Устройство для измерения параметров ферритовых пленок и пластин

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 992 01833 0 ГОСУДАРСТВЕННЫПО ИЭОБРЕТЕНИПРИ ГКНТ СССР КОМИТЕТИ ОТКРЫТИ О Н ЗОБРЕТЕНИ К АВТОРСКО ВИДЕТЕЛЬСТВ екремент затухания ямым измерением СВЧ-сигнала в усмежду преобразо(21) 4476673/21(56) Авторское свидетельство СССРЬЬ 1045182, кл. С О 1 й 33/05, 1983.(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ФЕРРИТОВЫХ ПЛЕНОК ИПЛАСТИН(57) Изобретение может быть использованопри исследовании физических характеристик ферритовых пленок и пластин. Цельизобретения - расширение функциональных возможностей устройства путемизмерения декремента затухания магнитостатических волн (МСВ). Устройство содержит входной и выходной преобразователиМСВ на диэлектрических платах 3, 4, закрепленных на станине 5 и стойке 6, котораяперемещается в направляющих пазах станины 5. Расстояние между преобразователями регулируется микрометрическимвинтом 7. Станина 5 и стойка 6 накрыты предметным столиком 8, В нем сделана прорезь под свободные, подпружиненные упругими прокладками 9 и 1 О концы плат 3 и 4. Исследуемая ферритовая пленка 11 прижимается к поверхности столика 8 грузом 12, Входной 13 и выходной 14 коаксиально-полосковые переходы соединяются с преобразователями микрополосковыми линиями, СВЧ-сигнал в аиде ЭМВ, поданной на входной коаксиально-полосковый переход 13, поступает по линии 15 на входной преобразователь. Здесь ЭМВ трансформируется в МСВ, распространяющуюся по узкому каналу (расположенному в области ферритовой пленки над прорезью столика 8) к выходному преобразователю, где происходит обратное преобразование МСВ в ЭМВ, в виде которой по микрополосковой линии 16 сигнал СВЧ поступает на выходной коаксиальнополосковый переход 14. ДМСВ определяется изависимости эатуханитройстве от расстоянивателями. 2 ил.Изобретение относится к измерительной технике сверхвысоких частот, а точнее к устройствам локального неразрушающего контроля характеристик возбуждения и распространения магнитостатических волн (МСВ) в ферромагнитных пленках и пластинах большой площади.Целью изобретения является расширение функциональных возможностей устройства измерения физических параметров ферритовых пленок и пластин за счет обеспечения с его помощью возможности локального нераэрушающего контроля декрементов затухания МСВ в ферритовых пленках и пластинах большей площади, расширение диапазона значений измеряемых величин декрементов затухания.На фиг. 1 и 2 схематично показано предлагаемое устройство измерения параметров ферритовых пленок и пластин.Устройство содержит входной 1 и выходной 2 микрополосковые преобразователи МСВ на диэлектрических платах 3 и 4, Платы 3 и 4 закреплены на станине 5 и стойке 6, которая может перемещаться в направляющих пазах станины 5. Расстояние между преобразователями 1 и 2 регулируется микрометрическим винтом 7. Станина 5 и стойка 6 накрыты предметным столиком 8. В нем сделана прорезь под свободные, подпружиненные упругими прокладками 9 и 10 концы плат 3 и 4. Исследуемая ферритовая пленка 11 прижимается к поверхности столика 8 грузом 12. Входной 13 и выходной 14 коаксиально-полосковые переходы соединяются с преобразователями 1 и 2 микрополосковыми линиями 15 и 16. Устройство работает следующим образом.СВЧ сигнал в виде электромагнитных волн (ЭМВ), поданный на входной коаксиально-полосковый переход 13, поступает по микрополосковой линии 15 на входной преобразователь 1. Здесь ЭМВ трансформируется в МСВ, распространяющуюся по узкому каналу (расположенному в области ферритовой пленки над прорезью столика30 35 Ф 40 45 50 5 10 15 20 25 8) к выходному преобразователю 2, где происходит обратное преобразование МСВ в ЭМВ, в виде которой по микрополосковой линии 16 сигнал СВЧ поступает на выходной коаксиально-полосковый переход 14, Ограничение распространения энергии МСВ в области узкого канала происходит за счет отражения МСВ от границ раздела неметаллиэированный феррит- Ъеталлизированный феррит" (феррит над прорезью столика 8 - феррит прижатый к поверхности столика 8).Декремент затухания МСВ определяется прямым измерением зависимости затухания СВЧ сигнала в устройстве от расстояния между преобразователями. При этом а - затухание МСВ на единицу пути равен тангенсу угла наклона этой зависимости, агзатухание МСВ на единицу времени задержки можно определить по формуламаг =а, чргде Чг, - групповая скорость МСВ, которую можно определить из фаэочастотной характеристики устройства а Щ (ФЧХ) для расстояния х между входными и выходными преобразователями МСВ, либо теоретически из дисперсионной зависимости,Формула изобретения Устройство для измерения параметров ферритовых пленок и пластин, содержащее магнитную систему, станину с направляющими пазами в ней, в которых установлена с возможностью перемещения стойка, входной и выходной микрополосковые преобразователи, выполненные на отдельных, закрепленных на станине и стойке диэлектрических платах,отл ич а ющееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей устройства путем контроля декремента затухания магнитостатических волн, на станине и стойке установлена плоскопараллельная пластина из немагнитного металла с прямоугольной прорезью в центре, преобразователи закреплены наклонно к внешней рабочей плоскости плоскопараллельной пластины, края преобразователей не закреплены и выступают в прорезь пластины,1666992 Составитель А,РомановТехред М.Моргентал Корректор О.Кундрик Редактор Ю,Середа Проиэводственно-иэдательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Закаэ 2521 Тираж 423 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5,