки.Для устранения указанных недостатков предлагается способ изготовления гибких ЭЛП, заключающийся в том, что используют медную, никелевую, медно-никелевую и т.п. плоскую сетку, имеющую толщину 30 - 40 р, шаг 250 - 500 и и коэффициент пропускания до 0,80, изготовленную гальваническим способом, на которую наносят слои в следующем порядке:1) слой влагозащитного прозрачного лака толщиной 5 - 10 р;2) 4 - 5 слоев люминофорной суспензии толщиной до 80 ц,;3) слой непрозрачногомого методом фотопечатибом;4) слой герметизирующей влагозащитнюй пленки.373905 Предмет изобретения Составитель Е. СафоноваТехред Е, Борисова Корректоры: Л. Бадылама и Т. ГревповаРедактор Б. Наикина Заказ 1427/14 Изд.132 Тираж 755 ПодписноеЦНИИПИ Комитста по делам...

Номер патента: 376905

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Ефимова, Изумрудов, Савельев

МПК: H05B 33/10

Метки: электролюминесцентных

...ацетона и ксилола (ксплол добавляется для увеличения времени высыхания слоя). Затем подложку с диэлектрическим слоем 3, находящимся в вязком адгезивном состоянии, помещают на дно коробки 4 из органического стекла, Поверх адгезивного диэлектрического слоя насыпают смесь, состоящую из сухого порошка люминофора б и металлических или керамических шаров б (применяют шары диаметром 1 - 5 лм). Площадь, занимаемая шарами, должна быть меньше площади дна коробки. Коробку 4 закрепляют на каретке 7 колебательной установки. Установка придает каретке колебательное возвратно-поступательное движение (фиг. 1) с амплитудой колебаний 1 - 10 сл и частотой 0,5 - 5 га (например, могут быть использованы широко применяемые в 30 заводской и лабораторной...

Номер патента: 377979

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H05B 33/10

Метки: электролюминесцентных

...компаунда, слой напыленного серебра, двуокиси титана и люминофора и че рез стекло, что приводит к существенному перепаду температур между припоем и слоем склеивающего компаунда. Вследствие этого температура в его слое, лимиъируемая температурой размягчения припоя, занижена, что приводит к удлинению процесса полимеризации.Цель изобретения состоит в сокращении цикла изготовления ЭЛИ за счет сокращения времени полимеризации. Ускорение процесса решило бы вопрос о переводе процессов терСоставитель В. Анненков Техред 3, Тараненко Редактор Т, Юрчикова Корректор Н. Стельмах Заказ 1725/16 Изд, Мо 1439 Тираж 755 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб д. 4/5 Типография, пр....

Номер патента: 381182

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Богданова, Вдовенков

МПК: H05B 33/10

Метки: электролюминесцентного

...яркость свечения в постоянном поле.Способ изготовления состоит из следующих процессов. Подложку из термостойкого стекла, например ЛК, ЛК, С-3, С-1, предварительно покрытую прозрачным проводящим слоем Яп 02,или ХпОз, прогревают в вакууме не хуже 10 - з торр около 10 20 лтин при температуре 500 С. Затем температуру подложки снижают до 250 - 260 С и испаряют на нее навеску - 30 лтг сульфида меди, В этой части способ не имеет существенных отличий от известных способов. За тем на слой сульфида меди конденсируютпленку нелегированного сульфида цинка, испаряемого при температуре 1200 С. Навеска сульфида цинка - 2,5 г. Время полного испарения этой навески - 30 мин. За 10 - О 15 мин до полного испарения сульфида цинка включают испаритель с...

Номер патента: 361751

Опубликовано: 05.04.1974

Авторы: Власенко, Гергель, Школа

МПК: H05B 33/10

Метки: 361751

...установки помещают вертикальную трубчатую печь, закрытую с верхнего конца, внутри печи располагают подложки, а у нижнего конца этой печи - испарителц.Испарение нинка из отдельного испарителя позволяет обеспечить при правильном выборе режима испарения постоянное заданное соотношение скоростей испарения Хп 5 Мп и Хп, получить, во-первых, равномерное по объему легирование цинком, во-вторых, заданную361751 П р ед м е т изо бретени я Составитель М. Сорокина Техред Е. Борисова Корректор А. Дзесова Редактор Т. Орловская Заказ 21321 Изд.720 Тираж 750 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж 35, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 концентрацию Уп, и, в-третьих,...

Номер патента: 452929

Опубликовано: 05.12.1974

Авторы: Таммик, Яам

МПК: H05B 33/10

Метки: электролюминесцирующих, элементов

...С втечение 3 час для каждого слоя.Увеличение срока службы элементови повышение их электропробивной прочности происходит вследствие того, чтопри термической обработке слоев в высоком вакууме из них в большей мере уда 1ляются пузырьки воздуха, а также вода,содержащаяся в связующем и на поверхности зерен электролюминофора.Ниже в качестве примера приводитсяконкретная технология изготовления электролюминесцирующегс 1 элемента в соответствии с изобретением,Изобретение усовершенству б изготовления электролюминесцирунщих эле- ментов и касается режима изготовления этих элементов.Известен способ изготовления электро-, люминесцирующих элементов, при котором на токопроводяшую подложку наносит слой суспензии из электролюминофора и связующего и...

Номер патента: 430797

Опубликовано: 05.07.1976

Авторы: Белоусова, Ефимов, Круглов, Павличенко, Рыжиков, Строганова

МПК: H05B 33/10

Метки: диодного, источника, карбиде, кремния, света, создания

...при постыл дисл Недостат сительно не 100 нит при но, вследств тельных акт с участием Целью из производим источников сти по осн вие, весьма та выхода г Поставле зультате ра бора из газ да кремния бочных ком430797 Формула изобретения Составигель Е. Сафонова Техред Т. Зимина"ака 1 бз; 3 Изд. Ъ. 128 Тпрахк 1029 11 одвпсное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-З 5, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 приборов имели однородную электролюминесценцию, яркость которой составляла 150 - 300 нит при плотности тока 0,45 а/см (ток 10 ма) и 250 - 600 нит при плотности тока 0,9 а/ом (ток 20 ма), Необходимо также гпочеркнуть, что на стандартных кристаллах процент выхода...

Номер патента: 511794

Опубликовано: 05.10.1976

Авторы: Чармакадзе, Чиковани

МПК: H05B 33/10

Метки: полупроводниковой, светоизлучающей, структуры

...1 ошего выокуюэфф,к,ь изчельней рекомбинацииЭто достигается тем что процесс выращивания производится при последовательНОЙ смене тга подложке из арсенида галлиядвух растворов-расп:тавов, причем второйраствор-расплав., содержащий примесь доадвигается так, что на под слой толщиной 200-600 м1794 16+РЦД М. ПЕЕЫХМ КОРРИ:ТОР В, Е прияыы Редактор Н. Лвнипавнч Заказ 5361/163 Тираж 1029 ПодписноеПНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открь 1 тий113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Филиал ППП фПатент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 51кальным градиентом, После достижения темопературы 960 + 5 С и выдержки при этойтемпературе в течение 30 мин первыйраствор - расплав подвигается на подложку и при снижении...

Номер патента: 541298

Опубликовано: 30.12.1976

Автор: Чукова

МПК: H05B 33/10

Метки: массового, светодиодов

...в следующем.Поверхность слитка полупроводникового монокристалла, выращенного по одному из известных способов, подвергается сначала,шлифовке, а затем полировке с тем, чтобы придать заготовке вид цилиндра (фиг. 1). Затем этот цилиндр разрезается на две части вдоль оси (фиг. 2). Для простоты дальнейшего рассмотрения будем считать, что исходный материал 1 имеет произвольную по величине проводимость и-типа. В этом случае на плоской поверхности полуцилиндра создается монокристаллический слой 2 также электронной проводимости, но с требуемым значением удельного сопротивления (фиг. 3), а на него наносится слой с дырочной проводимостью в виде узкой полосы вдоль оси цилиндра 3, после чего полуцилиндр разрезается па узкие полудиски.На р-и...

Номер патента: 549897

Опубликовано: 05.03.1977

Авторы: Вергунас, Кононенко, Лурье

МПК: H05B 33/10

Метки: индикатора, пленочного, электролюминисцентного

...некоторых элементов являются нарушение целостности слоев вследствие перегрева при Я ( 10, а при Я ) 10 - электрический пробой, так как увеличение скважности требует повышения формующего напряжения. Частота 1 следования импульсов напряжения определяет во многом эксплуатационные параметры ЭЛИ. Так, напряжение питания (в режиме эксплуатации) для ЭЛИ, сформированного заявленным способом, по сравнению с ЭЛИ, сформированным известным способом при постоянном напряжении, уменьшается с увеличечием 1, ассимптотически приближаясь к постоянному значению. Например, для В = 40 нит это уменьшение составляст 14,3% при= 1 кГи, и= 10 кГи.Эффективность ЭЛИ после импульсной формовки увеличивается по сравнению с ЭЛИ после формовки при постоянном...

Номер патента: 690660

Опубликовано: 05.10.1979

Авторы: Андреев, Галкина, Смирнова

МПК: H05B 33/10

Метки: экрана, электролюминесцентного

...подложки, тем самым увеличивается процент выхода годных экранов.В результате формирования ЭЛ-слоя путем электрофореза, затем седиментации с последующими пропиткой связующим и уплотнением, ЭЛ-слой достаточно уплотнить давлением не более 1 кг/см, а не 300 - 400 кг/см как в известных способах".Наличие крупной фракции в середине слоя уменьшает количество контактов зерен и зо зз в слое, что приводит к уменьшению общего сопротивления и увеличению проходящего тока, а следовательно, и яркости ЭЛ-слоя.Яркость ЭЛ-экрана, изготовленного предлагаемым способом (если толщина электролюминесцентных слоев одинакова) на 10 - 15% выше, чем у экранов, изготовленных известными способами. На фиг. 1 изображена 1 стадия изготовления панели (осаждение...

Номер патента: 769768

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Кульков, Савельев, Семенов

МПК: H05B 33/10

Метки: герметизации, пленочных, электролюминесцентных, элементов

...вырезанные по периметру защитного стекла и имеющие разрезы с противоположных сторон, герметизируемый плсночный элемент 5, электрические выводы 6.Герметизацию проводят следуюшим об разом. На стеклянную подложку с электролюминесцентным пленочным элементом илп другим пленочным элементом электронной техники помещают по периметру этого элемента полимерную пленку, выполненную в 10 виде двух слоев с разрезами, расположенными на разных сторонах. Толщина полимерной пленки выбирается в зависимости от толщины герметизируемых элементов. Ширина разрезов равна 1 мм. На полимер- д ную пленку помещают защитное стекло. Размер защитного стекла выбирается таким, чтобы электрические выводы от герметизируемого элемента остались свободными. Собранную...

Номер патента: 1805823

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Голикова, Данько, Жолкевич, Клименко, Ментковский, Родионов, Стадник

МПК: H05B 33/10

Метки: матричного, экрана, электролюминесцентного

...электродов, предварительно нанесенных на полимерную пленку, позволяет получать экраны с тонким (10 мкм и меньше) слоем электролюминофора. А так как предельное разрешение экрана увелиминофора ниже раньше достигнутой величины: 30-40 мкм,Цель изобретения - повышение разре. шающей способности матричного электро 5 люминесцентного экрана,Цель достигается тем, что в способе изготовления матричного электролюминесцентного экрана постоянного тока,включающем нанесение на прозрачную ди 10 электрическую подложку прозрачных полосковых электродов, слоя порошковогоэлектролюминофора со связывающим веществом, ,закрепление второй системыэлектродов, ортогональной к первойна по 15 верхности электролюминофора в пйцессеудаления избыточного...

Номер патента: 1829874

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Достанко, Левчук, Панков, Ширипов

МПК: H05B 33/10

Метки: индикатора, тонкопленочного, электролюминесцентного

...Для Осаждения диэлектрических и электролюминесцентного слоев подложка переводится в положение относительно падающего потока,Сущность заявляемого изобретения заключается в следующем, Отношение скоростей роста слоя, осажденного на нормальную (по отношению к конденсируемому потоку) и наклонную поверхность, равотносительно нормали к подложке. 45 50 55 но отношению косинусов углов между нормалями к соответствующим поверхностям и направлению конденсируемого потока. Следовательно,. уравнивая угол падения конденсйруемого потока для обеих поверхностей, можно уравнять и скорости роста слоев на нормальной и наклонной поверхности. Однако реально вследствие наличия у электрода двух наклонных поверхностей необходимо вращать подложку в своей...

Номер патента: 460841

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Кравченко, Марончук, Шерстяков

МПК: H05B 33/10

Метки: монолитного, экрана, электролюминесцентного

Способ изготовления монолитного электролюминесцентного экрана путем выращивания на полупроводниковых подложках эпитаксиальных p-n-p-n-слоев твердых растворов с заданным профилем ширины запрещенной зоны, убывающей к среднему p-n-переходу, с использованием маскирования и диффузии примеси, отличающийся тем, что, с целью получения изображения с преобразованием света из длинноволнового в коротковолновый, на подложке n-типа выращивают i-слой, в котором создают локальные р-области твердого раствора на всю глубину изолирующего слоя до подложки.