Терморезистивный материал

Номер патента: 516317

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Качурин, Придачин, Романов, Смирнов

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводниковых, синтеза, соединений, тройных

...полупроводник внедря:от ионы одного иэ компонентов, входящих в бинарное соединение, при дозе, определяемой соотношением компонентов синтеэируемого тройного соединения, и затем полупроводник отжигают в контакте с веществомтретьего компонента, например, нанесенного в виде пленки на поверхностьбинарного соединения.Существо способа заключается вследующем.Предварительным облучением ионамиодного из компонентов А бинарного соединения АХ ВМдобиваОтся отклоненияприповерхностной области кристалла отстехиометрического равновесия,При Отжиге такого образца происходит генерация большого количества вакансий другого элемента Ч . Если вовремя отжига присутствует третье вещество С, растворяющееся по типу смеТираж 844 Подписное ЦНИИПИ...

Номер патента: 1123467

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Георгобиани, Грузинцев, Дону, Спицын, Тигиняну

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводникового, слоев, соединения, тройного

...слоя образующегося тройного соединения СЙСа,Б 4, ПриТ ( 693 К процесс "залечивания" радиационных дефектов идет крайне медленно, и .и-этому требуется время отжига1800 с, Если проводить отжигменее 600. с, то решетка нового соеинения не успевает упорядочиться.,.ля высоких температур отжига Т753из подложки СЙБ начинается улетучивание кадмия и серы, а внедренный галлий диффундирует по всемуобъему подложки,. так что в поверхностном слое его становится недостаточно для образования СИСа Б 4.При дозах внедрения, меньших 10 " смв любой точке подложки СЙБ галлиянедостаточно для образования новоготройного соединения, а при дозах,больших 10 см 2, на поверхностиподложки образуется слой галлия,ухудшающий оптичеСкое свойствасистемы СЙСаБ-...

Номер патента: 1644016

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Воробьева, Леушина, Суворова

МПК: G01N 27/416

Метки: заданного, медьсодержащего, полупроводникового, соединения, состава, электрохимическая, ячейка

...для анализа медьсодержащих соединений. Целью изобретения является повышение точности дозирования меди в исходном материале. Для этого в ячейке с медным электродом сравнения в качестве ионселективной твердоэлектролнтной мембраны использованы сплавы в.системе СцС 1- СЙС 1при следующем соотношении компонентов, мол.7,: СцС 1 65-69,5; СЙС 1 30, 5-35; СцС 1 70, 5-80; СаС 1 20-29, 5, Это повышает точность легиронания меполупроводниковых материалов,отношении компонентов, 5;. СИС 1 15.ва в смеси таблетируются, онтакте друг с другом токоподводами, Электектинная мембрана в витжигаются при =150 С,а т и атмосфере арГона. подбирают экспериментоянства сопротивлеванного образца. После ют ячейку указанного сос"я таблетки друг к дру- т ЭДС...

Номер патента: 532811

Опубликовано: 25.10.1976

Авторы: Карелин, Эйчин

МПК: G01N 29/04

Метки: материал, пьезопреобразователя, соединения, элементов

...смазки) .е зопреобразовател я произв теля 4 (вакуум Сборка пь дующим образо На повер наносится тонк ними помещаетя сле хности звукопровода 3 и демп ий слой вакуумной смазки 4, ся пьезоэлемент 2. Для повышения надежности динения между поверхностями п копровода и демпфера ультразву вателя в качестве материала дл ментов пьезопреобразователя п ную смазку. Вакуумная смазка (ГОСТ 9 я для уплотнения стеклянных подвижных соединений вакуумньЛегкое сжа чивает сборку Применени щих ультразвук конструкциеиструк циия. есп ки в суще ствуюорной орке,елях с разб и по разб ровке в пр 45 - 61) применяи металлических к установок. Тем ведению сма х эксплуатаци цес высыхает со временем, чт акустического контакта.Известно также прим кого соединителя трансфоТак...

Номер патента: 553699

Опубликовано: 05.04.1977

Авторы: Козлов, Петрова, Сорокин

МПК: H01L 21/316

Метки: анодного, индийсодержащих, окисления, полупроводниковых, соединений, электролит

...не лектролита каждая из ой кислоты концентра. 17,6 44 25,2 52 290 35 до 10 до 10 до 10 А 70 10,2 2200 19,8 2800 30,0 3000 о 100 о 100 до 1000 70 60 3смеси, Каждую смесь готовят отдельно при 20 Снепосредственно перед проведением анодированияиз препаратов марки "чда",При концентрац. ях ортофосфорноме ньших 1,0 об. %, процесс анхарактеризуется невысокой скоросотсутствии ее полупроводники вокисляются.П р и м е р 2. Для полученияготовят три смеси компонентов,которых содержит 4 об, % ортофосфорЙ= 1,69 г/смэ) и отличается от други При увеличении концентрации изопропилового спирта выше 70 об, % резко возрастает сопротивление раствора, в результате чего образуется неравномерный по толщине окснд.При уменьшении концентрации резко снижается...