H01L 21/66 — испытания или измерения в процессе изготовления или обработки

Номер патента: 1001236

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Перов, Петров, Поляков

МПК: H01L 21/66

Метки: границы, полупроводниковых, потенциала, раздела, структурах

...гетероперехода осуществляется следующим образом.На гетеропереход подается напряжение смещения Ч и он освещаетсяимпульсом света, энергия квантов которого Е(Ъ)1 ЕстЕ 2. При таком освещении происходит спрямление зонв обоих полупроводниках, а так какток через гетеропереход поддерживается постоянным, то изменение напряжения на гетеропереходе вызвано только возникающей фото-ЭДС и равно ейпо величине (аналогично режиму холостого хода). В этом случае измеряе -мая величина фото-ЭДС насьпцения равна (-1(9, - Ч) . Достижение насыщенияЗОфото-ЭДС проверяется с помощью нейтральных фильтров, Затем гетеропереходосвещается импульсом света с Е ) ЕМ)Е 2, При этом измеряемая фото-ЭДСнасыщения равна - У/),. ЗдбИз двух проведенных измерений...

Номер патента: 1001237

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Перов, Петров, Поляков

МПК: H01L 21/66

Метки: гетеропереходов, концентрации, материалах, полупроводниковых, примесей, эффективной

...1так как д, д 2, а Ес, ДЕч не менЯютсЯ при изменении найряжения смещения,Высокочастотную емкость гетеро- перехода можно записать в виде 1 4 О СС 2вц г. сгде С и С 2 - емкость ОПЗ каждого иэ полупроводников, по определению равные аааа,1Й 1, 02 - величина заряда на включениях последовательно емкостях С 4,С 2. Но при последовательном сбединении емкостейЯ:; а 1=3 й, .Следовательно, из (3-6 ) получаем 5 О 55 1 2 2Ч) Таким образом, зная из эксперименота свц,д 91 и 62Расс:читывают 65Определение эффективной концентрации .примесей (И ) в полупроводниковых 15 материалах гетероперехода производит- ся следующим образом.На гетеропереход подается напряжение смещения 9 и он освещается импульсом света, энергия квантов ко- О торого Е (Л Е 1 э ЕсВ этом...

Номер патента: 1001238

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Великий, Горшков, Жуков, Мансуров, Марков, Мелентьев, Пузанков, Якимов

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, структур

...вторым оптоэлектрическим датчиком,17 уровня стола 2, второй схемой 18 совпадения и инвертором 19, причем оптоэлектрический датчик 17 уровня стола 2 подключен к нторому входу триггера 11, первый выход которого соединен с вторым входом первой схемы 16 совпадения,а второй выход связан с первым входом второй схемы 18 совпадения, второй вход которой через инвертор 19 подключен к контактному датчику 15, третий вход связан с выходом блока 7 пуска, а выход второй схемы 18 совпадения подключен к блоку 8 привода механизма б шагового горизонтального перемещения стола 2, при этом третий нход первой схемы 16 совпадения соединен с блоком 4 привода механизма вертикального перемещения, а ее выход подключен к блоку 14 контроля.Ориентация контактных...

Номер патента: 1004829

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Гурылев, Дикушин, Лабутин, Лебедев, Лопухин, Шумилин

МПК: G01N 21/88, H01L 21/66

Метки: дефектов, структуры

...состоянии контролируемая структура закреплена в устройстве перемещения структуры 2. Блоком управления 7 включаются блок подсвета структуры 5, которыЯ обеспечинает подсвет необходимого участкаструктуры и блок преобразования изображения структуры в электрическийсигнал б. Изображение структуры через микроскопы 4 поступает на фо" точувствительную часть блока преобразования изображения структуры в электрический сигнал 6, с блока преобразования изображения структуры в электрический сигнал 6 электри . ческий сигнал поступает на блок управления 7. Блоком управления 7 обеспечивается отображение информации на экране экранного пульта 10.Оператор по изображению структуры на экранном пульте корректирует положение изображения на экране блоком...

Номер патента: 1005221

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Гармаш, Орешкин, Перелыгин

МПК: H01L 21/66

Метки: глубоких, ионизации, полупроводниках, уровней, энергии

...Переходной процессзаканчивается через вполне определен 40ное время 1 С, которое можно зафиксировать с погрешностью не более 10%,поскольку с помощью запоминающего, осциллографа легко сделать отсчетвизуально. На фиг, 2 приведены кривые 4 1 г как функции обратного смещенияна кремниевой МДП-структуре при различных температуры. Наблюдаетсяувеличениес ростом обраатного напряжения до некоторого установившегося ф (максимального) значения. Последнееи соответствуетпо ( 1), Поскольку= Д ЕХр Ь Е /КТстроят зависимость 3 1 =ф 7 и находят Ь: для различных значений обратного напряжения и, в часъ- Я ности, для установившегося (максимального) 1, Отсюда определяют ЬЕ исравнивают + с 1," при расчете поформуле( 1) . Как показал эксперимент,б 10 15 20 2 30...

Номер патента: 701414

Опубликовано: 07.04.1983

Авторы: Асвадурова, Онуприенко, Стагис, Требоганов

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, приборов, структур, тепловых, характеристик

...нагревать поверхность пассивных многослойных структур сфокусированным излучением, что необходимо для измерения их тепловых сопротивлений ( Рт).Совмещение оси лазерного излучения с оптической осью ИК-обЪектива позволяет юстировать обе системы по видимому излучению, что существенно повышает точность при количественном измерении тепловых сопротивлений.Расположение приемника ИК-излучения и измеряемого объекта в двойных фокусных расстояниях ИК-объектива позволяет измерять температуру с маленького пятна, равного рабочей плошал ке прненика ИК-излучения, в центре источника тепла, т,е, температуру, близкую к максимальной (Т), что повышает абсолютную величину теплового сопротивления и точность при ее количественном измерении.Подсоединение...

Номер патента: 1014072

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Антонов, Бугаев, Гоголев, Грин, Малеев, Рассохин

МПК: H01L 21/66

Метки: параметрам, полупроводниковых, приборов, сортировки, электрическим

...приборов из кассеты), повора" Чивается на 90 о, а затем, опускаясь, устанавливает группу прибора в контактно-эажимной механизм 12,каретка 17 которого. совершает поступательное движение через тягу 19 от рычага 18,Пружинные контакты 15 прижи- мают выводы группы приборов к неподвижным контактам 16, и происходит контактирование всех необходимых выводов (места контактирования пока"заны на фиг. 9) .В момент контактирования в блок логики выдается сигнал "Внешний за5 10140пуск" от бесконтактного датчика (непоказан),.связанного с валом 52, Поэтому сигналу реализуется программа "Измерение", заложенная в памятиблока логики 46 и основанная на сравнении контролируемых параметров полупроводниковых приборов с заданнымиуставками,Токи и напряжения...

Номер патента: 1018061

Опубликовано: 15.05.1983

Авторы: Балявичюс, Бурдулис, Пошкус

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: переключающих, переключения, элементов

...и быстрота, с которой оператор после обнаружения на ВАХ участка отрицательного дифференциального сопротивления успевает снизить амплитуду переключающих импульсов ниже напряжения переключения. 8 результате при помощи этого -устройства невозможно исследовать образцы, свойства которых меняются после каждого переключения.Цель изобретения - расширение функциональных возможностей путем обеспечения возможности измерения напряжения переключения единичного переключения.Поставленная цель достигается тем, что в устройство для измерения напряжения переключения переключающих элементов, содержащее генератор наносекундных импульсов, последовательно соединенные коаксиальную линию передачи и ограничитель тока, который соединен с входами двух...

Номер патента: 805873

Опубликовано: 30.05.1983

Автор: Принц

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, ловушек, неосновных, носителей, полупроводниках

...для каждого полупроводникового соединения определяютпо появлению релаксации Ьарьерной емкости после пропускания прямоугольного импульса тока в прямом направлении через диод с барьером Ыоттки,Сущность способа заключается вследующем,При пропускании через диод с Ьарьером Шоттки на ь -полупроводникеимпульса тока с плотностью выше пороговой происходит заполнение дырочных ловушек в оЬласти полупроводника под барьером Лоттки. ( Пороговаяплотность тока для диодов с барьеромШоттки на арсениде галлия 100 А см 2.Для заполнения ловушек достаточнодлительности -1 мкс ).Заполнение ловушек дырками проис"ходит благодаря инжекции дырок изметалла в полупроводнике при пропускании импульса тока Ьольшой величины.На чертеже представлены графикиСИ....

Номер патента: 1020788

Опубликовано: 30.05.1983

Авторы: Жуков, Лошкарев, Мусатов, Улимов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: базе, времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, транзистора

...с . через баверзу транзистора и коэффициент передачи тока змиттера сС транзистора, включенного по Схеме с общей базой и вычисляют время жизни неосновных носителей в базе по формуле(1) ф " эффетивность эмиттера,коэффициент переноса носктелей, определяемый по фор.муле пер 1.5 фчРч(2) о; - коэффициент размноженияв коллекторе. Недостаток способа заключается в том, что из формул 1 и 2 получают некоторое усредненное значение времени жизни Т, так как константа р состоит из двух составляющих рчопределяемое рекомбинацией носителей в объеме базы, 5 - определяемое рекомбинацией на поверхности базовой области р = рч р . Формула 1 преобразуется в вйд Для более точного определения объемного времени жизни неосновных носителей в базе транзистора...

Номер патента: 936751

Опубликовано: 07.06.1983

Авторы: Жмудь, Кравченко, Савченко, Терехов

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых

...ап-опаратуры и может быть меньше 100 А.Если исследуется гетероструктурасо встроенным р-и-переходом гетеролазер, светодиод ), то облучая ее40 торец и прикладывая переменное ипостоянное напряжение смещения получают профиль ширины запрещеннойзоны, а следовательно и состав Р -или и -области, в зависимости от того,45 концентрация свободных носителейкакой области меньше,Требование того, чтобы постоянное смещение было много больше переменного, связано с точностью пространственного разрешения, задаваемого постоянным смещением.Толщина области пространственного заряда определяется выражением: ЛЧ+Ча) Е(Ч+ Ча)из- Ре по где пд 2 Ччгде Ч - постоянное смещение;Ча - диффузионный потенциал;д У - переменное напряжение;60 Е - заряд электрона;по -...

Номер патента: 1022082

Опубликовано: 07.06.1983

Авторы: Арутюнов, Домнин, Дурнин, Еремин, Фетисова

МПК: G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: качества, мдп-бис, тестовая, ячейка

...ячейки к асимметрии элементов МДП-БИС, возникающей вследствие рассовмещения фбтошаблонов, растравливания, плохого качества контактов и т.д. При наличии дефектов в МДП-БИС в стоковых или нстоковых областях транзисторов 1,4 возникает асимметрия вольт-амперных характеристик этих транзисторов. Вследствие этого на затворах транзисторов 1,4 при сбалансированных плечах тестовой ячейки (транзисторы 1,2,3, вход 7 и транзисторы 4,5,6, вход 8) возникают разностные или дифференциальные сигналы, которые затем усиливаются на. Стоках транзисторов 1,4. Поскольку затворы транзисторов 2,5 подключены соответственно к стокам транзисторов 4,1 в противоположных плечах тестовой ячейки, то на них образуются сигналы, противоположные по знаку сигналам на их...

Номер патента: 1026093

Опубликовано: 30.06.1983

Авторы: Барабанщиков, Кафтин

МПК: G01R 31/27, H01L 21/66

Метки: затвор-исток, напряжений, пар, полевых, разности, транзисторов

...с источником опорного напряжения, дифференциальный усилитель и регулирующий элемент, причем первый вход вычитателя соединен с выходом генератора тока, а второй - с первым выводом второго резистора, выход вычитателя подключен к первому .вхо-,ду компаратора, второй вход которогосоединен с выходом источника опорного напряжения, а выход - с управляющим входом регулирующего элемента, вход которого подключен к выходу источника напряжения стока, авыход - к общей точке Соединенияпервого и второго резисторов, первые выводы которых подключены к пер- О вому и второму входам дифференциального усилителя соответственно, выход которого соединен с входом вольтметра.На чертеже представлена структур ная схема устройства.Устройство содержит...

Номер патента: 1026095

Опубликовано: 30.06.1983

Авторы: Гаевский, Мартяшин, Светлов, Цыпин, Чайковский

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: измеритель, мдп-структур, параметров, электрофизических

...соединенс регулирующим входом источника управляющего напряжения, выход которогосоединен с управляющим входом первогоуправляемого делителя напряжения,третий выход блока управления соединен с управляющим входом .источника управлящвщего напряжения,четвертый выход блока управлениясоединен с управляющими входамипервого и второго пиковых детекторов, а пятый выход блока управлениясоединен с управляющим входом блокаизмерения установившегося значениянапряжения, выход блока измеренияпостоянной времени соединен с управляюшим входом .ключа, выход первогопикового детектора соединен с третьим входом коммутатора.На чертеже изображена структурная схема устройства.Измеритель электрофизических параметров МДП-структур, содержит блок1 управления,...

Номер патента: 1026198

Опубликовано: 30.06.1983

Авторы: Погоцкий, Полякова, Строенко, Точицкий

МПК: H01L 21/66

Метки: комплекта, фотошаблонов

...В предлагаемом способе совме щаемость: контролируется 1 путем сравнения с базовым фотошаблоном, который содержит реперные знаки, соответствующие реперным знакам каждого из фотошаблонов. Это позволяет получить величины несовмещаемости каждого Фотошаблона с базовым, а значит,и между любой парой фотошаблонов комплекта.Известный способ не позволяет контролировать совмещаемость в различных точках моруля, поскольку реперные знаки расположены обычно на каком-либо одномучастке модудя, Однахо для большихинтегральных схем внутримодульные погрешности совмещения могут достигатьзначительных величин, В предлагаемом способе на этапе изготовления фотошабдоновпо углам каждого модуля формируют дополнительные реперные знаки, по которымна этапе...

Номер патента: 867239

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Банная, Веселова, Гершензон

МПК: H01L 21/66

Метки: глубоких, концентрации, полупроводниках, примесей

...электронов,и дырок равны и определяются из измеренийб а й = й й,оф р а10ЬМ =М (5)Во Затем определена концентрация заряженных мелких доноров и акцепторов. с помощью стандартных статистических )формул,пойо 9 )й=3 8 10 смпфи ="- =й 8 10 В смр )б 2 -3где п = й екр 8 10 см (для Се:5 Ь)Предлагаемый метод пригоден в случае, когда механизм рекомбинации носителей через глубокие центры является преобладающим, В Се это условие выполняется, если концентрация свобод-з. ных носителей меньше, чем 10 см ,апримесей й -, йа меньше, чем 10 фсм. 20П р и м е р , Определена концентрация глубоких примесей в образце гер 3 -5мания, содержащем 1,310 см сурьмы и1,1 10 сминдия. На фиг. 1 представлена зависимость В(С) полученная для 25этого образца. В точке С = С...

Номер патента: 1027653

Опубликовано: 07.07.1983

Автор: Шафер

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, структур, фотоответу

...чертеже представлена структурнаясхема предлагаемого устройства.Лазерный луч источника 1 лазерного1 излучения направляется на блок 2 сканирования, с которого поступает в оптическую систему 3, а затем на нсследуемую полупроводниковую структуру 4. Выход исследуемой полупроводниковой структуры 4 соединен с входом усилителя 5 фотонапряження, выход которого соединенФс первым входом видеоконтрольного блока (ВКБ) 6. Синхронная работа всего уст 10 ройства задается генератором 7 сннхроимпульсов, первый и второй выходы которого соединены соответственно с первыми и вторыми входами синхронизации блока 2 сканирования, блока 6 и блока 15 8 управления, состоящего иэ первого н второго ждущих мультивибраторов 9 и 10, первого и второго формирователей 1 1...

Номер патента: 1027654

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Гурылев, Дикушин, Зюзин, Ковешников, Лопухин, Шумилин

МПК: G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: больших, интегральных, подложки, схем

...соответственно к шестому выходу перво го бпока 1 управления и к выходу блока 2 представления первичной информации, а первый выход - к второму входу анализатора 3 годности, бпок 8 установки в исходное состояние, два входа которого З подключены соответственно к седьмому выходу первого блока 1 управления и второму выходу биока 7 управляемого сопоставления, два выхода - к первому входу первого блока 1 управиения и третьему входу биока 7 управляемого сопоставления, мультиплексор 9, три первых входа которого подключены соответственно к восьмому выходу первого блока 1 управления, выходу анализатора 3 годности и второму выходу блока 5 сравнения, а первый выход - к третьему входу блока 5 сравнения, второй блок 10 управления, первые два входа...

Номер патента: 1030747

Опубликовано: 23.07.1983

Авторы: Анишкевич, Колешко, Кривоносов, Сунка

МПК: H01L 21/66

Метки: мдп-структур, характеристик

...дополнительно введена схема накопления, информационные входы которой являются входами этого блока, ее первый выход соединен с дополнительным входом первой схемы И и входом первого .элемента задержки, а второй выход подключен к второму входу схемы обработки, управляющий вход которого соединен с вторым входом сумматора 10 и входом второго элемента задержки, выход которого подключен к второму входу сумматора, причем выход первого элемента задержки соединен с вторым входом схемы И, а второй выход схе мы обработки соединен с третьим входом схемы накопления.Такое построение устройства позволяет в едином цикле оперативно произвести измерение полной гисте- р 0 резисной нольтфарадной характеристики путем измерения величины опорного...

Номер патента: 1033993

Опубликовано: 07.08.1983

Автор: Беренштейн

МПК: H01L 21/66

Метки: пленок, резистивных, свойств, тонких

...остаточных газов пленкой вследствие физической и химической сорбции, то электрические свойства напыленных ,резистивных пленок (удельное поверхностное сопротивление, температурный коэффициент сопротивления и др.) зависят от степени их окисления.Степень окисления пленки (при фикси. рованной температуре подложки) однозначно определяется отношением количества молекул газов к количеству молекул испаряемого вещества, попадающих на единицу поверхности пленки за единицу времеви. Степеньокис ления пленки будет постоянной, если стабилизировать отношение давления остаточных газов в камере напыления к скорости напыления пленки.Цель изобретения - упрощение контроля процесса напыления и повышение60 Этот сигнал может быть использован для...

Номер патента: 1035682

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Зайцев, Рогов

МПК: H01L 21/66

Метки: параметрам, сортировки, транзисторов, электрическим

...20 и 21.К защелкам 18.и 19 крепятся упоры 22 и 23 соответственнд, фиксирующие угловое положение ключа транзистора. Над кареткой 3 установлены неподвижные направляющие 24 и 25, выполнен.ные из эластичного материала с большим коэффициентом трения. и защелкам 18 и 19 прикреплены ролики 26и 27 соответственно. Оба роликавзаимодействуют с копиром 28,размещенным у питателя 2, кроме того ролик 26 взаимодействует с толкателем 29, а ролик 27 - с толкателем .30, сообщая вертикальные перемещения защелкам 18 и 19 и закрепленнымна них упорам 22 и 23. Неподвижныеножи 10 и 14 примыкают к контактнымколодкам д и 9 соответственно иустановлены в плоскости движениятранзисторов при транспортированииих от питателя 2 к этим колодкам.Для прохождения подвижных...

Номер патента: 1035683

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Силин, Шмидт

МПК: G01R 1/067, H01L 21/66

Метки: головка, сопротивления, удельного, четырехзондовая

...т.езависитот неровности контролируемой поверхности, точности регулировки и постоянства упругих свойств пружин,Цель изобретения - повышениеточности измерения и технологичностиконструкции.Поставленная цель достигается, тем, что в четырехэондовой головкедля измерения удельного сопротивления материала, содержащей корпус,зонды и токосъемники, установленныена корпусе, и прижимную систему,прижимная система выполнена в видедвух равноплечих изолирующих рычагов, расположенных симь)етрично,относительно токосъемников и опирающихсясвоими плечами на середины смежныхтокосъемников, и четырехплечегорычага, два противоположных плеча 45которого установлены на корпусе шарнирно с возможностью взаимодействиядвух его других плеч с...

Номер патента: 886623

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Агафонов, Бондарь, Гарбузов, Ермакова, Лебедева

МПК: H01L 21/66

Метки: внешнего, выхода, излучающих, измерений, квантового, полупроводниковых, структур, электролюминесцентных

...для электролюминесцентных измерений внешнего квантового выхода излучающих полупроводни ковых структур, содержащее источник питания, соединенный с зондом и плоским омическим контактом, и калиброванный Фотоприемник, соединенный с измерительным блоком 2 .Для определения абсолютных значений внешнего квантового выхода с помощью такого устройства требуется проведение специальных экспериментов по определению эффективности захвата и передачи излучения световодом. Кро 35 ме того, в измерениях всегда будет присутствовать ошибка, связанная с поглощением части излучения под капилляр" ным контактом.40Целью изобретения является повышение точности измерений.Цель достигается тем, что в устройстве для электролюминесцентных измерений внешнего...

Номер патента: 1038891

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Виткус, Лауринавичюс, Малакаускас, Пожела

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: концентрации, носителей, подвижности, полупроводниках

...4, Суммарный сигнал детеклупроводниковых образцов произволь- тируется детектором 5 и подается на, ной формы и имеет нйэкую точность. вход усилителя 15. с выхода усилителяцель изобретения - обеспечение иэ-, 15 сигнал поступает на двухкоординат.мерений параметров полупроводниковых Зо ныйсамописец 16, .на его у-вход., образцов произвольной Формы при позы- на.Х-вход которого .подается ыапряже-шении точности. ние с датчика 17 магнитного поля.указанная цель достигается тем, С изменением величины магнитного по"; что в предлагаемом устройстве измери- ля изменяются фаза и амплитуда протельное плечо образовано двумя отрезшедшего через исследуемый полупроводками металлических волноводов, на об- никовый образец 8 сигнала, На двухращенных друг к...

Номер патента: 919486

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Захаров, Настаушев

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, генерационного, жизни, заряда, мдп-конденсаторах, неосновных, носителей

...частоты для исключения влияния помех. Целью изобретения является повы"шение производительности и точностиустройства.Цель. достигается тем, что в устройстве для определения генерационного времени жизни неосновных носителей заряда в МДП-конденсаторе,содержащем усилитель высокой частоты с амплитудным детектором, генератор импульсов, генератор высокойчастоты, стробоскопический детектор,два выхода которого соединены с входами самопишущего потенциометра,схему синхронизации, первый выход 55 которой соединен с первым входом стробоскопического детектора, а второйвыход соединен с генератором импульсов, выход которого соединен с пер486Устройство работает следующим образом.Импульсное напряжение с выходагенератора 1 через разделительнуюсхему 11...

Номер патента: 1041967

Опубликовано: 15.09.1983

Авторы: Балтянский, Богородицкий, Зверева, Мельников, Михеев, Морозов, Рыжов, Рябинин, Фельдберг, Чернецов

МПК: H01L 21/66

Метки: мдп-структур, параметров, регистрации

...через индикатор синфазности, инвертор и образцовый резистор к своему входу 2 .Недостатком известного устройства являются относительно низкая точность и ограниченные функциональ ные воэможности, обусловленные тем, что выходные сигналы несут информацию лишь о емкости и проводимости всей МДП-структуры в функции прило женного напряжения смещения. Для получения зависимостей емкости и проводимости только полупроводниковой части в функции от падающего на ней напряжения смещения необходимо про вести соответствующие вычислительные операции. При этом происходит также и трансформация погрешностей данного устройства в большую сторону в тех случаях, когда комплексное сопротивление изолятора больше комплексного сопротивления полупровод- никовой части...

Номер патента: 791124

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Батавин, Гуляев, Жаворонков, Ждан, Сандомирский, Ченский

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, носителей, подвижности, полупроводниках, примеси

...Сп шийс тели возб лучением по п. м, чт ют эл,отличаюнеосновные носкктромагнитным иэ(54)(57) 1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯКОНЦЕНТРАЦИИ ПРИМЕСИ И ПОДВИЖНОСТИНОСИТЕЛЕЙ В ПОЛУПРОВдДНИКАХ, основанный на измерении электропроводности, напряжения Холла и определении концентрации примеси и подвижности носителей расчетным путем,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью повышения точности, образец перед 3. Способ по п.ш и й с я тем, чтовозбуждают корпуску4. Способ по п,щ и й с я тем, чтовозбуждают электрич лича юовные носитеизлучением л ича ю вные носител полем. еоснярнымо теосноским и,80791124 где К постоянная Больцман заряд электрона: Ч - высота равновесного ного барьера в иссле образце ф791124 Фректор А. Ференц . ктор О. Юркова Техред ВЯалек раж...

Номер патента: 1045177

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Алексеева, Ефимова

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: диэлектрических, защитных, испытания, покрытий, полупроводниковых, приборов

...плоских закругленных металли.ческих электродов, размещенных на поверхности исследуемого диэлектрического покрытия, введена подложкаиз диэлектрического материала, система электродов выполнена в виде ппротяженных центральных электродов,по обе стороны каждого из которыхразмещены щ боковых электродов, приэтом подложка расположена на систеЗ 5 ме электродов со стороны, противоположной исследуемому покрытию,выступы которого размещены в зазорах между соответствующими боковымии центральными электродами, величи на укаэанных зазоров равна ширинеобласти объемного заряда на поверхности р-и перехода полупроводникового прибора, а его протяженностьпериметру р-и перехода, причемудельиоесопротивление подложки определяется из соотношения ельные...

Номер патента: 1045310

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Ахманаев, Данилов, Детинко, Медведев, Петров

МПК: H01L 21/66

Метки: датчик, параметров, полупроводников, электрофизических

...20свободным торцом штыря и широкойстенкой волнонода. Основным достоинством этих датчиков является высокое пространственное разрешение,которое определяется диаметром свобод, ного торца штыря 1 ),Недостатками известных датчиковявляются необходимость приготовления полулроводниковых пластин определенной толщины, трудоемкая операция размещения исследуемого образца внутри волновода под свободнымторцом штыря и узкий диапазон измерения удельного сопротивления(= 10 - 10 Ом см) .Наиболее близким по техническойсущности и достигаемым результатамк предлагаемому является датчик,содержащий СВЧ-резонатор кваэистатического типа с первым и вторым элементами сняаи и измерительным отверстием связи в торцовой стенке,в котороЕ введен индуктивный...

Номер патента: 1045313

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Шабанов, Шенгуров

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, проводимости, слоев, структур, типа

...цншии компоцецтцв, мсГ.(Г:П.)явиковая к 31 слОтс 2,0-;Вода Остальцое а тип проводимости ццредслякт из соотццшеия линейных размеров образовавшихся ямок, причем меньшие размеры ямок соотвлствуют слоям р-типы, ы большие п-типа.На фиг. 1 приведена диаграммы, цокызыБаюшд 51 ОГряничеци 51 15)смени т")ЯБ 1 ец 3)я. П,101 НОСТИ ТЦКЯ И КЦЦЦ(сЦТРЯЦИИ 1)пасЗИКОВЦИ кислоты цри рса,тизации изобрстеция; цы фи 2 х 3 крсс)цтц рафия ск(кы эпитыксиалыкй л руктуры р-и-п тица Ны фи. 3 м и к р О ф ц т 0 Г 1) я ф и и я м ц к т р а Б, ) с ц и я д Г 1 я п,1 ы стин с рызг)ичный т)Г 1 цм прцвц,ихО(ти рызц удсльцым сспрц)3 Гзг)сиисм.На фиг. 1 осизцачсно: область 1 фцрми- Г)овация коричневой пленки цы ццвсрхцост; скоса, которая це позволяет цаблкдать ях)к 1,...