Способ обработки кристаллов рубина
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
99 3таиного кристалла в области Й -лилий регистрируют при возбуждении в интервале 290-635 нм.П р и м е р 2. Исходный монокристалл рубина, полученный аналогично примеру 1, облучают электронами с энергией 5 10 эВ до дозы 3 10 эл/см в течение 30 мин. Спектры люминес" ценции полученного образца регистрируют аналогично примеру 1.В таблице приводятся сравнительные данные по относительной интенсивности фотолюминесценции образцов рубина, обработанных по предлагаемому способу, , и исходных образцов Мнеоь Отношение интенсивнос-,тей фотолюминесценцииобработанных по пред.лагаемому способу инеоблученных кристаллов рубина Р /Р Длина волны.: возуждения ример 1 пример 2Ф 2 е 9 3,0 1,45 1,67 3,3,30 1,3 25 630 1,3 12563Изобретение относится к технологии получения монокристаллическихвеществ, а именно к способу обработки криСталлов рубина, используемыхв квантовой электронике и космическом приборостроении.Цель изобретения - повышение ин"тенсивности фотолюминесценции кристаллов рубина.Предлагаемый способ заключается 10в том, что при облучении высокоэнергетическими электронами в монокристаллах рубина возникают радиационныецентры с различной термической устойчивостью, При последующей термообработке температурно-нестабильные дефекты, присутстзие которых понижаетквантовый выход люминесценции рубина,отжигаются,а оставшиеся температурно"устойчивые центры окраски обуславлибвают возможность дополнительной передачи энергии во 9 буждения к ионамхрома, что приводит к повышению интенсивности фотолюминесценцин,.. Выбор условий облучения .и отжига 25обусловлен необходимостью достижениямаксимального повышения интенсивности фотолюминесценции кристаллов рубина. При этом облучение электронами 29с энергией ниже 2 10 эВ и до дозы ЗОбчменьше 10 эл/смне приводит к увеличению интенсивности люминесценции,а при энергии электронов выше 5 10 эВи дозах больше 10 эл/смобразуются13сложные структурные дефекты, что при- Зводит к снижению интенсивности люминесценции.При температурах отжига ниже 300 Си времени меньше 20 мин не происходит полного,отжига нестабильных дефектов и интенсивность люминесценциипадает, а при температурах выше350 С и времени отжимна более 30 мин3разрушаются радиационные центры,обеспечивающие повышение интенсивности 45люминесценции.П р и м е р 1, Монокристалл рубина, выращенный методом Вернейля иотожженный в вакууме при 1950 С, вырезанный в виде кубика со стороной 5 О1 см и отполированный обычным методом по двенадцатому классу, облучают на воздухе при комнатной темпераТтуре электронами с энергией 5 10 эВдо дозы 3 10 эл/см. После, этого 55облученный кристалл рубина отжигаютна воздухе при 300 С в течение30 мин. Спектр люминесценции обрабо. Редактор Л.Курасова. Заказ 5162 КорректорМ. Шароши Тирая 646 ВНИИПИ Государственного комитета СССР . по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.Ц 5Подписное Производственно-полиграФическое предприятие, г.уагород, ул.Проектная, 4 ЭКак видно из приведенных данных, интенсивность фотолюминесценции обработанных по предлагаемому способу кристаллов рубина превышает интенсивность свечения необлученных крисгаллов примерно в 1,3-3,3 раза вто время как интенсивность люминесценции кристаллов, облученных по известному способу, в среднем во столько же раз уменьшается,
СмотретьЗаявка
3752429, 06.06.1984
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ М-5629
АТАБЕКЯН Р. Р, ГЕВОРКЯН В. А, ЕЗОЯН Р. К, ЕРИЦЯН Г. Н, САРКИСОВ В. Х
МПК / Метки
МПК: C09K 11/04
Метки: кристаллов, рубина
Опубликовано: 15.09.1988
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1256399-sposob-obrabotki-kristallov-rubina.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ обработки кристаллов рубина</a>
Способ определения высотного профиля электронной концентрации в ионосфере
Номер патента: 1663592
Опубликовано: 15.07.1991
Авторы: Беляев, Поляков, Рапопорт, Трахтенгерц
МПК: G01S 13/95
Метки: высотного, ионосфере, концентрации, профиля, электронной
...датчиков 3 каналов 1 и 2. После усиления с помощью усилителей 4 осуществляют спектральный анализ этих компонентов с помощью спектроанализаторов 5 и усреднение спектральных реализаций с помощью блока б усреднения, Регистрируют усредненные реализации с помощью регистратора 7 и для компоненты, имеющей резонансную структуру спектра, определяют набор частот, соответствующих максимумам резонансной структуры усредненной реализации,Затем вычисляют наборы собственных частот ионосферных альвеновских резонаторов, соответствующих набору профилей электронной концентрации, составленных из измеренного профиля на высотах ниже высоты 2 и набора заданных профилей на высотах выше высоты 2,оПри различной ариентации электрических осей датчиков,...
Способ определения длины диффузии электронов в многокомпонентном полупроводнике
Номер патента: 1823033
Опубликовано: 23.06.1993
Авторы: Андрущенко, Климин, Стучинский, Щемелев
МПК: H01L 21/66
Метки: диффузии, длины, многокомпонентном, полупроводнике, электронов
...Й. - число возможных рентгеновских радиационных переходов в атоме 1-того элемента. Во-вторых из рентгеновских фото- и Оже-электронов, возникающих в слое 02 при поглощении в нем флуоресцентного рентгеновского излучения, возбуждаемого по всему объему полупроводника падающим рентгеновским пучком. Полная энергия этой группы электронов Ю/2(2),1823033 Приведенное выражение есть уравнение относительно величины . - длины диф.фузии электронов в полупроводнике.Следовательно, для определения длины 5 диффузии электронов в полупроводнике достаточно измерить угол падения рентгеновского пучка на поверхность полупроводника, при котором отсутствует скачек рентгеновского фотоэффекта д, на 10 одном из краев рентгеновского поглощенияодного иэ...
Способ определения концентрации свободных электронов в плазме
Номер патента: 128201
Опубликовано: 01.01.1960
Авторы: Васильева, Грановский, Савоськин
МПК: G01J 4/00, G01N 21/21
Метки: концентрации, плазме, свободных, электронов
...разрешающую способность способа.Одна из ВОзмОжных схемизмерений представлена на чеотеже. Луч от источника инфракрасного излучения, включающего в себя канденсорну 1 о оптическую систему 1, проходит через модулятор 2, монохроматор 3 и поляризационное приспособление 4, после чего пропускается сквозь исследуемую плазму б в направлении, параллельном направле - нию действующего в ней магнитного поля.По выходе из плазмы пучок проходит сквозь анализирующее поляризационное приспособление 6 и регистрируется селективным приемным устройством 7, настроенным на частоту модуляции пучка.Из-за поворота плоскости поляризации пучка в плазме при наличии магнитного поля меняется энергия излучения достигающего приемника.Измерение концентрации...
Способ определения шумовых параметров электронного потока
Номер патента: 551722
Опубликовано: 25.03.1977
МПК: H01J 25/34
Метки: параметров, потока, шумовых, электронного
...плотность интенсивности шумовых флуктуаций; П - вещественная компонента взаимной спектральной плотности интенсивности флуктуаций тока и кинетического потенциала; Ф - спектральная плотность интенсивности флуктуаций кинетическогопотенциала;Ф - спектральная плотность интенсивности флуктуаций конвекционного тока; заимнои спек- мнимая компонент, тральной плотности флуктуаций тока итенсив ностиинетиче ского потенциала;теристические параметры: параметр усиления;корни характеристического (дисперсионного) уравнения ЛБВ, определенные для тех же величин параметра рассинхронизма, что и коэффициент шума Е о,- вещественная и мнимая частисоответствующего корня дисперсионного уравнения.иант ос ествления способа за. харак С, -1 8 г 3=Ве1...
Способ равновесной фокусировки ленточного электронного потока
Номер патента: 777754
Опубликовано: 07.11.1980
МПК: H01J 21/00
Метки: ленточного, потока, равновесной, фокусировки, электронного
...4,Введение стабилизирующего магнитного г;отока В, противоположного направления по отношению к фокусирующему магнитному потоку В, осуществляется как с помощью дополнительного элсктромагчшта (постоянного магнита)(фиг, 3), так и йутсм использования потока рассеивания постоянных магнитов б, создающих фокуслрующий магнитный поток (фиг. 4) Нужная конфигурация силовых линий стабилизирующего магнитного потока обеспечивается дополнительными экранами 7.Стаоилизпрующий магнитны поток В увеличивает поперечную скорость сноса электронов в области фокусировки, определяющей величину фокусирующей силы, и, следовательно, уменьшает индукцию магнитного фокусирующего поля по отношению к ее брнллюэновскому значению.Из выражений для поперечной скорости...
Предыдущий патент: Устройство для герметизации пеналов ядерного реактора
Следующий патент: Способ лечения хасстилезиоза овец
Случайный патент: Устройство для безвоздушного рас-пыления лакокрасочных материалов