Патенты с меткой «примесейцентров»

Номер патента: 606430

Опубликовано: 23.03.1981

Авторы: Котина, Пирожкова

МПК: H01L 21/66

Метки: материалах, параметров, полупроводниковых, примесейцентров

...ОК;Ппгг 1 - амплитУДа пРЯмого смеЩениЯ;Ч - контактная разность потенциалов.По истечении времени т.пр переходят.к первоначальной полярйости прежней амплитуды и измеряют зависимость генерационного, тока слоя объем-. ного заряда от времени при различных значениях амплитуды импульса прямого смещения. Время, в течение которого прикладывают прямое смещение 1 пР, выбирают таким образом, чтобы удлинение прямого импульса не вызывало изменения величины генерационного тока слоя объемного заряда.Величины М, ЕС п, )Г р определяют из следующих соотношений:а) монополярная термическая генерация2 ) г.т 1 ОЛ оьро Ч) -д о)60 б 430 су и 1 щ СТ Формула изобретения Еактз Ги Юр 1 з,где рРчм Ми П) ) пр Где Э (О) - плотность генерационео-г,тго тока в...