Способ измерения магнитных характеристик доменосодержащих пленок

СОЮЗ СОВЕТСКИХ ОцИАЛИСТИЧЕСКИХЕСПУБЛИК б 77 б 80(я)5 О 01 В 33 САНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ СР4,ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДОМЕНОСОДЕРЖАЩИХ ПЛЕНОК(57) Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах. Цель изобретения - расширение функциональных воэможностей за счет одновременного измерения поля одноосной аниэотропии - достигается тем, что одновременно воздействуют импульсами магнитного поля, направленными параллельно плоскости пленки, циклически создают и разрушают ими решетку цилиндрических магнитных доменов до регистрации минимальной амплитуды магнитного поля, достаточной для создания упомянутой решетки, определяют минимальную амплитуду магнитного поля, направленного перпендикулярно плоскости пленки, достаточную для разрушения цилиндрических магнитных доменов, начальные амплитуды обоих воздействующих на пленку полей задают равными половине максимально возможных значений измеряемых полей, изменяют амплитуды воздействующих полей по закону последовательного приближения. Амплитуду импульсов магнитного поля, направленного перпендикулярно плоскости пленки, воздействующих синхронно с импульсами магнитного поля, направляемого параллельно плоскости пленки выбирают равной 0,5 - 0,7 минимально возможного значения поля коллапса, а1677680 длительность импульсов в 1,2 - 1,5 раза превышает длительность импульсов магнитного поля, направленного параллельно плоскости пленки, Устройство, реализующее способ содержит источник 1 света, оптическую систему 2 в виде поляризационного Изобретение относится к автоматике ивычислительной технике и может бытьиспользовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах ЦМД),Цель способа - расширение функциональных воэможностей за счет одновременного измерения поля однооснойанизотропии,Поставленная цель достигается тем,что в известном способе измерения, заключающемся в воздействии на доменосодержащую пленку импульсами магнитногополя, направленного перпендикулярно плоскости пленки, и анализе в паузах междуними состояния доменной структуры, анализируют состояние доменной структуры,в случае лабиринтной доменной структурыв доменосодержащей пленке создают решетку ЦМД, для чего на нее воздействуютимпульсами магнитного поля, направленного параллельно плоскости пленки, амплитуду которых Нп изменяют по законупоследовательного приближения, причем увеличивают ее, если после воздействия импульса сохраняется лабиринтнаядоменная структура и уменьшаот, если образуется решетка ЦМД, а амплитуда первого импульса равна половине максимальнои 1 нВОЗМОЖНОГО ЗНаЧЕНИЯ Н 1 = - Н макс. ОД 2новременно с этими импульсами на доменосодержащую пленку воздействуютсинхронными с ними, но превышающими подлительности в 1,2 - 1,5 раза, импульсами магнитного поля постоянной амплитуды равной 0,5 - 0,7 от минимально возможногозначения поля коллапса, направленногоперпендикулярно плоскости пленки, Послеобразования решетки ЦМД разрушают ее,для чего на доменосодержащую пленку воздействуют импульсами магнитного поля, направленного перпендикулярно плоскостипленки, амплитуду которых Н макс изменяют по закону последовательного приближения, причем увеличивают ее, если послевоздействия импульса сохраняется решеткаЦМД, и уменьшают, если она разрушается.Амплитуда первого импульса равна полови 10 15 20 25 30 35 40 45 микроскопа, магнитную систему 3 в виде катушек Гельмгольца 4 и катушек Гельмгольца 5, доменосодержащую пленку 6, телевизионную передающую камеру 7, блок 8 анализа и импульсный источник 9 тока. 2 ил,не максимально возможного значения Н 1 =11= - Н макс. В случае, если первоначальнодоменная структура представляла собойрешеткуЦМД, то процесс измерения начнется с разрушения решетки ЦМД импульсами магнитного поля, направленногоперпендикулярно плоскости пленки, Циклически повторяют процесс образования иразрушения решетки ЦМД до тех пор, покас необходимой точностью не определят минимальную амплитуду магнитного поля, направленного параллельно плоскостипленки, достаточную для образования решетки ЦМД, по которой судят о напряженности поля одноосной анизотропии иминимальную амплитуду магнитного поля,направленного перпендикулярно плоскостипленки, достаточную для разрушения решетки ЦМД, по которой судят о напряженности поля коллапса,На фиг, 1 представлены временные диаграммы изменения поля, направленногопараллельно плоскости пленки Н и направленного перпендикулярно плоскостипленки Н; на фиг, 2 - схема устройства дляизмерения напряженностей поля коллапсаи поля одноосной анизотропии.В процессе измерения амплитуду магнитного поля, воздействующую на пленку,направленного параллельно ее плоскости инаправленного перпендикулярно плоскостипленки изменяют соответственно, как:и1Нп = Нп - Н макс и2 п1На - Нв - Н макс2 пгде и, а = 1, 2, - количество импульсовмагнитного поля, воздействовавших напленку параллельно и перпендикулярноплоскости пленки соответственно.Устройство, реализующее предлагаемый способ содержит источник 1 света,оптическую систему 2 в виде поляризационного микроскопа, магнитную систему 3 ввиде катушек Гельмгольца 4, для созданиямагнитного поля, направленного параллельно плоскости пленки, и катушек Гельм 1677680гольца 5, для создания магнитного поля, направленного перпендикулярно плоскости пленки, доменосодержащую пленку 6, телевизионную передающую камеру 7, блок 8 анализа и импульсный источник 9 тока.Работа устройства, реализующего заявляемый способ, сводится к следующему.Увеличенное изображение доменной структуры пленки 6, сформированное с помощью источника 1 света и оптической системы 2, поступает на вход телевизионной передающей камеры 7, где световой сигнал преобразуется в видеоимпульсы, которые поступают в блок 8 анализа, на котором происходит анализ доменной структуры на наличие или отсутствие ЦМД, определение амплитуды и направления воздействующего на пленку магнитного поля, создаваемого с помощью источника 9 тока в катушках Гельмгольца 4 и 5 магнитной "системы 3, и фиксация полей коллапса и анизотропии. Формула изобретения Способ измерения магнитных характеристик доменосодержащих пленок, основанный на воздействии на пленку импульсами магнитного поля, направленными перпендикулярно плоскости пленки, и фиксации состояния доменной структуры в паузах между импульсами, о т л и ч а ю щ и й с я 50 тем, что, с целью расширения функциональных возможностей за счет определения поля магнитной одноосной анизотропии, одновременно воздействуют импульсамн магнитного поля, направленными параллель но плоскости пленки, циклически создают иразрушают ими решетку цилиндрических магнитных доменов до регистрации минимальной амплитуды магнитного поля, достаточной для создания упомянутой решетки, определяют минимальную амплитуду магнитного поля, направленного перпендикулярно плоскости пленки, достаточную для разрушения решетки цилиндрических магнитных доменов, начальные величины 5 амплитуды обоих воздействующих напленку полей задают равными половине максимально возможных значений измеряемых полей, изменяют амплитуды воздействующих полей по закону после давательного приближения, при этом амплитуда импульсов магнитного поля, направленного перпендикулярно плоскости пленки, воздействующих синхронно с импульсами магнитного поля, направленного 15 параллельно плоскости пленки, выбранаравной 0,5 - 0,7 минимально возможного значения поля коллапса, а длительность импульсов в 1,2 - 1,5 раза превышает длительность импульсов магнитного поля, на правленного параллельно плоскостипленки.1677680 И Ф /Ь,охСоставитель А. Романов Редактор Н. Химчук Техред М.Моргентал Корректор С. Черн аказ 3114 Тираж 401 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж-ЗБ,.Раушская наб., 4/5оизводственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул. Гагарина, 101