Способ определения униполярности сегнетоэлектрических кристаллов

Номер патента: 1006930

Опубликовано: 23.03.1983

Автор: Шамбуров

МПК: G01J 4/04

Метки: азимутов, волн, кристаллах, направлений, обхода, осей, поляризации, реализации, собственных, эллипсов, эллиптичностей

...эллиптичной поляризации собствен.ных волн в кристаллах.Известны способы и устройство дляизмерения параметров эллиптическойполяризации собственных волн в кристаллах 1.1 ООднако эти способы и устройстване позволяют одновременного и непосредственного определения параметровэллиптической поляризации собственныхволн в кристаллах.Наиболее близким к изобретениютехническим решением" является способизмерения эллиптицностей, направлений обхода и азимутов осей эллипсовполяризации собственных волн в кристаллической пластинке, заключающийсяв том, цто на исследуемую кристаллическую пластинку направляют по нормали поляризованное излучение, изменяют азимут его поляризации по отношению к исследуемой пластинке до совпадения азимута поляризации...

Номер патента: 636513

Опубликовано: 05.12.1978

Авторы: Дмитриев, Малышева, Непомнящий, Растянников

МПК: G01N 21/14

Метки: воздуха, интенсивности, свечения, собственного

...цели, согласно предложенному способу, регистрируют спектр свечения в области, в которой хемилюминесценция обуславливается токсичными веществами, входящими в состав загряз- И ненного воздуха.Известно, что при наличии в воздухе микроконцентрвций токсичных загрязнителей этилена, бензопа, карбонильных соединений, непредепьных и ароматических 26 углеводородов) резко возрастает интенсивность хемипюминесценции в характерной .для каждого вещества спектральной обпасти.Собственное свечение загрязненного И воздуха может быть определено, например, при помощи спектрального прибора и фотоэлектронного умножитепя. Для этого анализируемый воздух пропускают через тщательно затененную камеру, имею- В щую оптическое окно, через которое...

Номер патента: 20709

Опубликовано: 31.05.1931

Автор: Шабанов

МПК: H01Q 3/24

Метки: излучения, изменения, направления, радиосети

...в проводах антенны запаздывают по фазе на 90" против токов в проводах рефлектора.Для изменения направления и 1 схема радио-сети на прямо противоположное, настоящему изобретению, пере ви-ются провода идущие к вдэра и 2и 2, или к вибраторам 3 и 4,а - 3пример, провод, идущий от виб нны п исоединяется к той точке каттеже изображе ризонтальных из которых 1остальные дв тояние от айте остоит из го 1 2 3 4, два антенной, алектором; расс У осдинен прои наоборот и в питаемых олучен сдвиг ю с первона Р к которой раньше вод, питающий в В перекрещенныхими вибраторах фазы на 180" ио был при братор 2 проводах будет и сравнени равным ь 1. Пиомощи ез кактора берется обычно длины излучаемой вол и осуществляется при форматорной связи чеи Ь параллельно ым...

Номер патента: 1518849

Опубликовано: 30.10.1989

Авторы: Ананенко, Кузьмин

МПК: H01Q 13/10

Метки: антенна, излучения, микрополосковая, направлением, осевым

...параллельму металлическому экрану 5,таллический экран 5 ересекаметаллический экран ца расст(0,021-0,0312) А от его краединения питающей иолосковизолированной от второго51889 исп ытац ий 1 О 15 20 ЗО 35 Составитель Ю.ВолкТехред М,Ходацич Редактор Л.Гежци екторЛ.Бескид 6609/55Госчдарс Тираж 61 Зака ВНИИ Подписное о изобретениям и откр 35, Раукокая цаб., д,КНТ СС енцого комитета13035, Москва,иям пр/5 Производственно-издательский комбинат "1 ат цт", г,ужг ул. Гагарина,1 ческого экрана 5. расположена и пл с - кости, параллельной второму металлическому экрацу 5 и проходящей через край первого металлического экрана 2 .5Микрополосковая антенна с осевым направлением излучения работает следующим образом,СВЧ-волна, поступающая на вход питающей...

Номер патента: 1038840

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Бородин, Бородина, Кузнецов

МПК: G01N 21/17

Метки: 180-градусных, бария, выявления, доменов, кристаллах, пластинчатых, титаната, топографии

...выглядит темным в скрещенных николях, а структура доменов не выявляется. Не выявляется она и при наклонном падении света: домены просветляются одинаково, Возбуждение в кристалле электрического поля, направленного перпендикулярно оси С., сопровождается появлением компоненты поляризации, направленной по полюс. При этом происходит деформация оптических индикатрис в соседних доменах. Кристалл становится оптически двуосным; при этом главные оси индикатрис соседних доменов отклоняются от оси с на некото рый угол Ы в противоположные стороны. И в этом случае при нормальном падении светового потока доменная структура не выявляется: домены просветляются одинаково. Если же световой поток проходит вдоль главной оси индикатрисы доменов с одним...