H01L 21/66 — испытания или измерения в процессе изготовления или обработки

Номер патента: 860650

Опубликовано: 23.12.1985

Авторы: Колчанова, Сметанникова, Яссиевич

МПК: H01L 21/66, H01L 37/00

Метки: коэффициента, кристаллах, нернста, полупроводниковых, поперечного, эттингсгаузена

...область температуре 2эо 1 с)де ОпрстРлениР РГО изклассического термомагнитцого эффекта принципиллено невозможно,551;ель дости.лется те.(, что берутматериал, кое(цент рация рдгцг)геснеехносителей тока е;кгтсрсм гдов)етВоряет услое)ию:(2)р, огреву электроцнс(го гдзд по тсмперятуры Те, грев(,юцей темпрятуру решетки т цд величицу зтохлажпают его по температуры с(,2 -150 К, а градиент температуры соз -дают путем освещения кристалла сц( -том иобласти собс твенного ног оше -Ония, энергия которого 1. уговлетвс -ряет условию2 0сА) 3 ;,1(с,(о " Яо(3)где С - ширицд здпрешеццой эоны15по.ТуГ ро 30; (с кдсс - энер гия процольцого оптиоческ ого фотона Б Го:упреввслцике,Г - заряп электрона,2 г,Г(1 - эффективная масса рдвс(цсного цоситечя тока;и -...

Номер патента: 1061591

Опубликовано: 07.01.1986

Автор: Сергеев

МПК: H01L 21/66

Метки: легирующей, полупроводниковых, примеси, профиля, структурах

...составит не более 3 ч.Целью изобретения является увеличение надежности и быстродействияустройства.Цель достигается тем, что в устройство, содержащее шины для подключения исследуемой структуры, к одной из которых присоединен источникобратного смещения, а к другой -параллельный колебательный контури входы фильтров первой и второйгармоник сигнала, фильтр первойгармоники выполнен в виде последовательно включенных селективного усилителя, детектора и дифференциального усилителя, второй вход которого соединен с источником опорногонапряжения, фильтр второй гармоникивыполнен в виде последовательновключенных селективного усилителя,детектора и фазового детектора, выход фильтра первой гармоники соединен с управляющим входом...

Номер патента: 1213510

Опубликовано: 23.02.1986

Авторы: Витусевич, Малозовский, Малютенко

МПК: H01L 21/66

Метки: генерации, поверхностной, рекомбинации, скорости

...см 5, толщиной, срав нимой с биполярной диффузионной длиной, из монокристаллического германия р-типа с удельным сопротивлением при комнатной температурей 40 Омф см и концентрацией остаточ. ,иой примеси10 см ф К узким торцам пластины изготавливают контактын один антизапорный, другой - оми ческий. Антизапорный контакт изготавливают вплавлением 1 п на травленую в пергидроле ( НОг) поверхность германия, омический - вплавле 5нием 1 по зз Оао,оо 5Диффузионнаядлина в исследуемом материалесоставляет Ь, =0,25 см, Широкие грани пластины обрабатывают симметрично. Изменение величины скорости поверхностной генерации-рекомбинации достигается различнойобработкой широких граней, Малаяскорость поверхностной генерациирекомбинации (Я О см/с)...

Номер патента: 1118238

Опубликовано: 23.02.1986

Авторы: Витовский, Емельяненко, Лагунова, Машовец, Рахимов

МПК: H01L 21/66

Метки: качества, полупроводникового

...источниками гораздо удобнее, чем потокамирентгеновских илц гамма-лучей, по 11182381 О лучаемыми от рентгеновских установокили от ускорителей, изотопцые гамма-установки проще в эксплуатации.1. Кремций.5Исследовался кремний Р -типа,.выращенный по методу Чохральского,н прошедший термообработки: а) при600 С в течение 6 ч (фиг.1) и б)при 900 С в течение 24 ч (фиг.2).Известно, что при таких термообработках в кремнии возникают электроактивные центры - термодоноры,но це было известно, распределены литермодоноры однородно по объему илисобраны в скопления.Из слитков кремния вырезалисьобразцы в форме прямоугольных параллелепипедов размерами 8110,5 мм.Образцы шлифовались абразивным порошком М, травились в травителеДеша (3 части ШЯО 1 часть...

Номер патента: 1132685

Опубликовано: 23.03.1986

Автор: Файнберг

МПК: G01R 27/00, G01R 31/26, H01L 21/66 ...

Метки: вольтамперных, импульсных, полупроводниковых, характеристик

...будет при НЕ. В этом случае будет низкой точность измерения импульсов "тока".Наиболее близким по технической сущности к изобретению является устройство для измерения импульсных вольтамперных характеристик полупроводниковых материалов, содержащее последовательно соединенные генератор импульсов, и измерительную линию задержки с введенным в нее реэистивным зондом, выход которого подключен к входу осциллографа. Устройство позволяет измерять импульсы ВАХ преимущественно в наносекундном диапазоне по измерениям падающего и отраженного от образца импульсов, Из .величин этих импульсов с помощью простых математических преобразований получают напряжение и ток на образце. Проводя такую обработку для различных ампли. туд падающих импульсов, получают...

Номер патента: 1224858

Опубликовано: 15.04.1986

Авторы: Карабанов, Манкулов, Марасанов

МПК: H01L 21/66

Метки: головка, зондовая

...поперечный разрез.Зондовая головка имеет токовые и потенциальные зонды 1, которые расположены в-образных пазах 2 кремниевой пластины 3 с ориентацией (100). Зонды 1 изолированы от пластины 3 слоем диэлектрика 4, а пластина закреплена в корпусе 5 перпендикулярно его основанию 6. Зонды 1 прижаты к стенкам пазов 2 пружиной 7, изолированной от зондов диэлектрическими прокладками 8. На зонды насажены токосъемные втулки, упирающиеся в диэлектрическую прокладку 10.Зондовая головка работает следующим образом При опускании зондовой головки на полупроводниковую пластину зонды 1 за счет эластичной прокладки 10 прижимаются к пластине. С помощью токосъемных втулок 9 через определенные токовые зонды 1 пропускают электри ческий ток, а на других...

Номер патента: 1168019

Опубликовано: 07.05.1986

Авторы: Ждан, Омельченко, Рыльков, Синкевич

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, носителей, подвижности

...быть использовано для контроля параметров полупроводников, в частности для определения дрейфовой подвижности носителей заряда.Цель изобретения - повышение точности, оперативности и обеспечение неразрушающего контроля.На фиг. 1 приведена схема реалиэа ции способа; на фиг. 2 показаны зонные диаграммы структуры полупроводник - диэлектрик для случая Ч т 01 на фиг. 3 " для случая 7 (О наЯУ фиг. 4 показана зависимость переходного тока 1 от времени 1.На фиг. 1 приняты следующие обозначения; генератор 1 импульсов, выходное сопротивление 2 генератора импульсов, источник 3 постоянного смещения, металлический электрод 4, диэлектрик , полупроводник 6, коллекторный электрод 7, входное сопротивление 8 измерительного прибора.На фиг. 2 и 3 приняты...

Номер патента: 1234792

Опубликовано: 30.05.1986

Автор: Шихалев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: излучатель-приемник, комплектования, пар, пары, преимущественно, фотоэлектрических

...от генератора 2 и регулируетсяпо току резистором 3, Выходное напряжение приемника 4, к которому39подключен эквивалент нагрузки 5,контролируется измерителем напряжений 6. Приэтом для излучателя иприемника создают условия работы,идентичные условиям их работы в изЗ 5 делии (режим питания излучателя, величины,нагрузки приемника, взаимноерасположение и др).С помощью той же схемы определяютамплитуду .выходного сигнала пооче 40 редно всех приемников партии в паре с контрольным излучателем и павеличине этого сигнала сортируютприемники по руам (ИБ).С помощью той же схемы определяют амплитуду выходного сигнала пары,составленной из контрольного излучателя и контрольного приемника, иопределяют номер группы контрольной, пары (И),50 Задаются...

Номер патента: 1199153

Опубликовано: 07.06.1986

Авторы: Гуляев, Ждан, Пономарев, Сульженко

МПК: H01L 21/66

Метки: границе, полупроводник-диэлектрик, раздела, состояний, характеристик, электронных

...фиг.1 показана зависимостьамплитуды тестового сигнала от напряжения смещения, на фиг.2 - зависимость плотности электронных состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик от величины поверхностного потенциала полупроводникагде о - заряд электрона;К - постоянная Больцмана;Т - температура измерений0 - амплитуда тестового сигнала,"П - напряжение смещения;И - плотность электронныхсостояний на границераздела полупроводник-диэлектрик;9 - поверхностный потенциал5полупроводника .Пример реализации способа.Определяют характеристику электронных состояний на границе с раздела полупроводник-диэлектрик в структуре метал-диэлектрик-полупро" водник (МДП) в виде функции плотности электронных состояний в зависимости от величины...

Номер патента: 1239658

Опубликовано: 23.06.1986

Авторы: Барков, Бражникова, Дмитриев, Знаменская, Каленик, Малков, Молодык, Петров, Сизов

МПК: G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: кмоп, ненадежных, отбраковки

...загрязненийявлчются основные операции технологического процесса изготовления МОПструктур. Такую же роль, как и загрязняющие примеси, могут играть различные дефекты кристаллической решетки; пустые узлы, дислокации илиЗО сдвиги, возникающие при деформациикристаллов и т,д,Велгячина обратного теплового токав диапазоне температур 50-70"С, обусловленная загрязнениями кристаллаи окисла, зависит как от концентрациипримесей, так и от величины энергиисоответствующей примесному уровню, т,е, виду примесных атомов, Поэтому по величине обратного тепло 40 вого тока в диапазоне температур 50 о,70 С можно судить о наличии загрязнения кристалла, однако из-за разницы в величине Е трудно судить оконцентрации примесей,При 90-120 С приращение обратного...

Номер патента: 1239659

Опубликовано: 23.06.1986

Авторы: Бербасов, Сурин

МПК: H01L 21/66

Метки: двухполюсников, камера, параметров, свч

...герметизация камеры по линии разъема со съемным патроном 5, Через штуцер 4 откачивается воздух из объема камеры и создается разряжение 510 мм рт.ст.Для измерения параметров испытуемого образца 15 в диапазоне температур в сосуд Дюара 6 заливают жидкий азот, включают подогреватель 8 ипосле достижения испытуемым образцом 15 заданной температуры, которая фиксируется за счет размещенной в теплопроводе 7 термопары 9, осуществляют измерение его параметров. Для этого камеру 24 электрически соединяют по структурной электрической схеме (фиг,4 ) с аттенюатором 25, приемником 26, источником 27 постоянного смещения, вольтметром 28 и генератором 29. Измерительный сигнал от генератора 29 поступает через аттенюатор 25 в камеру 24 и регистрируется...

Номер патента: 1242862

Опубликовано: 07.07.1986

Автор: Свирид

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: коррекции, нелинейных, характеристик, элементов

...режекторными фильтрами (РФ) (первым и вторым) с частотой режекции Г =или 1": =. 1" ", а вторую 4 ильтрующую систему - полосовым фильтром (ПФ) с центральной частотой настрой 1 рдр = , или г,Однако на основании фиг, 3 нетрудно заключить, что выполнение этих фильтрующих систем может быть и иным.Действительно, при выборе частотыгенератора 6 ниже частоты нижнего среза Г (нижней границы частотного диапазона рабочей цепи 21), аналогич ные технические характеристики пред лагаемого устройства могут быть полу. чены и в случае, если первая и третья фильтрующие системы 1 и 3 будут реали зованы на основе фильтров верхних частот (ФВЧ) с частотой среза Г,д, а вторая фильтрующая система 3 ." на основе фильтра нижних частот (ФНЧ) с частотой среза...

Номер патента: 1247795

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Анненков, Балтянский, Зверева, Лебедев, Лисин, Соркин, Фельдберг, Чернецов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: мдп-структур, параметров, регистрации

...блокомстабилизации. Так как напряжение с выхода сумматора через четвертый канал блока коммутации и выпрямитель 22 подается на вход схемы 21 сравнения, на другой вход которой поступает напряжение с второго 2 О источника опорного напряжения, при их неравенстве сигнал с выхода схемы сравнения изменяет коэффициент передачи управляемого делителя напряжения.Таким образом, из выражения (8) имеем 5 р 1 о)С;+1 о)С +6 р(4) Таким образом, напряжение на выходе ФЧВ пропорционально проводимости подложки 65Из равенств (3) и (4) видно, что преобразование осуществляется относительно напряжения Оо, а это накладывает требование поддерживать его постоянным. 35Это требование осуществляется блоком 12 стабилизации, который в режиме аккумуляции работает...

Номер патента: 1247797

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Захаров, Ильюк, Михальчук, Ярухин

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: гистерезиса, характеристик

...10 дифференцирования (фиг. 2,д) который через элемент И 20 сбрасывает триггер 30, интегратор обнуляется и развертка напряжения смещения прекращается. Элементы генератора развертки смещения управляют и другими элементами устройства. Напряжение усилителя 5 детектируется пиковым детектором 21 (фиг. 2,ж). Компаратор 7 нуля преобразует гармонический сигнал усилителя 5 (фиг. З,п) в прямоугольные импульсы (фиг. З,р), фронты которых соответствуют переходам гармонического сигнала через нулевой уровень. Первый и второй элементы 8, 9 дифференцирования, счетный триггер 46 формируют короткие строб-импульсы (фиг 3, с,т). Строб- импульс 1.1. обнуляет пиковый детектор 21 (фиг, З,у), а строб-импульс 1.1 через элемент 13 задержки запускает АЦП 15...

Номер патента: 871692

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Безуглый, Бурма, Гришин, Кабанов

МПК: H01L 21/66

Метки: металлических, монокристаллов, совершенства, степени

...взаимодействуют с вызвавшим их ультразвуком. Это взаимодействие проявляется резкими пиками поглощения ультразвука на зависимости Ы (у), где о - коэффициентпоглощения ультразвука; М - угол отклонения между векторамии Н отперпендикулярности (р - волновой вектор звука, М - вектор напряженностимагнитного поля). При этом, если кристаллическая решетка образца близка к совершенной, то н а угловой зависимости Ы И) наблюдается одна пара15 пиков поглощения, расположенных посимметрично относительно направлений открытости, Если образец имеетмозаичную структуру, т,е. состоит изблоков, которые взаимно разориентиро 20 ваны на определенные углы, то на угловой зависимости Ы (%) будет наблюдаться столько пар пиков поглощения,сколько блоков попадет в...

Номер патента: 1131398

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Аболтиньш, Кугель

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводников, уровней, энергетических

...бегущей от источника (конденсатора) и отраженной от края полупроводника волн возникает стоячая волна кристаллической решетки. В узлах стоячей волны процессы генерации и рекомбинации определяются тепловыми явлениями, а в остальных областях стоячей волны процессы рекомбинации происходят интенсивнее за счет встречных колебаний ионов кристаллической решетки и свободных носителей заряда. Это приводит к уменьшению концентрации свободных носителей заряда в пучностях по сравнению с областями узлов стоячей волны. Таким образом, вдоль полупроводника будет наведено распределение концентрации свободных носителей за 25 30 35 40 45 50 551131ряда с закономерностью, обратной распределению колебаний в стоячей волне. Между двумя металлическими. зондами...

Номер патента: 1085390

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Аболтиньш, Кугель

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводников, проводимости, типа

...потенциалов между зондами от удельного сопротивления исследованных полупроводников КЭФ и КДБ,Устройство для определения типа проводимости (фиг. 1) состоит из двух обкладок 1 конденсатора, между которыми помещена исследуемая пластина 2 полупроводника, изолированная от них диэлектрическими пленками 3. Свободная поверхность пластины полупроводника длиною Ь находится вне обкладок конденсатора. На ней установлены два металлических зонда 4, подсоединенные к вольтметру 5 постоянного напряжения, а конденсатор подключен к высокочастотному генератору 6.Переменное электрическое поле наводится конденсатором в локальной обЛасти полупроводника. Оно вызывает колебательное движение свободных носителей заряда и ионов примеси, Так как последние...

Номер патента: 1269060

Опубликовано: 07.11.1986

Авторы: Каменев, Рыжов, Цыпин, Чумаков, Шварев

МПК: G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: вольтфарадных, регистрации, характеристик

...9 соединен с выходом усилителя 6 и вторым входом индикатора 3 синфазности, а выход через выход блока 32 обработки подключен к вертикальному входу графопостроителя 12.Эквивалентная схема объекта 13 измерения представляет собой параллельно соединенные конденсатор 14 (С) и резистор 15 (К).Устройство работает следующим образом.К объекту 13 измерения прикладывается через сумматор 10 сумма ли-. нейно-изменяющегося напряжения смещения от источника 11 смещения и синусоидального тестового сигнала от генератора 1 синусоидального на3 1269060 4Следовательно: фазы напряжений генератора 1 синусоиУ,=Ц+11, (а) (3) дального напряжения и выхода усилиТаким образом, действительное па- теля 6 и регулирует коэффициент передение напряжения смещения на...

Номер патента: 1018549

Опубликовано: 23.11.1986

Авторы: Липовченко, Мухачев, Протасов, Татаринов, Хрунов

МПК: H01L 21/66

Метки: алмазных, детекторов, излучений, ионизирующих, контактов

...дырки, на инжектирующий контакт подают положительное напряжение, для проверки контакта, инжектирующего электроны, на инжектирующий контакт подают отрицательное напряжение, После выключения поля детекторная структура подключается к электрометрическому усилителю. В простейшем случае для этого необходимо просто выключить напряжение и закоротить клеммы источника питания в схеме измерения тока через детектирующую структуру с прижимным электродом вместо запорного. Далее алмазную пластинку освещают светом из области фоточувствительности алмаза и регистрируют ток фотодеполяризации. Дальнейшее осуществление контроля контакта может быть реализовано двумя способами. Задают постоянную интенсивность света и регистрируют максимальное...

Номер патента: 1283874

Опубликовано: 15.01.1987

Авторы: Пригожин, Скуратов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: встроенного, глубины, залегания, канала, концентрации, мдп-транзисторов, примеси, р-п-перехода

...потенциалов между встроеннымканалом и подложкой;Е- концентрация примеси вподложке.Начальное значение р быпо выбрано равным 900 см /В с.Значение констант в формупах (1)и (2) таковы:- 1 610 Кл= 12 о8 85 10 Ф/см, Ц = 0 7 В.Расчет привел к значениям К6 -Эс2,45 10 см, Х = 0,43 мкм.По графику эавнсймости(И,)для кремния находят значение шсоответствующее полученному значению И, : р = 1140 см /В с,Подставляют это число в формулы(1) и (2), проводят расчет вновь иполучают М = 1,710 см , Х0,45 мкм.Дальнейшие итерации не проводятк. заметному изменению результатов.При этом измерения по способу-прототипу заняло около трех часов, тогда как измерения предлагаемым способом были выполнены в течение10 мин,Формула изобретения Способ определения...

Номер патента: 1195856

Опубликовано: 07.02.1987

Авторы: Имамов, Колчанова, Яссиевич

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводников

...центра Е вслучае полупроводника р-тип..3 лупроводника и-типаи акцепторной - в случае полупроводникар-типа; 40 П тгс ГИИПИ Заказ 7828/2 Тираж 721 Подписи Произв.-полигр, пр-тие, г. Ужгород ул. Проектная,Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения энергиисвязи носителя заряда на мелком нейтральном центре в полупроводниках,елью изобретения является расширение функциональных возможностейспособа путем обеспечения определения энергии связи носителя зарядана мелком нейтральном центре,10Изобретение поясняется чертежом,где приведены зависимости поперечного коэффициента Нернста-Эттингсгаузена от температуры для двух образцов из СаЛя п-типа проводимости сразличным содержанием примеси,П р и...

Номер патента: 1297133

Опубликовано: 15.03.1987

Авторы: Ермаков, Перов, Поляков

МПК: H01L 21/66

Метки: границе, полупроводниковых, потенциалов, раздела, структурах

...зоны самого узкозонного материала (Са Ая, фиг.1), и с интенсивностью, достаточной для достижения фотоЭДС насыщения, и измеряется временная зависимость фотоЭДС Ч,р (е) (фиг. 2), на которой четко вйдны характерные участки и изломы.При таком освещении наличие трех характерных участков и двух резких изломов между ними (фиг, 2, кривая 1) свидетельствует о спрямлении барьеров с, суй в Са Ая и последовательном достижении насыщения связанных с ними барьерных фотоЭДСВ области первого излома достигает насыщения фотоЭДС от барьера Ч . Поэтому, экстраполируя участок зависимости Чпосле первого излома к моменту начала светового импульса при с=0, находим су =ц Ч =0,22 эВ, где и - заряд электрона. Экстраполяцией участка зависимости Ч (1:)...

Номер патента: 890845

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Дерновский, Заргарьянц

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: излучающего, перехода, характеристик

...оптической оси устройства. Выход фотоприемника 5 соединен с блоком 6 обработки измерений. Другой вход блока обработки измерений соединен с дополнительным Фотоприемником 7, освещаемым источником 8 подсветки, расположенным на противоположной от фотоприемника 7 стороне диска 4 вращения, На диске 4 выполнены щель 9 переменной ширины, дискретный ряд неперекрывающихся щелей 10 постоянной ширины и круговая щель 11 постоянной ширины, центр которой смещен относительно центра диска 4 на расстояние 1.Щель 9 переменной ширины и круговая щель 11 могут иметь узкие равномерно расположенные разрывы по длине окружности, Это позволяет иметь размерные метки на горизонтальной и вертикальной осях экрана осциллограФа или при записи результатов...

Номер патента: 707455

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Коган, Лифшиц

МПК: H01L 21/66

Метки: компенсации, полупроводниках, примесей, степени

...устанавлчвают индукцию магнитного поля, обеспечивающуюравенство единице отношения холл-факторов образца и эталона, ЭДС Холлаизмеряют при любой произвольно выбраиной температуре из области температур вымораживания примесей и вычисляют степень компенсации примесей поформулеэт эт -1 55Чх й 1: 1+( -- . 1).К" ЧРХ Нгде К - степень компенсации исследуемого полупроводника; 55 2.К э - степень компенсации эталонэтного полупроводника; Ч и Ч - ЭДС Холла исследуемого полупроводника и эталона;этЙ и д- толщины образца и эталона;1 и 1- токи через образец и эталон.Сущность способа состоит в том, что измеряют ЭДС Холла на контактахэтэталона Ч и исследуемого образцаэт7, а также токи 1 и 1 , причем из.мерения проводят только при одной ., произвольно...

Номер патента: 1320667

Опубликовано: 30.06.1987

Авторы: Ибраимов, Кринов, Олейников, Палант, Соболевская, Степнов, Херсонский

МПК: G01J 1/04, G01N 21/958, H01L 21/66 ...

Метки: качества, оптически, пластин, прозрачных

...фототока усиливается усилителем 12, логарифмируется и черезблок 14 управления поступает в блок15 памяти вычислительного прибора.Затем включается реле 5 и плоская диафрагма 3 заменяется объемной 4. Вэтом положении фотоприемником 2 регистрируется излучение, прошедшеесквозь образец 11 без изменения направления и вектора поляризацииЗарегистрированный сигнал логарифмируется и через блок 14 управления поступает на схему 16 вычитания. Одновременно на схему вычитания из блока 15 памяти поступает первый сигнал.По величине разности сигналов определяется разность линейных коэффициентов поглощения материала при первом и втором измерениях.В положении, показанном на чертеже, измеряется оптическое пропускание материала (измеряются...

Номер патента: 1330676

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Горбань, Одулов, Олейник, Соскин

МПК: G01N 21/00, H01L 21/66

Метки: дефектных, диэлектрических, материалах, положения, полупроводниковых, примесных, уровней, центров, энергетического

...угол из этого диапазона. В данном случае =2.Экспонирование светом производят до тех пор, пока дифракционная эффективность 1 решетки, записываемой в кристалле, измеряемая при помощи дополнител.ного тестирующего лазера с неактивным излучением, не достигнет заметной величины, не превышающей 0,01-0,02. В этом случае дифракционная эффективностьоказывается прямо пропорциональной квадрату изменения показателя преломления п, что облегчает пересчет полученных температурных зависимостей.После экспонирования, как и во всех способах определения энергетической структуры по термостимулированным процессам, образец подвергают нагреву; наиболее удобным с точки зрения последующей расшифровкй температурных зависимостей является линейный по времени...

Номер патента: 1339694

Опубликовано: 23.09.1987

Автор: Москвичев

МПК: H01L 21/66

Метки: параметрам, радиодеталей, сортировки, электрическим

...контргайкой, вкрученного в планку 19, которая связана с кронштейном 17, Винт 18 упирается в рычаг 14,5обеспечивая необходимое положениеконтактной головки 13 относительнонаправляющей 12.В зоне контактирования поверхность 10опорной плить 1 8 снабжена изоляцион- .ной накладкой 20.Внутри контактных головок расположены подпружиненные электроды 21, которые подключены к измерительномублоку.Для обеспечения надежности работы.контактной головки 13 между электродами 21 расположена изоляционнаяпластина 22, обеспечивающая изоляциюэлектродов 21 между собой,Механизм сортировки измеренных радиодеталей по группам выполнен в виде управляемого электромагнита 23,якорь 24 которого кинематически связан с подпружиненным шибером 25, имеющим возможность...

Номер патента: 1250107

Опубликовано: 30.11.1987

Авторы: Витусевич, Зюганов, Малютенко, Смертенко

МПК: H01L 21/66

Метки: глубоких, параметров, полупроводниках, уровней

...относительно рекомбинацион ного уровня по следующим формулам минимальное значение диренциального наклона ВАХдвойном логарифмическомштабе;значение тока при 3значение напряжения придлина кристалла;сечение кристалла;подвижность основных нолей заряда;эффективная масса основносителей;1 1250Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для измерения параметровглубоких уровней в полупроводниках.Цель изобретения - повышение точности.На фиг.1 приведена вольт-ампернаяхарактеристика (ВфХ) образца в двойном логарифмическом масштабе, измере,иная в режиме эксклюзии,на фиг.2 -по.левая зависимость дифференциальногонаклона ВАХ в двойном логарифмическом масштабе,П р и м е р . Исследовалась полупроБводниковая пластина...

Номер патента: 1134051

Опубликовано: 23.01.1988

Авторы: Закутин, Ромасько, Хейфец, Шендерович, Шестакова

МПК: H01L 21/66

Метки: бесконтактный, образца, сопротивления, удельного, формы, цилиндрической, электрического

...соотношении между диаметром образца и расстоянием между электродами. Следовательно, данным способом осуществляется непосредственное измерение удельного сопротивления и т.к. при этом протекающий через образец импульс тока будет иметь такую же амплитуду и форму, как и при непосредственном контакте поясков с образцом, Измеряя с помощью измерителя импульсного тока 4 протекающий через образец ток, можно определить сопротивление образца между электродами, как отношение амплитуды импульса напряжения генератора 3 к амплитуде импульса тока, измеренного измерителем 4. В качестве измерителя импульса тока можно использовать, например, включенное последовательно с образцом малое сопротивление, импульс напряжения с которого измеряется с...

Номер патента: 1370683

Опубликовано: 30.01.1988

Автор: Чихрай

МПК: H01L 21/66

Метки: глубоких, параметров, полупроводниках, уровней

...первого блокапреобразования и устройства 12 выборки и хранения второго блока 11 преобразования поступают на вторые входывычитающего устройства 10 первого бло 10 15 20 25 телей из области локализации - режимобеднения. При этом меняются электрофизические характеристики образца 2,в том числе и емкость от неравновесных значений к равновесным эа счетэмиссии носителей с заполненных глубоких уровней в обедненной областивыше уровня ферми в зону проводимости или в валентную зону в зависимости от типа глубоких уровней. Релаксация емкости исследуемого образцанепрерывно измеряется измерителем5 емкости, однако выборку значенийрелаксационного сигнала производятв определенные моменты времени с1 Эс и с каждого релаксационногопроцесса с помощью...