H01L 21/66 — испытания или измерения в процессе изготовления или обработки

Номер патента: 421959

Опубликовано: 30.03.1974

Авторы: Борисов, Шамов, Экслер

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: лавинным, механизмом, п-переходов, полупроводниковых, приборов, пробивного, пробоя

...полупроводникового прибора. Цель изобретения - повышение точностиизмерений.Цель достигается тем, что по предлагаемому способу ца импульсы низкочастотного на 5 пряжения. подаваемые на контролируемыйр - и-переход, накладывают высокочастотныйсигнал и в момент прохождения через нульвысокочастотной фазовой характеристикир - и-перехода измеряют текущее значение амО плитуды на р - гг-переходе, равное напряженио пробоя,Блок-схеха устройства, рпредлагаемый способ, представ,теже.15 Пробивное напряжение измеряют следуощим образом.Генератор 1 нарастающего ццзкочдстотцо.го напряжения вырабатывает импульсы, цакоторые цакладыва 10 тся импульсы Высокоча 2 О стотного напряжения от генератора 2, частотукоторого выбирают цз условия...

Номер патента: 425140

Опубликовано: 25.04.1974

Авторы: Ордена, Пожела, Толутис

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: бесконтактного, параметров, полуметаллов, полупроводников

...+ (фмин(фмакс) тактная колодка 2 б, штеккерная часть 27, контактный разъем 28, коаксиальные кабели 29 и 30.При работе с устройством включается электромагнит, между полюсами которого возбуждается постоянное магнитное поле В. От генератора 1 электрический сигнал высокой частоты через коаксиальные кабели подается в катушку возбуждения 9, Возникающее внутри катушки 9 переменное магнитное поле В в присутствии постоянного магнитного поля В возбуждает в образце магниточлазменные волны круговой поляризации ,волновой вектор К//В). Магнитные составляющие магнитоплазменных волн возбуждают в индикационной катушке 7 э.д.с. высокой частоты, которая подается через коаксиальные кабели 30 в детектирующий блок 3, Относительная величина э.д.с....

Номер патента: 429385

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Еньшин, Окружнов, Стручаев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: диодов, формовкиполупроводниковых

...б, посылая тактовые импульсы, которые совместно с информацией, получаемой от счетчиков 9, 10 и ячеек 4, б, 12 памяти, через схемы совпадения 7, 8 и 11 управляют включением источника 1 и блока 3.С приходом первого тактового импульса на входах схемы совпадения 8 создается комбинация сигналов, составленная из логических единиц, так как наличие тактового импульса, исходное состояние счетчика 10 и начальная информация ячейки Б памяти представляют25 собой логические единицы. При этом на выходе схемы совпадения 8 появляется сигнал, который, воздействуя на источник 1, заставляет последний пропустить через диод импульс тока, форма и мощность которого определена состоянием счетчика 10.Спад первого тактового импульса приводит к спаду сигнала...

Номер патента: 430338

Опубликовано: 30.05.1974

Авторы: Белова, Институт, Петраченок, Соколов, Степанов, Электроники

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковыхматериалов, электрическихпараметров

...регистрирующий узел,Устройство работает следующим образом,Если отсутствует магнитное поле, мостовая схема балансируется изменением величины тока, стабилизированного элементом 3. Когда с помощью магнита 6 к полупроводниковому кристаллу прикладывается магнитное поле, в измерительной диагонали моста образуется напряжение разбаланса, поступающее через усилительный каскад на транзисторе 7, между коллектором и базой которого включена цепочка из элементов 8 - 11, на вольтметр 12.Анализ работы мостовой схемы с токостабилизирующим элементом с учетом соотношения (1) показывает, что напряжение разбаланса мостовой схемы ЬУ, возникающее в случае приложения к исследуемому полупроводниковому кристаллу магнитного поля, связано простым соотношением с...

Номер патента: 434341

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Выгловский, Горохов, Изобретеии, Хррошков

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28, H01L 21/66 ...

Метки: восстановления, проверки, структур, транзисторных

...точ теля, а один из полюсов этого соединен с источником напрян прямитель.На чертеже схематично из лагаемое устройство,Оно включает в себя характериограф 1,группу зондов 2, 3, 4, источник переменного напряжения 5, диод 6, тслефонныш ролпковып ключбез фиксации ролика и контактный О стол 8.Устройство работает следующим образом.Пластину 9, имеющую многоэмпттерныеструктуры, состоящие из гг параллельно соединенных менгду сооои ячеек, каждая из кото рых содержит р - гг-переход и последовательновключенное в цепь эмиттера балластное сопротпвлеьп 1, помещают на стол 8 и подводят зонды так, ч;обы зонд 2 располагался на базовой контактной плогцадке, а зонды 3 и 4 - 30 на эмиттсрных.434341 тавнтель 3. ЧелноковаТекред Н. Куклина едактор рлова...

Номер патента: 436303

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Институт, Кумис

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: выпрямляющих, контактов, сопротивления

...пользуяоник г=4 Уо З 12 Известен способ выявления выпрямляющих контактов, основанный на 1 подаче переменного напряжения на два,контакта образца, измерении постоянной составляющей тока, протекающего через образец, и вычислении эффективного коэффициента выпрямления контактов. Однако в известаом способе эффективный коэффициент не дает возможности непосредственно вычислить величину сопротивления симметричных выпрямляющих контактов.Цель изобретения - повышение точности измерений,несложных выкладок можно п(5) 10 Очевидно, что при другой зависимости г(У)амплитуда измеряемого напряжения тоже будет апределяться выражением (9), только (6) под г следует подразумевать разность междупрямым и обратным сопротивлением,выпрямляющето контакта. 6= -(...

Номер патента: 438946

Опубликовано: 05.08.1974

Авторы: Пожела, Ряука, Толутис

МПК: G01R 31/265, H01L 21/66

Метки: бесконтактного, коэффициента, металлах, полупроводниках, холла

...в виде тонкой плоскопараллельной пластинки толщи ной д, примерно в 5 раз меньшей других размеров, Обычно пластинке придают форму квадрата, Если материал анизотропен или квазианизотропен, плоскости пластинки выполняют параллельными кристаллографичес ким плоскостям, в которых проводимость изотропна, т. е. компоненты теизара электропроводности Ьи Л, соответствующие любым перпендикулярным направлениям О, и Ов плоскости образца, равны (Я=Я). Напри мер, для л - бе это плоскости (100). Образецпомещают в постоянное магнитное поле Во, перпендикулярное плоскостям образца. Величину Во подбирают такой, чтобы выполнялось условие Во) р -(или просто увеличивают 25 до возникновения незатухающих колебаний).При Во) р- в образце могут распространяться...

Номер патента: 438950

Опубликовано: 05.08.1974

Авторы: Гельман, Дубовицкий, Шипков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: вентилей, испытания, полупроводниковых

...амплитуды испытательного напряжения от напряжения класса испытуемого вентиля со сравнивающего устройства 22 выдается сигнал, пропорциональный величине рассогласования, на усилитель 24, который подает усиленный сигнал рассогласования на вход блока управления 7 защитным тиристором для изменения угла задержки включения тиристора 2. При этом напряжение на конденсаторе 1 изменится до величины, при которой амплитуда вторичного испытательного напряжения будет равна напряжению класса испытуемого вентиля.После прохождения однополярного испытательного импульса конденсатор 1 перезаряжается через диод 6, индуктивность 4 и первичную обмотку согласующего трансформатора 10, вызывая перемагничивание сердечника трансформатора в обратном...

Номер патента: 439770

Опубликовано: 15.08.1974

Авторы: Батогов, Кадеш, Мартынов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: допустимым, значениям, коммутирующего, нарастания, разбраковки, симисторов, скорости

...мым значениям скорости нарастания коммутирующего напряжения, содержащее источник тока, источник коммутирующего напряжения, блок визуальной синхронизации момента приложения к симистору коммутирующего напряжения с моментом достижения максимума тока восстановления, симистор, блок регулирования скорости спада тока при его переходе через нуль, блок коммутации симистора и блок управления.Известное устройство имеет существенный недостаток из-за наличия блока визуальной синхронизации момента приложения к симистору коммутирующего напряжения с моментом достижения максимума тока восстановления симистора, осуществляемой вручную с наблюдением формы тока и напряжения на двухлучевом осциллоскопе, что приводит к субъективным ошибкам: низкой точности...

Номер патента: 442398

Опубликовано: 05.09.1974

Авторы: Белановский, Коломейчук, Малин

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: поверхностной, полупроводниках, рекомбинации, скорости

...возникающий бо в конденсаторных обкладках 11 и 12: в результате освещения полупровод-ника 13 и поступающий после усили-теля 1 Ф на вход пластин вертикального отклонения осциллографа 15, 55 не имеет одинаковой фазы с возбуждающим светом. Он запаздывает иа фазовый угол, который определяется временем жизйи неосновййх 1 носителей тока и частотОЙ модуляции, т., е. скоростью позерхностиой рекомбйыации. 4Чтобы определить фазовый сдвиг,иа вход пластик горизоитального отклонения осциллографа 15 с помощьюэлектронного формирователя импульсов тока 1 подается электрический -экспоиенциальный опориый сигиал,постоянная времени которого определяется Ж-цепочкой 16; При этом опорный сигнал не совпадает по фазе овозбуждающим светом.Так как сигналы,...

Номер патента: 443339

Опубликовано: 15.09.1974

Авторы: Овчаренко, Севостьянов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: контакта, металл-полупроводник, сопротивления, электрического

...спруктуры,Сущность предлатаемого способа заключается в следующем. При подаче на сток по 15 стоянного напряжения Р и на затвор постоянного напряжения Ро имеющего р - и-переход в прямом направлении (переключатель Вв положении 1), в цепи стока протекает ток201 о, а в цепи затвора - ток 1 о .1Ток затвора устанавливается так, что вы.,полняется условие 1 р, 7 а,. Напряжение настоке выбирается так, чтобы верхний и нижний р - и-переходы были смещены почти по5 всей длине и прямой ток затвора протекал через нижний р - и-переход преимущественнопод контактом истока,Направление преимущественното протека.ния тока затвора показано на чертеже стрел 30 кой с обозначением Уа443339 Предмет изобретения Отсюда Лзс -Л 1 о: о Составитель Т. Дозоров Редактор...

Номер патента: 443341

Опубликовано: 15.09.1974

Авторы: Дмитриев, Малкин, Мастеров, Царенков

МПК: H01L 21/66

Метки: закона, измерений, квазиконтактного, перехода, потенциала, примесей, р-п, распределения

...частоты 5, детектор б, сравнивающее устройство , первый генератор экспоненциально падающего напряжения 8, блок синхронизации 9, второй генератор экспоненциально падающего напряжения 10, управляемый ключ 11, переключающее реле 12 и осциллограф 13.Устройство работает следующим образом, Блок синхронизации (СИНХР) периодически с частотой /=400 Гц запускает оба генератора экспоненциального напряжения ГЭНи ГЭН. Зависимость напряжения (У 1) на выходе ГЭНимеет вид:г.гг= г.гог ехртгде тг - постоянная времени спадания напряженич, которая дискретно (или непрерывно) может быть пзменена оператором, но выбирается такой,1чтооы т 1 (Зависимость напряжения (г.,г 2) на выходе ГЭНимеет вид;(/02 ехртггде т 2 - постояиная времени спадания напряжения,...

Номер патента: 446853

Опубликовано: 15.10.1974

Авторы: Касперович, Курлович, Пыж

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: замыканий, коротких, обрывов, транзисторов, фиксации, электродов

...прикладывается на вход усилителя 7, сигнал с которого вызывает сра батывание триггера 8, и включает индикатор9, Включение индикатора 9 сигнализирует о том, что испытуемый транзистор 3 и само устройство исправны. При включенном токе эмиттера испытуемый транзистор 3 находится 20 в режиме усиления.Перед проверкой на отсутствие коротких замыканий и обрывов прп испытаниях на механическую прочность необходимо сбросить триггер 8. При последующем возникновении 25 короткого замыкания или обрыва испытуемого транзистора 3 в точке А возникает испытуемый сигнал, который поступает на вход усилителя 7 и вызывает включение индикатора 9, срабатывание которого сигнализирует о воз никновении обрыва или короткого замыкания. Шубина Техред М, Семенов...

Номер патента: 446854

Опубликовано: 15.10.1974

Авторы: Петров, Руменник, Смолянский, Штанин

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: качества, конструкции, полупроводниковых, приборов, соединений, элементов

...отличается от прогрева кристалла у бездефектного образца, В связи с этим скорость изменения измеряемого температурно- чувствительного параметра у дефектного образца больше, чем у бездефектного образца,446854 Предмет изобретения о 6. дрейя Фиг 45 0 г Составитель 3, Челноковаедактор И. Шубина Техред М. Семенов орректор А. Дзссов аказ 962,19 Тираж 678ЦНИИПИ Г Совета Министров ССи открытийя наб., д. 4/5 Изд.1211осударствен ного комитета по делам изоб 1;гтений Москва, Ж, Раушска дпнспос ипография, пр. Сапунов На фиксации различий указанных скоростей иоснован способ контроля качества соединений,На фиг. 1 показаны осциллограммы изменения температурно-чувствительного параметра 5для дефектного и бездефектного образцов; нафиг, 2 - скорости...

Номер патента: 449322

Опубликовано: 05.11.1974

Автор: Терентьев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых, приборов

...во времени. Затем определяют спектральную: мощность разностного сигнала, которая позволяет судить о величине нестабильности и ее распределении по частотному диапазоОписываемый способ позволяет получить более полную информацию о поведении транзистора во время испытаний, формированне фазоманипулирозанного сигнала обеспечивает высокую точность и помехоустойчивость последующих преобразований;фазоманипулированный сигнал является хорошим приближением для теоретически оптимального сигнала, обеспечивающего при измерении наибольшее отношение сигнал/помеха; использование простых преобразователей развертывания, вычитания упрощает аппаратурную реализацию способа.Предмет изобретенияСпособ измерения параметров полупроводниковых приборов, например...

Номер патента: 451027

Опубликовано: 25.11.1974

Авторы: Щербаков, Щербакова

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: параметров, свч-транзисторов

...оказываются для режима большого сигнала недостаточно т целью повышения точности измеренеменно с подачей сигнала на вход стора на его выход подают вс ный сигнал, отличаюшийся по мплитуде от рабочего сигнала особ осушествляется след мерительного сигнала в выходной и вход-,ной СВЧ-цепях транзистора. При этомдля оЬеспечения высокой точности йзмерений мощность измерительного сигналаустанавливают такой величины, чтобы онсущественно не влиял на режим работытранзистора, задаваемый рабочим сигналом,а расстройку частот измерительного и ра,бочего сигналов выбирают минимальной,но достаточной для уверенного разрешенияизмерительного сигнала частотно - избирательной аппаратурой,На чертеже схематически показан одиниз вариантов осуществления...

Номер патента: 452792

Опубликовано: 05.12.1974

Авторы: Гончаренко, Королев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, мдп-структуры, неосновных, носителей, полупроводнике

...как постоянным поддерживается объем обедненного слоя. Для поддержания постоянной емкости необходимо изменять напряжение, приложенное к МДП- структуре, пропорционально количеству накопленного вблизи границы раздела эврядв, генерированного во всем объеме обедненного слоя. Время жизни ( неосновных носителей заряда связано с изменением напряжения на МДП-структуре следующей формулой ческих свойст луп ерени особы из гх носите я времени ряда в лов подаче н егистрвции жизни неосновнлупроводниках,МДП-структурьизменения егоНедостаток ей звгиеся кпючаю напряже о времен и и,бо стоит в х спос значительном объе счетов и снижении математических раезупьтвте этого то эультатов,лью повышения т ост С це согласно МДП-ст путем и ности измерений,пособу,...

Номер патента: 452793

Опубликовано: 05.12.1974

Авторы: Матвеев, Сурин

МПК: H01L 21/66

Метки: бесконтактный, двухслойных, параметров, полупроводниковых, структур, электрофизических

...исследуемой ие структуры.Поставленная цельтому, что измеряют веструктуры, соответстви минимальным потеряпри синфазном и протиях осевой компонентынитного поля, затем рп игается бл агодаряия ичину смеше юшую максимм, последовате льным н офазном напр апряженности ределяют иско влепи мамый И плос параметр шения стСушно ется черОбраз казыва руктуры, сть предложе тежо м. тству инфаз соотО(при ясняго спосо в 1, 2,аторагполеесостоя ший из с такс помешаюми 3,4ными вбольшой Т МЕЖДУ СООСНЬэлектромагнит иде плоских спплотностью вит тми конце ного поля,гдем иральных к ков в центр е ум го зависимости от величины смеисимости от смешения структурычто величина смешения Кмаксюшая максимальным потерямном включении), равна:412 Ф 2 (2 бД+б 1 2452793...

Номер патента: 456203

Опубликовано: 05.01.1975

Авторы: Лауринавичюс, Пожела

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: концентрации, носителей, полупроводниках

...15 резонанса и помещенного между полюсами 14,15 электромагнита.При измерении концентрации носителей тока с помощью электромагнита в исследуемом образце 1 создают магнитное поле, а через су женный коленец прямоугольного волновода 5возбуждают геликонную волну в определенном месте образца 1. Изменяя напряженность магнитного поля, добиваются возникновения геликонного резонапса в образце 1, что прояв ляется в уменьшении сигнала, отраженного отобразца, до минимального значения. Отраженный сигнал через ответвитель 7 поступает к детектору 10, где детектируется и подается па вход усилителя 11. С выхода усилителя 30 сигнал поступает на У-вход двухкоординатно456203 го самописца 12, На Х-вход самописца пода- рядок геликонного резонанса; вт,...

Номер патента: 457941

Опубликовано: 25.01.1975

Авторы: Левитас, Рагаускас

МПК: H01L 21/66

Метки: кривой, поверхности, полупроводников, поля, электромагнитного, эффекта

...последовательно с выходом генератора сигнала и полевым электродом.На чертеже изображена функциональнаясхема устройства.5 Предлагаемое устройство состоит из полевого электрода 1, расположенного вблизи поверхности полупроводникового образца 2, который подключен к источнику постоянного тока 3 и одному входу двухмерного выходного О прибора 4, и генератора сигнала 5, соединенного последовательно с отрицательной емкостью б и полевым электродом 1, а также со вторым входом выходного прибора 4.Предлагаемое устройство действует следу ющим образом.При подаче сигнала генератора 5 на полевой электрод 1 через поверхность образца 2 протекает ток сигнала, Падения напряжения на отрицательной емкости б и на емкости за зора между полевым...

Номер патента: 458062

Опубликовано: 25.01.1975

Авторы: Морозов, Петров

МПК: G01R 1/067, G01R 31/26, H01L 21/66 ...

Метки: диэлектрических, емкостных, зонд, полупроводниковых, структур, характеристик

...лемент 3, с 2. аботает сл я емкостных харак х и полупроводник полусферу 1, втулк оединяющий полусф м образом,Изобретение относится к электронике и может использоваться для исследования полупроводниковых и диэлектрических структур.В настоящее время С(Р) -характеристики снимаются при помощи контактных металлических пленок, напыленных или осажденных на поверхность структуры полупроводник-диэлектрик.Однако использование известных контактных пленок не обеспечивает контроля пара метров образца до напыления в процессе обработки и невозможность снятия С-характеристик в любой точке образца. Помимо этого, сам процесс напыления пленочного контакта может изменять свойства структуры, что 1 затрудняет процесс исследования.Целью...

Номер патента: 465602

Опубликовано: 30.03.1975

Авторы: Евстропов, Именков, Попов, Царенков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: величины, заряда, объемного, перехода

...изоб ения Способ определения велич 10 заряда р - п-перехода путем экспериментальной зависимос кающего в прямом направле переход, от времени в интер ном моментом включения ток 15 реход и моментом окончания ной емкости, о т л и ч а ю щ и " целью снижения трудоемкос тегрирования, регистрируют ния зарядки барьерной емко 20 во времени током по момент минесцентного излучения р -Изобретение относится к способам определения величины объемного заряда.Известен способ определения величины объемного заряда р - п-перехода путем интегрирования зависимости тока от времени при изменении напряжения на р - и-переходе.Недостатком известного способа является невозможность фиксации момента равенства нулю объемного заряда по моменту начала уменьшения...

Номер патента: 468198

Опубликовано: 25.04.1975

Авторы: Алиев, Амурбеков, Крылов, Митрофанов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: неоднородности, полупроводников

...попадает на третью ПТК 12,При наложении на образец импульсного магнитного поля с частотой 50 гц в каждой точке исследуемого полупроводника происходит поворот плоскости поляризации 15 проходящего излучения. Угол поворота плоскости поляризации пропорционален локальным концентрациям свободных носителей в зондируемом объеме. В результате на третью ПТК 12 попадает излучение, моду- р) лированное в плоскости, перпендикулярной оптической оси, по интенсивности, несущее информацию о координатном распределении свободных носителей в образце. На первую ПТК 7 попадает излучение, несущее информацию об отражении, а на вторую ПТК 8- о поглощении в исследуемом образце.При включении трехконтактнцио включателя 18 сигналы с выходов ПТК подаются на...

Номер патента: 473132

Опубликовано: 05.06.1975

Авторы: Касперович, Пыж

МПК: H01L 21/66

Метки: измерителю, параметров, подключения, приборов, электронных

...соединены с логическим устройством.Схема предложенного устройства пр а 5 на чертеже.Исследуемый прибор (ИП) устанавливается в узел подключения 1. 11 ри этом электроды 2 и 3 прибора замыкают рабочий контакт 4 с контрольным контактом 5, а рабочий кон такт б - с контрольным контактом 7. Логическое устройство 8 подает запускающий сигнал на вход первого усилителя-формирователя 9, С выхода усилителя-формирователя 9 сигнал через импульсный трансформатор 10, 15 разделительные диоды 11, 12, контакты 4, 5 иэлектрод 2 поступает на вход второго усилителя-формирователя 13. Прохождение этого сигнала возможно только при наличии электрического контакта между электродом при бора и рабочим контактом. Так же осуществляется связь между вторым 13 и третьим...

Номер патента: 480029

Опубликовано: 05.08.1975

Авторы: Иванов, Манаенков, Седов, Урывский

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, пластине, полупроводниковой, примесей

...фаз поперечной компоненты отраженной и падающей волны;6- разность фаз параллельной компонентыРаспределение концентрации примеси по толщине полупроводниковой пластины определяют следующим ооразом. Образец с неизвестным распределением примеси помещаюв приставку НПВО и, посылая на образец излучение меняющейся длины волны от мо. нохроматора, регистрируют изменение относительной разности фаз отраженной и падающей волн. Изменение фаз компонент отраженной и падающей волн определяют по форму- лам 25)з 1 п" О, - ии-созе - (2)2 я и 30 б созОпзд 1 яп 6 пд и2 зг иГлубину проникновения излучения можно определить как расстояние от границы раздела двух сред до того уровня, на котором амплитуда электрического поля уменьшается в 1 раз Лггр - (4)2...

Номер патента: 480144

Опубликовано: 05.08.1975

Авторы: Орлов, Пергунов, Симакин, Ушаков

МПК: H01L 21/66

Метки: лентоносителе, параметров, полупроводниковых, приборов, электрических

...головки неподвижно установлен профильный кулачок 6. Предметный столик 7 выполнен с вырубным штампом 8. В столике 7 имеется паз 9 для прохода контролируемого прибора, а перпендикулярно ему в п 10, в котором по шаровым опорам 11 перемещается П-образный упор 12 (фиг. 2), соединенный с рычагом 13 через толкатель 14, взаимодействующий с профильным кулачком 6. Рычаг 13 подпружинен к корпусу посредством пружины 15 (фиг, 3).Для зажима и фиксации лентоносителя в определенном положении на позиции измерения полупроводникового прибора в устройстве используются два механизма зажима.Устройство работает следующим образом.При включении привода перемещения лентоносителя - шагового механизма (на чертежах не показан) полупроводниковый прибор с...

Номер патента: 481863

Опубликовано: 25.08.1975

Автор: Каплан

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, измерителя, постоянной, проверки, транзисторов, эталон

...Однако ему свойственна низкая точость измерений после проверки из-за еэквивалентности К и С параметрамэт эт ния - повышение точноодиапазона измерений. то тем, что конденсатор1 клеммами коллектора и между клеммами эмиттетного устройства.едена схема эталона, а подключения его к изр ЯЭталон содержтт конденсатор 1, резисто ,2 и контактное устройство 3 (ЕСВ).Контактное устройство 4 измерителя содержит паразитную индуктивность 5,паразитную емкость 6, разъем 7 дляподключения высокочастотного генератора,разъем 8 для подключения вольтметра,контактные гнезда 9 для подключения эталона,Для проверки измерителя эталон подключается к контактному устройству 4.На разъем 7 подается сигнал от генератора. Вольтметром через разъем 8 измеряютсигнал помехи....

Номер патента: 489049

Опубликовано: 25.10.1975

Авторы: Жебрюнайте, Левитас, Пожела, Сталерайтис

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: носителей, поверхностной, полупроводников, рекомбинации, скорости

...поле; .ае 4 гостоянные,Способ измерения скорости поверхности й рекомбинации заключается в следуюшем,Под воздействием силы Лоренц, процор 25 циональной величине силы ток е 7 и и,., ТИ МВГНИ ТНОГО ПОЛЯ .Г И НВПРВВ,.);1 ендйкул)ярно К ГраНЯМ 1 скороСТЬ-"ной рекомбинации на ОднОЙ из ,;ется) а на противополоиной соз);)Вст с болу цюй с: о о)т ю реком ) 5у этих граней происходит о кло:- . ;Ины кс пснтрации носи. елей отНОЙ. 1.".) Е;ПГ 1 ИЕ В ОТК ЛОНЕ Ь.5 и, М 8%С КРатг)Д ЭКСПОЕЬЦИЬНО ): МЕНбидот, апой диффузии,,.и О)В).с;с.Г)рот;:ь),поло;кн)ыми Гэ)ая:;м)р н;" ,.ревышаюшем длину биполярной диф:, ."рость пдве)эхностнОЙ рекскоинВцииГРВН-.Й, ОПРЕДЕЛЯЮИ в ;и ВМЕСТЕ:,)и гарамеграми полупроводника "ной силы Лоренца величину от".онцентрации от...

Номер патента: 489050

Опубликовано: 25.10.1975

Авторы: Кириллов, Шатило

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, рассасывания, транзисторов

...лабоио.раториях при разработке импульсных схемна транзисторах.1 В известном устройств. при иэм времени рассасывания транзисторов мер, поря;,ка 10 нсек и меньше,фо Р ние подаваемого в базу транзистор да тока с очень малой длительност него фронта сложно. Например, для ния 1 с погрешностью не рвс, напри рмн рова пегепвю передиэмере 10% хуже диего фронта пере нсек. Однако о репвдов базового то ими параметраминьц кв иевозм Цель изобретения - упростить устройст-во для измерения времени рассасываниятрвнзис горов, повысить точность измеренийи уменьшить его габариты и стоимость,Это достигается тем, что б."ок формирования испытательного сигнала выполнен в рЕ виде кольпевого генератора, состоящего изоднотипных логических схем, И-ИЛИ-НЕ,...

Номер патента: 490047

Опубликовано: 30.10.1975

Авторы: Денисюк, Копыл

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, потенциально-нестабильных, приборов

...полупроводниковых диодов и транзисторов путем измерения интенсивности шумов. В известном способе измеряется интенсивность шумов в эксплуатационном режиме и при приложении к прибору обратного напряжения, По отношению результатов измерения судят о потенциальной стабильности приборов.Недостатком известного способа является невозможность обнаружения объемных дефектов, например микротрещин, неоднородностей материала и ограниченность применения только для испытаний транзисторов и диодов.Целью изобретения является повышение достоверности и расширение функциональных возможностей измерений.Цель изобретения достигается тем, что после измерения интенсивности шумов в эксплуатационном режиме пропускают через испытуемый прибор импульс тока, в 1,5 - 5...