Пранявичюс

Номер патента: 1709992

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Вайткус, Пранявичюс, Юкнялис

МПК: A61B 5/02

Метки: активности, предсердий, электрической

...обучают остановке дыхания после скаялиния находится насерединерегистрасвободного нефорсированного выдоха, не ционной дорожки. Производят запись напрягая при этом тела. усиленной ЭКГ со скоростью 100 мм/с приТри графитовых электрода величиной 4 поверхностном дыхании и 250 мм/с при заи 2 см накладывают на поверхность грудной держке дыхания на выдохе.клетки во и, Н и 1 Ч межреберье. - Продвигая электроды на грудной клетКогда электроды накладывают на спин- ке, последовательно 5 раз от правой до леку, обследуемый сначала садится, ему на- вой среднеключичной линии, на спине 3 кладывают электроды и придерживают их раза от задней подмышечной до пэраверрукой, пока обследуемый ложится на них, тебральной, процедуры повторяют, Далее все эти...

Номер патента: 1651174

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Будинавичюс, Пранявичюс, Тамулевичюс

МПК: G01N 23/227

Метки: анализа, пленок, послойного, тонких

...следующим образом.Послойный Оже-анализ двухслойной структуры А 9-Я производят в вакуумной камере при давлении остаточных газов 10 Па.-8 Облучение исследуемого образца пучком ионов, пучком электронов и регистрацию Оже-электронов осуществляют при помощи серийного Оже-анализатора, Облучение электронами производят с энергией 11 кэВ, Одновременно с регистрацией Оже-электронов производят регистрацию характеристического рентгеновского излучения с помощью пропорционального счетчика и1651174 Формула изоб ретения Составитель К,КононоТехред М.Моргентал Корректор О,Ципле едактор О.Голо каз 1603 Тираж 411 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5-издательский комбинат...

Номер патента: 1599735

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Будинавичюс, Пранявичюс, Тамулевичюс

МПК: G01N 23/227

Метки: оже-анализа, послойного, состава, твердых, тел, химического

...текущей координаты по глубине.Способ осуществляется следующим образом.На исследуемый образец направляют пучок электронов и регистр руюи т бжеспектры. Послойное распыление осу; ществляют с помощью ионного пучка, .энергию которого периодически меняют частности контролю химического состава твердых тел как на его поверхности, так и в глубинных слоях, Цель изобретения - увеличение точности измерения текущей координаты по глубине, Способ послойного Оже-анализа химического состава твердых тел основан на анализе энергий и количестве Оже-электронов, излучаемых твердым телом при облучении его пучком уско,ренных электронов, и послойном распылении ионным пучком, Распыление осуществляется ионным пучком, энер гия которого периодически меняется...

Номер патента: 1453180

Опубликовано: 23.01.1989

Авторы: Бингялене, Пранявичюс, Пуоджюкинас, Рагаускас

МПК: G01H 9/00

Метки: динамических, разряда, характеристик, электрического

...состояния. Эти физические процессы в аноде и катоде являются различными н качественно и количественно. Процессы изменения напряженно-деформированного состояния и механического разрешения анода и катода сопровождаются формированием упругих волн как на их поверхностях, так и в объеме. Динамические характеристики сигналов упругих волн, например спектральная характеристика продольной волны, снимаемой с задней зеркальной поверхности анода или катода, содержит информацию о кинетике изменения напряженно-деформированного состояния электроддв 1 и 2 формирования в них микро- и макродефектов структуры,Для измерения динамических характеристик упругих колебаний электродов 1 и 2 луч источника 9 оптического излучения первым...

Номер патента: 1392366

Опубликовано: 30.04.1988

Авторы: Аугулис, Пранявичюс, Рагаускас, Ясюленис

МПК: G01B 21/00

Метки: линейных, образца, размеров

...несет информацию о состоянии поверхностей передней и задней стенок образца 6. Поверхность передней стенки образцов является опорным зеркалом интерферометра. Интерференционная картина меняется (смещается либо искривляется) с перемещением задней стенки образца 6. Перемещение поверхности задней стенки образца 6 будет происходить из-за эффекта эрозии этой поверхностн под воздействием корпускулярного потока, поступающего от корпускулярного источника 7. Светоделительная призма 3 проецирует интерференционную картину на растровый Фотоэлектрический преобразователь 8, в котором оптическое изображение, несущее информацию о поверхности образца Ь, преобразуется в электрический сигнал, С изменением интерференционной картины (т.е. по скорости...

Номер патента: 1364865

Опубликовано: 07.01.1988

Авторы: Аугулис, Пранявичюс, Рагаускас, Ясюленис

МПК: G01B 11/24, G01B 9/02, H01J 37/30 ...

Метки: отклонений, плоскостности, поверхности, поля, твердого, тела

...ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5Производственно- полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения поля отклоненийот плоскостности поверхности твердого5тела и микрогеометрии поверхности,Цель изобретения - возможность измерения поля отклонений от плоскостности в процессе ионно-лучевой обработки эа счет совместного использования приэменного интерферометра ивакуумной камеры,На чертеже изображена оптическаясхема устройства, 15Устройство содержит за выходнымокном лазера 1 последовательно расположенные коллиматор 2, светоделитель3 и держатель 4 образцов, Далее походу...

Номер патента: 1213506

Опубликовано: 23.02.1986

Авторы: Бингялене, Пранявичюс, Рагаускас

МПК: H01J 17/36

Метки: динамических, импульсных, разрядов, характеристик, электрических

...5 и регистрирующего прибора 6, а третий выход синхронизатора 7 предназначен для подключения блока инициирования, который может входить в состав источника 4 нитания разряда.Устройство работает следующим образом.Синхроимпульсы с первого выхода синхронизатора 7 периодически меняют состояние коммутатора 5, который изменяет полярность электродов 1. Таким образом, каждый электрод 1 периодически становится то катодом, то анодом разрядного устройства. При этом синхроимпульс с второго выходе синхронизатора 7, воздействуя на управляющий вход двухканального ре гистратора 6, производит перекрест" ную коммутацию его измерительных ка налов относительно входов таким об"5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 разом, что один из каналов всегдаоказывается...

Номер патента: 1193457

Опубликовано: 23.11.1985

Авторы: Пранявичюс, Пуоджюкинас, Рагаускас

МПК: G01B 9/02

Метки: акустической, лазерного, переходной, приемника, сигналов, характеристики, эмиссии

...эмиссии,Устройство содержит оптическуюплатформу 1, отражатель 2 и механизм3 для перемещения отражателя 2 вдольоптической платформы 1 и регистратор4. Механизм 3 для перемещения отражателя 2 выполнен с воэможностьюперемещения отражателя 2 вдоль оптической платформы 1 с заданной постоянной скоростью, а отражатель 2выполнен в виде ступенчатого плоского зеркала с уступом 5.Кроме того,устройство содержитлазерный приемник 6 сигналов акустической эмиссии, Регистратор 4соединяют с выходом дифференциально 1го лазерного приемника 6, которыйориентируют параллельно отражателю2, Высоту Ь ступени 5 выбирают изусловия Ы 194, где 3 - длина волнылазерного луча приемника 6, 1 спостоянный коэффициент. Его величинаопределяется шириной...

Номер патента: 886044

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Билюс, Зубаускас, Пранявичюс, Пустовит, Тамулевичюс

МПК: G11B 5/42

Метки: головки, магнитной, поверхности, рабочей

...головки включает бом- ми В,бардировку этой поверхности в вакууме П р и м е р. Обрабатываемую магнитпучком электрически активных примесных ную головку помещают в приемную камеионов, причем внедрение элекфически ру установки ионного легирования. На пьактивных примесных ионов проводят до- Ю верхность головки внедряют ионы фосфозами. о 10 до 5 10 см с энергией .ра Р с энергией 50-00 кэВ и дой 18 31 фв диапазоне от 50 до 400 кэВ при од- зах этих ионов Ф = 5 10 см Из доновременном осаждении на рабочую по-, пслнительного ионного источника 3 наверхность распыленного пермаллоя со правляют на пермаллоевую мишень потокскоростью, равной скорости распыления З ионов неона фН с энергией 3 кэВ и, внедряемых примесных ионов. плотностью ионного тока 2...

Номер патента: 858086

Опубликовано: 23.08.1981

Авторы: Билюс, Иотаутис, Пранявичюс, Пустовит

МПК: G11B 5/42

Метки: головки, магнитной, поверхности, рабочей

...магнитной головки,начиная с поверхности. При этом энергиявысокоэнергетических примесных ионов в течении всего технологического процесса остается постоянной. 15На фиг. 1 показано нанесение вспомогательного слоя металла на рабочую поверхность головки; на фиг. 2 - кривая распределения внедренных примесей .На рабочую поверхность А-А магнитной головки 1 наносят вспомогательный слой 2, например, металла й проводят внедрение высокоэнергетических примесных ионов Б при одновременном распылеиии низкоэнергетичными ионами В 25 вспомогательного слоя 2, По иере постоянного стравливания вспомогательного слоя 2 гауссовая кривая распределения внедренных примесей 3 будет передвигаться вглубь магнитной головки,а результирукпцая кривая распределения...

Номер патента: 841041

Опубликовано: 23.06.1981

Авторы: Маркелис, Пранявичюс

МПК: G11C 11/14

Метки: дляподавления, дозы, доменов, жестких, ионов, цилиндрическихмагнитных

...схема эксперимента и распрелеление дозы в образце,Образец облучался сканирующим ионным пучком относительно оси У, угол сканирования - 6. Имплантировались иоцы аргона, с энергией 50 кэВ, дозой Оц см ф и плотностью ионного тока в пучке 1 О мкА/смф На расстоянии 1 - 3 мм от имплацтируемой пленки 1 находился экран 2, которым закрывалась часть образца. Вследствие условий, в пленке феррит-граната после имплантации получены 3 различные области: не- облученная - 1, облученнаая с максимальной дозой Фо - 1 и цеолнородно облученная 11. Область 11 вследствие неоднородного облучения: при сканировании ионного пучка относительно оси У формируют с линейно изменяющейся дозой (фиг. 1 б)Ф(У) = Фсм (1) гдс д - ширина области 11, Фо - максимум дозы...

Номер патента: 752464

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Билюс, Линник, Пранявичюс, Пустовит

МПК: G11B 5/12

Метки: головки, магнитной

...рабочую поверхность головки путем напыления в вакууме, бомбардировку пучком ионов элементов насыщения 21.25Недостатком известного способа является низкая износостойкость магнитной головЦель изобретения - повышение износойкости магнитной головки.30 с и Б. Е. 1 ЯйнйКа 4 1 Ф 3 .:1,;.-:,752464 Толщинаферритового слоя, А Энергия ионоваргона, КЭВ Доза ионов аргона, см Увеличениеизносостойкости, раз 1000 1000 1000 2000 2000 2000 10 дт 10 д 10 д 7 5 10 д 7 5 10 д 5 10 д 160 175 200 160 175 200 1,8 - 2 1,9 - 2,2 2,0 - 2,5 1,9 - 2,4 2,3 - 2,8 2,4 3,0 О+ Составитель Л. БеспаловаТехред А, Камыдпникав Корректоры; Л. Слепаяи О. Иоанесян ктор И. Грузова Подписи д 1 ча 393 Тираж 6Типография, пр, Сапунова, 2 каз 145 головки, то, с целью увеличения их...