H01L 21/66 — испытания или измерения в процессе изготовления или обработки

Страница 10

Автомат для классификации полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 951485

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Новолаев, Серебрянников, Титенков, Фрумкин

МПК: H01L 21/66

Метки: автомат, классификации, полупроводниковых, приборов

...с профильным кольцом 6, аксиально закрепленным на транспортирующем роторе 7, ограничительной скобы 8 с регулируемыми упорами 9 и10, контактного механизма 11, рычага12, торцового кулака 13, привода 14, электродвигателя 15. Разгрузочное устройство включает в себя электромагнит16, тягу 17 и откидывающую площадку18. Магазин 19 имеет четырнадцать емкостей для рассортированных приборов,Автомат работает сждующим образом,Из вибробункера 1 сориентированные приборы поступают в загрузочный лоток 2. Лоток 2 закреплен на оси 3 и через ролик 5 подпружиненного рычага 4 находится в контакте с профильным кольцом 6, При совмещении лотка 2 с гнездом в роторе 7, подпружиненный ролик 5 скатывается в паз кольца 6 и увлекает лоток 2 в направлении,...

Устройство контроля пробивного напряжения мдп-структур

Загрузка...

Номер патента: 958986

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Адаскин, Мишин

МПК: G01R 31/30, H01L 21/66

Метки: мдп-структур, пробивного

...резистор 24 цепи коррекции,другой вывод которого соединен с выходом интегратора 23, выход. Усилителя постоянного. тока подключен к первым входам основного компаратора 18 10и комйаратора 19 коррекции, второйвход компаратора 19 соединен с шиной нулевого потенциала, его выходсвходами. триггера 20 и блока 1 управления, второй вход которого соединенс выходом элемента 21 совпаденияпервый вход которой соединен а выходом основного компаратора 18, второй вход - с выходом трйггера 20, второй. вход которого соединен с четвертымвыходом блока 1 управления, пятый,шестой и седьмой выходы которогосоединены соответственно. с вторымивходами интегратора 23, элемента 25.защиты и дополнительного ключа 22 интегратора, второй вход которого .соединен с...

Способ измерения профиля концентрации примеси в полупроводниках

Загрузка...

Номер патента: 958987

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Овчаренко, Панасюк, Смирнов

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, полупроводниках, примеси, профиля

...собой одну из одинаковых МДП-структур, сформированныхв едином технологическом процессе,й служит только для определения понему экспериментальным путем пара"метров импульсов формовки (амплитудыи их количества), измеряют неравновесную вольт-фарадную характеристи.-".,ку. По ней определяют величину обедняющего напряжения, соответствующегоминимальной емкости структуры, постоянную величину эмйссии неосновныхносителей с ловушек диэлектрика ь.,время жизни неосновиых носителей внеравновесной области пространственного заряда полупроводника , толщину неравновеснойобласти пространственного заряда при ее пробое И и .скорость насыщения дрейфа носителей Ч .Используя полученные параметрызадают амплитуду импульса формовки,которая должна...

Способ измерения э. д. с. холла

Загрузка...

Номер патента: 960680

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Манкулов, Марасанов

МПК: G01R 31/265, G01R 33/07, H01L 21/66 ...

Метки: холла

...участка.На чертеже приведено устройство реализующее предлагаемый способ.Устройство содержит два соосных магнитных зонда 1 и 2, которые являются составной частью магнитопровода электромагнита 3, причем размеры поперечных сечений магнитных зондов 1 и 2 равны. Магнитный зонд2 укреплен на измерительном столена котором расположена полупроводниковая пластина 5, таким образом, цто участок 6, в котором измеряется ЭДС Холла находится в зазоре между магнитными зондами 1 и 2. По границе б участка 7 установлены четыре электрических зонда: два токовых 8, 9 и два холловских - 10 и 11Предлагаемое устройство позволяет обеспечить .резкий перепад индукции магнитного поля до нуля на границе 6 измеряемого участка 7.При протекании тока между токовы.ми...

Устройство для контроля радиодеталей по внешнему виду

Загрузка...

Номер патента: 961005

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Кононов, Махаев, Миненков

МПК: H01L 21/66

Метки: виду, внешнему, радиодеталей

...приводом 6, вращающим транспортные каналы 7, образованные тремя струна ми 8. На шестернях 3, соосно странспортными каналами 7, крепятся загрузочные гнезда 9 с Фиксатором 10 и межоперационной тарой - загрузочными пеналами 11. Под транспортными каналами 7 расположен сменный экран 12, приводимый в движение механизмом подъема 13.Устройство работавт следующимобразом.Пеналы 11 с микросхемами Э вставляются в загрузочные гнезда 9, которые крепятся на шестернях 3 с отверстиями 4 для входа и выхода ИС 5, находящихся на торцевой стороне 2 корпуса 1 устройства. Загрузочные гнезда 9 выполняются соосно с транспортными каналами 7, транспортные каналы 7 для ИС в корпусе ДИП образованы тремя струнами 8, имеющими общий механизм натяжения. Затем...

Способ определения поверхностного электростатического потенциала полупроводника

Загрузка...

Номер патента: 782510

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Версоцкас, Кальвенас, Михаляк

МПК: H01L 21/66

Метки: поверхностного, полупроводника, потенциала, электростатического

...термоэдс от постоянного напряжения на емкостном контакте с ес теоретической зависимостью от поверхностного электростатического потенциала полупроводника при фиксированной энергии электромагнитного излучения.Данный способ осуществляют следующим образом.К полупроводниковому образцу с одним металлическим и другим емкостным контактами прикладывают постоянное смещающее напряжение такой малой величины, чтобы существенно не нарушалось термодинамическое равновесие между свободными носителями тока и решеткой полупроводника. Измеряют суммарную емкость образца С, состоящую из емкости области поверхностного пространственного заряда С,-, и емкости диэлектрика Со, под емкостным контактом в зависимости от величины постоянного смещающего напряжения...

Тестовая структура для контроля отклонений размеров элементов интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 963121

Опубликовано: 30.09.1982

Автор: Устинов

МПК: H01L 21/66

Метки: интегральных, отклонений, размеров, структура, схем, тестовая, элементов

...резисторы 36, прямоугольный элемент 7 из поликристаллического кремния, прямоугольные окна 8 в диэлектрическом слое 9,проводники 10, контактные площадки11, прямоугольные области 12 с меньшим 1 чем у резисторов удельным сопротивлением.Пример применения тестовой структуры (ТС), имеющей прямоугольные области с меньшим, чем у материалатонкопленочных резисторов удельнымсопротивлением (фиг. 1 и 3).На окисленную поверхность 1 полупооводниковой подложки 2 нанесенылитографические слои, в которых выполнены тонкопленочные резисторы 3-6.Каждый из них представляет собой пря;моугольный элемент 7 из поликристаллического кремния, к которому сверхучерез прямоугольные окна 8 в диэлектрическом слое 9 контактируют проводники 10 и контактные...

Иглоноситель для контроля полупроводниковых микросхем

Загрузка...

Номер патента: 964556

Опубликовано: 07.10.1982

Авторы: Гохт, Зеевалд, Крюгер

МПК: G01R 1/00, G01R 31/28, H01L 21/66 ...

Метки: иглоноситель, микросхем, полупроводниковых

...множества одинаковых изогнутых остриев игл, чтобы игла была образована заменяемо с повторным применением всех остальных частей иглоносителя,без демонтажа последнего,и чтобыпри смене иглы плоскость, образованная иглой и изогнутыи острием иглы,располагалась перпенд)лкулярно к верхней поверхности полупроводниковоймикросхемы.Иглоноситель для проверки полупроводниковых микросхем на полупроводниковой подложке,ииеющий )1 глу с пригодныи для контактирования с кон -тактной площадкой иэогнутыи острием,состоит из корпуса, припаянного однимприсоединительны)л концо)л к карте дляигл.Игла иглоносителя ииеет на стороне, поотивоположной изогнутому острию, отогнутый под угло)л), предпочтительно вертикально, конец, причем этот конец иглы вводится в...

Устройство неразрушающего контроля полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 972421

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Подольный, Телегин

МПК: H01L 21/66

Метки: неразрушающего, полупроводниковых, структур

...оконтролируемом параметре. заключена вплощади части гистрограммы, заключенноймеждУ каналами Х 1 и Мк, позволЯет заменить сложный многоканальный анализатор с нижним порОгом .)пн, соответствующим каналу Я 1, и верхним порогом )вв,соответствующим каналу Ы, и верхвимпорогом Цщ, соответствующим каналу М(фиг. 2),Устройство содержит источник 1 света,луч которого проходит через блок 2 сканирования и фокусировки, электролитическуюкювету 3 с погруженным в электролитконтролируемым образом, усилитель 4, квыходу которого подключен анализатор 5,устройство 6 регистрации и КЯ-триггер 7.Анализатор 5 содержит компаратор 8 верхнего порога, компаратор 9 нижнего порога,схему 10 антисовпадений и ключ 11,Устройство работает следующим образом.При оптическом...

Устройство для измерения пробивного напряжения полупроводниковых материалов

Загрузка...

Номер патента: 972422

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Гордеев, Захаров, Казанцев, Псахис

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, пробивного

...источник смещающего напряжения, токоограничительный резистор и дополнительный корректирующий зонд, причем источник смещаюгцего напряжения через токоограничительный резистор включен между измерительным и корректирующим зондами в полярности прямого смещения контакта измерительного зонда,На чертеже представлена функциональная схема устройства для измерения пробивного напряжения полупроводниковых материалов.Устройство содержит источник 1 нарастающего напряжения, зондовую головку 2 с токоподающими зондами 3 и 4, измерительным зондом 5 и корректирующим зондом 6, токосъемный резистор 7, осциллограф 8, источник 9 смешающего напряжения и токоограничительный резистор О. ВходХ осциллографа 8 подключен к измерительному зонду 5, а вход У - к точке...

Комплектовщик полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 972617

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Лубяный, Шиловский

МПК: H01L 21/66

Метки: комплектовщик, полупроводниковых, приборов

...комплектовщик состоит иэ механизма 1 загрузки с барабаном 2, несущим полупроводниковые приборы 3, входящие в соприкосновение с контактами 4 измерительного блока 5, взаимодействующего с блоком 6 управления, управляющим механизмом 7 раскладки, снабженным воронкой 8, в боковой стенке которой размещено прикрытое подвижным щитком 9 сопло 10, и соединенной с укладчиком 11 гибкой трубкой 12. Приемные емкости 13 установ,пены в координатных отверстиях сферической детали 14 и снабжены поворотными заслонками 15 с противовесами 16 Сопло 10 соединено с клапаном 17 трубкой 18. Под приемными емкостями 13 установлен приемник 19 комплектов, оборудованный устройством 20 выдачи комплектов. Комплектовщик работает следующим...

Измерительный ртутный зонд

Загрузка...

Номер патента: 974463

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Василенко, Ройзин

МПК: H01L 21/66

Метки: зонд, измерительный, ртутный

...иглуи механизм перемещения ртути к измеряемой поверхности, состоящий из магнита 2, к которому крепится емкость 3, заполненная жидкостью 4, в которой имеется пузырек газа. Емкость снабжена нагревателем 5, который может быть размещен снаружи или внутри ее (фиг, 2), и сообщается с капилляром 6, заполненным ртутью 7. Капилляр 6 выполнен аксиально в диэлектрическом, не смачиваемом ртутью диске 8. Электрический контакт 9 между ртутью и магнитом иглы выполнен из металла, не взаимодействующего со ртутью. Между ртутью и жидкостью емкости размещена мембрана 10.Зонд работает следующим образом.При опускании зонда на исседуемую поверхность и включении нагревателя 5 жидкость 4 расширяется и выталкивает ртуть в капилляре 6 к поверхности образца, На...

Устройство для измерения подвижности носителей тока в полупроводниках

Загрузка...

Номер патента: 978083

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Водотовка, Галкин, Глазков, Скрипник

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: носителей, подвижности, полупроводниках

...дЬ(цс) дФМо) ьаЮц,) ФФо,) С - О и54П 4 иЯ =Щит) с 05С учетоМ (13) и (14) амплитуды одночастотных составляющих токов про,порциональны подвижностям носителей зарядов на разностной и суммарной частотах 8(др) - ду - Ои О,соз(щ СФ + 30асЯ 5 Ф+Ч + Мр ) (15)1 Ь Фс) - щ Оп О со 5 (ад й+Ч 4асБ354 с) (163 Таким образом, полная подвижностьносителей тока характеризуется одночастотным (на частоте о )током перио 40дически с частотой коммутации Яменяющимся во времени от значенияДО 1 Ь, т. е. пРедставляется оДниммодулированным сигналом 45 1, 1(-й 51 Яп 51 пЯ, 1)с 05(Язв 9- 51 дп 61 пЯ й), Ф 9- р ( шсреднее значение модулированного тока,Ю Я И (Ю )-ф(МФ )3, +3,Мс)+Р "Р)5 6коэффициент глубины амплитудной модуляции, Р, - среднее значение Фазыю 4 Ц Ч...

Контактное устройство для подключения микросхем

Загрузка...

Номер патента: 982118

Опубликовано: 15.12.1982

Авторы: Алексеевский, Долкарт, Пурэ, Степанов, Федосеев

МПК: H01L 21/66

Метки: контактное, микросхем, подключения

...продольный паз, в который введен фигурный фиксатор 3.Контактные элементы 2 выполненыплоскими прямыми с возможностью жесткой фиксации, Они снабжены верхними заплечиками 12, которые фиксируют. стер 35жень в продольном направлении, и нижними заплечиками 13 для образования вывода 14, запаицаемого в отверстии 15печатной платы 16.Пружинящие элементы выполнены из.изогнутой упругой полоски, при этом ихматериал может обладать максимальнойупругостью и не оказывать никакого влияния на проводимость штырька, посколькуони выполнены раздельно от контактных45элементов и оказываются вне электрической цепи. Пружинящие элементы имеютдеформируемый участок 17 скругленнойформы, который выполняет функцию направляющей для вывода 18 интегральнойсхемы 19 при...

Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых материалах

Загрузка...

Номер патента: 983595

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Гостищев, Любивый

МПК: G01R 31/27, H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, материалах, неосновных, носителей, полупроводниковых

...усилитель 7, измеритель 8 временных интервалов, генератор 9 импульсов, светоиэлучающийэлемент 10, запредельное отверстие11. Светоиэлучающий элемент 10 соединен оптически с образцом 4 череззапредельное отверстие 11 в волноводном тракте направленного ответвителя 3,Устройство работает следующимобразом. 10Поток мощности СВЧ электромагнитной волны с генератора 1 через вентиль 2, предназначенный для пропусканин мощности только в сторону измеряемого образца, т.е. для развязки генератора и измерительной цепи,направленный ответвитель (НО) падает на образец 4. Согласующий элементв виде короткоэаьыкающего подвижногоплунжера 5, включенного после образца 4, увеличивает дифференциальныйотклик системы путем настройки наминимальный отраженный...

Устройство для автоматической сортировки полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 983836

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Белов, Кононов, Назаров

МПК: H01L 21/66

Метки: автоматической, полупроводниковых, приборов, сортировки

...спутников.На фиг. 1 показано устройство для автоматической сортировки полупроводниковых приборов, общий вид; на Фиг. 2 - блок сортировки. 2530 4Предлагаемое устройство для автоматической сортировки содержит механизм 1 загрузки полупроводниковых приборов, например больших интегральных схем, закрепленных в технологических спутниках 2, механизм 3 транспортирования, блок 4 контактирования, блок 5 сортировки, канал 6 подачи спутников. Механизм 1 загрузки приборов предназначен для циклицной подачи приборов, закрепленных в спутниках 2 из пенала 7 загрузки в механизм 3 транспортирования, которым осуществляется подключение приборов к измерительной системе не показано) посредством блока 4 контактирования., Блок 5 сортировки предназнацен для...

Способ измерения скорости поверхностной генерации рекомбинации

Загрузка...

Номер патента: 987712

Опубликовано: 07.01.1983

Авторы: Болгов, Малютенко, Медвидь, Пипа

МПК: H01L 21/66

Метки: генерации, поверхностной, рекомбинации, скорости

...50 987712минесценции проводят при изменении напря женности магнитного поля при постоянной напряженности электрического поля и расчитывают скорость поверхностной генерации- рекомбинации по формуле 5 4ти равновесного рекомбинапионного излучения свободных электронно-дырочных пар. Рассмотренная ситуация характерна для полу-проводников с собственной проводимостью.При небольших отклонениях интенсивностирекомбинационного излучения Р от Ронаблюдается прямолинейная зависимость Р(Н )наклон которой определяется значением скорости поверхностной генерации- рекомбинациина исследуемой грани кристалла и независит от Я на другой грани.Поскольку в формулу (1) входит отноРошение мощностей,измерение сигРр -Рналов люминесценции достаточно производитьв...

Устройство для измерения параметров транзисторов

Загрузка...

Номер патента: 991337

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Баландин, Кондрашкин, Медкова, Самошин, Шурупов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: параметров, транзисторов

...устройства,Устройство содержит источник питания 1 испытуемых транзисторов, схемы включения 2 и 3 испытуемых транзисторов, контакты синхронных переключателей для поочередного подключения испытуемых транзисторов к источнику питания 1 и включения в базовые цепи испытуемых транзисторовкалибровочного сопротивления, котороесвязано с входом преобразователя 4напрлжениея - частота через усилитель505, выход преобразователя напряжениецасота соединвн с первым входом формироваеля 6 временного интервала,второй вход которого связан с блоком7 управления, входы вентиля 8 соединены с выходами формирователя 6 вре 55менного интервала и генератора 9сценых импульсов, выход вентиля 8подкпюц к входу счетчика 1 О, сбро 7 фсовый вход котороо...

Контактное устройство для свч-микросхем

Загрузка...

Номер патента: 991533

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Викторова, Церех, Шабанов

МПК: H01L 21/66

Метки: контактное, свч-микросхем

...только после установки контролируемой микросхемы. Высоко -частотный разъем 5 имеет пазы, в кото 35рых закреплены контактные пружины 15,между регулировочными; гайками и кронштейном 13 на разъеме 5 установленаторированная цилиндрическая пружина 16,В контакте 6 (фиг. 4) внутри упругой4 Ооболочки размещаются гибкие изолированные стержни 17, с противоположной стороны к которым с помощью пайки закреплен металлический наконечник 18, снаружи наконечника установлена изоляционная45втулка 19, которая совместно с металлической втулкой 20 закреплена в подвижном кронштейне 13, Оболочка контактазакреплена ни неподвижном основании 2к изоляционной колодке 21, а гибкиеупругие стержни 17 жестко закрепляют 50ся к подвижному основанию 12 посредством...

Устройство для измерения эдс холла

Загрузка...

Номер патента: 961501

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Александров, Веденеев, Ждан, Маркин, Никитин, Тестов

МПК: H01L 21/66

Метки: холла, эдс

...постоянный магнитзакреплен на валу, синхронный преобразователь частоты вращения вала в переменный ток выполнен в виде дискового обтюратора, по одну сторону которого1801 ффлуктуации раэностной частоты Я сос- тавляют 3 96размещен источник света, а но другуюфотоэлемент, подключенный к входу делителя частоты, выход которого под-.ключен через усилитель к токовым элек-тродам образца,На чертеже приведена схема предлагаемого устройства.Устройство для измерения ЭДС Холла исследуемого образца 1 содержитпостоянный магнит 2, дисковый обтюратор 3, источник света 4, фотоэлемент5, делитель частоты 6, усилитель 7,токовые электроды 8 образца, холловскиеэлектроды 9 образца, измерительный селективный усилитель 10.Устройство работает следуюшим образом.При...

Способ контроля качества полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 993174

Опубликовано: 30.01.1983

Авторы: Байдоха, Корсунская, Маркевич, Мирзажанов, Торчинская, Шейнкман

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: качества, полупроводниковых, приборов

...процессов) .Поэтому предложенный способ содержит нагрев и охлаждение в темноте, чтобы разрушить протекающие в результате случайных эасветок Фотостимулированные процессы и получить исходное состояние полупроводника.Температуру Т, до которой нужнопрогреть полупроводник, выбирают такчтобы за время выдерживания приборапри этой температуре Фотостимулированный процесс успел разрушиться. Этовремя определяется скоростью нагрева и инерционностью печи и представляет собой время, в течение которого образец сохраняет заданную температуру после выключения печи. Скорость разрушения Фотостимулированных процессов возрастает с ростомтемпературы, при которой образецвыдерживается в темноте. Следовательно, температура до которой нужнопрогреть...

Устройство для измерения емкости мдп-структур

Загрузка...

Номер патента: 995028

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Благодаров, Бородзюля

МПК: H01L 21/66

Метки: емкости, мдп-структур

...в общеизвестных моделях для генерационно-рекомбинационных процессов в обедненном слое полупроводника для определения времени жизни носителей заряда. Целью. изобретения является расши" рение функциональных возможностей.Поставленная цель достигается тем, что в устройство для измерения емкости МДП"структур введены регулируемый источник постоянного эталонно" го напряжения и дифференцирующий вольтметр, причем регулируемый источник постоянного эталонного напряжения включен между выходом компаратора и одним из входов дифференциального усилителя, а дифференцирующий995028 оставитель Н, Чистяковаехред А. Бабинец Корректор В Гу Бутягвйекль а Ъ а Реда дписно каз 634/31 ВНИИПИ Госуд по делам 113035, МоскТираж 708 ственного коми зобретений и оЖ,...

Устройство для бесконтактного измерения параметров полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 995029

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Стельмах, Янченко

МПК: G01R 31/265, H01L 21/66

Метки: бесконтактного, параметров, полупроводников

...параметров полупроводниковсодержащем генератор, циркулятор идетектор СВЧ, блок обработки сигнала детектора, измерительный преобразователь в виде отрезка прямоугольно 35го волновода с запредельным отверстием для возбуждения неравновесной проводимости и держатель исследуемой полупроводниковой пластины, в. измерительном преобразователе короткозамкнутом на одном конце, выполнено гантелеобразное отверстие, расположенноена широкой стенке перпендикулярно про"дольной оси волновода на расстоянии,равном половине длины волны генерато 45ра СВЧ от замкнутого конца, запредель-ное отверстие расположено на другойширокой стенке волновода, напротивгантелеобразного отверстия, и в туже стенку введен настроечный штырь.На фиг, 1 показана функциональная50схема...

Классификатор полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 995160

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Речкин, Симонов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: классификатор, полупроводниковых, приборов

...как элемент фиксации может быть также образован либо перегородкой, расположенной поперек лотка 8, либо выемкой, образующей на нем ступень.Щечки 19 захвата 11 имеют призмообразные выемки 20 и охватывают лоток 8 в месте расположения элемента фиксации - уступа 18, а контактный блок, закрепленный неподвижно, и подвижный съемник смонтирован над уступом 18. Щечки 19 могут быть выполнены из токопроводящего материала.Уступом8 лотка 8 могут служить боковые грани 21 выемок 20 у щечек 19, расположенные на пути движения прибора по лотку 8.Выполнение захвата из изоляционного материала, а его щечек из токопроводящего позволяет осуществить четырехконтактную схему подключения прибора на измерительной позиции: подключение питания к прибору через щечки...

Способ измерения отношения скоростей поверхностной рекомбинации

Загрузка...

Номер патента: 997139

Опубликовано: 15.02.1983

Автор: Медвидь

МПК: H01L 21/66

Метки: отношения, поверхностной, рекомбинации, скоростей

...во взаимно перпендикулярные электрическое ЕХ и магнитное Н поля, источник электрического напряжения 2,сопротивление нагрузки 3 и источниксильнопоглощаемого света 4.Если полупроводниковую пластину поместить во взаимно перпендикулярныеэлектрическое Еи магнитное Н поляи облучить сильнопоглощаемым светом,то на диффузионное растекание электронно-дырочных пар, созданных светом,55накладывается сила Лоренца Р (Фиг,1)Причем, если освещается поверхностьс максимальной скоростью поверхностной рекомбинации и сила Лоренца направлена к поверхности с минимальной 60скоростью поверхностной рекомбинации,фототок будет больше, чем в отсутствие силы Лоренца, так как уменьшается влияние поверхности с максимальнойскоростью поверхностной рекомбинации, 65...

Способ контроля содержания кислорода в кремнии

Загрузка...

Номер патента: 999128

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Васильев, Смагулова, Шаймеев

МПК: H01L 21/66

Метки: кислорода, кремнии, содержания

...перестаетбыть линейным, и становится неприменимой формула для расчета концентрации кислорода.П р и м е р 1. Образцы кремнияКЭФ 1 (концентрация фосфора Р =4,210" см , концентрация кислорода,измеренная по методу ИК-поглощенияОл=8,б"10" сми БКЭФ (концентрация фосфора Р =4,2 10"5 см, концентрация кислорода неи з ве стн а, о наменьше предела чувствительности определения кислорода по ИК-поглощению/облучались при комнатной температуреэлектронами с энергией 3,5 РэВ, доза1"10"см , плотность тока 0,4 мкА/смОпределялась концентрация . Аи Е-центров по методике 1 еерече 1гапа 1 еп ьрес 1 гоьсору О(.Т 5 (годитсялюбая другая методика или набор методик, позволяющих измерять концентрации или отношения концентраций А- иЕ-центров). Они оказались...

Способ определения концентрации свободных носителей заряда в вырожденных полупроводниках

Загрузка...

Номер патента: 1000945

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Зверев, Кружаев, Минков, Рут

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: вырожденных, заряда, концентрации, носителей, полупроводниках, свободных

...период осцилляций дифференциального магнитосопротивления туннельного контакта при нулевом напряжении смещения на нем.Поскольку в данном случае регистрируются осцилляции дифференциального магнитосопротивления образца с туннельным контактом в магнитном поле,в нем определяется средняя концентрация свободных носителей заряда в малом объеме Ч=5 й, где 5 - площадь"уннельного контакта, Р - длина свобо;ного пробега, т.е, обеспечиваетсявысокая локальность измерений.физическая сущность способа поясняется следующим образом,Диффере;(циальное сопротивление туннельного контакта при постоянном напОяж;:.,ии смещения Ч обратно пропорцио(Гально готности состояний полупроводни в ; при энергии Я .+еЧ ( - энергия7 ер(;, полупроводника, знак...

Устройство для измерения с-g-v характеристик мдп-структур

Загрузка...

Номер патента: 1000946

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Гаевский, Мартяшин, Светлов, Цыпин, Чайковский

МПК: H01L 21/66

Метки: мдп-структур, с-g-v, характеристик

...усилигеля 4 и второмувхопу вычитагеля 8 напряжений, выхоц1000 С+СЗ С+СБоСс Сэ й оСо ССЯ оСО фС 2 Сэ.Е Сс,е +Се обогащения,о кость С обеа настолькотруктуры драке ктрика.обогащения ходе опера 55 режиме обогащения емслоя полупровоцникчто емкость МДП-с и равна емкости циэл цовательно, в режиме эС напряжение на вь го усилителя 4 ненного в жим тическ Н 4вления источяженияпоцает. го управляемо при Сдион По ник 10 на упра манце блока упрауправляющего нап вляюший вход пер которого соецинен с вхопами первого пикового детектора 12, второго управляемого делителя 13 напряжения, нуль-органа 11 и блока 14 измерения постоянной времени, Выхоп нуль-органа 11 через 5 источник 10 управляющего напряжения подключен к управляющему входу первого...

Устройство для измерения вольт-фарадных характеристик

Загрузка...

Номер патента: 1000947

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Лелявин, Мельников, Михеев, Морозов, Осадчий, Рыжова, Рябинин, Фельдберг, Чернецов

МПК: H01L 21/66

Метки: вольт-фарадных, характеристик

...7, устройство 8 дляобработки ццформоции, переменный конденсотор 9 (С (с), переключатель 10,второй оцероццонньэй усилитель 11, второй образцовый конденсатор 12 (Со ) ивторой суэжотор 13.Устройство работает следующим образом,В цо эопьций момент времени переключатель 10 находится в положении 1. К 0947 4исследуемой МДП-структуре 4 прикладывается сумма синусоидального тест-сигнала Оо с выхода генератора, 2 и напряжение смещения Ом от источника 1 напряжения смещения. Напряжение ц ь(х на выходе второго сумматора 13 равнооэ доОныххОой)КК(3 К(32 где Оо =-Оо - значение напряжениятестового сигнала навыходе сумматора 3;ЕС - значение сопротивлесэния образцового конденсатора 6;7,: -- значение сопротивленияХ- рСисследуемого объекта 4измерения;-...

Устройство для контроля контактирования в зондовых установках

Загрузка...

Номер патента: 1001235

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Сафонов, Тумасов

МПК: H01L 21/66

Метки: зондовых, контактирования, установках

...слоя 9. Эта поверхность лежит в плоскости 24, которая перпендикулярна главной оси 25 зонда. Плоскость 24 отстоит от вершины сферической рабочей части в зондах на расстоянии, равном разности между толщиной Ь слоя металла каждой контактной площадки и суммой высот микронеровностей на поверх-,. ностях сферической рабочей части 7 и контактной площадки интегральной схемы 12.1:8-К )1001235 Форщла изобретения жиме измерения параметров интегральной Ъ =-р +р 1г гЮ 40 где- толщина металлическогослоя контактной площадки;Ъ - расстояние от вершины 45 аферич ес кой рабочей ч ас тизонда до поверхности, образованной торцами разгелительного диэлектрического и внешнего металлического слоев;Й . - параметр шероховатости контактной площадки;й-...