Способ определения анизотропии электропроводности кристаллов

Номер патента: 857916

Опубликовано: 23.08.1981

Автор: Мирошников

МПК: G03B 43/00

Метки: вдоль, киноаппарата, кинопленки, нестабильности, оптической, оси, положения

...точником 3 излучения, и усилителя бпостоянного тока, вход которого соедийен с выходом Фотодиода 5. Измери-тельный датчик 1 соединен с регистрирующим прибором 2, например с ос 25 циллографом., Устройство работает следующимобрезом,В киноаппарат (не показан), заряженный.засвеченной кинойленкой 7,ЗО вместо объектива вставляют измери85791 б ИИПИ Заказ 7239 Тираж 506 Подписн од, у роектна тельный датчик 1. Киноаппарат включают. Световой поток, сформированный осветительной системой (источником 3 излучения и зеркальным отражателем 4), освещает на время открытия кинопленку 7 в кадровом окне "а" киноаппарата. Кинопленка 7 направлено рассеивает падающий световой поток, направляя его в основном в перпендикулярном направлении, на пути которого...

Номер патента: 1226197

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Молочников, Морозов, Сиройць

МПК: G01N 21/43

Метки: кристалла, оптической, ориентации, оси, рефрактометрического

...значительно возрастает.П р и м е р, Пусть ориентация оптической оси определяется в кристалле исландского шпата, а измерительная призма выполняется из стекла ТФ-.4. Для измерения используется автоматический Фоторефрактометр ИРФб 1, снабженный голяризаторами во входной и выходной диафрагмах. На фиг.2 показана зависимость интенсивности сигнала на фотоприемнике (пропорционального коэффициенту г,) в зависимости от угла падения 6 для угла=10 . Симметричная Форма минимума на кривой позволяет определять Ы с высокой точностью. При погрешности определения 9 зЗ погрешность определения с получается попреломления кристалла для необыкновенного луча).Таким образом, если при вращении относительно нормали к его поверхности кристалл, помещенный...

Номер патента: 1679320

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Алиев, Ахраров

МПК: G01N 23/227

Метки: атомов, кристалла, локализации, примесных

...эффективно какалируются в симметричных направлениях, что приводит к наиболее эффективному возбуждению примесных атомов, находящихся в этих направлениях. При этом эмиссия Оже-электронов примескых атомов резко возрастает, так как вторичные упруго и неупруго отраженные (рассеянкые) электроны способны в 3-4 раза больШе воз 167932010 15 20 25 30 35 40 45 50 55 буждать Оже-электроны, чем первичные заряженные частицы,Локализация внедренных (или примесных) атомов в элементарной ячейке (решетке) кристалла и их химическое состояние играет важную роль в изменении тех или иных свойств материалов, В зависимости от локализации примесных атомов в решетке они могут находиться в нейтральном или заряженном состояниях, создавать дефекты различных...

Номер патента: 95826

Опубликовано: 01.01.1953

Автор: Островский

МПК: B23K 11/10, B23K 11/30

Метки: контактной, проволочной, сварки, сетки, узлов, электрод

...1 юй 3; токо- подвод к цему осуществлен с помошью гибких шиц 4, один конец которых жестко сосдицсц с электродом.Сваривание узлов сетки, схематически представленной ца фигурах в виде прутков 6, 6 и 7, осуществляется слсду 1 ощим образом; при движении сетки в горизоцтально 11 плоскости в направлении, указанном 1 ш фигурах стрелкой, очередной поперечный пруток б входит во взаимодействие с электродом 1 ц поворачивает е 1 о иа цскоторый угол в направлении движения сетки (фиг. 1 и 2); при этом посредством электрода оущсствлястся сваривацис попсрсчшзго прутка 6 с продольным прутком; после выхода прутка 6 из соцрикосцовения с электродом последний под воздействием пружины 3 возвращается в исходцос положение (фиг. 3),Оцисаццый цикл сварки...

Номер патента: 1741035

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Алексеев, Гайфуллин, Сизова, Тихонов

МПК: G01N 24/10

Метки: кристаллов, кристаллографической, направления, одноосных, оси, парамагнитных

...Затем поворачивают кристалл вокруг оси, параллельной вектору индукции СВЧ-поля Щс), одновременно детектируют сигнал ЭПР и фиксируют положение кристалла, при котором интенсивность этого сигнала минимальна. В последнем положении реализуется одна из двух возможных ориентаций кристаллографической оси; параллельно или перпендикулярно вектору индукции Во (т,е. параллельно или перпендикулярно к плоскостям полюсных наконечников магнита спектрометра (ЭПР).Для уточнения направления кристаллографической оси необходимо, не нарушая достигнутой таким образом ориентации кристалла, ориентировать вектор индукции модулирующего низкочастотного поля параллельно вектору индукции статического магнитного поля, т.е. создать новую супер; позицию магнитных...