H01L 21/66 — испытания или измерения в процессе изготовления или обработки

Номер патента: 655996

Опубликовано: 05.04.1979

Авторы: Каплан, Колешко

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: гистерезисных, мдп, структур, характеристик

...измерений и автоматического синхронизатора 10, предназначенного для синхровизвции работы всего устройства. Ко входам схемы 8 вычитания подключены емкости 11, 12, предназначенные дня расширения импульсов, подаваемых нв иих вночвми 7 и 8, сигнальные входы которых подключены к генератору 4 пилообразного напряжения, а управляющие входы к пороговому устройству 6.При подаче сигнала от генератора 1 на испытываемую Мйй структуру 5, через нее прогекаег ток и нв твкосьемном резисторе 3 выделяегса напряжении, про-, порциональное емкости. Это напряжение усиливается и детекгируегся усилителем 2 измерительного сигнала, а затем попадаег на вход порогового устройства 6.По команде авгоматического синхро низа тора 10 запускается генератор 4...

Номер патента: 656133

Опубликовано: 05.04.1979

Авторы: Морозов, Раев

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводников, электрических

...при прямом и обратном направлениях тока через полупроводник. При проведении серии измерений температура полупроводника должна быть постоянной.Недостатком описанного способа является необходимость выключения и изменения направления магнитного поля.Для изменения величины и направления магнитного поля требуется много времени, особенно для сильных магнитнь 1 х полей и в случае применения сверхпроводящих магнитов. В случае применения систем автоматической регистрации и обработки данных на основе ЗВМ необходимость менять магнитное поле становится одним из препятствий для увеличения скорости сбора данных.Выключение или переключение магнитного поля не может быть, в случае сильных магнитных полей, произведено простым выключением или...

Номер патента: 658507

Опубликовано: 25.04.1979

Автор: Нахмансон

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: концентрации, полупроводниках, примесей

...В - коэффициент пропорциональ-, ности, а Ч - напряжение образца, Для 14 ДП структур эти формулы также могут быть использованы, поскольку диэлектрик .чисто 1 формально (с некоторой траисФормацией толщины в соответствии с разницей диэлектрических постоянных) может быть отнесен к области пространственного заряда. устройство для измерения концентрации примесей работает следующим образом. Высо кочастотн ый сиги ал ча. готы 1, от генератора 1 через мо. дулятор 2 и усилитель 3 попадает на мост 4, и, пройдя через образец 5, выделяется на малом токосъемном сопротивлении 7. С помощью емкости 6 можно скомпенсировать ток, текущий через паразитную и краевую емкость С , так что сигнал на выходе моста будет пропорционален только емкости 1...

Номер патента: 658508

Опубликовано: 25.04.1979

Авторы: Балтянский, Зверева, Кузнецов, Лях, Рыжевский, Фельдберг, Цыпин, Чернецов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: вольтфарадных, регистрации, характеристик

...выход упранляемого .делите.ля напряжения соединен с упомянутымобразцовым резистором, первый и второй образцовые конденсаторы включенысоответственно в целях обратной снязи первого и второго усилителей, авыход второго усилителя одновременно 60соединен через третий образцовый конденсатор со нходом первого усилителяи через фильтр нижних частот - с управляющим входом регулируемого сопротивления,На чертеже представлена функциональная схема устройстна,. выполненная согласно данному изобретению.Устройство содержит генератор синусоидального напряжения 1, объект измерения 2, источник смещения 3, управляемый делитель напряжения 4, образцовое сопротивление 5 (В ), усилитель б, выпрямитель 7, самописец 8, индикатор синфазнос; 9, иннертор 10,...

Номер патента: 658627

Опубликовано: 25.04.1979

Авторы: Максименко, Свечников, Степанчук

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузии, коэффициента, примеси

...свечения люминесцентно-активной примеси в зависимости от времени при комнатной температуре после каждого поспедоватепьКОго этапа диффузии до прекращения изменения яркости и по моменту насыщения яркости определяют параметры диффузии.При этом диффузию активируюшей примеси в образец осуществляют различным образом. При активации субпимированных пюминесцирующих пленок может иметь место диффузия активируюшей примеси из прослойки конечного объема в "бесконеч Коэффициент диффузии ( Э ) (придиффузии из прослойки конечного объемав "бесконечное" твердое тело опредепяютв общем случае из формулы е, ь+е е +е 2 Г 1 р- интеграл ошибок фГауссаф(табупируемая функция);С - концентрация примеси в примесном слое к моменту начала диффузии;О - время...

Номер патента: 661436

Опубликовано: 05.05.1979

Авторы: Ковальков, Медведев, Ошемков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: временных, измеритель, параметров, полупроводниковых, приборов

...нем транзистор12 надежно заперт. Через транзистор13 ток также не протекает, посколькузаперты транзисторы 5 и 7Пусковой импульс запускает формирователь 1 тестового импульса прямо-угольной формы. На фиг. 2,а показанслучай, когда длительность фронта тестового импульса не равна нулю. Придостижении входным напряжением 1)ВХ(1)уровня По ток Д,1 начинает перераспределяться между транзисторами 4 и 5,а несколько позже, когда Пвых(1) сравнивается с Поп 2, начинает йерераспре"деляться между транзисторами б, 7 иток генератора 9 Ю (фиг. 2,в,д). Пе-риоды времени между моментами пересечения входным напряжением Овх (1.)уровня Ццц и выходным Пвых (1) уровняравны измеряемью задержкам включения 1 и выключения 12 испытуемогоприбора 3., Поскольку...

Номер патента: 661437

Опубликовано: 05.05.1979

Автор: Рагаускас

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводника, характеристик, электрофизических

...гранях образца находит.применение способ 21.Измерения электрофизических характеристик полупроводниказаключаютсяв том, что полупроводниковый образец помещают в скрещенные магнитное иэлектрическое поля, измеряют их велйчину и регистрируют электрический.сигнал на поверхности полупроводника.Однако, в известном способе из-за воздействия на образец стационарных сил Лоренца в процессе измерения имеет место определенное изменение отношения величины поверхностных электростатических потенциалов во и авэо наа противоположных гранях образца. В результате этого изменяются и скорости поверхностной рекомбийации на этих гранях. Следовательно имеет место зависимость между результатами и режимом измерения, которая приводит к грубым погрешностям....

Номер патента: 661656

Опубликовано: 05.05.1979

Авторы: Лавров, Николаев, Окулов

МПК: H01L 21/66

Метки: знака, концентрации, носителей, подвижности, скорости, твердом, теле, электрического

...40 Сами 8 скользйбФйи"контактами 13.Для возбуЖФеййй импульсов счета контактные кольц 6 З,отнбсящиеся к счетчику 11 оборотов, имеют дйэлектрические вставки,45 ОпРеделенке скорости, подвижности,концентрации й знака носителЕй элект. рического."тока в твердом теле наоййсанном вьаае устройстве осуществляют следующим образом. Включают блоку 9 питания ичерез блок 12 управленияв цейи исследуемого образца 5 устанавливают ток определенного направления, Если образец 5 находится внемагнитного поля магнита 3, то индикатор 10 ЭДС Холла не регистрирует,так как она равна нулю. Поворачиваютдиск 1 так, чтобы образец 5 вошелв пространство между полюсами магнита3. Пои этом носители тока в образцебудут двигаться в магнитном полесо скоростью о и за счет...

Номер патента: 663336

Опубликовано: 15.05.1979

Автор: Винсент

МПК: H01L 21/66, H01R 13/05, H05K 7/12 ...

Метки: интегральных, контактное, микросхем, плоских, подключения

...10Концевые стенки 26 и 27и боковые стецки 28 и 29 образуют полость 34 для приема блока 2.Крышка 16. имеет форму прямоугольника и центральное отверстие 35 подПередний выступ б блока 2, кроме то- ГЬ, она имеет первый и второй концы36 и 37, причем конец 36 зацело шарИирно связан с концом 24 основания17, Направленные назад боковые стенЯИ 38, 39 расположены на сторонах 40, % 36 441 крышки 16. Основание 17 имеет буртики 42 и 43. На концах 25 и 37, располояенных напротив концов 24 и 36, соответственно имеются фиксаторы 44 и отверстие 45 для отсоединяемого крепления крышки 16 на основании 17. При использовании упругих материалов, например полипропилена и найлона, фиксатор 44 может быть выплавлен на крышке 16 и отгибаться внутрь с помощью...

Номер патента: 669430

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Бородзюля, Голубев

МПК: H01L 21/66

Метки: головка, зондовая

...корпус 1 с нанесенным наего контактную часть электроизоляционным слоем 2, на котором расположен металлический зонд 3, соединенный с электроконтактным выводом 4.669430 Формула изобретения Составитель Н, Сменов Техред О. Луговая Корректор М. Пожо Тираж 922 Подписное ЦИ ИИ ПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений н открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 45 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Редактор М. РоговаЗаказ 365 044 На корпусе зонровой гловки расположено ограничительное кольцо 5, выполненное из трббки с внутренней полостью 6, заполненной жидким диэлектриком, например силиконовым маслом.Тонкий слой жидкого диэлектрика смачивает рабочую поверхность зондовой головки, реньшает коэффициент трения...

Номер патента: 646795

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Воробьев, Фомин

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводника

...и энергия безызлучательного захвата короткожнвущнх носителей, т. е. вся энер" .гня импульса за вычетом М (Е +1,5 Ю) энергии захвата долгоживущих носителей, выделяемой после импульса(4 Я 9-3-1,5 КТ)1:01 Отсюдал ф-,бкт. (2) Связь между Я и дТ определяется соотношением Я садТ где С- тепло- емкость, а ш - масса той части образца, где выделяется тепловая энергия, Для удобства измерений можно взять образец в виде тонкой плоскопараллельной пластинки н измег 0 рять среднееповышение температурыосвещаемой части пластинки дТТогдаЯ= сеьТ, (3)т,.где е - масса освещаемой части пласг 5 , ,,(плотность,д - толщина пластинки,Я - площадь светового пятна.30 дт д ГьТ(х)сйх "оИзмерив дТ с помощью (3) на"ходят Я , а затем в зависимостиот соотношения между ,...

Номер патента: 686107

Опубликовано: 15.09.1979

Авторы: Жин, Минченко

МПК: H01L 21/66

Метки: динамических, контактирующее, микросхем, параметров

...работает следующим образом.Испытательный сигнал наносекундногодиапазона от генератора через многоканальный высокочастотный коммутатор входов (на чертеже не показаны) один извысокочастотных разъемов 5 и одну изпечатных полосок 4 полосковых линийзонда 2 поступает на наконечник 6 и соответственно на площадки микросхемыпри контактрровании. Через другую печатную поноску 4 полосковых линий и другой.высокочастотный разъем 5 наконечник 6зонда 2 соединен коаксиальным кабелемс согласованным коммутатором нагрузок(кабель и коммутатор на чертеже не показаны).Одновременно этот же испытательныйсигнал подается на один из входов измерителя динамических параметров. Под действием поданного на вход испытательного 45сигнала микросхема вырабатывает выходной...

Номер патента: 688857

Опубликовано: 30.09.1979

Авторы: Полякова, Прохоров, Тарасевич, Точицкий, Чечера

МПК: G01N 1/36, H01L 21/66

Метки: глубины, залегания, микродефектов, микрослоев

...получают путем скола излома или среза, а также изготовлением перпендикулярного или наклонного шлифа. Далее измеряют профиль поперечного сечения, например излома, на электронном микроскопе или с помощью других специальных устройств. Затем наносят реплику одновременно на поперечное сечение и боковые стороны образца. Укб 118857 Формула изобретения Составитель А. Хачатурян Техред Т. Писакииа Корректор В. Дод Редактор А. Соловьева Заказ 210210 Изд. Ме 550 Тираж 1090 Подписное НПО Поиск Государственного комитета ГССР по делам изооретепий и открытий 113035, Москва, К.35, Расписка; наб., л. 45Типография, пр. Сапунова, 2 репляют реплику, например ультрафиолетовым облучением, и снимают ее с образца с разворотом в одну плоскость. Далее...

Номер патента: 693273

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Голосов, Крылова, Митряев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: вольтфарадных, переходов, р-п, характеристик

...к периоду1.с,ь изобретения - повышение точности пзчсрсния. Поставленная цель лостигается тем, что :выхол генератора соелицец со входом Х осциллографа, д выход второго кочмута"ора сосдицсц со вторыч вхолоч первого кочмутатора.На чертеже прелставлепд схсмд сшисываемого хстроиствд.Устройство солержит лвд кочмута"ора . 1, 2 генератор 3, цослсловдтельно включсццыс двтогсцерятор 4 и частотный летсктс.р 5, .осциллограф б, источник калиброванного цацря)кения 7, эталонную ечкость 8 и измеряемый р-и-перехол 9.Устройство работдсг следуощим образом. Генератор 3 вырабатывает пилообразное напряжение, ачплитула кох)рого может иЗ хецяться. )то напряжение через коммутатор 2 цоластся ца измеряемый р-и-переход. С лругого вхола кочмутдтора 2 ца...

Номер патента: 693276

Опубликовано: 25.10.1979

Автор: Рагаускас

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: велечины, емкости, зависимости, конденсатора, металл-диэлектрик-полупроводник, поверхностного, потенциала, структурой, электростатического

...идеализированные теоретические зависимости.Второе из известных устройств содержитгенератор линейно изменяющегося напряжения, аналоговое дифференцирующее устройством, образованное операционным усилителем и исследуемой МДП-структурой, ко торая включена между выходом генератора и инвертирующим входом операционного уси лителя, и осциллограф 2. Это устройство также не обеспечивает измерения зависи мости емкости МДП-структуры от величиныповерхностного электростатического потенциала.. Брызгаовая Составитель ЮТехред О. ЛугТираж 1073Государственного клам изобретений иква, Ж - 35, РаушсПатент, г. Ужгоро Редактор И, Нестеро Заказ 6066/1 6р Н. Стене митета С открытий кая наб.,ул. Про ЦНИИПИпо д 113035, Мо лиал ППП д. 4(5 ктная, 4 времени,...

Номер патента: 699454

Опубликовано: 25.11.1979

Автор: Боханкевич

МПК: H01L 21/66

Метки: мдп, параметров, структуры

...МДП транзисторов измерять дрейф этой характеристики.Использование импульсов малой длительности не приводит к развитию процессов пробоя диэлектрика, в то же время по ляризация диэлектрика, протекание токовутечки и токов смешения способствуют лучшей ионизации примесей-загрязнений в диэлектрике. Отсутствие воздействия высо699454 Формула изобретения Составитель Г. Дозоров Техред О. Луговая Корректор Н,.Задерновская Тираж 1073 Подписное ЦН И И П И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб д, 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Редактор А. МорозоваЗаказ 7216(49 ких температур позволяет осуществлять контроль зарядовой стабильности диэлектрика МДП транзисторов в...

Номер патента: 702433

Опубликовано: 05.12.1979

Авторы: Зданович, Костюченко

МПК: H01L 21/66

Метки: ориентации, радиодеталей, сортировки

...изображен вид устройств Ьа сбоку; на фиг. 2устройство в разрезе. Устройство содержит транспортирующий ротор 1 с гнездами, измерительныеконтакты 2, упор 3, двухсекционный 6приемный лоток 4, электромагнит 5,постоянные магниты 6, удерживающиедиоды 7 в гнездах ротора.Устройство работает следующим обрааом. Диод 7, находящийся в гнездетранспортирующего ротора 1 подается наизмерительные контакты 2, электрическисвязанные с электрмагнитом 5 черезэлектронный блок (на чертежах не показан) По сигналу электронного блока 20включается электромагнит, и диод извлекается электромагнитным полем иа гнезда ротора и направляется в одну из секц лотка, где, скольвя по криволиней3" 702433 4ным поверхностям, поворачивается на пормруюшия ротор с гнездами для...

Номер патента: 731402

Опубликовано: 30.04.1980

Авторы: Виткус, Лауринавичус, Пожела

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, носителей, полупроводнике

...магнитного поля.При известной величине резонансного магнитного поля концентрацию носителей токаопределяют по формулеа 1- С й1,игде с= 310" м/сек;е=1,6 10Жо = 885:10 Ф/м;1 ч - целое число, обозначающее порядок 30 геликонного резонанса;3- диэлектрическая постоянная решеткиматериала исследуемого образца 6;м - частота СВЧ сигнала;д - толщина исследуемого образца 6;В - напряженность магнитного поля, прикоторой наступает геликонный резонанс М-го порядка.Если порядок геликонного резонанса неизвестен, то концентрацию носителей тока опре О деляют по формуле 731402 2 и основной канал направленного ответвителя 3 к размещенному между полюсами электромагниту 4 отрезку 5 волновода, продольная ось которого ориентирована перпендикулярно плоскостям...

Номер патента: 733126

Опубликовано: 05.05.1980

Авторы: Зубарев, Кононов, Махаев

МПК: H01L 21/66, H05K 13/00

Метки: испытаний, климатических

...вьптолненным в виде перфорированной емкости, обращенной открытой стороной в сторону форсунки.На чертеже изображено предлагаемое устройство дпя климатических испытаний в разрезе.Устройство содержит теплоизолированную камеру 1, в которой расположены транспортно-накопительный узел 2, цирку ляционный воздушный канал 3 и узел 4 контактирования изделий. В зоне контактирования изделий установлена форсунка 5, соединенная с циркупяционным воздушным каналом 3. С другой стороны зоны контактирования установлен сборник 6 посторонних частиц.и Редактор орректор А. 1 рицен Подписнокомитета СССРоткрытийаушская наб.,17 3/50 Т ЦНИИПИ Госу по делам 113035, Мираж 885дарственног изобретенийосква, Ж,4/5 ипиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная,3...

Номер патента: 734833

Опубликовано: 15.05.1980

Авторы: Домеников, Кудрявцев, Михайлов

МПК: H01L 21/66, H05K 1/11

Метки: интегральных, испытания, схем

...винты обозначены позицией 20,контактные выводы - 21 и оси - 22.Устройство работает следующим об- Юразом,Интегральные схемы укладываютсявыводами в направляющие пазы подвижных планок 10 и 11 на контакты 12, Взависимости от ширины корпуса расстояние между подвижными планками регулируется путем перемещения их по направляющим пазам 16 и 17 и стопоритсявинтами 20, Затем спускают вниз подвижные гребенки 2 с пружинными контактаЭОми 3, которые выходят из зацепления сконтактами 14 и 15 и, повернув крьпыки13 вокруг осей 22, укладывают испытуемые интегральные схемы своими выводами на контактах 12, обеспечивая пер 35вое контактирование. Крышки 13 закрывают на защелки 18, и пружинные контакты 14 и 15, вмонтированные в поворотные крышки 13...

Номер патента: 550061

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Гаврилов, Качурин, Придачин, Смирнов

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниках, р-п-переходов, сложных, создания

...глубиной залегания р-п-перехода. Так, р-баАв предварительно облучают ионами Ав энергией 100 кэВ дозой 10 о см.2Сущность способа заключается в том, что предварительно, до контакта с диффуэантом, сложный полупроводник бомбардируют ионами одного из компонентов, входящих в соединение, после чего полупроводник отжигают в присутствии диффуэанта, мигрирующего по вакансиям в предрешетке другого компонента.Температура отжига при этом значительно снижается, Это объясняется тем, что возникают дополнительные вакансии, связанные с избытком одного из компонентов соединения.55 О 061-Формула изобретения Составитель А. ЧернявскийРедактор Е. Месропова Техред М, Петко Корректор В. Синицкая Тираж 844 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам...

Номер патента: 743043

Опубликовано: 25.06.1980

Авторы: Лопухин, Сотенко, Шелест, Шеханов

МПК: H01C 17/242, H01L 21/66

Метки: микросхем, подгонки, функциональной

...и передается на блок 2, В случае, есливыходной параметр микросхемы лежитвне зоны допуска, блок 2 сравненияпараметров выдает сигнал на командный блок 3, по которому последнийначинает программированный переборвариантов состояний нагревателей.Информация с командного блока 3поступает на блок 5 упранления системой нагревателей, который вырабатывает напряжение, управляющиенагревателями. Эти напряжения черезблок б памяти состояния нагревателей подаются на систему 7 нагревателей, закрепленных на крышке термостатированной камеры 9 над окном, Инфракрасное излучение микролазеров,проходя окно, вызывает локальное изменение температуры элементов микросхемы 4, размещенной в термостати"рованной камере 9, вызывающее изменение параметров...

Номер патента: 744383

Опубликовано: 30.06.1980

Авторы: Дорская, Лымарь, Поляков

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, носителей, полупроводниках

...1, сопртивление 2 тонкого слоя, диод 3. Напряжение высокочастотного сигнала на выходе схемы (фиг. 1) пропорцио(а,(ьно нсгнниой емкости диода 3 где ,( - напряжение высокочастотного сн 15 нала на выходе схемы;С -- емкость диода;о - круговая частота;Л( - последовательное сопротивлешгсто(ого с,(оя20 Й - нагрузошгое сопротнвленнс 1 всхеме;Ь, - напряжение высокочастотного сигнала на входе схемы.Однако что предположение приводит коол. шой но решностн прн определении кондцентрпни, так как имеется большое последовательное сотротивг(сине топко. о слояР(. которое необходимо учесть.Измсрс ше напряжения высоочастотного ",0 си гни,а на ЛВх асотак позволяет иолу( - 1 Формула пзоорстсппяЦОсоо ОРСДС.1 с 1 П 53 коЦ(.1 тРГпп ПИ(31 С,е 11 1 Ика Б;олч...

Номер патента: 746348

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Долгов, Елисеев, Михайлова, Родичев, Соколов, Спиглазов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: столик, термостатированный

...резервуар закрыт колпачком0, Для установки контрольного термометра 11 выполнено гнездо 12, При использовании столика беэ осветителя снизу к его корпусу прикрепляется электрический нагремтель 13 с теплоиэоляцией 14,При применении столика в устроЕстве контроля КПД фотопреобразомтеля устанавливают зеркальную лампу 15 под кожухом 16, водяной светофильтр 17, держатель 18, фотопреобраэомтель 19,Работа термостатированного столика заключается в следующем. 46348Фтурой и равномерно распределяется повсей поверхности нагреваемой стенки,Данное устройство повышает надежность термостатирования, сокращает расход электроэнергии и воды и значительно упрощает техническое обслуживание,Термостатированный столик можетприменяться и в виде...

Номер патента: 748581

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Белов, Бердникова, Воронкова, Мозжевитинов, Назаров, Синенко, Тяпкина

МПК: H01L 21/66

Метки: выводами, жесткими, сортировки, транзисторов

...механизма загрузки 1 изделие17 под действием собственного весаподается на 4 -образную вилку 3каретки 2; при этом М -образйаявилка со скосами 4 и 5 находитсяпод механизмом загрузки, При движении каретки к контактному узлуб (это положение каретки показанона чертеже) иэделие по скосам 4 и 51-образной вилки постепенно опускается в приемник контактного узла.После осуществления технологическрйоперации (контактирование и замерэлектрических параметрон) иэделиепоступает в вертикальный транспортирующий канал с направляющими 7и под действием собственного весапродвигается вниз. Изделие перемещается до тех пор, пока не будетостановлено соответствующим изштоков 12 1212одногопневмоцилиндров фиксирования 11,11, ,11 в зависимости от группыизделия....

Номер патента: 750401

Опубликовано: 23.07.1980

Автор: Петухов

МПК: G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: испытания, матриц, транзисторных

..."О", а триггер второго разряда - в состояние "1".В результате на выходе 10 формируется задний фронт испытательного импульса, а на выходе 11 - передний 40 фронт следующего испытательного импульса.Длительность сформированного навыходе 10 импульса равна Т Аналогично формируются импульсы на выходах 11-15,с которых эти импульсы по отдельным каналам поступают на соответствующие этим выходам матрицыеПо окончании Формирования на выходах 10-15 распределителя импульсов ,длительностью Твсе разряды устанавливаются в состояние "0", срабатывает многовходовая схема совпадения 21, и сигнал через интегрирующую цепь 22 поступает на вход генератора одиночных импульсов 23. Этот генератор формирует одиночный сигналв момент времени "2 Т", по...

Номер патента: 763821

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Путилов, Рыжов, Рябинин, Цыпин

МПК: H01L 21/66

Метки: вольт-фарадных, регистрации, характеристик

...повышает эффективность использо- .вания устройства в производстве,40 где К 4 - коэффициент передачи управляемого делителя напряжения 4.Индикатор синфазности 9 сравнивает фазы напряжений Оо и 06 и регулирует коэффициент передачи управляемого делителя напряжения 4до достижения условия равенства мнимой части последнего выражения нулю.При этомР,Сэ 16="о С . С С пп2Напряжение Оь с выхода усилителя6 выпрямляется и подается навертикальный вход самописца 8, нагоризонтальный вход которого подается напряжение смещения от источ.ника 3, Из выражения (3) видно,чтопогрешность измерения емкости Сх 20определяется лишь нестабильностьюЦ, и образцовых элементов.Для исключения влияния напряжения смещения на режим операционногоусилителя 11 по постоянному...

Номер патента: 764014

Опубликовано: 15.09.1980

Автор: Манфред

МПК: H01L 21/66

Метки: перемычек, присоединения

...генератор ультра- звуковых колебаний 1 с жестко соединенным с ним концентратором 2 и инструментом (зондом) ультразвуковой сварки 3, шарнирно закрепленном посредством оси 4 на одном плече двуплечего рычага 5, имеющего возможность покачивания на оси 6, другой конец которого посредством ролика 7 опирается на дисковый кулачок 8 распределительного кулачкового механизма 9. На генераторе ультразвуковых колебаний 1 жестко закреплен удлинитель 10, а на оси 6 с воэможностью покачива ния закреплено коромысло 11, на одном конце которого закреплен штифт 12, имеющий возможность механического контакта с нижней кромкой удлинителя 10, а на другом ролик 13, опирающийся на второй кулачок 14.Ось 6 закреплена в Т-образном рычаге 15, который совместно...

Номер патента: 765909

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Сабо, Титаренко

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, сопротивления, удельного, электрического

...амплитуда сигнала термо-ЭДСбудет зависеть от направления тока;Ч+ =+йПЭй + . ГЭ й й (тепло(тепло Пельтье выделяется на контакте)Ч =-,(ПЭй .д.ГЗ й Я(тепло Пельтье поглощается на контак"те),Исключая из этих уравнений теплоДжоуля, имеемьЧ =ч + -ч:Ы пэй =Ыт Эйтак как П = сТДальнейшие элементарные преобразо"вания с целью исключения параметраа(,приводят к следующему выражениюдля термического сопротивления Кгде Ч = Ч+ ЧВ выражении для й. величины Ч , ТЯ( ФДЧ( и йз изменяются непосредственно, а безразмерный коэффициент Й,зависящий от соотношения сопротивлений материала зонда и полупроводника,является подгоночным параметрам, изменяясь в пределах 0,5-:1,0.С учетом того, что контактированиезонда с полупроводником происходитпо вершинам...

Номер патента: 767870

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Сабо, Титаренко

МПК: H01L 21/66

Метки: материалах, нернста, полупроводниковых, поперечного, эдс, этингсгаузена, эффекта

...по ним практически полностью подавлен, так какблок в целом однороден по тепловымсвойствам, что обеспечивается оптимальным соотношением толщин пластиндиэлектрика и металла (10 к - 20).Наличие большого .количества зондов,контактирующих с образцом по двумего оппозитивным граням, позволяетисследовать микронеоднородности вполупроводниках, измеряя распределение четырех кинетических коэффициентов (ЭДС Нернста-Эттингсгаузейа,термо-ЭДС, постоянная Холла, Удельная электропроводность).Держатель с образцом 1 монтируютв вакуумной камере, находящейся взазоре электромагнита. Внешний нагреватель (на чертеже не показан), управляемый автоматическим регулятором, задает требуемую температуруизмерений. Измерения кинетических коэффициентов проводят...