H01C 7/04 — имеющие отрицательный температурный коэффициент

Номер патента: 35710

Опубликовано: 31.03.1934

Автор: Цвиккер

МПК: H01C 1/02, H01C 7/04

Метки: сопротивление, электрическое

...относится к циркониевой про-. волоке, содержащей несколько процентов алюмииия, Ясно, что применением соответственно, выбранных сопротивлений, включенных последовательно или параллельно, можно повлиять на кривизну части а - б характеристики.На фиг, 3 удельная теплота циркония изображена как функция абсолюгной тем. пературы, При температуре немного выше 1100 К удельная теплота циркониевого сопротивления повышавтся приблизительно до 25 - кратного значения его нормальной величины, так что удельная теплота проволоки в этой точке значительно выше иормального значения удельной теплоты, которое не сильно разнится для различных металлов. Проволоки нз этого материала особенно подходят для изготовлении катодов, питаемых перемен. ным током. Для...

Номер патента: 69760

Опубликовано: 01.01.1947

Авторы: Бочкарев, Бочкарева

МПК: H01C 7/04

Метки: сопротивление, электрическое

...под влиянием эмиссци 01 Сктро - нов металлическими частицами керамический;иэлектрик составлен цз основе ;Вуокиси титана.Как указывалось выше, ь достпжении высокого значения отрицательного температурного ко:)фицпецта решающуо роль играет материал керамического диэлектрика, Ксрзмцческие массы, составле)шыс нз основе двуокиси титана, дают цссраиецио лучшие результаты, чем другие диэлектрики. Рецептуры рутцловых масс могУт быть весьма Рс)з:иРНН) по своему химическому составу. Однако для получения очень большого отрицательного коэфициента количество введенной в керамическую массу двуокиси титана до;жцо быть максимально возможным. С другой стороны, так как массы, содержащие большой процент рутила, ооладают относительно высокими Епо...

Номер патента: 76418

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Малышев

МПК: H01C 7/04

Метки: большим, коэффициентом, сопротивлений, температурным, электрических

...которой должна быть чистой с плотной не- рыхлой структурой. Для достижения этого рекомендуется присеменить тонкую механическую обработку или же анодную полировку в ортофосфорной кислоте при малом напряжении на электродах.Окисление меди производят обычным путем в электропечи в атмосферном воздухе при температуре 1000 С.При охлаждении меди в атмосферном воздухе на ее поверхности15 Свод. Выпуск 8, 1949(Спи) образуется тонкий слой окиси (СцО), который в дальнейшем восстанавливается в металлическую медь.Для придания термисторам температуроустойчивости их подвергают старению, заключающемуся в последовательном .прогревании до температуры 140 С и охлаждении до комнатной температуры. Продолжительность старения - 45 дней.Восстаяовленне электрода...

Номер патента: 83665

Опубликовано: 01.01.1950

Автор: Княжев

МПК: H01C 7/04

Метки: коэффициентом, отрицательным, сопротивлений, температурным, электрических

..."тстптнчтитур тын коэффициент сопротивлений, изготавливаемых по оиисьпатаоному снособу, Доходит ДЮ величциньт 2 д 3% на 1.Цля изготовления сопроттиавлений зв качестве гэсттовтнэчтоматериала используется 9899 Ь тмапнспгтттовкгтлт русгьг (ГсзОА и и канестъве связующего (впоследствии выгорающего) Ш-ЗКт рсчольттои снмольт.Указанная смесь пресоуется под давлением от д.12 по 1 Н:г/с.тг и злтем подвергается термической обработке 1% спекания и вакуумных или газовых средах при 15 О 250.В определенном эинтервадге температур стонротнн.1 ет-тия могут виптеть тепгператдгртньтй коэффициент, по абсолютной величине пърствтзсхопяшип температурные коэффициенты известных проводников и погшпротаоцпиков, и имеют удельное сотпртотттвлентие при 16" в...

Номер патента: 124020

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Гвоздев, Трегубов

МПК: H01C 7/04

Метки: термосопротивление

...связи межд термоэлементом и подогревателем, что Огре 1 ничивает Возможности их использозания в системах авторегулировання.В описываемом изобретении эти недостатки устранены тем, что подогрев термоэлсмента Осуществляется тлс 1 ошим разрядом газонаполнснного прибора,В неоновой лампе 1 (см. чертеж) между катодом 2 и анодом 3 в области тлеющего разряда с помощью двух держателей 4 установлен термоэлемент 5. Включение подогревателя осуществляется подачей на катод 2 и анод 3 соо 1 встс 1 ву 1 ощего потенциала, большего, чем напряжение зажигания анод - катод. Ток, протекающий между анодом и катодом, ограничива 1 от балластным сопротивлением (не показанном на чертеже) .Предмет изобретения ие с косвенным подогревом, о тл и ч а 1 о жения...

Номер патента: 137568

Опубликовано: 01.01.1961

МПК: H01C 17/30, H01C 7/04

Метки: 137568

...температ атмосфере, отличающийся тем, что, турной чувствительности термосопротивле рой суммарное содержание примесей не 1 ента. сопротивлений на есь которых подтельной газовой чичения темперают смесь, в кото- ,02 весовых про. турных термои титана, сь ре в окисл с целью уве ний, использпревышает Исследования высокотемпературных термосопротивлений на основедвойной системы окислов кадмия и титана, смесь которых подвергаетсяобжигу при высокой температуре в окислительной газовой атмосфере,показали, что их сравнительно низкая температурная чувствительностьобусловливается недостаточным вниманием к чистоте реактивов, используемых для изготовления этих сопротивлений.С целью повышения температурной чувствительности термосопротивлений на основе...

Номер патента: 139704

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Богданов

МПК: G05F 3/10, H01C 7/04

Метки: стабилизатор

...схема стабилизатора.Примененное в стабилизаторе напряжения в качестве нелинейного элемента полупроводниковое термосопротивлениеиз сплава вышеуказанного состава имеет отрицательный температурный коэффициент, равный 6% на 1, его тепловая инерционность составляет менее 100 сек (для сопротивления в форме полудиска с диаметром 4 мм и толщиной 1 мм). Сопротивление такого полудиска равно 1,3.10 в ом и меняется в зависимости от формы контактов, Выдерживаемая ими сила тока достигает 500 миллиампер и более,Стабилизатор с полупроводниковым термосопротивлением имеет верхний предел стабилизуремого напряжения в несколько сот вольт и позволяет повысить коэффициент стабилизации устройства. едмет изобретения лненный но ротивленитем, что, сопротив-...

Номер патента: 149822

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Иванов

МПК: H01C 7/04

Метки: масса, термосопротивлений

...Такое сочетание компонентов в определенных количественных соотношениях обеспечивает повышение чувствительности и стабильности термосопротивлений при высоких температурах в интервале 100 - 1100. Описываемая масса для изготовления термосопротивлений состоит из; ЯОз от 55 до 97,5%; 1.1 зО от 1 до 18%; А 1 дОа от 0,1 до 20%; ЛгОз от 0,2 - 15%.Исходные материалы берутся в виде химически чистых порошков.Масса для изготовления термосопротивлений получается путем варки, т. е. расплавления состава, термического разложения неустойчивых составляющих, перемешивания состава под действием темпера 1 урных градиентов и образования новых связей между составляющими.ЯОз является основой вещества и обеспечивает хорошее перемешивание при варке и...

Номер патента: 154915

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01C 17/30, H01C 7/04

Метки: 154915

...вещества прс ссуются брикеты, которые обжигаготся при 200 С, Время выдержки в печи при максимальной температуре о 11 ределяется группой номинала, т. е, содерн(аниех 1 высокоомнойокисной фазы. Шкала номиналов линейных объемных сопротивлений -от 6 Оти до 320 кот,Г 1 ри изготовлении сопротивлений с нелинейными характеристикамиотпрессованные сопротивления подвергают обжигу при 1220 - 1240 С вокислительной среде для получения на их поверхности окисного слоя.После удаления с одного из торцов сопротивления окисной пленки наносят контакты путем вжигания металлической пасты.Для получения термосопротивлений в исходную шихту до о авводят нитрид титана, который при обжиге интенсивно окисляетсядает по объему тела сопротивления локальные...

Номер патента: 163246

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Гельфман, Лузан

МПК: H01C 7/04

Метки: р•, сто, терм

...б%.Предлагаемый полупроводниковый терми. стор отлиается От известных тем, что в качестве полимерной основы, из которой изготовлен его термочувствительный элемент, применен поливипиловый спирт, что повышает температурный коэффициент сопротивления и удешевляет процесс изготовления термисторов.Термистор представляет собой пленку из поливинилового спирта с контактами из галлиево-индиевой пасты, Пленка после предварительной тренировки в вакууме в электрическом поле при температуре около 70 С приобретает устойчивую зависимость сопротивления от температуры в интервале до 70 С. нститут монокристаллов1 Я Аузан Высокая чувствительность термистора позволяет применять его для измерений, например, при медико-биологических исследованиях. Предмет...

Номер патента: 164047

Опубликовано: 01.01.1964

Автор: Новиков

МПК: H01C 7/04

Метки: косвенным, подогревом, термосопротивление

...состоящего из обожженной при температуре 1300 в 14 С окиси бериллия и алюмофосфатной связки, представляющей собой водный раствор кислых фосфатов алюминия. Связку получают, смешивая А 1 (ОН)з и Н,РО 40,5 НО в отношении А 1 (ОН)3. : Н,РО, = 1,2 так, чтобы сухой остаток составлял 30 - 400/, от общего количества смеси. После высыхания цемента на бусинку надевают проволочную, изготовленную, например, из нихромовой проволоки диаметром 35 мк спираль, и вновь покрывают бусинку и спираль цементом. Сушка цемента на воздухе продолжается 12 час, затем бусинку вместе со спиралью подвергают сначала термообработке на воздухе при температуре 340 С в течение 2 час, а после этого - в вакууме при давлении 10 4 мм.рт,ст. при температуре 750 С также в...

Номер патента: 166778

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Джагинов, Рум

МПК: H01C 7/04

Метки: окиси, термосопротивлений, цинка

...величины омического сопротивления готового изделия в холодном состоянии. Так, например, при обжиге дисковой заготовки диаметром в 10 мм и толщиной 3 мм при температуре 1250 С получают термистор с начальным сопротивлео нием порядка 100 ком, а при термообработкетой же заготовки при температуре 1400 С - с начальным сопротивлением порядка 100 ом.После часовой выдержки при максимальной температуре обжига заготовки резко ох лаждают, сбрасываяих на холодную (+20 С)алундовую плиту. В результате термоудара происходит стабилизация параметров термосопротивлений.Торцовые контактные покрытия получают О графитированием торцов заготовок или металлизацией торцов. Металлизация может производиться вжиганием серебра или осаждением из газовой фазы...

Номер патента: 169640

Опубликовано: 01.01.1965

МПК: H01C 7/04

Метки: магниточувствительное, термои, управляемое

...выполненные в виде нанесенной на изоляционную подложку полупроводниковой или магнитной пленки, помещенной в магнитное поле, обладают относительно малым диапазоном регулирования величины сопротивления,В описываемом управляемом термо- и магниточувствительном сопротивлении диапазон регулирования увеличен благодаря тому, что пленку вместе с изоляционной подложкой наносят на поверхность монокристалла кобальта, снабженного подогревателем,Изменяя температуру нагрева кристалла кобальта, регулируют величину магнитных полей рассеяния на границах доменов монокристалла, а следовательно, и величину сопротивления полупроводниковой или магнитной пленки. Вследствие того что на пленку одновременно воздействует температурный фактор и зависящая от...

Номер патента: 171044

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Бондаренко, Игнатьев, Кандыба, Ориоив

МПК: H01C 7/04

Метки: сопротивлений, термостойких, тонкопленочных

...ний, перед напылением на пс сят слой испаряемого сплава трехкратный отжиг испарителя температуре около 1750=С, а противления выдерживают в температуре 340 в ЗбО в теч после чего производят окисле кремния, содержащегося в пл их воздействию атмосферы. 20 ысить ий вл чаПодггисная гругггга М Известны способы изготовления термостойких тонкопленочных сопротивлений, выполненных на плоской подогретой ситалловой подложке, термическим испарением металлосилицидного сплава в вакууме.Цель изобретения - уменьшить разброс номиналов и повысить стабильность сопротивлений. Достигается это тем, что по предложенному способу напыление токопроводягцего слоя проводят в вакууме на плоскую си талловую подложку, подогретую до температуры 340 - Зб 0-С....

Номер патента: 183814

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Геллер, Шлеймович

МПК: H01C 7/04

Метки: косвенного, подогрева, термосопротивление

...инерционны, что объясняется как материалом, из которого изготовлен чувствительный элемент, так и невозможностью сократить расстояние между этим элементом и подогревателем.В предлагаемой конструкции термосопро. тивления чувствительный элемент наносится в виде пленки непосредственно на стеклянную изоляцию подогревателя (микропровода), Такое исполнение позволяет увеличить чувствительность прибора в несколько раз, а инерционность снизить на два порядка. На чертеже изображено описываемое термосопротивление. Здесь: 1 - чувствительный элемент, 2 - стеклянная изоляция и 3 - подогреватель.5 Термосопротивление косвенного подогрева,содержащее рабочий элемент в виде металли ческого микропровода, покрытого стекляннойизоляцией, отличающееся тем,...

Номер патента: 190969

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Опр, Черна

МПК: H01C 7/04

Метки: 190969

...из подверпсутой прессованшо и термообработке смеси токоссроводясдего наполнителя и кремнийорганической смолы (с.;с, заявкуМ 838905).Предлагаемый объемный резистор отличается тем, что в качестве токопроводящего наполнителя использованы винилполисилоксаны. Это позволяет повысить рабочую температуру резистора и получить отрицательное значение температурного коэффициента сопротивления постоянного по величине в диапазоне положительных температур.Две части винилполисилоксанаСН = СН. СН = СН.1 1 туре +150 С в течение 3 час. На торцы полученных таолеток наносят серебряссую пасту исзжигасот ее в форвакууме. Затем таблеткиподвергают термообработке в инертной среде(ссаприхсер, при температуре 850 - 650 С сс течение 20 час). При этом...

Номер патента: 235146

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Днепропетровский, Коломойцев, Кудзин, Черненко

МПК: H01C 17/30, H01C 7/04

Метки: 235146

...спеере ври азоте. Известны способы изготовления терморезисторов, основанные на термообработке смеси окислов, например смеси пятиокиси ванадия, окиси стронция и пятиокиси фосфора.Цель изобретения - увеличение значения температурного коэффициента сопротивления терморезисторов и повышение стабильности их параметров.Достигается это тем, что смесь, состоящую75 мол, оо пятиокиси ванадия, 22 мол. % иси стронция и 3 мол, о пятиокиси фосфора, восстанавливают, например, в атмосфере азота, содержащей 30 - 50" паров метилового спирта при 450 - 550 С, спскают смесь в нейтральной атмосфере при 950 в 10 С и закаливают в жидком азоте.Процесс восстановления ведут при 450 - 550 в течение 1 час. Спекание проводят при 950 - 1050 С в течение 15 чаг....

Номер патента: 266902

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Брод, Мишин

МПК: H01C 7/04, H01G 13/04, H05K 13/00 ...

Метки: окраски, резисторов, сушки

...формы.Механизм б устранения натека состоит из двух ванн 7 с вертикальными направляющими и кулачков его механизма 8, соединенного с редуктором 3. Верхний бак 9 для окраски соединен с краном 5, Устанавливая бак 9 на заданную высоту, получают требуемое давление краски, а следовательно, и ширину струи. Бак 9 соединен с нижним баком 10.Изделия сушатся в сушиле 11.В момент остановки кассет 2 ванны 7 поднимаются под воздействием кулачкового механизма 8 вверх, и изделия на определенную глубину погружаются в ванну 7. В этот момент краны 4 и 5 перемещаются в горизонтальном направлении и поливают изделия краской.Выходные отверстия кранов 4 и 5 выполнены в форме двух конусообразных отверстий 12, соединенных между собой узким пазом 13, что позволяет...

Номер патента: 288093

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Плащинский, Шефтель

МПК: H01C 7/04

Метки: высокотемпературных, материал, резистивный, терморезисторов

...ДЛ ЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ТЕ ЗГОТОВЛ ЕНИЯРЕЗИСТОРОВ(6 - 10)10 ом пр ный коэффициен 1,4% С. 600 и 1000 сопротивлен Температу от 29 д 5 дмет изобре В описываемый резистивный целью увеличения его температ фициента и повышения стабильн ческих параметров при темп 1000 С введено 85 - 98 вес. % дв и 2 - 15 вес. % двуокиси цирконИзготовленные из описанно терморезисторы в диапазоне 650 в 10 С имеют сопротивлени Резис сокотем 10 жащий тем, что коэффиц стабильн териала 15 держит 2 - 15 веериал для из терморези циркония,увеличения ротивления стрических п ературах до ес. % двуок иси цирконпятивныи мат пер атурных двуокись с целью иента соп ости зле при темп 85 - 98 в с. % двуок Известныи рези товления высокот ров, содержащий ризуется относите...

Номер патента: 311295

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Бочкарев

МПК: H01C 7/04

Метки: непроволочный, резистор

...места резистивного слоя вследствие повышенного его электрического сопротивления по сравнению с остальным слоем автоматически уменьшает сопротивление указанного участка основания на значительную величину, благодаря большому его отрицательном. ТКС.При соответствующим образом подобранной величине отрицательного ТКС материала основания можно получить такое электрическое шунтирование дефекта реактивного слоя, которое приостановит его дальнейшее разрушение. Путь электрического тока, протекающего по образовавшемуся шунту, показан стрелкой на фиг. 1,Рассмотренный механизм автоматического311295 фиг 7 ф Сос;авнтсль И. Герасимовасхрсд Л, В. Куклина КоррекОр Л. Б. Бадылама сдак.Ор Т. нова Заказ 5525ЦНИ 11 П 1 Л КотПтст Изд, ЬЪ 1063о делам...

Номер патента: 319000

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Власов, Гребенкина, Косолапова, Павлов, Рудовол, Самсонов, Юсов

МПК: H01C 7/04

Метки: композиция, резистивная

...в предлагаемом объемном резисторе в качестве токопро- т 5 водящей фазы используются сложный тугоплавкий силицид Т 1 ю,5 Сго,о 512 и силикатно-боробариевая стеклосвязка.Предлагаемый резистор объемного типа изготовлен в габаритах резистора СПО - 0,5 вт методом горячего прессования при температуре + 900 С в слабо восстановительной среде. В качестве резистивного материала в нем применен сложный тугоплавкий силицид Т 1 о,е Сто,е 512, а в качестве связующей фазы в нем применено стекло состава, вес. %; ЫО.4,3, ВаОа 18,6, ВаО 77,1, так как силикатноборо-свинцовая стеклосвязка не дает удовлетворительных результатов в сочетании со сложными тугоплавкими сил ицидом титанхром-кремний. Предлагаемая стеклосвязка обладает лучшей...

Номер патента: 338924

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Буканаева, Емель, Зорин, Кандыба

МПК: H01C 7/04

Метки: nuдепг, slvjmfjбиблиотека, пленочных, сопротивленийвсесоюзнаяп»тт, термочувствительных, •i-vff5trtfая

...стабильностью.Целью изобретения является устранение недостатка.Поставлеая 1 ель достигается тем что в качествесходных материалов используют водные растворы хлоридов кобальта, марганца и меди, наносимые методом пульверизации на воздухе, на подложку, нагретую до темпера,увы пе ниже 500 С. Изменяя содержание хлоридов в смеси искорость подачи их на подложку, можно в широких пределах изменять электропроводность и температурный коэффициент сопро тивления пленок, С целью регулированияэлектропроводности пленок в,распыляемын раствор хлоридов,кобальта и .марганца вводится хлорид меди. Приведены два примера реализации способа.10 П р и мер 1, В исходном растворе беретсясоотношение хлоридов марганца и кобальта 2; 1, газ-носитель - аргон, материал...

Номер патента: 352319

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Волкова, Котов, Максимцова, Чарушина

МПК: H01C 7/04

Метки: 352319

...и 51 0,3 Б зязисиа 10 ст От неоо.одимостп полученя т 0 п нлн ППОЙ вс.1 пчины сопротпвлснп резистора смсш;здют в требуемом процентном соотноПении порошки .;рома ипомя 11 утык ОКИСЛОЗ И НЯНОСЯ ИСПЯРЕЦНСМ 3 ВДКМММС Н 1 подогзстыс до 300 - 350" С керамические Оснозания резисторов,Этот мдтсцидл гозволяст полег чать зсличииу ТКС ст - -" 1 Одо - 1 10- град.-, которяя практп 1 ескп нс зависит От режима тсрмсобрдботки в прсдслдк 300 в 5" С. ение резистизны.; слоев с 1 О теристиками из этик мяте 1 ательного индизидуального ер мообр а ботки. ако. полу ми харак треб 1 ет т",сжимд заданньР,1 аЛОЗподбор С целью повышения с тивления, с 1-:ижения темп циснта сопротизления в тельно введена смесь ок рия, кальция. железа, тит при следукнцем содержан...

Номер патента: 361471

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Зорин, Кандыба, Шепелев

МПК: H01C 7/04

Метки: терморезисторов, тонкопленочных

...рез исто отивле величин мперат терм 1 лтом.Изобретение относится к области радиотехники, в частности к способу вакуумно-термического напыления тонкопленочных терморезисторов, используемых в качестве элементов тонкопленочных микросхем.Известен способ изготовления тонкопленочных терморезисторов путем нанесения на подложку смеси окислов марганца, кобальта и меди.Недостатком известного способа является 10 низкий температурный коэффициент сопротивления (ТКС) и недостаточная стабильность изготовляемых терморезисторов.По предлагаемому способу с целью повышения ТКС и стабильности терморезисторов 15 смесь окислов марганца, кобальта и меди методом термического испарения в вакууме наносят на предварительно осажденный тем же методом на подложку...

Номер патента: 414637

Опубликовано: 05.02.1974

МПК: H01C 7/04

Метки: 414637

...термосопротивления, на который наносят чувствительный элемент в виде полупроводниковой пленки. 5 П ни я мет изо 1. Термосо ва по авт, св что, с целью рактеристик температур, р с присоединением заявкиРМОСОПРОТИВЛЕНИЕ Изобретение относится к области электротехники, в частности к конструкциям термосопротивлений косвенного подогрева.По основному авт. св.183817 известно термосопротивление косвенного подогрева, рабочий элемент которого выполнен из микролровода, а чувствительный элемент нанесен на стеклянную изоляцию микропровода в виде пленки. Однако при пропускании электрического тока через металлическую жилу микропровода в нем возникает неравномерный нагрев, причем температура в середине термосопротивления значительно отличается от...

Номер патента: 442516

Опубликовано: 05.09.1974

Авторы: Обичкин, Селимов, Черняев

МПК: H01C 7/04

Метки: высокоомных, материал, резисторов

...микросхем, которые применяются в радиоэлектронной аппаратуре и вычислительной технике.Известен материал для высокоомных резисторов, содержащий хром и моноокись кремйия. Цель изобретения - разработка резистивного материала с высоким чдельным сопротивлением - ЮО Ъщ/квадрат до 1 Мом/квадрат и получение отрицательного температурного коэффициента сопротивления.Нредлагаемый ватериал отличается тем, что он дополнительно содержит сйталл.Изменяя процентное содержание ситалла, можно изменять удельное сопротивление материала. 2Так, при изменении содержанияситалла от 40 до 80 вес.% удельноесопротивлене меняется от 100Ком/квадрат до 1 Мом/квадрат.- 11 рименение данного резистивиого материала дает возможность изготовить резисторы до 5 Ц )у 1 ом с...

Номер патента: 476607

Опубликовано: 05.07.1975

Авторы: Горин, Дамрина, Патулов, Попивненко, Пупко, Сычев

МПК: H01C 7/04

Метки: большой, косвенным, мощности, подогревом, терморезистор, управляемый

...4.5 Так как указанные терморезисторы косвенного подогрева предполагается использоватьв новой области их применения в качествепусковых и тормозных сопротивлений в сильноточной технике, в электроприводе, мощных20 осветительных установках и радиоаппаратуре,то образцы должны изготавливаться из такихсмесей, которые бы обеспечивали их свойствами, необходимыми для пусковых и тормозныхсопротивлений. Исследования показали, что25 наиболее подходящим материалом являетсясмесь из 70% СО и 30% Мз 04,Для получения терморезисторов смесь изуказанных компонентов перемешивают, затемподвергают прессованию, сушке и обжигу при30 определенных режимах.476607 Предмет изобретения Составитель Н. НестеренкоТехред 3. Тараненко Редактор В. фельдман Корректоры:...

Номер патента: 476608

Опубликовано: 05.07.1975

Авторы: Александрова, Воронков, Кобцев

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, резистивный

...материал содержит дополнительно окись олова и диборид хрома при следующем количественном соотношении исходных компонентов (вес. %): 6 10 - 10 е н/м-, а затем синтезируют при 1000 - 1300 К в атмосфере воздуха с часовой выдержкой при максимальной температуре, Приготовленные таким образом синтезиро ванные брикеты перемалывают до дисперсности порядка 10 мкм и менее, Просеянный мелкодисперсный порошок перемешивают до получения однородной массы шликера со связующим веществом, состоящим из 12 г поли- О винилбутираля и 42 мл дибутилфталата, растворенного в сложном растворителе, состоящем из 60 мл дпоксана, 66 мл изопропилового спирта и 20 мл ацетона, взятого в количестве 3 - 4,6% по сухому остатку.5 На промышленной лптьевой установкеУБполучают...

Номер патента: 491163

Опубликовано: 05.11.1975

Авторы: Волков, Капусткин, Фотиев

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, резисторов, термочувствительный

...данного типа. Это приводит к перекрыванию 3(1 орбиталей ионов ванадия и появлению металлического характера проводимости.П р и м е р 1. Из мелкокрио порошка кислородной ванади натрия ХаЪбОц прессуют пол давлеццем - 10000 кг/см таблетку диаметром 6 л:,я н ллш;ой 10 л.и. Таблетку спекают в вакуумнрованной ампуле при температуре 650 С в 5 течение - 25 час. После этого образец помешают в вакуум - 10 -и,я рт. ст. и потецциометрическим методом на постоянном токе цзмеряюг его электропроволность в зависимости от температуры.На графике (фиг. 1), гле по осц орлццаготложен логарифм электросопротцвлснця (в о,и сл), а по осн абсцисс - елиццца, лелеццая на абсолютную температуру (в Т, К-), кривая 1 получена при нагревании об разца н 2 прц его...

Номер патента: 509896

Опубликовано: 05.04.1976

Автор: Селимов

МПК: H01C 7/04

Метки: высокоомных, материал, резисторов

...ять удельное сопродо 1 Мом/П. При изменяется в предерад. напытивных тленоч- радиоике. 5 ых реоокись СпталлХромМ няя соотшипсние кремния, можно изме тивление от 10 ком/П этом ТКС резисторов л ах (2 - 150) 10 -1/ оэффпого маград - окостаМатериал для высокоомныхсодержащий ром, мопоокисьталл, отличающийся тцелью снижения ТКС резисторжит исходные компонентыколичествах, вес. %:Моноокись кремнияСиталлХром резисторов,ремния и сне м, что, с ов, он содерв следующих 15 исход- ствах,15 - 30 15 - 30 Остальное 0 Изобретение относится к технике лспия резистивно-смкостных, резне совмещенных интегральных и тонко ных схем, которые применяются в электронной и вычислительной технИзвестен материал для высокоом зисторов, содержащий хром, мо кремния и...