Патенты с меткой «дифрактометрического»

Номер патента: 1062579

Опубликовано: 23.12.1983

Авторы: Григорьев, Евграфов, Кринари, Халитов

МПК: G01N 23/207

Метки: аксиальной, анализа, дифрактометрического, объектов, поликристаллических, рентгеновского, текстурой

...под Углом 2 8, а плоскость образца подсоответствующим ему углом сд к направлению прямого пучка и приводядетектор и держатель образца в совместное синхронное вращение такимобразом, что угловое положение образцаи детектора 6 в каждый моментудовтелворяет соотношению:5 о 9 о= ки6 асс со 5и 6 65)гоотры элементари прямой ресос -со 5 Со(со Во 5н у доопар амной ячейщетки; де где- число натурального ряда0; 1; 2 и т.д.После этого повторяют указанную операцию для всех значений 9 г и, регистрируя при этом интенсивность рассеянного излучения, устанавливают углы дифракционных максимумов для отражений общего положения,Б основу способа положены особенности дифракции.рентгеновских лучей на поликристаллических объектах с ярко выраженной аксиальной...

Номер патента: 1312460

Опубликовано: 23.05.1987

Авторы: Елютин, Кулиджанов, Матвеев, Эйдлин

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, дефектов, дифрактометрического, монокристаллах, распределения

...Брэгга, эффективно отражаются тонким приповерхностным слоем образца с толщиной, равной длине экстинкции, давая начало пику 8 (фиг.2 и 3), Лучи, отраженные от задней по отношению к пучку-зонду поверхности образца, образуют в распределении дифрагированной интенсивности пик 9 (Фиг.2 и 3), амплитуда которого составляет несколько процентов от амплитуды пика 8, В случае идеальных кристаллов между динамическими пиками 8 и 9 рассеяние не происходит, тогда как наличие дефек 1 тов приводит к значительному диффуз=1 ному рассеянию, распределенному между пиками 8 и 9.В предлагаемом способе исследуется совершенство кристаллов непосредственно по диффузному рассеянию на дефектах, которое таким образом отделяется в пространстве от динамиче ских...

Номер патента: 1376016

Опубликовано: 23.02.1988

Авторы: Днепренко, Кац, Лариков, Оберемок, Петьков, Ципин

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометрического, рентгеновского, текстуры

...при поворотахобразца вокруг первой оси м определяется выражением(8) 25Как следует иэ (8), величина 5 неизменяется при поворотах образцавокруг осей текстургониометра.Изменение задания времени рентгеновской экспозиции осуществляет блокб управления, который выставляет.при каждой рентгеновской экспозициизадание времени рентгеновской экспозиции на программируемый таймер 5в соответствии с выражением (3).35 Регистрацию дифрагированного рентгеновского пучка в каждом дискретномположении образца относительно обоихгониометрических осей в течение времени рентгеновской экспозиции осуще ствляет блок 4 регистрации рентгеновского излучения по командам .про,граммируемого таймера 5При этомвходную щель детектора блока регистрации рентгеновского излучения...

Номер патента: 1334924

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Алешко-Ожевский, Головинов, Коряшкин, Шишков

МПК: G01N 23/207

Метки: дифрактометрического, излучения, использованием, исследования, кристаллов, реальной, синхротронного, структуры

...(фиг.6)и высшие гармоники через такую систеВ данной установке регулировкавторой пластины 18 первого кристалла"монохроматора 1 используется также вцелях уменьшения потерь интенсивности в результате разогрева первичным пучком места попадания. Функцию исполняющего элемента несет миниатюрный электромагнит 1, который перемещает конец второй пластины на расстояние 0-20 мкм, притягивая через пружинящую прокладку 20 приклеенный к монохроматору ферритовый диск 21. При этом отклонение Ь 8 имеет значеУстановка работает следующим образом.Полихроматический (первичный) йучок синхротронного излучения, пройдя входную диафрагму Ор и коснувшись краем входного мониторного детектора 5, попадает на первый канально-прорезанный кристалл 1. После двух (или...

Номер патента: 1509697

Опубликовано: 23.09.1989

Автор: Гирин

МПК: G01N 23/20

Метки: аксиальной, анализа, дифрактометрического, поликристаллических, рентгеновского, текстурой

...рентгеновского дифрактомет-, рического анализа использовали образец меди, полученный электролитическим осаждением из сернокислогооэлектролита при 20 С и плотности тока 3 А/дм . По данным текстурного анализа, 82 Х кристаллитов медного образца имели беспорядочную ориентировку, а 187. - аксиальную текстуру с осью (111) (максимальный угол рассеяния текстуры К м, составлял 25 ).Дифрактометрический анализ проводили на рентгеновском аппарате ДРОН,5 в РеК-излучении (напряжение на трубке составляло 20 кВ, анодный ток 10 мА), Образец устанавливали в держателе гониометра осью текстуры (111) под углом к гониометрической оси, равным ) = 90 - 25о65 , а детектор - под двойными брэгговскими углами 55,3 и 136,4 для отражения (111) и (222), образец...

Номер патента: 1511653

Опубликовано: 30.09.1989

Авторы: Днепренко, Кац, Лариков, Петьков

МПК: G01N 23/207

Метки: анализа, дифрактометрического, рентгеновского, текстуры

...неизменным положения этого интервала на поверхности образца во всех угловых координатах образца позволяет сохранить на протяжении всей съемки текстуры неизменными геометрические условия усреднения полюсной плотности на образце. Кроме того, обеспечивается возможность проводить усреднение вдоль продольной оси образцов с шириной менее усредняемого отрезка.П р и м е р, Исследование текстуры горячеэкструдированного на 807 прутка армкожелеза. Дпя этого проводили на рентгеновском дифрактометре ДРОНс текстурприставкой ГП, снабженной дополнительно механизмом возвратно-поступательного перемещения образца. Этот механизм прикреплен к подшипнику, осуществляющему поворот вокруг оси 2 так, что при каждом повороте внутренней обоймы подшипника на угол...

Номер патента: 1627941

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Воробьев, Гирин

МПК: G01N 23/20

Метки: аморфных, анализа, дифрактометрического, рентгеновского

...2000 имп/с, постоянная времени 2 с) и с использованием ф кусировки по Брэггу-Брентано запи вали дифрактограмму в интервале у лов 26 от 10 до 55 о. На дифрактограмме зафиксировали диффузное гал характерное для аморфного состоян На основе полученного результата лали предположение, что структура образца является аморфнойЗатем этот же образец облучали РеК 1-излучением с длиной волны 9=1,93728 А, удовпегнорнкчщей соо ношению 9/= 2,73 (напрн; ев 1 е627941 Составитель Е,СидохинТехред Л.Олийнык Корректор В.Гирняк Редактз А Долинич Тираж 396 Заказ 33 Подписное РчИИП 1 Гос ударственного комитета по изобретениям н открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушскан ндб., д. 4/5Произнодс"нонна-нздательскии комбинат . Патент", г,уж; род, ун,...

Номер патента: 1629828

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Воробьев, Гирин

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, дифрактометрического, рентгеновского, текстурованных

...прц увеличении угла наклона образца, различающихся порядком отражения,110) и г 22 сг.Анализ полученных кривых текс 1) рцой записи образца показал, что преимущественная ориентировка кристаллцтов электро1629828 Формула изобретения 10 Составитель Е. Сидохина Редактор М. Бланар Техред Л. Кравчук Корректор Л Патай Закз 435 Тираж 396 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР3035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 45 Производственно-издательский комбинат Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина, 10осажденного железа описывается интенсивной аксиальной текстурой с осью 112 и слабой ограниченной текстурой (112) (110).Количественные характеристики аксиальной текстуры с осью 112 (средний угол рассеяния...