Патенты с меткой «магнитоупорядоченных»

Устройство для исследования колебаний в магнитоупорядоченных кристаллах

Загрузка...

Номер патента: 693228

Опубликовано: 25.10.1979

Автор: Даньшин

МПК: G01N 27/78

Метки: исследования, колебаний, кристаллах, магнитоупорядоченных

...одной спиновой системы в колебания другой системы.Указанная цель достигается тем, что плоскопараллельный цилиндрический образец исследуемого магнетика установлен в плоскости поворотной диафрагмы плоскостями параллельно дну резонатора, а ось магнитной симметрии кристалла, направление постоянного магнитного поля и магнитная составляющая СВЧ-поля совмещены с плоскостью вращения поворотной диафрагмы. На чертеже приведена схема устройства.Устройство состоит из следующих основных узлов: передающего прямоугольного вол:3новода 1 с типом колебаний Но,цилиндрического резонатора 2, расчитанного на тип колебаний Но,с поршнем 3; прямоугольного приемного волновода 4 с типом колебаний Н, . Образец магнетика 5, вырезанный в форме диска, вставлен во...

Способ определения структуры, величины и неоднородности внутреннего магнитного поля магнитоупорядоченных кристаллов и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 1272205

Опубликовано: 23.11.1986

Авторы: Зарембо, Карпачев

МПК: G01N 27/82

Метки: величины, внутреннего, кристаллов, магнитного, магнитоупорядоченных, неоднородности, поля, структуры

...точностью до ЛН. Изменение амплитуды прошедшего импульса А - А(НЦ. аН ь 2, где А, амплитуда вдали от резонанса, А(Н) амплитуда при данном значении поля. Если Р(2) - функция распределения внутреннего поля в направлении распространенна звука, то у(Н) 1 1 А, -А1 с 1 = 2(Н). Обратная функция 2 (Н) дает одномерное распределение внутреннего поля в направлении распространения звука. Таким образом, способ заключается в определении с помощью акустической волны и линейно меняющегося магнитного поля спектра магнитоакустического резонатора (зависимости амплитуды прошедшего импульса от внешнего поля А(Н), интегрировании этого спектра и определении обратной функции, представляющей собой распределение внутреннего поля на половине длины кристалла....

Способ регистрации магнитных сверхтонких взаимодействий квадрупольных ядер магнитоупорядоченных веществ

Загрузка...

Номер патента: 1350574

Опубликовано: 07.11.1987

Авторы: Абеляшев, Бержанский, Сергеев, Федотов

МПК: G01N 24/08

Метки: веществ, взаимодействий, квадрупольных, магнитных, магнитоупорядоченных, регистрации, сверхтонких, ядер

...мкс соответственно, спектр ЯМРимеет вид, показанный на фиг, 2. Амплитуда возбуждающих импульсов (фиг. 3) равна 300 В, интервал между импульсами= 35 мкс, длительность импульсов г, = 6, г = 4 мкс,Затем, производя перестройку спектрометра по частоте, регистрируют спектр ЯМР ядер Сг, как функцию ам 5 Зйлитуды сигнала спинового эха, возникающего в момент времени г = 42 от частоты заполнения возбуждающих импульсов. Из полученных спектров определяют параметры магнитного СТВ по известным формулам.Дополнительный анализ спектров5 зЯМР ядер Сг с использованием угловой зависимости линий спектров ЯМР отдельного монокристалла в насыщающем магнитном поле показывает, что5 Зспектр ЯМР ядер Сг с использованием эха 4 ь определяется лишь магнитным СТВ и...

Устройство для определения структуры, величины и неоднородности внутреннего магнитного поля магнитоупорядоченных кристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1370537

Опубликовано: 30.01.1988

Авторы: Зарембо, Карпачев

МПК: G01N 27/82

Метки: величины, внутреннего, кристаллов, магнитного, магнитоупорядоченных, неоднородности, поля, структуры

...для электронов,35 50 спины начинают прецессировать резонансным образом. Это резонансное условие соответствует условию отклонения вектора внутреннего магнитного поля относительно вектора внешнего поля на угол ., величина которогоудовлетворяет условию я 1 п- НрЭта величина, особенно в условиях низкочастотного магнитоакустического резонанса, мала, и векторы Й, и О, с хорошей степенью точности можно считать коллинеарными, а с точностью. до малого резонансного поля "/ - равными по величине. Резонансная прецессия спинов вызывает увеличение поглощения звука в этой области и, следовательно, уменьшение амплитуды звука, прошедшего через образец. Размер резонансной области В 2 определяется постоянством полного поля в этой области с точностью до...

Устройство для дефектоскопии магнитоупорядоченных материалов

Загрузка...

Номер патента: 1370546

Опубликовано: 30.01.1988

Авторы: Зарембо, Карпачев

МПК: G01N 29/04

Метки: дефектоскопии, магнитоупорядоченных

...МАР оледующее:векторная сумма внешнего Н и внутреннего Н полей должна быть равнойН, ) =Н. + Нвн 61 ф гдегиромягнитное отношение для электронов. Для целей акустической деАектоскопии используются частоты до20 МГц, что дает значение Н =8 Э,Этой величиной можно пренебречь посравнению с Но и Нв их характерныезначения находятся и пределах от сотен до десятков тысяч эрстед) и записать Но = - Нв, Таким образом, в техобластях материала 7, где удовлетворяется это условие, наблюдается МАР.Б связи с тем, что н контролируемыхиэделиях внутреннее поле неоднороднои меняется, например, от -Н, до -1 в,при изменении внешнего поля от Н доН последовательно резонируют различные области иэделия.Резонансная прецессия спинон вызывает резкое...

Способ регистрации спектров ямр магнитоупорядоченных веществ

Загрузка...

Номер патента: 1467475

Опубликовано: 23.03.1989

Авторы: Абеляшев, Бержанский, Федотов

МПК: G01N 24/08

Метки: веществ, магнитоупорядоченных, регистрации, спектров, ямр

...ядер обзец СЙСгд Бе помещается в контурвысокочастотного импульсного генератора спектрометра ЯМР и на образецвоздействуют двумя возбуждающими импульсами одинаковой амплитуды Пд100 В, длительностями первого= 4 мкс, второго с = 8 мкс и задержанных относительно друг друга наинтервал времени= 100 мкс ( для,вг ги Т - время эФФективной ре 2 глаксации ядер соответственно в доменных границах и внутри доменов) и частотой заполнения возбуждающих импульсов, равной 44,б МГц. Сигнал эхо вэтой точке спектра соответствует изображенному на Фиг. 1. Перемещая стробимпульс по экрану осциллограФа, устанавливают его на широкой компонентесигнала эхо, справа от максимума нарасстоянии д= 7 мкс. Затем ре"гистрируют спектр ЯМР ядерСг,как Функцию амплитуды широкой...

Акустический способ определения дефектности структуры магнитоупорядоченных материалов

Загрузка...

Номер патента: 1471120

Опубликовано: 07.04.1989

Авторы: Абаренкова, Зарембо, Карпачев

МПК: G01N 29/04

Метки: акустический, дефектности, магнитоупорядоченных, структуры

...осуществляется следующим образом.1471120 1 ги06 О Щ Фр йЮ Оровскийук Коррект оставитель ехред А.Кр едактор Е,Па оманен ираж 788 Под пи сно 03 4 каз зобретениям и открыт Раущская наб., д. 4 Т СССР сударственно 11303комитета п Москва, Жм и роиэводственно-издательский комбинат "Пагент", г, Ужгород, ул. Гагарина Образец исследуемого материала помещают в однородное внешнее магнитное поле, возбуждают и принимают упругую волну, прошедшую через образец и определяют коэффициент затухания этой, волны в исследуемом материале любым способом (например, эхо-импульсным) в зависимости от величины внешнего магнитного поля. Начиная с некоторого значения внешнего магнитного поля величина измеренного коэффициента затухания Ы, остается постоянной и...

Способ регистрации электрических квадрупольных сверхтонких взаимодействий ядер в магнитоупорядоченных веществах

Загрузка...

Номер патента: 1562814

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Абеляшев, Бержанский, Полулях, Сергеев, Федотов

МПК: G01N 24/08

Метки: веществах, взаимодействий, квадрупольных, магнитоупорядоченных, регистрации, сверхтонких, электрических, ядер

...ьса ми и частотой заполнения возбуждающих импульсов, соответствующей ларморовской частоте исследуемого ядра . Соотношение длительностей первого е и второго ед РЧ-импульсов удовлетворяет условию /%2. Произ Водя перестройку спектрометра по часготе в пределах существования сигнала СЭ на 2и варьируя амплитуду РЧ-импульсов, доби ва ются поя вления сигнала СЭ, возникающего в момент е =5/2 ь, Затем регистрируют спектр ЯМР, который является функцией амплитуды сигнала СЭ в момент времени С=5/21,. Из полученных спектров определяются параметры электрического квадрупольного 20 СТВ.На фиг. 1 изображена Фотография Двух сиг,налов СЭ ядер ззСг при Т = = Й,2 К в СЙ о,о 4 АВ о,о 4 СгЯ 14, возникающих в момент времени =2 В и = 25 5/2 Т после воздейст вия...