Патенты с меткой «гибридно-интегральных»

Номер патента: 1274889

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Зак, Лепешкин, Нижник, Соловьев

МПК: B23K 31/02

Метки: гибридно-интегральных, кристаллов, монтажа, платы, полевых, схем, транзисторов

...площадке затвора 1 наемкостях С и С индуцируется заряд, практически равный по величи 5 О 15 20 25 30 35 40 45 50 55 не напряжению сварочного импульса,т.е. на контактных площадках стока4 и истока 5 появляется заряд обратной полярности по отношению к затвору. При последующей сварке истокового или стокового выводов наличиена контактных площадках истока илистока потенциала обратной полярности снижает уровень итогового потенциала области исток - сток, эа счетчего снижается вероятность пробояпереходов исток - затвор и стокзатвор,П р и м е р, Проводили монтажкристаллов СВЧ полевых транзисторовна полосковую плату иэ поликора толщиной 0,5 мм с нанесенными на нее методами тонкопленочной технологии полосковыми линиями, контактными площадками и...