H01L 21/66 — испытания или измерения в процессе изготовления или обработки

Номер патента: 631015

Опубликовано: 10.11.2001

Авторы: Коршунов, Постников, Тихонов

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, материале, полупроводниковом, электронов

Способ определения концентрации электронов в полупроводниковом материале по сдвигу края полосы собственного поглощения вырожденного полупроводника, отличающийся тем, что, с целью возможности измерений в приповерхностных слоях толщиной порядка нескольких микрон и ускорения измерений, измеряют минимальное значение эллипсометрического параметра ( min) соответствующую ему длину волны кр, отвечающую энергетическому положению красной границы полосы собственного поглощения...

Номер патента: 1829787

Опубликовано: 27.04.2002

Авторы: Андреев, Барышев, Сидоров, Столяров

МПК: H01L 21/66

Метки: мдп-структур, микропробоя

Способ измерения напряжения микропробоя МДП-структур, заключающийся в том, что МДП-структуру заряжают путем пропускания прямоугольного импульса тока и одновременно измеряют временную зависимость напряжения на МДП-структуре, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени измерения и упрощения способа, одновременно с МДП-структурой заряжают емкость сравнения произвольной величины, определяют отношение емкости МДП-структуры к емкости сравнения n = Cмдп/Cср, при этом заряжают МДП-структуру импульсом тока с амплитудой Iмдп = k Iпор, где Iпор - пороговая величина тока; k -...

Номер патента: 1485938

Опубликовано: 27.01.2003

Авторы: Китаев, Костюков, Кузнецов, Марков

МПК: H01L 21/66

Метки: спектральной, схемы, твердотельной, фоточувствительной, характеристики, чувствительности

Способ определения спектральной характеристики чувствительности твердотельной фоточувствительной схемы, включающий измерение отклика схемы на облучение ее фоточувствительной области излучением с различными длинами волн, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности определения спектральной характеристики чувствительности схемы как в процессе изготовления, так и после него, в качестве отклика используют спектр отражения фоточувствительной области исследуемой схемы или тестовой полупроводниковой пластины, созданной в едином технологическом процессе с исследуемой схемой при формировании ее фоточувствительной области, дополнительно измеряют спектр отражения фоточувствительной области и...

Номер патента: 1627007

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Сеник, Ситников

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузионной, длины, заряда, легированных, неравновесных, носителей, однородно, полупроводниковых, приповерхностных, слоях, структур

1. Способ определения диффузионной длины неравновесных носителей заряда в приповерхностных однородно легированных слоях полупроводниковых структур с p-n-переходом, включающий формирование малоуглового линейного скоса структуры со стороны исследуемого слоя, измерение наведенного тока, протекающего во внешней цепи структуры при зондировании ее на фиксированную глубину постоянным по току лучом растрового электронного микроскопа в точках скоса с различающейся глубиной залегания p-n-перехода, и расчет диффузионной длины из уравнения, связывающего величину наведенного тока с глубиной залегания p-n-перехода, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, на поверхность скоса...

Номер патента: 1840164

Опубликовано: 27.06.2006

Авторы: Барышев, Сидоров, Столяров, Чухраев

МПК: H01L 21/66

Метки: качества, мдп-ис, процесса, технологического

Способ контроля качества технологического процесса изготовления МДП-ИС, заключающийся в измерении вольт-фарадных характеристик МДП-структур, отличающийся тем, что, с целью повышения качества контроля технологического процесса, измерение производится на МДП-конденсаторах, размещенных в тестовых модулях рабочих пластин, позволяющих проводить измерение с помощью зонда с жидким электродом до проведения технологической операции металлизации.

Номер патента: 1667567

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Гранько, Солонинко, Турцевич, Чигирь

МПК: H01L 21/66

Метки: диэлектрика, оплавления, планаризующего, степени, структура

Структура для контроля степени оплавления планаризующего диэлектрика при изготовлении интегральных схем, включающая полупроводниковую подложку со сформированными на ней параллельными токопроводящими дорожками с трапецеидальным сечением и углом между нижним основанием трапеции и боковой стороной не менее 45°, покрытых слоем планаризующего диэлектрика, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения возможности неразрушающего контроля и разбраковки пластин, токопроводящие дорожки шириной b расположены на расстоянии a i на полувысоте микрорельефа, и выполнены высотой h, удовлетворяющих условию ai=(1+k)·a i-1, aмакс

Номер патента: 1824014

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Домбровский, Сарычев, Турцевич, Чигирь

МПК: H01L 21/66

Метки: осажденных, помощью, проводящих, профилометра, селективно, слоев, толщины

Способ измерения толщины селективно осажденных проводящих слоев с помощью профилометра, включающий формирование на кремниевой подложке диэлектрического покрытия, вскрытие в нем окон, определение высоты рельефа в окнах с помощью иглы профилометра, определение толщины проводящего слоя после его осаждения как разницы высоты рельефа в окнах до и после осаждения проводящего слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля, диэлектрическое покрытие на подложке формируют толщиной, удовлетворяющей соотношению: 0,1 h/H 0,8,где h -...

Номер патента: 1487755

Опубликовано: 20.04.2008

Автор: Чекунков

МПК: H01L 21/66

Метки: длины, канала, мдп-транзистора

Способ определения длины канала МДП-транзистора путем формирования тестовой структуры на полупроводниковой подложке, включающей области, имитирующие сток-истоковые области, и затвор МДП-транзистора, причем топологическая ширина затвора выбирается равной топологической длине канала МДП-транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, в подложке второго типа проводимости изготавливают МДП-транзистор с не менее чем шестью сток-истоковыми областями первого типа проводимости и самосовмещенные с затвором высоколегированные области второго типа проводимости, имитирующие сток-истоковые области МДП-транзистора, подают смещение на затвор, достаточное для создания инверсионного слоя,...

Номер патента: 1662298

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Зеленин, Сенько, Снитовский

МПК: H01L 21/66

Метки: величины, границе, локальных, механических, напряжений, образцов, приготовления, раздела

Способ приготовления образцов для контроля величины локальных механических напряжений на границе раздела Si - SiO 2, заключающийся в том, что пленку оксида кремния отделяют от подложки путем травления кремния в смеси водорода и хлористого водорода через сформированные методом фотолитографии окна в оксиде кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет повышения скорости травления, травление осуществляют при температуре 950-1220°С при концентрации хлористого водорода 0,5-10 об.%.

Номер патента: 1082253

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Румак, Хатько

МПК: H01L 21/66

Метки: двуокиси, кремния, окисел, пограничного, системе, слоя, структуры, —полупроводник

Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системе окисел - полупроводник, основанный на травлении окисла и регистрации электронограмм на отражение, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и снижения трудоемкости, травление окисла производят на клин со скоростью 3-4 Å/с, после чего производят дополнительное травление при температуре 1150-1180°С в течение 30-60 с в газообразном хлористом водороде, носителем которого является водород.

Номер патента: 893092

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Апанасенко, Гурский, Сигалов

МПК: G01N 27/22, H01L 21/66

Метки: концентрации, легирующей, полупроводниках, примеси, профиля

Способ определения профиля концентрации легирующей примеси в полупроводниках, основанный на измерении вольт-фарадной характеристики МДП-структуры и определении профиля концентрации легирующей примеси расчетным путем, отличающийся тем, что, с целью расширения пределов определения профиля концентрации легирующей примеси, перед измерением вольт-фарадной характеристики к МДП структуре прикладывают через ограничивающий ток резистор линейно возрастающее напряжение до возникновения в диэлектрике проводимости от 10-11 до 10-9 (Ом·см)-1 .

Номер патента: 1091774

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Румак, Хатько

МПК: H01L 21/66

Метки: кремниевых, моп-структур

Способ контроля кремниевых МОП-структур, основанный на нагревании кремниевой пластины до температуры окисления, выдержке при этой температуре в окислительной среде, охлаждении структуры окисел - полупроводник до комнатной температуры, получении МОП-структуры путем нанесения полевого электрода, регистрации вольт-фарадных характеристик, по которым судят о качестве кремниевых МОП-структур, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности определения качества кремниевых МОП-структур, охлаждение производят со скоростью 15-20 K/с, после охлаждения на поверхность окисла наносят слой фосфоро-силикатного стекла, прикладывают к МОП-структуре напряжение смещения -(10-15) или +(5-10) В,...

Номер патента: 1464810

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Апанасенко, Гурский, Покрышкин, Сигалов

МПК: H01L 21/66

Метки: инверсии, мдп-структур

Способ измерения напряжения инверсии МДП-структур, включающий подачу на МДП-структуру линейно изменяющегося напряжения смещения, высокочастотного измерительного напряжения, выделение напряжения, пропорционального емкости МДП-структуры, дифференцирование этого напряжения, измерение величины производной, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения напряжения инверсии, напряжение смещения изменяют со скоростью 101-10 3 В/с, периодически выдерживают его на постоянном уровне, осуществляя в эти моменты дифференцирование, а напряжение инверсии определяют по напряжению смещения, при котором производная становится больше нуля.

Номер патента: 1338720

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/66

Метки: моп-структур, создания, тестовых

Способ создания тестовых МОП-структур, включающий нагрев кремниевой пластины до температуры окисления, выдержку пластины при этой температуре в окислительной среде, охлаждение полученной структуры окисел - полупроводник до комнатной температуры и нанесение полевого электрода из молибдена магнетронным распылением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности определения качества подзатворного диэлектрика МОП-структуры, нанесение электрода на окисел структуры осуществляют при температуре кристаллизации двуокиси кремния в -кристобалит.

Номер патента: 1222145

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Дениженко, Сигалов

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых, структур

Устройство для измерения параметров полупроводниковых структур, содержащее блок подключения измеряемой структуры, генератор смещения, генератор синусоидального напряжения, усилитель, первый выход которого соединен с первым входом регистратора, второй вход которого соединен с первым выходом генератора смещения, второй выход генератора смещения, третий вход регистратора, вторые выходы детектора и усилителя соединены с общей шиной устройства, отличающееся тем, что, с целью повышения точности, оно снабжено режекторным фильтром, двумя трансформаторами, двумя конденсаторами и катушкой индуктивности, при этом генератор смещения выполнен в виде генератора трапецеидального напряжения, а усилитель...

Номер патента: 1284430

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Автюшков, Бобченок, Гурский, Зеленин

МПК: H01L 21/66

Метки: контактного, сопротивления, удельного

Способ измерения удельного контактного сопротивления, включающий создание p-n-перехода в полупроводниковой подложке, нанесение четырех металлических контактов, расположенных на одной линии, подключение зондов к контактам, пропускание тока I через первый и четвертый контакты, измерение падения напряжения U 1 между первым и вторым, а также U2 между вторым и третьим контактами, вычисление удельного контактного сопротивления по формуле где U = U1 - U2;S к - площадь...

Номер патента: 1526515

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Апанасенко, Гурский

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: дозы, излучения, ионизирующего, мдп-структурах, мощности, поглощенной

Способ определения мощности поглощенной дозы ионизирующего излучения в МДП-структурах, включающий нанесение электродов к структуре, подачу на них напряжения смещения, облучение структуры ионизирующим излучением и вычисление мощности поглощенной дозы излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и оперативности способа, до облучения снимают C-V-характеристики с разными скоростями изменения напряжения, определяют скорость, при которой прямой и обратный ходы высокочастотных C-V-характеристик МДП-структуры совпадают на всем участке изменения емкости от максимального до минимального значений и обратно, измеряют C-V-характеристики с выбранной скоростью при облучении в прямом и...

Номер патента: 1238630

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Пухов, Румак, Сакун, Тишкевич, Хатько

МПК: H01L 21/66

Метки: двуокиси, кремния, окисел, пограничного, системах, слоя, структуры, —полупроводник

Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системах окисел - полупроводник, включающий травление окисла в газообразном хлористом водороде, носителем которого является водород, и наблюдение структуры в электронном микроскопе, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости контроля, травление окисла проводят в течение 1,5 - 7 мин при объемном содержании хлористого водорода в водороде 0,8 - 1,2 об.%, а наблюдение структуры осуществляют в растровом электронном микроскопе, причем о кристаллической структуре судят по наличию темного ореола вокруг фигур травления.