Способ монтажа кристаллов полевых транзисторов на платы гибридно-интегральных схем

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУ БЛИН 19 (И) 8(59 4 В 3 РЕТЕНИЯ ИСАНИЕ пешки овьев кер Ф иборо Сборка ин- сшая М52. е присоедине водо о кристалловплаты гибр полевых тра дно-интеграл вень индуци области ист сторо ых сх сникает ур тенциала в зистора. 2 ованно - ст транил.1 та ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ ССС ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬС(56) Бер А.Ю. и Минсполупроводниковых птегральных микросхемшкола .1981, с. 19(54) СПОСОБ МОНТАЖА КРИСТАЛЛОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ НА ПЛАТЫ ГИБРИДНО-ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ(57) Изобретение относится к области микросварки, в частности к способам монтажа кристаллов полевыхтранзисторов на платы гибридно-интегральных схем, и может быть применено при присоединении выводов кконтактным площадкам транзисторов иинтегральных схем односторонней импульсной контактной микросваркой ращепленным электродом. Целью иэобретения является повышение надежностимонтажна путем уменьшения вероятностипробоя транзистора при действии импульса сварочного тока. Сущностьизобретения состоит в том, что вначале первый вывод присоединяют кконтактной площадке затвора транзистора, после чего другой конец этого вывода присоединяют к одной изконтактных площадок гибридно-интегральной схемы. Второй вывод присоединяют аналогично первому одним концом к контактной площадке стока (илиистока) транзистора. Другой конецвторого вывода присоединяют к контактной площадке схемы, замыкая электрическую цепь затвор - сток (илиисток). Данная последовательностьИзобретение относится к области микросварки, в частности к способам монтажа кристаллов полевых транзисторов на платы гибридно-интегральных схем, и может быть применено при присоединении выводов к контактным площадкам транзисторов и,интегральных схем односторонней импульсной контактной микросваркой расщепленным электродом,Целью изобретения является повышение надежности монтажа путем уменьшения вероятности пробоя транзистора при действии импульса сварочного тока..На фиг.1 изображена схема присоединения вывода к контактной площадке затвора. транзистора; на фиг,2 - эквивалентная схема полевого транзистора, где К 6 - сопротивление эпитаксиальной пленки между истоком и затвором и металлизации затвора; 6 с - выходная проводи-мость; К; - распределенное сопротивление канала (К;60 м); С.,емкость исток - затвор; Сзс - емкость затвор - сток; Сс - емкостьисток - сток: К . - сопротивлениестокаСпособ осуществляют следующим образом.Первый вывод 1 с помощью расщепленного электрода 2 присоединяютодним концом импульсной контактноймикросваркой к контактной площадке затвора 3 транзистора, после чего другой конец этого вывода присоединяют к одной из контактных площадок гибридно-интегральной схемы.Затем второй вывод присоединяютаналогично первому одним концом кконтактной площадке стока 4 (или истока 5) транзистора, после чего другой конец второго вывода присоединяют к такой контактной площадке гибридно-интегральной схемы, чтобы электрическая цепь затвор - сток (илизатвор - исток) оказалась замкнутойна нагрузочное сопротивление гибридно-интегральной схемы. Порядок присоединения третьего вывода к транзистору несущественен,Из эквивалентной схемы полевоготранзистора (фиг.2) видно, что приосуществлении первой сварки вывода.к контактной площадке затвора 1 наемкостях С и С индуцируется заряд, практически равный по величи 5 О 15 20 25 30 35 40 45 50 55 не напряжению сварочного импульса,т.е. на контактных площадках стока4 и истока 5 появляется заряд обратной полярности по отношению к затвору. При последующей сварке истокового или стокового выводов наличиена контактных площадках истока илистока потенциала обратной полярности снижает уровень итогового потенциала области исток - сток, эа счетчего снижается вероятность пробояпереходов исток - затвор и стокзатвор,П р и м е р, Проводили монтажкристаллов СВЧ полевых транзисторовна полосковую плату иэ поликора толщиной 0,5 мм с нанесенными на нее методами тонкопленочной технологии полосковыми линиями, контактными площадками и резисторами. Материал полосковых линий и контактных площадокСг (0,2 мкм) - Сц (8 мкм) и Лц(2 мкм). Соединение кристалла полевого транзистора с контактнойплощадкой полосковой платы проводили золотой проволокой, а кристалл присоединяли к плате контактолом.Разварку выводов осуществлялиследующим образом: конец проволоки устанавливали на контактнуюплощадку затвора транзистора и производили сварку. После формовки вывода проводили приварку второгоконца проволоки к контактной площадке полосковой платы. Затем конец второго проволочного вывода устанавливали на контактную площадку истока транзистора и производили сварку, после чего производилиприварку другого конца второго вывода к контактной площадке полосковойплаты таким образом, что электрическая цепь затвор - исток оказываласьзамкнутой на выгрузочное сопротивление полосковой платы. После этогопроизводили приварку третьего вывода одним концом к контактной площадке стока транзистора, а другим концом - к контактной площадке полосковой платы.Размеры монтируемых транзисторов,режимы сварки и процент годных транзисторов после разварки выводов приведены в таблице.Использование способа монтажа таких полевых транзисторов обеспечивает по сравнению с известными способа2748 ния. Диаметрвыводовмкм МинимальРежим сварки Размерытранзистора, мм Выходгодныхтранзисторов,Уь ные размеры контактных Напряжение, С Длительность площадокзатвора,мкм сварки, с 80 0,4 х 0,4 20 15 45 фиг. 7 ми при сохранении высокой прочностисварного соединения значительное повышение выхода годных приборов вследствие исключения длительного термического (как в случае применения тер-мокомпрессионной сварки) или интенсивного механического как вслучае применения ультразвуковой сварки воздействий на кристалл. 10 Внедрение изобретения не связано с созданием специального оборудования и основано на использовании существующей технологической базы, в частности, стандартных методов и отечественных установок одностороннейимпульсной контактной микросварки, способ монтажа полевых транзисторов может. эФФективно использоваться в промышленности с применением стандартного технологического оборудова 39 4Формула изобретенияСпособ монтажа кристаллов полевых транзисторов на платы гибридно-интегральных схем, включающий присоединение выводов к контактным площадкам кристалла и схемы односторонней импульсной контактной микросваркой расщепленным электродом, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения надежности монтажа путем уменьшения вероятности пробоя транзистора при действии импульса сварочного тока, вналаче присоединяют первый вывод одним концом к контактной площадке затвора транзистора, а другим концом - к контактной площадке схемы, после чего присоединяют второй вывод одним концом к контактной площадке истока (или стока) транзистора, а другим концом - к контактной площадке схемы, замыкая электрическую цепь затвор - исток (или сток) на нагрузочное сопротивление схемы.1274889 Составитель В.ЗвягинТехред Л.Сердюкова КорректоР М.Самборская Редактор Н.Егорова Заказ 6520/13 Тираж 1001 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раущская наб д, 4/5 Производственно-полиграФическое предприятие, г.ужгород, ул.Проектная, 4