Алешко-Ожевский

Номер патента: 1716408

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Алешко-Ожевский, Лидер, Погосян, Пышняк

МПК: G01N 23/20

Метки: акустических, взаимодействия, волн, дефектами, исследования, кристалла, поверхностных

...и фотопластинки, а также во много раз уменьшает время получения топограмм по сравнению с методом сканирования, Возбуждение дополнительной системы встречных первоначальным поверхностных акустических волн необходимо для возникновения стоячих волн, распределение которых отражает фронт и изменения фронта для бегущих волн, Одинаковое значение частоты для встречных волн обеспечивает сохранение постоянства периода и в значительной степени постоянства амплитуды возникающих стоячих волн.На фиг. 1 представлена схема, поясняющая суть способа; на фиг. 2 и 3 - примеры рентгеновских топограмм со стоячими поверхностными акустическими волнами на кристаллах ниобата, лития и кварца соответственно,10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Способ осуществляется...

Номер патента: 1716407

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Алешко-Ожевский, Погосян

МПК: G01N 23/20

Метки: амплитуд, деформаций, кристаллах, локальных, пьезорезонаторов, сдвиговых, упругих

...составляет с иэображениями большинства дислокаций максимальный угол, повышает чувствитель ность способа, так как при этом величинаизменения изображения дислокаций максимальна. Исследования показали, что при использовании первой гармоники колебаний, когда на толщине кристалла укладывается 45 одна полуволна ультразвуковых колебаний,эффект "расщепления" изображения дислокаций максимален и ярко выражен, При третьей и пятой гармониках колебаний также имеет место эффект "расщепления", но 50 его величина при этом в несколько раз меньше. Для увеличения чувствительности способа также необходимо, чтобы изображение дислокации составляло с вектором дифракции возможно больший угол, так как "рас щепление" максимально при угле 90 иотсутствует...

Номер патента: 1571486

Опубликовано: 15.06.1990

Авторы: Алешко-Ожевский, Ковальчук, Лидер, Литвинов, Мазуренко, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: рентгеновской, синхротронной, станция, топографии

...кристалл монохроматор 12, а на третьей - исследуемый кристалл 13 в геометрии (и, -п,п), причем межплоскостные расстояния, соответствующие используемым рефлексам, близки для всех трех кристаллов. При движении вдоль пучка первого кристалла-монохроматора 11 и параллельном повороте обоих кристаллов-монохроматоров 1 1 и 12 относительно осей О, и О обеспечивается возможность непрерывного изменения длины волны в широком диапазоне, При этом дифракция на втором, асимметрично отражающем кристаллемонохроматоре 12 обеспечивает уменьшение угловой расходимости пучка и увеличение его поперечного сечения. Применение для монохроматиэации двух кристаллов монохроматоров 11, 12 с асимметричной дифракцией уменьшает возможный интервал изменения длин волн,...

Номер патента: 1334924

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Алешко-Ожевский, Головинов, Коряшкин, Шишков

МПК: G01N 23/207

Метки: дифрактометрического, излучения, использованием, исследования, кристаллов, реальной, синхротронного, структуры

...(фиг.6)и высшие гармоники через такую систеВ данной установке регулировкавторой пластины 18 первого кристалла"монохроматора 1 используется также вцелях уменьшения потерь интенсивности в результате разогрева первичным пучком места попадания. Функцию исполняющего элемента несет миниатюрный электромагнит 1, который перемещает конец второй пластины на расстояние 0-20 мкм, притягивая через пружинящую прокладку 20 приклеенный к монохроматору ферритовый диск 21. При этом отклонение Ь 8 имеет значеУстановка работает следующим образом.Полихроматический (первичный) йучок синхротронного излучения, пройдя входную диафрагму Ор и коснувшись краем входного мониторного детектора 5, попадает на первый канально-прорезанный кристалл 1. После двух (или...