Способ определения анизотропии электропроводности кристаллов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСГ 1 УБЛИК 1511 4 С 01 К 27/02 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(71) Институт физики АН БССР(56) Ковтонюк Н.Ф., Концевой Ю,А. Измерения параметров полупроводниковых материалов. - М,: Металлургия, 1970, с. 66.Гуль В.С., Царский Л.Н, и др.Электропроводящие полимерные материалы. - М.: Химия, 1968, с. 51.(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ АНИЗОТРОПИИЭПЕКТРОПРОВОДНОСТИ КРИСТАЛЛОВ ЯО 1 57867 А 1(57) Изобретение может быть использовано при конструировании электрооптических устройств и позволяет повысить точность определения анизотропии электропроводности. На грань кристалла наносят охранную сетку 1, в центрах которой размещают электроды (Э) 2 - 5. Ширина полоски охранной сетки 1 равна 0,20,. а зазор между ней и Э 2 - 5 равен 0,31, где Р - сторона квадратных Э 2 - 5. Заземлив охранную сетку 1, последовательно измеряют токи между Э 2-4 и 2-3 и по значениям их величин вдоль выбранных осей 1 х и 1 определяют анизотропию кристалла как (Т /Т ) о ввм1357867 Способ определения анизотропииосуществляется следующим образом. 2 х где Л и Ь 1 о,ву1 хсобственные значения электропроводности повыбранным осям;- токи, измеренные вдольвыбранных осей;- ширина электрода. 1 2, ф 1 х Составитель Кринов Техред А.Кравчук Корр е к тор М. Шар оши Редактор О.Головач Заказ 5994/45 Тираж 730 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к техникеизмерений, квантовой электронике,и,в частности, может быть использованопри конструировании электрооптическихустройств,Целью изобретения является повьппение точности определения анизотропииэлектропроводности.10На чертеже дана схема осуществления способа.На схеме обозначены: охранная сетка 1, электроды 2 - 5, нанесенные наодну из граней исследуемого кристалла 1вдоль выбранных осей Х и 2,20На одну иэ граней кристалла наносят охранную сетку 1 и электроды 2 - 5. Причем, ширина полоски охранной сетки равна 0,21 а зазор между ней и электродом равен 0,31, где 1 - сторона 25 квадратных электродов 2 - 5. Кроме того, электроды 2 - 5 располагаются в центрах охранной сетки 1 и вдоль выбранных осейПоследовательно измеряют токи между электродами 2-4 и 3 О 2-3, предварительно заземлив охранную сетку 1. По измеренным величинам токов вдоль выбранных осей 1 для первого случая и 1 для второго случая определяют аниэотропию кристалла как1 у о,8 э1 хФормула из обрете нияСпособ определения анизотропии электропроводности кристаллов, включающий измерение токов вдоль выбранных осей с помощью электродов, исключение поверхностных токов с помощью охранной сетки, о т л и ч а ю щ и й - с я тем, что, с целью повьппения точности, все электроды располагают на одной грани кристалла, а измерительные электроды выполняют в виде квадратов, расположенных вдоль выбранных осей, причем ширина полоски охранной сетки равна 0,21, а зазор между ней и электродом равен 0,3 Р, и определяют анизотропию электропроводности по формуле
СмотретьЗаявка
3925230, 09.07.1985
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ АН БССР
КРЫЛОВ БОРИС ВЛАДИМИРОВИЧ, ЛЕПАРСКИЙ ВЛАДИМИР ЕВГЕНЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 27/02
Метки: анизотропии, кристаллов, электропроводности
Опубликовано: 07.12.1987
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1357867-sposob-opredeleniya-anizotropii-ehlektroprovodnosti-kristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения анизотропии электропроводности кристаллов</a>
Предыдущий патент: Измеритель сопротивлений резисторов
Следующий патент: Способ определения фазы коэффициента отражения свч четырехполюсника
Случайный патент: Токарный станок для нарезания винтов с переменным шагом