G01N 27/24 — обнаружение локальных дефектов

Номер патента: 176115

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Белоконь, Конструкторский, Михайлусь, Морох, Украинский, Черкасов

МПК: G01N 27/24, G01N 27/62

Метки: мест, обнаружения, поврежденных, покрытиях, эмалевых

...между электродом и изделием. Реле срабатывает в результате прекращения коронирования прц возникновении искрового проооя в месте повреждения покрытия. Это повышает точность фиксации места повреждения покрытия.На фиг. 1 изображена схема устройствадля обнаружения поврежденных мест в эмалевых покрытиях; на фиг. 2 - разрез по А-А на фиг. 1.Устройство содержит электрод 1, перемещаемый по поверхности эмали проверяемого изделия и присоединенный к источнику тока высокого напряжения. Вторым электродом служит металл изделия, Электрод 1 выполнен в виде металлического стержня по форме, соответствующей образующей проверяемого изделия.Электрод укреплен ца держателе 2 и вращается на оси, совпадающей с осью изделия.На держателе установлена...

Номер патента: 210485

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Карапеть

МПК: G01N 27/24

Метки: датчик, емкостный

...емкость датчика.10 Емкостный датчик для непрерывного конт роля влажности искусственного волокна, содержащий нижнюю неподвижную и верхнюю свободно перемещающуюся в вертикальном чаправлении обкладки, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности 20 датчика к влажности, степень которой проявляется толщиной контролируемой ватообразной массы, верхняя обкладка связана с противовесами системой из роликов и тросов,Известен емкостный датчик для непрерывного контроля влажности искусственного волокна, содержащий нижнюю неподвижную и верхнюю свооодно перемещающуюся в вертикальном направлении обкладки.Для повышения чувствительности датчика к влажности, степень которой проявляется толщиной контролируемой ватообразной массы, в предлагаемом...

Номер патента: 324570

Опубликовано: 01.01.1972

МПК: G01N 27/24

Метки: 324570

...диэлектрического слоя; кроме того, излсние поверхностных дефектов даже на небольшой поверхности занимает значительное время (несколько часов), а оценка дефектов можс; носить субвскт 1 в, храктср.Цель изобретения - упрощение способа об царужения микродефсктов, повышение егопроизводительности црц возможности получения наглядной картин. распределения 1 естсктов.Цель достигается благодаря использованию 1 о в электропцтцчсском способе регистрирующегофотоматериала (фотоэмульоии) . На чертеже схсхатцческн показана сборка исследуетОго образца и применяемого прц осуществлении предлагаетОго способа приспособления перед 15 помещением ее в электролит. 11 олупроводнцковую (металлическую) подложку 1 с нанесенной на цсе диэлектрической плс кой 2...

Номер патента: 360599

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Кравцов, Резников

МПК: G01N 27/24

Метки: дефектов, слоев

...поверхности с чернымн точками, соответствующими неоднородностям идефекта м. Пр мет изобретенг Способ контрпутем наложенииост:.г на,регистр ЗО фотоэмульсионн Изобретение относится к области электронной техники, в частности к пгроизводству полупроводниковых,прибогров,При производстве полупроводниковых пгрибогров (диодов, транзисторов, интегральныхсхем и т, д.) методами планаргной технологиипредъявляются высокие требования к,качествуповерхности полупроводнигков и диэлекврических слоев, так,как дефекты слоев матсриаловоказывают значительное влияние на разброспараметров, надежность и выход годных полупроводниковых приборов,Известен электролитический способ контроля дефектов диэлектрических слоев на полу,проводниковых или металлических...

Номер патента: 365641

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01N 27/24

Метки: динамики, искусственных, каменных, регистрации, твердении, трещинообразования

...00- разца.Цель изобретсция - получение более полцой картины динамики трещицообразовацця. 15Достияетс 51 это тем, то токОпроводный слсй наносят ца торцевую поверхцость ццлццдрическоо образца, по крайней мере одну дорожку, и подключают последнюю к саъ ОпиПущем при Оорм 1 мгцстрцрмвоцемов ИЗ мснеиис элсктропрОВОди 110 сти.Из смеси запо.ццтеля и вяжущего готовят образец типа кольцо с металлическим сердечником.ьбразец подвергаот тепловлажпостной 2;,. обработке.11 З Гсрпевуо поверхность цилшдрического образца наносят токопроводный клей. Образцы типа кольцо пзрафеццруют с торцсых поверхностей, с тем, чтобы с открытой ЗО цц,Иц;1 рц Сской иоерхцосгц происходило свободное цспарс с лаги и создавался рядиальн 1 й Влззкностиы 11 Градиеит.Рскоме...

Номер патента: 372492

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Анатычук, Лусте

МПК: G01N 27/24

Метки: многозондового, удельного

...сопротивления подложки,Эта цель достигается использованием для создания перепада напряжений не внешних источников электрического тока, а вихревых термоэлектрических токов, возникающих в эпитаксиальной пленке и подложке при наличии градиентов температур. Величина вихревого термоэлектрического тока зависит от соотношения толщин пленки и подложки, удельных сопротивлений пленки и подложки и разности термо-э.д,с. материалов пленки и подложки. 1 ри этом существенные по величине падения напряжения (до 0 мв,град для кремниевых эпитаксиальных пленок), вызванные вихревыми токами на эпитаксиальной пленке, будут возникать и при отношениях сопротивления пленки и подложки, близких к единице и несколько меньших единицы. Градиенты температур в...

Номер патента: 465584

Опубликовано: 30.03.1975

Авторы: Бузанева, Денисюк, Стриха

МПК: G01N 27/24

Метки: диэлектрических, изолирующих, полупроводниках, свойств, слоев

...определения средней плотности сквозных дефектов.С целью разработки способа количественной оценки параметров то, Йо, 5 для сквозных дефектов диэлектрика, заполненных металлом, которые позволяют провести полную оценку изолирующих слоев на полупроводниках, измеряют минимальное сопротивление контактов Ь, по величине которого определяются значения й 0, Ь, 5.Сопротивление контакта Я, измеряют при приложении к контакту в прямом направлении импульсов напряжения большой амплитуды и малой длительности. Одновременно можно измерять ток утечки контакта металл - полупроводник.По величине Р, значения Р 0, 5 оп яют сопротивление и толщин котором создают диэлект ния значений Кь то, 5 медефектов удаляют, наприролитического вытравлива465584 .;4...

Номер патента: 530238

Опубликовано: 30.09.1976

Авторы: Демидов, Семакин

МПК: G01N 27/24

Метки: волокон, дефектов, проводов

...4 1 см. фиг, 2) выполнены в виде прямоугольных трехгранных призм, у которых длина граней О, параллельных общему электроду 7, на два-три порядка больше длины минимальыэгэ д 8 ф 8 кта и в три-пять раз бэльше длины грани, ф перпендикулярной общему электроду. Кон - трэлируемое волокно 8 помещено в зазоое между измерительными и общим электродами. Электроды 5, 6 установлены в пазу 16 основания 17 гак, что расстояние о меж ду электродами в два-три раза больше длины минимального дефекта, а зазор между общим электродом 7 и измерительными электродами 5 и 6 минимален в промежуткеЛ между измерительными электродами 5 и 6. фПри контроле электоопроводящего изделия конструкция конденсатора 4 может быть несколько изменена, В этом случае общим...

Номер патента: 657326

Опубликовано: 15.04.1979

Авторы: Беловайненко, Вертяев, Литвин

МПК: G01N 27/24

Метки: внутренней, защитного, металлических, поверхности, покрытия, труб

...О. Билак Тираж 1089 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035 Москва, ЖРаушская наб, д, 45 Филиал ППП фПатент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4Эаказ 1783/42 Способ осуществляют следующим образом.Определяют состояние защитного лакокрасочного покрытия, нанесенного на внутреннюю поверхность протяженной стальной трубы с проходным диаметром 28 мм. и длиной 4,5 м. Через 8 трубу обеспечивается свободное течение электролита с постоянной скоростью из напорного резервуара, в котором размещается платиновый электрод. В качестве электролита приме-2нялся 2 10 -ный раствор гексацианоферрата калия К Ре КИ).1 в 0,1 И КСТ. На выходе трубы фиксируют оптическую плотность вытекающего электролита .при помощи...

Номер патента: 737822

Опубликовано: 30.05.1980

Авторы: Булах, Миронов, Тонконогов

МПК: G01N 27/24

Метки: активации, активационных, вида, времени, дефектов, диэлектриков, количества, кристаллической, объектов, полупроводников, реализации, релаксации, решетки, энергии

....к изменению 0тока ТСД; позволяя тем самым опреде- .лить параметры дефектов.Цель изобретения достигается двухкратным, измерением тока ТСД. Первоеизмерение тока ТСД проводят в поля-. 65риэованном до насыщения, свободном от напряжений веществе, нагреваемом с постоянной скоростью. При этом ток увеличивается, достигает максимума и спадает, причем каждый вид дефектон характеризуется своей температурой максимума. Повторное измерение тока проводят, подвергнув исследуемый материал механическому сжатию, что выэынает сдвиг максимума тока в сторону более высоких температур, В отличйе от грототипа параметры дефектов определяют ло напряжению сжатия -О температурам максимумов Т и Т тока ТСД соответстненно ненапряжеиного и сжатого материала...

Номер патента: 763767

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Кравцов, Пермяков, Резников

МПК: G01N 27/24

Метки: дефектов

...электродом и прикладываютк электроду и проводящему слою электрическое напряжение, Независимо от полярностинапряжения происходит поляризация гермоплас.тического слоя, причем поляризационный заряд пропорционален напряженности электрического поля в поверхностном слое термопластика, вследствие чего топология распределенияполярнзационного заряда отражает неоднородность распределения поля, искаженного дефектами образца,После экспозиции термопластик отделяетсяот изделия. Затем его нагревают до температуры размягчения, при этом происходит его деформация и топология неоднородного поляпроявляется в виде рельефа поверхности тер.мопластического слоя, который после охлаждения можно визуалировать. Глубина получаемогорельефа определяется, толщиной слоя...

Номер патента: 781687

Опубликовано: 23.11.1980

Автор: Романий

МПК: G01N 27/24

Метки: неразрушающего

...ячейки, а электрод, контактирующий с регистратором,выполняют прозрачным. Кроме того,подаваемое на электроды напряжениеизменяют то "пилообразному" закону.На чертеже изображена схема, иллюстрирующая реализацию способа.На контролируемое изделиесподведенным с одной стороны электродом 2 накладывают регистратор 3, вы 20 полненный в виде жидкокристалличес-кой ячейки, например лавсановой ттленки, с нанесенной на ее поверхностькаплей жидкого кристалла, после чегечерез прокладку 4 накладывают на3 78регистратор прозрачный электрод 5,изготовленный, например, из стеклас токопроводным слоем. К электродамподключают от источника 6 напряже- .ние, величина которого зависит оттолщины контролируемого изделия, аамплитуда изменяется по "пилообразному"...

Номер патента: 801153

Опубликовано: 30.01.1981

Авторы: Клесов, Кравцов

МПК: G01N 27/24

Метки: дефектоскопии, диэлектри-ческих, слоев

...ВНИИПИ Государственного 1 м 1 лтета СССР по делам изобртений и открытий 113035, Москва, ЖРаушская наб., д. 4/5-0,2 В по отношению к нормальномуводородному электродУ.Из электрох;.,лмической теории проявления следует, чтопроявление светочунствительных материалов тем медле-.нее, чем выше окислительно-восстановительный потенциал системы ЕОкислительно-восстановительный поте 1 л иал системы тем выше, чем меньше значение рН раствора проявителя, поэтому 0уменьшая рН раствора исключением изсостава ускоряющих сещестн 1 буры содыпоташа, едкого натрия и др.), либодобавлением кислоты, можно увеличить Еб 8 раствора, существенноуменьшив скорость проявления,В случае использования проявителяс -0,2 МЕР 6 0,2 В, при пропускании электрического тока...

Номер патента: 819674

Опубликовано: 07.04.1981

Авторы: Зекцер, Шаповалов

МПК: G01N 27/24

Метки: дефектныхслоев, исследования

...с помощью самопишущего потенциометра КСП - 4 или милли ам перметра 8. Травление производитсяпри комнатной температуре в условиях свободного контакта с атмосферой.Предлагаемый способ осуществляют следующим образом.Изделие с тщательно обезжиренной и обособленной поверхностью закрепляют в приспособлении и погружают в ячейку (1) Изделие катодно поляризуют (активируют) в течение 3 - 5 мин при потенциале на 0,в 0,2 В отрицательнее стационарного потенциала (2). Анодное травление осуществляют в потенциостатическом режиме при определенном потенциале в течение 1 мин, фиксируя изменение тока во времени (3).Потенциал травления в соответствии с маркой стали и рабочим электролитом вы 4бирается из сопоставления потенциодинамических анодных...

Номер патента: 849055

Опубликовано: 23.07.1981

Авторы: Давыдов, Федотов

МПК: G01N 27/24

Метки: защитного, покрытия, сплош-ности, трубо-проводов

...по окружностям с двух сторон оболочки и связанных с ней электрически и пружинорычажными связями пластина н качест ве второй его обкладки служит металл трубопровода. 55 41 радиального зазора 4 между оболочкой 3 и трубой 5, электрически соединены посредством гибких провод- никон 15 с боковой поверхностью оболочки 3 и несут опорные ролики 16, которые опираются на поверхность трубы 5.Устройство для контроля сплошности защитного покрытия трубопровода работает следующим образом.Включением источника 1 постоянного напряжения на первый и второй конденсаторы, соединенные последовательно, подают высоковольтный потенциалРаспределение напряжения на конденсаторах обратно пропорционально их электрическим емкостям. Следовательно, на электрощуп...

Номер патента: 868525

Опубликовано: 30.09.1981

Автор: Пронин

МПК: G01N 27/24

Метки: дефектов, диэлектриков, полупроводниковых, слоев

...подключенного к отрицательному полюсу источника 4, заряд нейтрализуется и слой подготавливается для проведения следующего цикла. 1 ОПри непрерывном сканировании поверхности индикатор 8 регистрирует последовательность импульсов, возникающих в результате электростатической индукции заряда в цепи электрода 6. За счет выбора 15 длительности импульсов генератора 5 при постоянной скорости сканирования слоя 1 размеры заряженных участков выбирают сравнимыми с линейными размерами обнаруживаемых дефектов, поскольку при О этом обеспечиваются оптимальные условия для контроля всего слоя, выражающиеся в том, что необходимо осуществить минимум циклов для точного установления места расположения дефекта (в пределах 25 смещения, равного линейному размеру...

Номер патента: 894530

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Баранова, Зекцер, Шаповалов

МПК: G01N 27/24

Метки: дефектных, исследования, слоев

...3-5 мин при потенциале на 0,1-0,2 В отрицательнее стационарного потенциала.3) 2-х ступенчатое анодное травление осуществляют в потенциостатическом режиме при определенном по 30 35 40 45 Ы 55 тенциале по 1 мин каждое, фиксируя изменение тока во времени.Потенциал травления в соответствии с маркой стали и рабочим электролитом выбирается из сопоставления анодных потенциодинамических кривых (ПКД) а и б (заштрихованная область фиг.2). При этом потенциале вторично закаленные слои на поверхности изделия пассивируются, что характеризуется уменьшением тока в процессе травления до некоторого минимального значения. Оптимально отпущенные слои при этом потенциале находятся в состоянии активного растворения, что характеризуется ростом тока в...

Номер патента: 896526

Опубликовано: 07.01.1982

Авторы: Баженов, Зубков, Митькин

МПК: G01N 27/24

Метки: дефектоскопии, диэлектрических, тонких

...Бокшан Заказ 11689/33 Тираж ЯЯ 2 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 1 3035, Москва, Ж - 35, Раушская наб д. 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4се их изготовления образуются сквозные проколы. Сквозные проколы и каналы в материале могут образовываться и при его эксплуатации, например, за счет, деформации при тепловом расширении и других воздействиях. Наличие сквозных каналов существенно снижает качество диэлектрических материалов, их электрическую прочность.Способ дефектоскопии осуществляется следующим образом.На одну сторону контролируемого материала наносят феррожидкость, размеры частиц которой меньше размеров пор материала. Материал помещают в магнитное поле, градиент...

Номер патента: 958947

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Баранова, Зекцер, Ронжин

МПК: G01N 27/24

Метки: возникающих, дефектных, заточке, исследования, обнаружения, поверхности, слоев, стальных, шлифовании

...(КС 1). В емкость 1 помещается катод (платиновый) 3 и изделие 4, являющеесяканодом. В емкости 2 находится хлорсеребряный электрод сравнения 5. Контакт растворов в емкостях 1 и 2 осуществляется с помощью электролитического ключа 6, часть которого, з 0 погруженная в емкость 1, заполне.а рабочейкислотой, а часть, погруженная в КС 1, заполнена насыщенным раствором КС 1. Электролитический ключ должен быть расположе на расстоянии 1 - 2 мм от поверхности анода.Электролитическая ячейка подключена к по тенциостату или потенциометру 7. Регистрация тока осуществляется с помощью самопишущего потенциометра КСП - 4 илимиллиамперметра 8. Травление производят,при комнатной температуре в условиях свободного контакта с атмосферой.Предлагаемый метод...

Номер патента: 1000878

Опубликовано: 28.02.1983

Автор: Арутюнов

МПК: G01N 27/24

Метки: выпуклого, жидкости, мениска, формирования

...1) подают на поверхность 2 несущего жидкость тела 3 и действуют на нее таким магнитным полем Н, чтобы одна из силовых линий.4 этого поля исходила из вершины 55 10изменения магнитного поля. Для этого возможны различные приемы,Иожно изменять величину действующего на мениск магнитного поля(фиг. 6 и 7). Увеличение магнитногополя увеличивает высоту мениска и заостряет его вершину при том же объеме магниточувствительной жидкости вмениске. Так, при поле Н (фиг. 6)меньшем Н(фиг, 7) мениск имеет высоту п 1 (фиг. 6) меньше и 2 (фиг. 7)Для отклонения мениска от исходного состояния можно изменять топографию пространственное распределение магнитного поля, например,путем действия на мениск полем, создаваемым дополнительной катушкойиндуктивности...

Номер патента: 1141329

Опубликовано: 23.02.1985

Авторы: Домород, Кожаринов, Храповицкий, Черенкевич

МПК: G01N 27/24

Метки: неразрушающего, поверхности

...поверхностиматериала.Поставленная цель достигаетсятем, что согласно способу неразрушающего контроля поверхности матерна.ла, включающему размещение материала между электродами, один из которых выполнен прозрачным, возбуждение газового разряда между электродами и регистрацию излучения разряда, 40регистрируют спектр излучения разряда, определяют частоту максимума огибающей спектра излучения и контролируют влагосодержание поверхностиматериала по спектральному положению 4частоты максимума огибающей спектраизлучения,Способ осуществляют следующим образом.На электроде закрепляют исследуемый материал и помещают его в светонепроницаемую камеру, где находитсяоптически прозрачный электрод, представляющий собой кварцевую кюветус электролитом....

Номер патента: 1188621

Опубликовано: 30.10.1985

Авторы: Жуков, Кравцов, Леонов, Никитский, Пермяков, Резников

МПК: G01N 27/24

Метки: дефектов, слоев

...пленкой толциной 30 мки иустанавливали на нее стальной плос- .кий электрод, закрывающий половинуобразца. Между электродом и под- ЗОложкой прикладывали электрическоенапряжение амплитудой до 10 кВ,частотой 200 Гц в течение 10 с.После этого электрод и лавсановуюпленку снимали, образцы накладывали З 5на эмульсионный слой фотопленкифТлежащей на плоском электроде,и прикладывали между подложкой и 621 г электродом напряжение 8 кВ в течение 40 с. Цосле проявления, фиксирования и сушки фотопланки на полученных изображениях (электротопограммах) определяли среднюю плотность дефектов отдельно для предварителъно подвергнутой действию переменного напряжения половины и пля контрольной половины.Результаты приведены на чертеае, где Йсм - плотность...

Номер патента: 1280508

Опубликовано: 30.12.1986

Авторы: Быхов, Ксюнин, Свеколкин, Чемисов

МПК: G01N 27/24

Метки: дефектов, литых, наличия, поверхностей

...СССРтий ственнобретениЖ,наб., д,Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужг ул, Проектная,1 12805Изобретение относится к неразру= шающему контролю и может быть использовано для дефектоскопии поверх" ности литых изделий.Цель изобретения - повышение 5 точности контроля - достигается благодаря тому, что измеряют емкость между изделием и электродом.На чертеже показана схема контроля по предложенному способу. ЮСхема контроля состоит из диэлектрического сосуда 1, заполненного электролитом 2,электрода З,помещенного в электролит 2, изолированных от электролита выводов 4 и 5 Вывод 4 электрически соединен с электродом 3.Способ реализуется следующим образом.Контролируемое изделие 6 помещают 20 в электролит 2 и электрически соединяют его...

Номер патента: 1350587

Опубликовано: 07.11.1987

Авторы: Дежкунова, Зацепин, Рогач, Свиридов, Сырец

МПК: G01N 27/24

Метки: дефектов, обнаружения

...обнаружения дефектов осуществляют по следующей технологии. Сначала готовят раствор поливинилового спирта (ПВС) путем растворения сухого ПВС в горячей воде (раствор О) и раствор хлорнокислого железа (11) путем растворения в воде при комнатной температуре (раствор б ) . Затем растворы а и Б смешивают и доводят до определенного объема.Полученный таким образом раствор (составы приведены в табл, 1) наносят на стеклянную подложку и высушивают при комнатной температуре, Для лучшего сцепления слоя с подложкой последнюю предварительно подслаивают путем окунания в 1%-ный водный раствор ПВС с последующим задубливанием при 150 С в течение 3 ч.После приготовления пленки-диэлектрика производят обнаружение дефектов изделия путем воздействия на него...

Номер патента: 1374305

Опубликовано: 15.02.1988

Авторы: Кукоз, Посохов, Чернов

МПК: G01N 27/24, G01R 31/36, H01M 2/24 ...

Метки: аккумуляторов, батарей, выводов, межэлементных, полюсных, соединений

...выводы Затемпропускали через контролируемую батарею постоянный ток амплитудой 165 Аи вновь измеряли те же разности потенциалов, что и до пропускания токаДалее определяли разность величинразностей потенциалов, измеряемых допропускания тока и непосредственнопосле его включения. По отношению полученных величин к амплитуде пропускаемого тока определяли исправность межэлементных соединений и полюсных выводов, сравнивая их с соответствующими значениями для исправных межэлементных соединений и полюсных вы. водов, полученных предварительно.При этом определяли относительное отклонение получаемых величин от полученных предварительно для исправных соединений.Для получения сравнительных данных контроль межэлементных соединений и полюсных...

Номер патента: 1550407

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Кожаринов, Швайко

МПК: G01N 27/24

Метки: дефектометрии, диэлектрических, плоских

...детектора б электромагнитногоизлучения соединен с измерительнымвходом частотного детектора 7, наопорный вход которого подается сигнал с второго выхода блока 10 перестройки частоты, Входы регистратора9 соединены с выходом частотногодетектора 7 и третьим выходом блока10 перестройки частоты,Устройство работает следующимобразом,Плоский диэлектрический материалпомещают между электродами 3 и 4 сизлучателем 2 и приемником 5 электромагнитного излучения, Частота генерации электромагнитного излучения выбирается таким образом, чтобы длинаволны в материале не превышала удвоенной его толщины, Последнее условиеследует из условий распространенияэлектромагнитного излучения в волноводе, заполненном диэлектриком. ПриЪотсутствии дефекта в объеме...

Номер патента: 1550408

Опубликовано: 15.03.1990

Автор: Хатунцев

МПК: G01N 27/24

Метки: объекта, параметров, состояния, технологического, участков

...при устано следуемом объекте.Устройство (фиг.1) соде датчиков 1, установленных лируемых участках технолог объекта, выходы которых половым контактом с контролируемымучастком поверхности. Термоэлектроды 2 и 3 с термопарой 4 установленымежду центральной жилой и оболочкойкоаксиальной линии. Резистор 5 установлен параллельно входу вторичногоприбора 6,Металлическая внешняя цилиндрическая оболочка 7 приварена на всейдвине контролируемого участка поверхности сварным швом 8. Оболочказаполнена диэлектриком 9. Коэффицйент линейного расширения центральной жилы выбран из соотношенияСод- ь (- 1 2Е, эгравер, - температурный коэффициент линейного расширения материалацентральной жилы;О- нормированный коэффициент,соответствующий...

Номер патента: 1642354

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Миронов, Тимохин, Тонконогов

МПК: G01N 27/24

Метки: водородными, дефектов, концентрации, кристаллах, связями, термоактивационный, типа

...площади под кригой соответствующего максимума. Способ позволяет с большой степенью надежности определятьтип и кочцентрацию дефектов, особенно в кристаллах, содержащих водородные свя;и. случае 88 сут), Второй образец (или ряразцов) помещают в раствор КНчОН. (сСледующим этапом снимают спектр фь термостимулированных токов (ТОТ) деполя- Я ризации природных непрокаленных образ- ( ) цов, который является эталоным, Спектр у ТСТ снимают следующим обпазом, Обра- р зец устанавливают между электоодами, Фиксируют температуру поляризации (в данном случае Тп = 300 К) в течение 20 мин, После этого подклю ают постоянноеФ электрическое поле с напряженностью Еп/Еп = 2 10 В/М. Поляризацию осуществляют в течение времени тп / тп = 15 мин.Затем образец быстро...

Номер патента: 1659826

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Лещенко, Мишева, Шеремет

МПК: G01N 27/24

Метки: диэлектрических, металлическом, основании, оценки, пленок, пор, размерам, распределения, толстых

...данной вязкости.Процедуру измерения начинают с заполнения ячейки электролитом максимальной вязкости. Далее последовательно измеряют емкость, заполняя ячейку электролитом меньшей вязкости. Таким образом получают зависимость с = 1 (ф где ю - вяз 1659826кость электролита. Ячейку заполняли электролитом на основе глицерина, последовательно уменьшая его вязкостьпутемразбаВления ВОДОЙ От Рмас = 6,05 10 Пас до ммин= 1 005 10 Па с. Зависимость 5-3С = 1(ю) можно перестроить в зависимостьчисла пор определенного диаметра, заполняемых электролитом выбранной вязкости, й = 1(О), учитывая удельную емкость двойного электрического слоя С, = 0,2 Ф/м . 102Указанное преобразование выполняетсячерез ряд функциональных зависимостей:ЛС 1 = ( и), М = 1( Р ), б...

Номер патента: 1698725

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Кожаринов, Крутов, Швайко

МПК: G01N 27/24

Метки: дефектометрии, диэлектрических, плоских

...35 40 45 50 55 импульсного напряжения, Выход детектора 6 электромагнитного излучения соединен с измерительным входом частотного детектора 7, на опорный вход .которого подается сигнал с второго выхода блока 10 перестройки частоты. Входы регистратора 9 соединены с выходом частотного детектора 7 и третьим выходом блока 10 перестройки частоты, Возбуждающий элемент 1.1 расположен на поверхности образца и подключен к выходу генератора 12 акустических сигналов, к управляющему входу которого подключен блок 13 перестройки частоты, К второму выходу детектора 6 электромагнитного излучения подключен блок 14 сравнения.Устройство работает следующим образом.Плоский диэлектрический материал помещают между электродами 3 и 4 с излучателем 2 и приемником...