H01L 21/66 — испытания или измерения в процессе изготовления или обработки

Номер патента: 1581138

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Балкашин, Кулик, Пилипенко, Янсон

МПК: H01L 21/66

Метки: возбуждений, времени, неравновесных, релаксации

...По частотной зависимости (%) определяют частоту релакса" цИи квазичастиц используя аппрокси" мацию зависимостью ИГ ). Явный вид этого выражения рассчйтывают теоретически для конкретной модели процесса релаксации квазичастиц. Например, на фиг.З и 4 точками пред. ставлены экспериментальные значения 3, отражающие зависимость 1 И), и аппроксимация этой зависимости Функ" ций, 1(Г;Г) при разных значениях .Ю 6Для определения частотной завис- мости (Г) используют способ, обеспечивающий необходимую точность, достаточно простой и доступньй. Поскольку частота релаксации квазичас"тиц может находиться в широком час.тотном диапазоне (10 -10 Гц) в каУ 7честве источника излучения с нерестраиваемой частотой 3 используют набор генераторов сигналов...

Номер патента: 1649616

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Горбань, Завадовский, Тягушева, Шаповалов, Ясинский

МПК: H01L 21/66

Метки: выращенных, диоксида, кремнии, кремния, пленок, пористости, термически, электрохимический

...не происходит. Для увеличения разрешения способа площадь рамки ограничивающая электролит, составляет 6 см. В замкнутую2цепь включают миллиамперметр. От источника питания подают напряжение из расчета 3 В на 0,01 мкм толщины окисла. Во время исследования напряжение в цепи ПДЭ-системы поддерживают постоянным. Через 40-50 с производят измерение тока, протекающего в замкнутой цепи ПДЭ-системы при нормированной площади структуры Б-БхО, ограниченной рамкой, Легко определить предельно допустимую площадь всех пор на исследуемой поверхности окисла. Так, предельно допустимая пористость БхО принята 15 см , следовательно на площади 6 смколичество пор составляет 90. Предельно допустимая площадь пор 649616 4определяющей предельно...

Номер патента: 1653192

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Жилянин, Лившиц, Малявкин

МПК: H01L 21/66, H05K 1/18

Метки: контактирующее, техники, электронной

...рслики 5, ко" , ГОРПо ДЛЯ УМЕНЬКЕНТЯ ГРРЦЯ ИМЕЮТ возможность црлщения цл осях 1 б, То- пята,пи 11 расположены со смещением сдиц относительцо ру Ог с цозмож. 1-Остьн ВзлимолРЙс 1 ти 1 я с к 01)115" сом котг 1)оли 1 уемого изслин 2 ц цлцрлтт.:Ртг;11, перпецдикулярцем цяцрлвцяюнейг 11 ОД 5 глОм к напрг 1 ттл 5 щепе Й 3 тстссгз цг Обе стороны от а ус.лцвнеТы 5 П 1 угте контакты 1 /Г Гтс 5 тт 1 еьс в ро зе тки8 и Гцэцжд т Р к тЯ.) ГПТ) 5 юЛТм прокладкам 19, зклееццьм в боковуос ггс)тэерхетост. Напра влягооей;) цл 11 яиук 1 ЬТХ 60 КОБЬТХ СГ ОРОЦД Х КОг Сзой ЗОПО:1 Е 1 Ц ТР 1 НО ИЫГОЧНРНЫ ГОН Сэ КТ 1О .". оа:и 3, соверюая зоз врятно-нсстуТгельцое Геви;кение песзмещяет из 1 гиа 2 ПО цацрдВЛПОПЕй 9 Прц ГОМОППТ т ".,)1 алей 8. 11 ри...

Номер патента: 1400394

Опубликовано: 23.06.1991

Автор: Веденеев

МПК: H01L 21/66

Метки: коэффициента, холла

...- пй В 1 па(е)(111 е тсч кмяк :1 заев ается на"2 Г 10 р(1 дка 5льюености.Иа Фиг.1 представлена геометрия ;,О( ОЕГЛЕ(0 С ТЬ (21(,. П(Р ОУО ТИ."(а П 12 И ОПхолловского образца и ва,)ианть 1 его,О редслении 1( втих условияхвключения в иэиерителыые цепи; нафиГ. 2 " флук 1 уацииВО В емеЯи 1(оэ 1фициеиРа ХоллаСхема измерения коэФФициента Хохласоде,рант подключеннь)е к Образцу 1 ТО( Ф О р и у л а и .: а б р е т е и и яковь 1(е контакты 2 и холловские кон.такты 3, генератор тока ц) прибор 6 ",пособ Опреде)1 еи 1(с(эффнциентадлй нзи ер(ения силь 1 то к а; кле ммь 1 6 и (.О 1 ЛаОС(1 ОВаННЬ 1.:1 Н 1. 12 РОПУС 1(аНИИ ЧЕ") для включения изиерителя напряя(е- яйа между холловскими кантак:амимагнитное попе (и:.ремснно 1 О тска иКривые 8 и 9 соответств 1...

Номер патента: 1419425

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Веденеев, Ждан, Рыльков

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниках, примесей

...мэВ). В продольном электричес- ком поле 1 В/см и поперечном магнитном полл с магнитной индукцией В 400,2 Тл измерены значения Чй/11,25 1 О Ом см и Ч й/1 2,9110 Омсм, где Чн - ЭДС Холла; 1 - сила тока; Й - толщина образца, волнистой чер" той эдесь,и далее отмечены величины, относящиеся к эталонному образцу.Далее образцы экранируют от излучения и при первом значении температуры из области вымораживания основной примеси Т, =20 К измеряют величины Чс 1/1.1,52 10 Ом см и ЧЙ/1=с7.6710 Омсм. Устанавливают новое значение температуры иэ области вымораживания основной примеси Т=22,73 К и измеряют Ч Й/1706 Ом см и ЧЙ/1к 155 щ 2,96 1 ООм,см. Образцы нагревают до комнагной температуры, отвечающей условиюс:пшениц примеси, и измеряю ."д/1 1,5О" Ом см...

Номер патента: 1384120

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Ждан, Омельченко, Рыльков, Шафран

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: заряда, инверсии, каналах, мдп, носителей, свободных, транзистор

...нс с амплитудой 11 В и частотой следования455 кГц от генератора на фоне постоян-ного смещения напряжения. Ток между.истоком и стоком регистрируют с по .мощью осциллографа со стробоскопическим блоком. Время нарастания пере-. 50ходной характеристики определяютвизуально по сигналу на экраие ос-,циллографа, которое составляет 40 нс,Максимальную амплитуду У периодических импульсов определяют поформуле2 1. 1 - ЕсЬУ.ии+макс-18%Ь фйа8 биагде- требуемая точность равнаяв примере 0,45,Г - уровень Ферми;Е - энергия края зоны основсных носителей;- элементарный заряд;. - толщина диэлектрика,1 а ; концентрация легирующейпримеси в подложке;.ЕА - диэлектрические проницаемости полупроводника идиэлектрика соответственно, .При этом параметры...

Номер патента: 1376846

Опубликовано: 30.07.1991

Авторы: Болгов, Глушков, Малютенко, Мороженко, Морозов, Омельяновский

МПК: H01L 21/66

Метки: однородности, полупроводников

...составляет 2"6 мкм.Таким образом, его можно применять для контроля однородности соста-.ва полупроводников со значением Е0,2-0,6 зВ и для контроля однородности распределения примесей в полупроводниках с Е 0,2 эВ. Минимальноразличимая разность. температур тепловизора АСАсоставляет 0,2 Кпри ЗОО К. Переводя по формуле Планкатемпературную разрешающую способностьв энергетическую, устанавливают, чтоминимально различимая разность потоков теплового излучения (Ь , фиксируемая данным прибором, (ь 1) =щ 110 Вт/см.Теоретически или экспериментальноградуируют используемый прибор в единицах Е или х дЛя конкретного полупроводникового соединения, находящегося. при заданной температуре вышефоновой.Теоретически интенсивность 1 теплового излучения...

Номер патента: 1306404

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Антоненко, Байрамов, Веденеев, Ждан, Сульженко

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводников

...примеси Исстепени ее компенсации К и энергииактивации ЕНа фиг, 1 приведена рассчитаннаятемпературная производная уровня Ферми Р в полупроводнике; на фиг.2зависимость вспомогательной функцииИ от температуры Т.Измерения проводят в гелиевом кри"остате с электронным терморегуляторомв диапазоне температур 20-300 К,В режиме стабилизации емкости сигнал с измерителя добротности ВМ 560после интегрирования смещает МДП-структуру в направлении, компенсирующем возмущение ее ВЧ-емкости. Ста"билизация ВЧ-емкости осуществляетсяна уровне 10 , чувствительность кизменению емкости1 фФ на частоте1 МГц при амплитудном значении тестового ВЧ-сигнала 5 мВ.Определяют параметры легированиякремния в МДП-структуре АЕ-Б 1г2площадью 5 10 м " и толщиной...

Номер патента: 1204039

Опубликовано: 07.08.1991

Автор: Рыскин

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, мощности, рассеяния, транзисторов

...1. тоеоньй ключисточник напряжения 15 клемму пус-.Кя, б "1.П ГГрзоднког тК ОТСЕК За-д."."РЯНЗИСТСРЯ В ПРОТИВОПОЛОЖЕН .ИПУ ход к О т 0 Р с Г О с 0 е Д кн е ь с 11 е Р В ььа 1 ".хо"ДОМ схемы И ньгход которой чесез схему ИЛИ 5 соедкнек с упрднлио 1 цкм ВХОДОМ ГЕНЕПЯТОРЯ ГЧТНЬГХ КМГУЛа-.к -" упрднляющим Бх 0 дом Гене" ряторя тока 1, Выход которого СОЕДИНЕН С ГГЕРН 01 КЛЕММСй 1 (ДЛЯ ГГСДКЛЮЧЕНКЯ ЗМИТТЕРа ГГЗМЕР 5 ГЕИОГО транзкстсод21 Дтсрдя клем- МЯ 1 ОДля Г(одключенкя базы .; зменяд МО-.0 ТРДНЗ; ТРЯ 1 ОРД 11 НЕН.;. ":, "5теРОм понтсрктеля 13 к через токо огранкчкнаюв;ий Резистор 7 с базой ОТСЕК ЯЮЩЕ ГО ТРЯГНЗКСТОРЯ Я, ЗаГ".т"Е,: к 070 РОГО СОедкнек с выходом ксточ - НИКЯ НЯГ 10 яжения 1 Э Гао"ШЕКТОР СЕ- (Я 1 ЩЕГО 5 ЯЗС 0 СД Д...

Номер патента: 1289317

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Ждан, Мухин, Никитин, Синкевич

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, носителей, подвижности, твердых, телах

...на примере определения подвижности электронов в инверсном слое кремниевого МДП-транзистора, изготовленного на подложке/20 Ом см. Толщина окисла составляет0,1 мкм, площадь структуры3 РсмИзмерение производной магнитосопротивления ЙВ/йЧ (фиг. 2) при фиксированном напряжении на затворе Ч15 В проводится по модуляционнойметодике в процессе изменения индукции магнитного поля В от 1 до 3 Тл,Установленное значение температурыудовлетворяет условию реализации551 РТшспособа - - в -9во всем ин 2 Л Ь еВ.тервале значений магнитной индукции, Таким образом, значения индукции магнитного поля, приложенного перпендикулярно поверхности Б, при измерении зависимости ЛН/ЙЧ удовлетворяют23 1 сТщровсво всем7 Ъеисследуемом интервале. На фиг. 3 определяют...

Номер патента: 1137898

Опубликовано: 15.08.1991

Автор: Рыскин

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: нагрева, полупроводниковых, приборов, структур

...Одциковых приборов, Обусловленная тем, что у теплоемких прибороводного типа, имеющих разброс теплового сопротивления, импульс греющей5мощности определенной формы и длительности будет вызывать различныйнагрев,Наиболее близким по своей технической сущности является способ нагрева структур теплоемких полупрово 1 никовых приборов, заключающийся вподаче на прибор серии импульсовпостоянной мощности с контролем величины нагрева структуры в паузах между импульсами и прекращение подачиимпульсов в момент достижения температурой нагрева структуры заданнойвеличины.20Недостатком этого способа являет-.ся низкая производительность нагрева,т.к. при нагреве структур полупроводниковых приборов импульсами постоянной мощности, нагрев приборов одноготипа,...

Номер патента: 1674016

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Рыжов, Рябинин, Чумаков

МПК: G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: вольт-фарадных, регистрации, характеристик

...равно 20011В) = 1 В), -- ) 1 Сд)С1) вС 1 ВР) где 011 а) - значение напряжения на выхо де избирательного усилителя 17;С - емкость измеряемого объекта 18;В - сопротивление измеряемого обьекта 18;С 1 - емкоСть образцового конденсатора 30 16;в - круговая частота синусоидального напряжения;01 ц а) - значение синусоидального напряжения (тестового сигнала) на выходе 35 сумматора 9.С выхода избирательного усилителя 17 сигнал, пропорциональный комплексной проводимости измеряемого объекта 18, поступает через второй вход блока 2 обра ботки на второй вход фазочувствительного выпрямителя 7. Синусоидальное напряжение с выхода генератора 1 через первый вход блока 2 обработки поступает на вход первого фазосдвигающего элемента 3. На пряжение с выхода...

Номер патента: 1556463

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Бенеманская, Лапушкин

МПК: H01L 21/66

Метки: двумерных, зон, металла, поверхности, электронных, энергии

...Сввеличина степени покрытия, соответствующая минимуму работы выхода Йр0,5, так что можно наиосить плен"ку Сз с любой степенью покрытия Влежащей в интервале 096 0,5. Вданном примере на поверхность (100)Мнанесена субмонослойная пленка Свсо степенью покрытия 90,3.На образец О(100) со стороныпленки Сз фокусируют монохроматнческий свет видимой спектральной области, интенсивностью 110 Вт/см,получаемый с помощью монохроматора8 от источника 6 видимого свете. Спомощью поляроида 1 0 осуществляютполяризацию электрического вектораизлучения в плоскости падения облучения (выделяют излучение р-поляризации) . Длину волны монохроматического света изменяют в. пределахот красной границы фотоэффекта, Я= 620 нм до длины волны видимогосвета л400 нм. Линейная...

Номер патента: 1575845

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Бенеманская, Лапушкин

МПК: H01L 21/66

Метки: двумерных, зон, металла, металлической, пленки, подложке, субмонослойной, щелочно-земельного, щелочного, электронных, энергии

...света. С помощью поляроида 10 осуществляют поляризацию электрического вектора излучения в плоскости падения облучения(выделяют излучение р-поляризации),Длину волны монохроматического светаизменяют в пределах от Л800 нмКдо длины волны видимого света Л= 400 нм. Линейная дисперсий монохФоматора равна 2 нм/мм, что при ширинещелей монохроматора, равных 1 мм,позволяет использовать для облучения.пленки. участок укаэанного спектра ши".риной ЮЛ = 2 нм. Погрешность измерения длины волны монохроматическогосвета составляет Л, = 0,05 нм. Облучение пленки светом осуществляют подуглом д 45 ф так как .угол Брюстераудля этой системы в видимой облас.Р оти спектра равен )ф= 78Интегральный фотоэмиссионный токрегистрируют в цепи подложка 4 с пленкой -...

Номер патента: 1618222

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Липкес, Мартынова, Симонов

МПК: H01L 21/66

Метки: величины, дозы, имплантации, ионной, однородности

...ннковую подложку наносят слой нонночув.ствнтельного резнста с параметрамн, соответствующнмн условню О(Р(О,где О.чЬ - мннямальная доза (пороговая), прн которой начинают пронсходить раднацноннохимические процессы сшнвания нлн леструкцнн реэнста; Р. - доза прнмесн, вызывающая полное ралнацнонно хнмнческое превращенне реэнста, проводят нмплан. тацню, после нмплаптацнн прнмесн рсэнст проявляют н нонтролнруют точность н одно. родность дозы по толщине оставшегося после проявления слоя реэнста,В качестве реэнста можно использовать также фоторезнсты,Пример 2, На установке нонной нмплантацнн сВезувнйконтролнруют однородность дозы нмплантнрованной прнмеси. Для этого была пронзведена нмплантацня ионами бора дозой 0,05 мкКл/см в две...

Номер патента: 1468325

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Байрамов, Веденеев, Ждан, Клочкова, Свешникова

МПК: H01L 21/66

Метки: зондовых, измерений, образец, проводимости, удельной, холла, эдс

...геометрические размеры которого з = 2 мм, а = 10 мм, Ь = 2 мм, с = 2 мм, Затем образец отмывают в трихлорэтилене, его поверхность освежают под равливанием в смеси 3:1 азотной и плавиковой кислот. Контакты наносят азидным способом, т.е. берут навеску 2 мг азида серебра и импульсом. электрической энергии иницлируют взрывное направленное разложение навески.Если потенциальные контакты расположены на боковых поверхностях выступов (см, чертеж), то плоскость каждого из потенциальных контактов 1 - 4 практически перпендикулярна электрическому полю в образце и. следовательно, шунтирование-а" Составитель И,ПетровичГехред М,Мсргентал Редактор узнецова ректор С,Черни Тираж Подписное царственного комите 1 а по изобоетениям и открытия 113035,...

Номер патента: 993774

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Александров, Веденеев, Ждан, Маркин, Никитин, Тестов

МПК: H01L 21/66

Метки: варианты, его, света, электроотражения, электропоглощения

...избирательныа узкополосные усилители, настроенные на разностную частоту Ы=г:.и - иа де гэ; - частота импульсов света на выходе модулятора света; гт:2 - частота импульсов на выходе лтормирователя импульсов модулирующего напряжения. 2, Устройство по и, 1, содержащее источник свеа, источник модулирующего напряжения, последовательно соединенные блоки измерения и регистрации прошедшего и отраженного ст образца света, о т л ич а ю щ е е с я тем, чо. с целью повышения чувств. тельности, дополнительно содержит второй источник света, формирователь импульсов модулирующего напряжения, включенный между источн ком модулирующего чапряжения и образцом, состоящий из последовательно соединенных фотоэлемента, делителя частоты и усилителя,...

Номер патента: 1690026

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Баранов, Негрескул, Фокин, Чиник

МПК: H01L 21/66

Метки: контактное, параметров, полупроводниковых, приборов, сильноточных

...8 обеспечивает механизм прижима в виде витой пружины 12, установленный на стержне, Электрический ток подводится к стержню проводом 13, который прикрепляется гайками 14, а потенциальный регистрирующий сигнал снимается с помощью провода 15.и розетки 16. Стержень приводят в движение, например, вручную с помощью ручки 17 или с помощью линейного двигателя, Первоначальное усилие упругого контакта на контролируемый прибор 5 регулируют с помощью винта 18.Конструктивно упругий контакт выполнен в виде тонкостенной осесимметричной чаши, жестко прикрепленной кромкой к выступу стержня в торце, а контактирующий элемент - в виде перевернутого стакана с закругленной кромкой стенок и закрепленного жестко к внешней поверхности дна чаши. Такое...

Номер патента: 921385

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Бабаджанов, Оксанич, Спектр, Тузовский, Шаповал

МПК: H01L 21/66

Метки: меры, образцовой, полупроводниковых, слоев, толщины

...низкая долгове ность меры, обусловлен н ая возмок ность ю от клеи вания пластины от подложки е процессе эксплуатации,ааеВЦелью изобретения является повышение точности воспроизведения толщины и долговечности образцовой меры.Цель достигается тем, что в известном способе изготовления образцовой меры толщины полупроводниковых слоев, основанном на шлифовке и полировке плас;ины из полупроводникового материала до получения номинальной толщины, пластину из921385 Техред М,Моргентал Редактор О. Юркова Корректор Т. Палий Заказ 4637 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 готавливают...

Номер патента: 1429848

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Веденеев, Гольдман, Ждан, Кузнецов

МПК: H01L 21/66

Метки: границе, диэлектрик, параметров, пограничных, раздела, состояний, —полупроводник

...при котором заполнение ПСстановится сильно неравновесным. Обед"30няющий изгиб зон , где о - зарядзэлектрона;- потенциал, соответствующий обедняющему изгибу зон, устанавливают (меняя полевое, напряжение)примерно равным половине запрещеннойЗБзоны полупроводника Е. Точное значение о д можно найти, например, из измерений вйсокочастотной емкости цепизатвор - подложка. Ее величина С (наединицу площади структуры) связана с дошириной слоя пространственного зарядаЧ соотношением 45 65С С - переменные интегрирования;С - решение уравнения47%и Ъеет + иС Сгде 2 - относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника;Со - емкость единицы площади диэлектрика.При этом(р =гиц И Чгде Б - концентрация легирующей приРмеси (ее значение...

Номер патента: 1704194

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Кузнецов, Лебедев

МПК: H01L 21/66

Метки: годности, группам, пластине, полупроводниковых, разбраковки, структур

...активной части структур, проверку электрических параметров указанных областей. маркировку структур по результатам проверки. о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения надежности разбраковки, контрольные области формируют на поверхности, свободной от защитных пленок, в количестве, соответствующем числу групп годности, а маркировку производят нанесением меток на зти области,2. Способ поп,1, отл ича ющийс я тем, что нанесение меток производят злектроэрозионны," путем. Составитель И.Петрова Редактор С,Патрушева Техред М.Моргентал Корректор С.ЧерниЗаказ 65 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035. Москва. Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г,...

Номер патента: 1704195

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Гусаров, Костылев, Соболев, Шугинин

МПК: H01L 21/66

Метки: глубоких, исследования, полупроводниках, уровней

...усилителя 21 и синхронноо детектора 22, на вход опорного сигнала которого через 20 фазовращатель 24 подается сигнал с генератора 23 синусоидального напряжения, второй выход которого подключен к мосту 20 полных и ро водим остей. В качестве моста полн ых проводимостей может быть использован 25 трансформаторный мост по схеме, приведенной нв фиг.б. На образец 2, включенный в измерительную цепь моста 20 напряжение постоянного и импульснаго смещения может быть подано по известной схеме. К об разцу 2, включенному в измерительную цепь моста 20, приложено также синусоидальное напряжение с выхода генератора 23 синусоидального напряжения (фиг.2 г). В результате воздействия на образец 2"1- 35 г;льсов заполнения происходит л 1 су "яция...

Номер патента: 1705921

Опубликовано: 15.01.1992

Автор: Ефимов

МПК: H01L 21/66, H05K 1/18

Метки: контактное

...в корпусе 1.Планки 7 им-.ст встречные скосыо10, вьполненные под Угг 1 О 25,30к дпрднению арамеения, валикд 3,Встречные скос-; 10 Обращены для преобраэовдния пеемещения рдсположенного между ими лаликд 3 я рдздлижениепланок 7 друг от друга а направле:О,",О .РГС 1;.Г.)ЕО,. И ГОс, ду,гье 1 нх ,",:цл.1 к .,Г, м внутг,р 1гОГи с ут,1 ,(асиел, оллнНО ГПОЛНЕИЕ С,Г ;"ЛХ К 1;С.;1 С ЗДОУГЛ"ЕИ О гЛДИУ(УВ исодном состояНи и нкихо"ктал 8 с( мкнуты и между выйоЛ 1 а 1, И 3(Од Ь И цдСТЛ, 1 КОНТЭКгов 8 и: ется л 1 лор 1 (,иг,3).М 111 рдлм;:.,ена в плдстмдссовомсгУг ик-нситеге 13, я,л оленнолл ввиде р,1 лки с гнездом для ИМ и полостью для раэмеения выводов ИМ,Устроство рабо;ает следующим Образом,Установленную в гнездо спутниканосителя 13 (фиг,3) ИМ 14...

Номер патента: 1711271

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Бормонтов, Крячко, Сыноров, Чистов

МПК: H01L 21/66

Метки: диэлектрику, контакта, полупроводнику, создания, электрического

...изобретения позволяетез,дополнительной операции напыления(71) Воронежский государственный университет им, Ленинского комсомола(56) Авторское свидетельство СССР М 995000, кл. 6 01 й 1/06, 1983,Авторское свидетельство СССР М 476517, кл. 6 01 й 1/06, 1975.(54) СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КОНТАКТА К ПОЛУПРОВОДНИКУ ИЛИ ДИЭЛ Е КТРИ КУ Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано приконтроле технологических процессов в по-лупроводниковом приборостроении,Целью изобретения является повышение воспроизводимости площади контакта.Сущность изобретения заключается втом, что зонд из сплошного индия прижимают с усилием, обеспечивающим давление,равное 2-4 Н/мм, к поверхности полупро 2водника или диэлектрика и выдерживают...

Номер патента: 1711272

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Джиоев, Ичкитидзе, Кавокин, Флейшер

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузионной, длины, полупроводниках, проводимости, р-типа, электронов

...необходимо выполнениеб улярно поля- условия бмаксе При выполнении этого о илк при возбуждении циркуля н им пове хности слоя, при условия можно пренебречь вкладом в люмичем Яо и Ак должны удовлетворятьусловию несценцию электронов, достигших второйДля исключения влияния поверхностПространственная неоднородностьб ии необходимо, чтобы по 30 ве ть бразца была пассивирована.нт а ииэлект онов и ной реком инации не плотности их спи р д и пинап иво иткзависимости верхность оВн енние слои многослойных полупростепе ц РУ Р пени и к ля ной поляризации люми- нутрводниковых структур имеют пассивированнесценции от длины волны (фиг,2). На фиг.2 в треугольникам о ознпассивированной поверхности ( Раницы 35 ОаАз-баААз), а кружками - для свободной на длине...

Номер патента: 1712906

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Алябина, Корнаухов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: базового, диода, меза, проводимости, слоя, типа

...базового слоя меза-диода в процессе его ФормированияЦель изобретения - обеспечение возможности определения типа проводимости,базового слоя в процессе формирования мезв-диода.Способ определения типа проводимости базового слоя полупроводникового меза-диода в процессе его формирования состоит в нанесении маскирующего покрытия площадью 31 на поверхность трехСлойной структуры с сильнолегированной подложкой, менее легированным базовым Слоем толщиной ЧЧ и сильнолегированным поверхностным слоем толщиной 1 с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки, травлении структуры на глубину б, причем б1+ Я, измерении емкости структуры С 1, удалении маскирую; щего покрытия до площади 52, травлении структуры на глубину х;х 1+Ю ИоЕЕо...

Номер патента: 1712987

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Веденеев, Дмитриев, Ждан, Рыльков, Шагимуратов, Шафран

МПК: H01L 21/66

Метки: методом, параметров, полупроводников, холла, эффекта

...образец 1, токовые контакты 2 и 3, потенциальные зонды 4,5 и 6, дополнительный зонд 7, размещенныйна нижней поверхности образца, источник 8напряжения, измеритель 9 силы тока, измеритель 10 ЭДС Холла Чн, измеритель 11 па 45 дения напряжения между потенциальнымизондами Чизмеритель 12 разности потенциалов между дополнительным зондом и токовым контактом (стрелками указанынаправления ориентацйи магнитных полейВ и В, волнистые стрелки указывают на правление падающего на образец излучения).Способ реализуется следующим образом.Снабжают образец 1 двумя токовымиконтактами 2 и 3 и тремя потенциальнымизондами 4, 5 и 6, расположенными на противоположных токовых и боковых гранях образца, перпендикулярных его поверхности,соответственно. Снабжают...

Номер патента: 1714723

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Антипов, Горчаков

МПК: H01L 21/66, H05K 1/18

Метки: аппаратуре, блока, подключения, электронного

...реализации предлагаемого решения используется электропроводный пластичный материал с пределом текучести о 100 - 300 кг/см, что обеспечивает деформагцию этого материала при усилии Рпд, оцениваемом по формулепд О Бтгггде Ят =л = - " - площадь контактироОк4еаиия (фиг,1 б, Например, при ОЕ = 2 мм, Ят = 3 10 г см, усилие пластической деформации составляет Рпд=З - 9 кг, что обеспечивается при использовании, например, в качестве ЭПМ свинца или его сплавов.На одной стороне каждого контакта выполняют коническую выемку с диаметром Ок, большим (до 1,5 раз) диаметра вывода О 8, Например, при О 8=2 мм О = 3 мм, Заполняют ЭПМ конусную выемку контакта не полностью, для того, чтобы внутренняя поверхность этой выемки служила направляющей для вывода,...

Номер патента: 1721665

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Мирошкина, Петрович

МПК: H01L 21/66

Метки: балочными, выводами, полупроводниковых, преимущественно, свч-приборов

...приборов с балочными выводами, общий вид; на фиг, 2 - узелна фиг, 1 (полупроводниковый СВЧ- прибор с балочными выводами, контактные элементы СВЧ-тракта и упругая тонкостенная прозрачная оболочка в момент контакти рова ния).Устройство для контроля полупроводниковых приборов содержит основание 1 с контактными элементами микрополосковой линии 2, эластичный прозрачный прижимной элемент, выполненный в виде тонкостенной оболочки 3, внутренняя полость которой соединена с источником 4 избыточного давления Р через штуцер 5 пневмо- или гидропривода. Устройство снабжено ограничителем перемещений тонкостенной оболочки 3, выполненным в виде кольца б, плоскость которого параллельна плоскостиконтактных элементов микрополосковой ли 5...

Номер патента: 1721666

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Кобелев, Костин, Машошин, Панина, Самофалов, Ушаков

МПК: H01L 21/66

Метки: испытания, термокамера, электронных

...наблюдается вен но в объеме рабочей камеры, а также при винтообразное движение потока.движении по пылеемкому вытяжному и на Взвешенные частицы загрязнений регнетательному воздухопроводам. В реэуль- циркуляционного воздуха центробежной тате термокамера работает в силой отбрасываются к внутренней стенке экстремальных условиях, что отрицательно суживающегося диффузора 7 (фиг. 2) и насказывается на надежности используемых правляются в спиралеобразные канавки 9,35 где под действием возросшего гидравличеЦель изобретения - повышение досто-. ского сопротивления спиралеобразных каверности испытаний за счет увеличения од- навок 9 резко уменьшают свою скорость, народности воздушного потока. сталкиваются с другими частицами, укрупПоставленная цель...