H01L 21/66 — испытания или измерения в процессе изготовления или обработки

Номер патента: 728593

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Загоруйко, Тиман, Файнер

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузионного, неразрушающего, отжига, полупроводников, процесса

...нанесенными на поверхность 25 исследуемого. образца. В этом способе ток проходит по образцу перпендикулярно диффузионному потоку, По скорости изменения во времени тока определяют коэффициент диффузии, по которому судят о процессе 30 диффузии во время диффузионного отжига.Недостатком эого способа является его недостоверность из-за отсутствия возможности контролировать глубину диффу+ зионного фронта и его непригодность для 35 контроля процесса диффузии в образцах, имеющих большую толщину в направлении диффузии.Целью изобретения является повышение достоверности контроля диффузии ак цепторной примеси в полупроводники п-типа проводимости путем определения положения диффузионного фронта. 45параллельном диффузионному потоку примеси,в качестве...

Номер патента: 1783933

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Козловский, Марков, Насибов, Федоров

МПК: G01N 21/55, H01L 21/66

Метки: однородности, оптического, основе, полупроводников, раствора, состава, твердого

СПОСОБ ОПТИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ ОДНОРОДНОСТИ СОСТАВА ТВЕРДОГО РАСТВОРА НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, включающий облучение электромагнитным излучением химически полированных поверхностей исследуемого образца или его ествественных сколов в различных точках, регистрацию энергетических спектров, их сравнение и контроль однородности материала на основе этого сравнения, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и повышения экспрессности контроля, осуществляют облучение кристаллографически эквивалентных поверхностей исследуемого образца с энергией квантов, не меньшей ширины запрещенной зоны исследуемого полупроводника, регистрируют спектры экситонного отражения или люминесценции, выделяют на спектрах характеристическую линию экситонного...

Номер патента: 1028203

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Орешкин, Петров, Селляхова, Сурис, Фетисов, Фукс, Хафизов

МПК: H01L 21/66

Метки: легирования, полупроводника, профиля

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОФИЛЯ ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКА компенсирующей примесью, включающий подачу на полупроводник постоянного напряжения и гармонического сигнала, измерение импеденса полупроводника и расчет профиля легирования, отличающийся тем, что, с целью повышения информативности способа путем расширения пространственной области определения профиля легирования без нарушения целостности образца, величину постоянного напряжения U и амплитуду гармонического сигнала U выбирают в соответствии с условиямиU > ; U <

Номер патента: 1385935

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Гонтарь, Зыков, Сурис, Фетисов, Фукс, Хромов

МПК: H01L 21/66

Метки: мелкозалегающей, примеси, содержания, фоторезисторах

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОДЕРЖАНИЯ МЕЛКОЗАЛЕГАЮЩЕЙ ПРИМЕСИ В ФОТОРЕЗИСТОРАХ , включающий измеpение вольтампеpной хаpактеpистики пpи подаче на фотоpезистоp напpяжения смещения и опpеделение по ней напpяжения, соответствующего pезкому возpастанию тока, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности опpеделения полного содеpжания мелкозалегающей пpимеси в пеpекомпенсиpованном глубокозалегающей пpимесью полупpоводнике пpи пpоизвольном пpофиле pаспpеделения мелкозалегающей пpимеси, дополнительно снимают вольтампеpную хаpактеpистику пpи подаче на фотоpезистоp напpяжения смещения пpотивоположной поляpности и опpеделяют напpяжение, соответствующее pезкому возpастанию тока, а полное содеpжание мелкозалегающей пpимеси находят по фоpмулеM =...

Номер патента: 1660530

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Лепилин, Мамичев, Урицкий

МПК: H01L 21/66

Метки: индуцированным, каналом, мдп-транзисторов

...= 4,2 К.П р и м е р, Исследуют МДП-транзисторы с каналом п-типа, длиной канала 10 мкми концентзоацией бора в подложке (2 -4)х 1016 смПо схеме, приведенной на фиг. 1, наэлектроды испытуемого транзистора подают следующие испытательные напряжения: на электрод затвора ступенчатоенапряжение со значениями "ступени": 1, 2,3, 4 и 5 В; на электрод стока синхронно со ступенчатым напряжением на затворе подают пульсирующее напряжение (полуволнысинусоиды) со значениями 25 В. На экране осциллографической трубки контрольного прибора 7 регистрируют выходные вольтамперные характеристики испытуемых МДП-транзисторов при комнатной температуре (300 К) для двух случаев: 1-й случай - электрод подложки испытуемого транзистора подключен к тому же потенциалу, что...

Номер патента: 1433333

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Борзунов, Лапатин, Медведев, Монич, Петров

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: поверхностной, полупроводников, фотоэдс

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ ФОТОЭДС ПОЛУПРОВОДНИКОВ, содержащее импульсный источник света, конденсаторную ячейку с полупрозрачным электродом, импульсный усилитель, соединенный с индикатором, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения величины и определения знака поверхностной фотоЭДС, в него дополнительно введены последовательно соединенные генератор тестовых импульсов, первый управляемый коммутатор с переменой знака выходного напряжения, первый управляемый электронный ключ, резистор, второй управляемый электронный ключ, второй управляемый коммутатор с переменой знака выходного напряжения и схема сравнения с блоком опорного сигнала; компаратор, генератор синхронизации с тремя выходами и третий управляемый...

Номер патента: 1639341

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Енишерлова-Вельяшева, Русак

МПК: H01L 21/66

Метки: выявления, дефектов, кремния, поверхности

СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ, включающий очистку поверхности кремния с ориентацией (100) и травление в составе, содержащем хромовый ангидрид, плавиковую кислоту и воду, отличающийся тем, что, с целью расширения выявляемых типов микродефектов в тонких приповерхностных слоях, травление проводят в составе, дополнительно содержащем азотную кислоту, при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:Хромовый ангидрид 15 - 32Плавиковая кислота (45%-ная) 4 - 25Азотная кислота (72%-ная) 8 - 50Вода 10 - 36время травления составляет 5 - 15 мин, при этом количество хромового ангидрида в зависимости от толщины обрабатываемого слоя составляет, мкм:Более 10 15 - 4010 - 2 40 - 50

Номер патента: 1222147

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Енишерлова-Вельяшева, Русак

МПК: H01L 21/66

Метки: глубины, монокристаллах, нарушенного, полупроводниковых, слоя

1. СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ГЛУБИНЫ НАРУШЕННОГО СЛОЯ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МОНОКРИСТАЛЛАХ преимущественно кремния, германия и арсенида галлия после грубой механической обработки, включающий избирательное травление, изготовление шлифов и оценку глубины нарушений, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа, избирательное травление проводят в травителе, содержащем 0,5 - молярный водный раствор хромового ангидрида и плавиковую кислоту в весовом соотношении от 3 : 1 до 1 : 3, в течение 60 - 300 с, а оценку глубины H нарушенного слоя производят по формулеH= Z2-Z ,где Z1 и...

Номер патента: 1623502

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Климов, Масловский, Минаев, Постников

МПК: H01L 21/66

Метки: испытания, мдп-структурой, надежность, полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИСПЫТАНИЯ НА НАДЕЖНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С МДП-СТРУКТУРОЙ, включающий измерение в одинаковых условиях электрических параметров структур до и после термостатирования и выявление потенциально ненадежных приборов при изменении этих параметров, превышающих заданное значение этого изменения, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности испытаний, до термостатирования или одновременно с ним на структуру воздействуют магнитным полем, увеличивая его от 0 до 2,0 105 А/м, а затем выключая его.

Номер патента: 1694018

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Корнилович, Студеникин, Уваров

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: вырожденных, заряда, концентрации, носителей, полупроводниках

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ВЫРОЖДЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ, включающий охлаждение образца до гелиевых температур, воздействие на него изменяющимся постоянным магнитным полем B и одновременно переменным магнитным полем с амплитудой h << B, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и локальности неразрушающего контроля, воздействуют на образец монохроматическим когерентным излучением, энергия кванта которого меньше ширины запрещенной зоны полупроводника, и поляризованного так, что вектор напряженности электрического поля перпендикулярен вектору индукции постоянного магнитного поля B, регистрируют интенсивность 1 прошедшего через образец или отраженного от него излучения, по соседним максимумам зависимости...

Номер патента: 1559983

Опубликовано: 09.01.1995

Автор: Маковийчук

МПК: H01L 21/66

Метки: ионно-легированных, операционного, слоев

СПОСОБ ОПЕРАЦИОННОГО КОНТРОЛЯ ИОННО-ЛЕГИРОВАННЫХ СЛОЕВ, включающий пропускание постоянного стабилизированного электрического тока через ионно-легированный слой, измерение разности потенциалов и ее флуктуаций и определение по ним электрофизических параметров слоя, по которым судят о его дефектности, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и экспрессности измерений, а также повышения их информативности, разность потенциалов и ее флуктуаций измеряют совместно за один цикл пропускания тока, выделяют 1/f составляющую шума из спектра флуктуаций, на основании полученных значений определяют сопротивление слоя, спектральную плотность флуктуаций типа 1/f и их взаимосвязь.

Номер патента: 1274558

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Воробьев, Склизнев, Смирнов, Юрченко

МПК: H01L 21/66

Метки: диодных, параметров, полупроводниковых, структур

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДНЫХ СТРУКТУР, включающий пропускание тока через диодную структуру, измерение спектральной плотности низкочастотного шумового напряжения и отбраковку структур, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности контроля уровня частотно-модулированных шумов диодных структур, измерение спектральной плотности низкочастотного шумового напряжения проводят при температуре диодных структур от 243 до 248 К, а отбраковку структур проводят при условии, что спектральная плотность низкочастотного шумового напряжения не превышает значения, вычисленного по формулегде S спектральная плотность низкочастотного шумового напряжения,...

Номер патента: 1499634

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Абатуров, Елкин, Кротова, Мишук, Плесков, Сахарова

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, легирующей, полупроводниках, примеси, профиля

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОФИЛЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ, включающий формирование контакта к полупроводнику, воздействие на структуру возбуждающим высокочастотным электрическим сигналом и постоянным напряжением смещения и измерение возникающего сигнала отклика, по параметрам которого судят о профиле концентрации примеси, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и разрешающей способности измерения профиля, обеспечения возможности исследования высокоомных полупроводников и упрощения, в качестве возбуждающего сигнала используют амплитудно-модулированный высокочастотный гармонический сигнал тока через образец и измеряют амплитуду сигнала отклика в виде демодулированного напряжения на образце.

Номер патента: 1202461

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Биленко, Ципоруха

МПК: H01L 21/66

Метки: осаждения, процессе, слоев, толщины

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ СЛОЕВ В ПРОЦЕССЕ ИХ ОСАЖДЕНИЯ, включающий регистрацию временной зависимости интенсивности собственного теплового монохроматического излучения образующейся структуры I(t) и определение толщины слоя по числу полупериодов этой зависимости и значению показателя преломления осаждаемого слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширения класса контролируемых слоев, перед осаждением измеряют излучательную способность и интенсивность собственного теплового излучения нагретой до температуры процесса осаждения исходной структуры на длине волны монохроматического излучения и искомую величину определяют, используя вычисленный по следующей форме показатель преломления h:

Номер патента: 1442012

Опубликовано: 09.08.1995

Автор: Прохоров

МПК: H01L 21/66

Метки: внутренних, механических, напряжений, пленках, тонких

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВНУТРЕННИХ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ путем вытравливания в подложке окон и измерения геометрических размеров деформированной пленки, по которым судят о величине механических напряжений, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и упрощения процесса измерений, после травления подложку скрайбируют по лицевой стороне через выбранные для исследования структуры так, чтобы излом прошел параллельно свободно висящему краю пленки, отламывают часть пластины и вновь скрайбируют ее параллельно полученному ранее излому с шагом, обеспечивающим прохождение излома через исследуемые структуры, вновь отламывают часть структуры подложки и располагают ее под углом

Номер патента: 1454166

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Клюев, Кузнецов, Липсон, Ревина, Саков, Топоров

МПК: H01L 21/66

Метки: гетерогенности, диэлектриков, поверхности, полупроводников, электрической

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ГЕТЕРОГЕННОСТИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ, основанный на размещении электрода на расстояние d над заряженной поверхностью образца и измерении параметров электрического разряда, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности, экспрессности и информативности, используют плоский электрод, имеющий площадь, равную или больше площади образца, помещают образец и электрод в герметичную камеру, в которой изменяют давление до появления разряда между образцом и электродом, регистрируют давление, токи разряда и их направление, определяют напряжение между электродом и образцом, по полученным значениям вычисляют заряд и площадь заряженных участков поверхности, по которой судят об...

Номер патента: 1545866

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Петров, Соколов, Степанов, Трофимов

МПК: H01L 21/66

Метки: некомпенсированных, параметров, полупроводников, примесных, фотоэлектрических

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПРИМЕСНЫХ НЕКОМПЕНСИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, заключающийся в освещении образца опорным и сигнальным модулированным по фазе пучками света, формирующими интерференционную картину на образце, регистрации зависимости амплитуды тока I g на частоте модуляции от пространственной частоты К, отличающийся тем, что, с целью одновременного определения средних диффузионных длин фотоиндуцированных электронов и дырок L1D, L2D и отношения

Номер патента: 1572342

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Гладков, Махаев

МПК: H01L 21/66

Метки: испытаний, климатических, полупроводниковых, приборов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ КЛИМАТИЧЕСКИХ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, содержащее проходную камеру с размещенными в ней нагревателем и накопителем, отличающееся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных возможностей и повышения эффективности теплообмена, оно снабжено диаметральным вентилятором, причем нагреватель и рабочее колесо диаметрального вентилятора расположены в проходной камере параллельно оси накопителя, а длина нагревателя и длина рабочего колеса диаметрального вентилятора равны длине накопителя.

Номер патента: 1579346

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Гладков, Махаев

МПК: H01L 21/66, H05K 13/02

Метки: накопитель

НАКОПИТЕЛЬ, содержащий транспортирующий ротор с толкателями, винтовую направляющую, размещенную внутри транспортирующего ротора, и привод, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и увеличения удельной емкости, толкатели транспортирующего ротора выполнены в виде фигурных лотков, открытая сторона которых обращена к винтовой направляющей.

Номер патента: 1660532

Опубликовано: 27.10.1995

Автор: Варданян

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, неосновных, носителей, параметров, полупроводниках

...контакта, генерируются неосновные носители заряда, которые создают фототок короткого замыкания,Освещают образец монохроматическим светом длиной волны 1 мкм (при этомз -а= 5,7 10 мкм, и выполняется условие а а 1), Подаю-, напряжение обратного смещения 01= 1 В и измеряют соответствующее значение барьерной емкости С 1 фото- токакороткого замыкания при отсутствии магнитного поля. Воздействуют на образец магнитным полем. Под действием магнитного поля, вектор индукции которого параллелен поверхности образца, ННЗ диффундируют к выпрямляющему контакту под углом Холла относительно нормали к поверхности выпррмляющего контакта, Регистрируют фототок ;ь короткого замыкания при воздействии магнитного поля.Затем повторяют измерения (измеряются...

Номер патента: 1634060

Опубликовано: 27.10.1995

Автор: Варданян

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, неосновных, носителей, параметров, полупроводниках

...ь 6 = - и- --ф 1- -- -О Ч (.а,:заесты)л, позволяет, одновременно с извеП р 1 М С,). Оц рад"ЛяЮЭндпацня П:3 д-,",)г)э крелневой цпас;и;ы роводимогьн. р-типа. Дпч измерения поверхностнойфотоЭДС применяют структуру металл-оки сгл-полупроводник с полупрозрачныл металлическим слоем. Образец помещают в зазор между полюсами электромагнита и освещают мо;охроматическим светом Иэ 1 еняя длину вол, свс)д А в диапазоне от ) 8 до 1 05 мкм, измеряют интенсивность световоо )огока С, гдддерживдя пос-оян- НЬМ ЗНДЧЕНИ 6 ЦОЯЕРХ)ОСТЕЙ фОТОЛДС.Опред)гяюг значь я коэффициента гоглоце ия света цо формула5 сг =0,521367 ,14425 1О 585368 х1 ,( + 03358 и строя г эда: симость 0 =- г(гх ).1 з получечной эд)исимости огределякц д)лффузион.ю дл.у Н 1 3= 87,. Мкм к:.к...

Номер патента: 1493022

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Петров, Соколов, Степанов, Трофимов

МПК: H01L 21/66

Метки: высокоомных, полупроводников, фотопроводимости

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ВЫСОКООМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, включающий облучение исследуемого образца интерферирующими опорным и фазомодулированным сигнальным пучками света, регистрацию выходного электрического сигнала, по которому рассчитывают величину фотоприводимости исследуемого образца, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, осуществляют дополнительную фазовую модуляцию сигнального пучка света с частотой F1, выбираемой из соотношениягде время диэлектрической релаксации исследуемого освещенного образца;

Номер патента: 1356901

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Амальская, Гамарц, Ганичев, Стафеев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых, рекомбинационных

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ РЕКОМБИНАЦИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, включающий облучение образца модулированным по интенсивности возбуждающим излучением с длиной волны из области межзонного поглощения исследуемого материала, облучение возбужденной области полупроводника зондирующим излучением с длиной волны из области поглощения свободными носителями заряда, измерение относительного изменения интенсивности прошедшего через образец зондирующего излучения и определение эффективного времени жизни * расчетным путем, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности раздельного определения объемного времени жизни to и скорости поверхностной...

Номер патента: 1403914

Опубликовано: 27.12.1995

Автор: Варданян

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, неосновных, носителей, подвижности

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОДВИЖНОСТИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА, основанный на помещении полупроводникового образца в магнитное поле и инжекции неосновных носителей заряда путем освещения поверхности образца, отличающийся тем, что, с целью упрощения и обеспечения определения подвижности в образцах большей толщины, создают выпрямляющий контакт на поверхности образца, вектор индукции магнитного поля направляют перпендикулярно поверхности образца, измеряют значения фототоков при отсутствии, а также при наличии магнитного поля и вычисляют подвижность неосновных носителей заряда по формулегде B индукция магнитного поля;Iф фототоки через выпрямляющий...

Номер патента: 1783934

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Бирюков, Гатько, Сорокин

МПК: H01L 21/66

Метки: анодного, выращивания, качества, окисла, оценки, процессе

СПОСОБ ОЦЕНКИ КАЧЕСТВА АНОДНОГО ОКИСЛА В ПРОЦЕССЕ ЕГО ВЫРАЩИВАНИЯ, заключающийся в измерении характеристик токовых шумов системы образец-окисел-электролит и оценке качества окисла по измеренным характеристикам, отличающийся тем, что, с целью повышения экспрессности измерений, в качестве характеристики токовых шумов измеряют их автокорреляционную функцию, причем измерения проводят при подаче на систему полупроводник-окисел-электролит постоянного напряжения, а о качестве окисла судят по наличию на измеренной характеристике участка с отрицательным значением измеряемой величины.

Номер патента: 1493023

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Варданян, Мартиросян

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, носителей, параметров, полупроводниках

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ, основанный на измерении тока через образец, имеющий выпрямляющий контакт при отсутствии и при наличии воздействия на образец магнитным полем, вектор индукции которого параллелен поверхности образца, отличающийся тем, что, с целью обеспечения определения Холловской подвижности, дрейфовой подвижности и времени жизни неосновных носителей заряда, образец освещают монохроматическим светом в длинноволновой области спектральной чувствительности, изменяют длину волны света и определяют зависимости коэффициента поглощения и фототока от длины волны света при наличии и отсутствии воздействия на образец магнитным полем, строят графики зависимостей обратного фототока от обратного...

Номер патента: 1268015

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Гладыщук, Грибковский, Гурский, Паращук, Пендюр, Таленский, Яблонский

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллических, кристаллографической, неоднородности, образцов, полупроводниковых

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ, основанный на возбуждении и регистрации стримерных разрядов в образце, отличающийся тем, что, с целью обеспечения определения кристаллографической неоднородности тонких (тоньше 0,1 мм) пластин сульфида кадмия, повышения экспрессности и достоверности, возбуждение стримерных разрядов в образце производят периодическими импульсами напряжения, имеющими амплитуду 2 - 5 кВ, отрицательной полярности с крутизной фронта импульса электрического поля не менее 1016 В/см с, перемещают точку приложения импульсов напряжения по поверхности образца, а о наличии...

Номер патента: 659018

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Казаков, Лизин, Преображенский

МПК: H01L 21/66

Метки: микродефектов, пленках, прозрачных

СПОСОБ КОНТРОЛЯ МИКРОДЕФЕКТОВ В ПРОЗРАЧНЫХ ПЛЕНКАХ, основанный на ионно-плазменном распылении, включающий создание плазмы, бомбардировку пленки положительными ионами плазмы и наблюдение микродефектов, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля, в постоянном электрическом поле ведут ионно-плазменное распыление диэлектрика, а о наличии микродефектов судят по появлению вокруг них цветовых ореолов.

Номер патента: 1538827

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Божевольнов, Яфясов

МПК: H01L 21/66

Метки: границы, межфазовой, параметров, электролит, электрофизических, —полупроводник

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ МЕЖФАЗОВОЙ ГРАНИЦЫ ЭЛЕКТРОЛИТ - ПОЛУПРОВОДНИК, включающий пропускание через границу основного импульса тока, измерение приращения напряжения на границе, пропускание дополнительного импульса тока противоположной полярности, длительность и амплитуду которого выбирают из условия обеспечения равенства нулю суммарного заряда, вносимого основным и дополнительным импульсами тока, и определение искомых величин электрофизических параметров по калибровочным зависимостям, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, измерение приращения напряжения на межфазовой границе производят в интервале между началом основного и концом дополнительного импульсов, определяют величину интеграла приращения...

Номер патента: 1835967

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Антонюк, Виноградов, Дьяченко, Ильичев

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых

...раствор соляной кислоты или поваренной соли. С целью повышения точности локальных измерений за счет уменьшения размеров области приложения обедняющего постоянного и переменного напряжений в качестве электролита 2 целесообразно использовать вещество, электрол итическая диссоциация в котором наступает при оптическом облучении, например, лейкоцианиды трифенилметановых красителей. Проводящий канал к исследуемому участку образца создается при облучении вещества в ограниченной области, размеры которой определяются размерами сечения возбуждающего луча, временем жизни неравновесных ионов и их подвижностью в исходном веществе,Предлагаемый способ состоит в следующем: к исследуемому участку образца подводят зондирующее излучение миллиметрового,...