H01L 21/66 — испытания или измерения в процессе изготовления или обработки

Номер патента: 560278

Опубликовано: 30.05.1977

Авторы: Зырянов, Орлов

МПК: H01L 21/66

Метки: автомат, коммутации, разбраковки

...контакты 33 и 34. Неподвижныйучасток направляющей для скольжения приборов обозначен позицией 35. Пружина 36 постоянно поджимает подшипники 11 ползунов 9и 10 к кулачкам 25 и 26.В механизме 2 последовательной подачи интегральных схем установлены фотодатчики 37и 38 для счета измеряемых и годных приборов,Контактная группа 39 и кулачки 40 служатдля обеспечения своевременного перемещениякассет на загрузке приборов и разгрузке годных приборов.Ролики 29, рычаги 31 и контакты 33, а также ролики 30, рычаги 32 и контакты 34 конструктивно выполнены, как контактные колодки 3.Автомат работает следующим образом.Движение с электродвигателем 16 через редуктор 17 и цепную передачу 18 передается навал 19. С вала 19 через зубчатые колеса 20,22 и 21...

Номер патента: 561234

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Галунов, Морозов, Староверов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: автомат, полупроводниковых, приборов, разбраковки

...приборов на 180, закреплена непод. вижно таким обраэом, что пазы диска 7 являются продолжением пазов лотка. Часть 23 лотка мож.т перемещаться с помощью электромагнита 25 и ры чага 26 в вертикальной плоскости между упора. ми 27, 28, выполненными на кронштейне 29,Устройство выгрузки промаркированных при боров выцолне о и виде трубки-сопла ЗО, нз кото. рую посажена втулка 31, поджимаемая пружиной 32 с нижней поверхности транспортирующего ротора 3, Во время остановки ротора на позиции, выгрузки его гнезда сообщаются посредством сверлений, имеющихся в роторе, с соплом ЗО, к которому подведен сжатый воздух.Для предотвращения выгрузки (на данной познща); из ротора непромаркирозаиных приборов имеется заслонка 33 с приводом от электромагнита,...

Номер патента: 562883

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Гостев, Зданович

МПК: H01L 21/66

Метки: автомат, диодов, классификации

...органы сортирующего устройства выполнены в виде выталкивающих планок, закрепленных на подвижных якорях электромагнитных приводов.На фиг. 1 - кинематическая схема автомата; на фиг. 2 - схема, поясняющая работу автомата; на,фиг, 3 и 4 рабочий ротор, узел 1 и разрез Л - А на фиг. 2.Автомат классификации диодов состоит из загрузочного устройства 1, ротора 2 поштучной выдачи диодов, перегружающего 3 и рабочего 4 роторов, закрепленных:неподвижно на валах соответственно 5, 6 и 7, зубчатых колес 8, контактов 9 и сортирующего устройства 10 с выталкивающими планками 11, укрепленными на якорях электромагнитов 12. Рабочий ротор состоит из диска 13, закрепленных на его цилиндрической поверхности неподвижных 14 и подпружиненных к ним подвижных...

Номер патента: 565338

Опубликовано: 15.07.1977

Авторы: Крачковский, Куцинс, Трифонов

МПК: H01L 21/66

Метки: классификатор, полупроводниковых, приборов

...устройство 1, пневмоустройство 18, каретку 19, привод 20 карепки, лрограммный датчик 21, электромагниты 22, транспортные, кассеты 23, магазин 24, датчики каасетирования 25, механизм каасетирования 26 с кареткамп 27, обоймы 28.На каретке 29 устройства раакладки 5 в направляющей втулке 30 размещен прижимзахват 7, которыи содержит корпус 31, имеющий упор 32. В расточке корпуса 31 вставлен сетчатый диск 33, под которым находится прижимное кольцо 34, закрепленное гайкой 35 и винтом 36,В корпусе 31 выполпены опверстия, соответственно количеспву и рааположению выводов полупроводникового прибора, которые соединены со штуцером 37, Сбрасыватель 38 удерживается дружиной 39 на упоре 32. Опора 40,пружинным компенсатором 41 1 прижимается к крышке 42,...

Номер патента: 565339

Опубликовано: 15.07.1977

Авторы: Кононов, Чистов

МПК: H01L 21/66

Метки: испытаний, камера, климатических, полупроводниковых, приборов, проходная

...камера работает следующим образом,Транзисторы, уложенные в технологическую тару-спутники или без нее, поступают в течку питателя 1, затем в направляющую 3 механизма загрузки 2, проходят сквозь паз 7 неподвижной направляющей 6 и загружаются в паз 11 транопортирующего барабана накапителя 10. Приборы снизу удерживаются дисками (на чертеже не показаны).При заполнении паза 11 число запружаемых приборов контролируется фотоэлементами (на чертеже не показаны), механизм 2 перемещается на шаг, совмещая направляющие 3 и 4 с пазом 8 промежуточной направляющей б и пазом 12 барабана-накопителя 10.По заполнении паза 12 механизм 2,перемещается еще,на шаг, совмещая направляющие 4 и 5 с пазами 9 и 13. После заполнения трех радиально расположенных...

Номер патента: 566277

Опубликовано: 25.07.1977

Автор: Головко

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, полупроводниках, примеси

...Ужгород, ул. Проектная, 4 роля йачества легирования полупроводниковых пластин в;промышленности.Металлизацию в таких случаях можно заменить использованием ртутных контактов, как это имеет место в вольт-фрадном методе. Способ измерения концентрации примеси в полупроводниках, включающий создание потенциального барьера Юоттки. путем металлиэации участка поверхности полупроводника. и приклады" ванне регулируемого смещения к барьеру, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения и ускорения измерений, при прямом смещении измеряют уровень низкочастотных флуктуаций напряжения и величину протекаиаего черезбарьер тока, а кснцентрацню примесиопределяют по формуле5 монс 1где 3- ток, при котором уровеньФлуктуаций напряжения в баоьере Шоттки...

Номер патента: 570129

Опубликовано: 25.08.1977

Автор: Поляков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: групповых, испытаний, ненадежных, отбора, потенциально, техники, электронной

...держателями испытуемыхиэделий 5 с формирующими цепочками 6 иштепсельные разъемы 7. Отдельные виткипроводников образуют автономные источники элекчропитания 8, которые через штепсельный разъем и контактное приспособление 9 подсоединены к испытуемому издеРабота устройства происходит следуюшим образом,При вращении ротора-барабана 2 испытуемыми изделиями 5 в витках проводников 3, движущихся в магнитномполе, создаваемом магнитами, установленными вкорпусе 1, действует инуктированная ЭДС.Отдельные витки проводников, вращающиесясовместно с ротором-барабаном в магнитном поле, выполняют роль автономных источников электроэнергии, обеспечивающихэлектропичаннем соответствующие цепи испытуел ыхизделий. Например,при испытаниитранзисторов при...

Номер патента: 573781

Опубликовано: 25.09.1977

Авторы: Гуцман, Сульжик

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: автомат, варикапов, комплекты, подбора

...пьданный устройством 1 подачи на измерительные контакты, поступает фиксированное напряжение смешения У, (см. фиг. 2) с блока 2 задания режимов С выхода измерителя 3 20 напряжение, пропорциональное емкости вари- капа, через коммутаторы 41, - 4 подается .на компвраторы 5 - 5, определяющие предположительную принадлежность варикапа 9 к комплекту. Пусть варикап 9 принадлежит и находится в зоне допуска первого комплекта (см. фиг. 2, кривая 1), тогда сигнал логического устройства 6 отсоединит от измерителя 3 коммутаторы 4 - 4 п, и подсоединит к варикапу 9 напряжение смешения (см, фиг. 2), а к выходу измерителя 3 селектор 7, Селекторы представляют собой пороговые устройства, вырабатывающие вь- ходной сигнал только при подаче на их вход...

Номер патента: 573782

Опубликовано: 25.09.1977

Авторы: Орлов, Принц, Скок

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых

...напряжением генератора прямоугольных импульсов частотой11, кроме того, подается постоянноенапряжение, которым может осуп;ествлятьсяи инжекция носителей заряда в диод, от 50источника 2 постоянйого напряжения. измерительный высокочастотный сигнал поступаетна сумматор с генераторатока высокойчастоты Х 6.Высокочастотный сигнал, возникающий нв б 5диоде, поступает на детектор 8 огибающейСигнал с детектора 8 подеется нв детекто9 вершины импульсов, в котором вершинывходящих импульсов сравниваются с вершинами прямоугольных импульсов. Ев выходе, 60 4детектора вершины импульсов образуетсясигнал ошибки, пропорциональный отклонениюформы вершины входящих импульсов от формывершины прямоугольных импульсов. Сигнал ошибки управляет напряжением...

Номер патента: 578662

Опубликовано: 30.10.1977

Авторы: Гуреев, Долин, Кормилкин, Филатов

МПК: H01L 21/66

Метки: интегральных, испытания, схем

...контакты связан с системой измерения. Наличие скользящих контактов снижает надежность работы известного устройства.5 Целью изобретения является повышение надежности устройства.Указанная цель достигается тем, что носители интегральных схем закреплены на пружинных подвесках в съемных кассетах корпу 10 са с возможностью радиального перемещенияна позиции контактирования.На чертеже схематически изображено предложенное устройство, общий вид с частичными вырезами для лучшего показа конструк 15 ции,Устройство содержит корпус 1, контактноеустройство 2, кассеты 3 с ностелямп 4 интегральных схем, поворотный пневмоцилиндр 5,фиксирующий пневмоцилпндр 6, прижимной20 пневмоцилиндр 7, пружинные подвески 8.Устройство для испытания интегральныхсхем...

Номер патента: 557701

Опубликовано: 25.12.1977

Авторы: Лисенкер, Марончук, Пухов

МПК: H01L 21/66

Метки: излучающих, отбраковки, полупроводниковых, структур

...содержит подвижный капиллярныймикрозонд, заполненный электролитом, поцентральной оси которого расположен световод с фотоприемником,Микрозонд может легко перемструктуре, а фотоприемник при эрует вет ичину квантового выходав соответствующей тоЧке,На чертеже приведена структурная схемапредложенного устройства,Устройство содержит измерительную пластину 1, на которой установлен капиллярныймикрозонд 2, заполненный прозрачным электролитом, который является омическим контактом 3. По центральной оси микрозондарасположен световод 4 с фотоприемником 5,Пластина размещена на норвижном держа557701 Подписноеа Совета Министрооткрытийшская наб., д. 4/ 4 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Прое теле, р6 об азца Микроэонд и держатель образца...

Номер патента: 586407

Опубликовано: 30.12.1977

Авторы: Родный, Якерсон

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, структур, температуры

...импульсы анодного тока от генератора 2, От генератора 1 подаются импульсы на модулятор 10 че586407 ставитель Т. Дроздов Техред Л. Гладкова Корректор И. Позняковская дактор Н 1 зд.1 аказ 278 ираж 110 одписное пография, пр. Сапунова,рез блок задержки 7. В модуляторе 10 формируются импульсы для управления импульсной трехэлектродной рентгеновской трубкой 11, анодное напряжение на которую поступает от блока питания 9. Мощные кратковременные рентгеновские импульсы с анода трубки 11 через фильтр 12 и свинцовый коллиматор 13 попадают на р-и-р-и структуру со стороны катода 4. Глубина проникновения рентгеновских лучей для структуры с определенной глубиной залегания коллекторного р-и перехода и толщиной металлического покрытия регулируется...

Номер патента: 494063

Опубликовано: 05.01.1978

Авторы: Вайткус, Ярашюнас

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводника, фотоэлектрических, характеристик

...содержащее одномодовый твердотельный лазер 1 на стекле с неодимом, лазерный усилитель 2, набор нейтральных светофильтрон 3 для изменения мощности излучения лазераа стеклянную плоскопараллельную пластйну тдля отвода части луча лазера к измерителю 5 мощности излучения, например к фотоэлементу ФЭКК, За пластиной 4 на пути излучения установлен делитель 6 света, например система призма для разделения лазерного луча на два луча. На месте пересечения этих лучей помещен исследуеьияй полупроводниковый образец 7 и измеритель 8 интенсивности дифракциикоторым может служить также фотоэлемейт ФЗКК. Измеритель 5 мощности излучения и измеритель 8 интенсивности дифракции подключены к двухлучевому запоминающему осциллографу С 1-429. Направление лучей...

Номер патента: 588517

Опубликовано: 15.01.1978

Авторы: Латышев, Стельмах, Уренев

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, концентрации, носителей, подвижности, полупроводниках

...частоты 1 которая выше рабочих частот питания электромагнита и образца, с выхода эталонного генератора 1 подается на входы трех делителей 2, 3, 4, часто588517 Формула изобретения Составитель Т, Дозоров Техред И. Карандашова Корректор Е. Хмелева Редактор Н. Коган Заказ 3170/10 Изд, Мв 100 Тираж 1109 НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Подписное Типография, пр, Сапунова, 2 ты, коэффициенты деления которых подобраны таким образом, что частотасигнала на выходе делителя 2, предназначенного для питания фазового детектора 5, является суммой или разностью частот питания электромагни та 8 и образца. Сигнал частотой,а с выхода делителя 3 подается на вход...

Номер патента: 591974

Опубликовано: 05.02.1978

Авторы: Бергманн, Данильченко, Корольков, Яковенко

МПК: H01L 21/66

Метки: материалах, параметров, полупроводниковых, электрических

...носителей. При толщине слоя с 1(. измеряют время задержки появления максимума фототока, вызван. ного диффузией носителей с поверхности образца, относительно импульса Фототока, вызванного освещением слоя объемного заряда р -Л -перехода. Строят зависимость времени задержки от расстояния между р-п -переходом и освещаемой поверхностью и по наклону этой зависимости находят скорость диф 50 Фузии У неосновных носителей. Иэ выражения для скорости диффузии, используя определенные значения О , находят диффузионную длину неосновных носителей (55 УПри толщине исследуемого слоя да(. диффузионную длину ( находят по известному 2 из выраженияЯ-гм,полученному из условИя существования экстремума зависимости концентрации возбужденных носителей р от...

Номер патента: 494958

Опубликовано: 05.03.1978

Авторы: Бродовой, Дерикот, Мирец, Пека

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: инжекции, коэффициента

...при исследовании фоточувствительных кристаллов, в которых наблюдается оптическое гашение собственной,фотопро" водимостй, например, Сд Ь, Сц Яе, ба Аз СС о ) 6 о Аь(С),йв и Ь 1с глубокими примесными центрами и др Способ позволя. ет определить долю инжекционного тока в общем токе через кристалл.Предложенный способ измерения коэффициента инжекции состоит в следующеМ, После нанесения контактов снимают темновую вольт-амперную характеристику (ВАХ) . Кристалл возбуждают, светом из области собственного спектрального состава и при напряжении - из области линейности темновой БАХ измеряют фо"494958 формула изобретения Составитель В. УтехинаТехред Н.Андрейчук Корректор А. Кравченко Редактор Т, Орловская Заказ 937/7 Тираж 1111 Подпис...

Номер патента: 600481

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Березин, Парпаров, Писарский, Райхцаум, Смирнов

МПК: H01L 21/66

Метки: переходов, температуры

...характеристики управляющего перехода (т, е. наклона касательной в точке вольтдмперной характерцстцкц, которая задается значением измерительного тока более резкая, чем температурная зависимость С р - и.На фцг, 1 представлена блок-схема устройства для осуществления предлагаемого способа; на фиг. 2 - график изменения наклона касательной в заданной точке вольтамперной характеристики управляющего перехода с увеличением температуры от Т до Тг и соответствующего ему изменения разбаланса моста от у,1 до у.Источник измерительного тока 1 включен в цепь испытуемого управляющего перехода, например, тирцсторд 2. Управляющий переход включен в одно цз плеч дифференциального моста переменного тока, плечи которого составляют переменные резисторы 3 и...

Номер патента: 600482

Опубликовано: 30.03.1978

Автор: Головко

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводников, свойств, электрофизических

...производится следующим обра.зом,Путем металлизации участка поверхности ис следуемого полупроводника изготовляют барьерШоттки, который подключают к клеммам 6 и по.мещают в криостат 3, Через барьер пропускают от источника 4 постоянного, тока через нагрузочный резистор 5 прямой постоянный ток, величина кото, рого примерно в два раза превышает ток насьпщения. Изменяя температуру в криостате 3 регистрируют температуру, и измеряемую при помощи термопары 2 и милливольтметра 1, и уровень флук.туаций напряжения по индикатору 7. Затем строят 15 график зависимости логарифма величины, флуктуаций от обратной величины температуры и по графику находят точку перегиба падающего с повышением температуры линейного участка графика.Температура,...

Номер патента: 600483

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Гуревич, Долгих, Салман

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: структуры, температуры, тиристоров

...о- ЯАЧр гт Ж)45 Между управяющим электродом и катодом испытуемого тиристора 1 1 см фиг .1) подключают источник постоЯнного упрааляюще).о тока 2 и уста- навливают.ток УЛРавлснин, достаточи)дй д)Я полив го включения береговой липин управляющего алек трода тиристора. Анод и катод испытуемого тирнс. тора 1 соединяют через измерительный прибор 3 для регистращти разности потенциалов Е ,. Между этими электродами В отсутствие специального источника аноДного напряже)пот. В качестт)е термо 10 чувствительного параметра используют 1 тазнс)сть по" тенциалов между анодом и катодом тиристора,Физическая сущность возникновения Е, следуеогцаяь.При протекппщ тока д по р-базе В нее )и. 15 жектируются избыточные электроны и и для со. хранения...

Номер патента: 616597

Опубликовано: 25.07.1978

Авторы: Карапатницкий, Терехин, Уваров

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: барьерных, емкостей, параметров, переходов

...блока 8 обработки данных, К блоку 8 обработки данных также подключе"ны источник 4 постоянного напряжениясмещения и генератор 1 синусоидального напряжения.В основе работы устройства лежит616597 Формула изобретения НИИПИ Заказ 4061/43 Тираж 1112 Подписноеилиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 анализ гармонических составляющих тока, протекающего через нелинейную барьерную емкость обратно смещенного р"и перехода под воздействием приложенного к нему синусоидального напряжения.Под действием синусоидального напряжения через подключенную к выходу ге 5 нератора 1 цепочку, состоящую иэ последовательно соединенных исследуемого р-п, перехода 2 и измерительного резистора 3, протекает несинусоидальный ток. Йесинусоидальный характер 10 тока...

Номер патента: 616599

Опубликовано: 25.07.1978

Авторы: Алексеев, Петров, Соловьев, Тихонов, Хорунжин

МПК: H01L 21/66

Метки: ветевей, индикатор, полупроводниковых, проводимости, сплавов, термоэлектрических, термоэлементов, типа

...при разбраковке ветвей с токовым сечением ток 1 ммаЦель изобретения - повышение производительности при определении типа проводимости полупроводниковых термоэлектрических сплавов на основе висмута-теллура-селена и сурьмы.Для определения типа проводимости полупроводниковых термоэлектрических сплавов и ветвей термоэлементов на основе висмута-теллура-селена и сурьмы в качестве индикатора используют водный раствор азотнокислой меди,Известно, что при травлении медных изделий перед гальваническим нанесением металлических покрытий, изделия опускают в водный раствор азотной кислоты 2, при этом идет следующая реакцияЗСцфВННО- ЗСц(ЮО)т+2 КО+1 НОПолучающаяся в результате реакции азотнокислая медь взаимодействует с веществом,п-ветви616599...

Номер патента: 616600

Опубликовано: 25.07.1978

Авторы: Долгих, Плоткина, Румма, Таратута, Цзин

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: качества, тиристоров

...электродов управления применения сложной методики регистрации рекомбинационного излучения из неметаллизированной границы раздела управляющий электрод- катод и может использоваться только на открытых структурах, не заключенных в корпус.Наиболее близок к предлагаемому изобретению способ определения качества "изготовления тиристоров, вклю-чающий измерение отпирающих тока и 10 напряжения управляющего электрода, а также измерение потерь энергии в тиристоре в процессе включения при протеканииузкого импульса анодного тока. 15Однако при таком способе отсутствует критерий оценки качества изго- товления электродов управления, так как измеряют потери в тиристоре для одного произвольно выбранного ф значения напряжения на управляющем электроде,...

Номер патента: 618872

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Арешкин, Афанасьев

МПК: G01R 1/067, H01L 21/66

Метки: изготовлении, микросхем, резисторных, сопротивления, удельного

...нЕ позволяет сделать данную микроголовку с межзондовым расстоянием менее 200 МКМ.йоНаиболее близко к предлагаемому устройство для измерения, содержащее основание с окном и держатели.с расположенными в них зондами. 25 ень 29 (53) УДК 621,396,63лены кронштейны 4. На нем с помощью кронштейна 2 шарнирно и упруго установлен держатель 5 из электроизоляционного материала. На координатных столиках 3 с помощью кронштейнов 4 шарнирно и упруго установлены держатели 6. В каждый из держателей 5 и 6 впрессована металлическая втулка 7 с внутренней резьбой, по которой перемешается регулировочный винт 8 с головкой и гайкой 9 для подсоединения наконечников проводов измерительной схемы. На концах винтов, обращенных внутрь окна основания 1, установлены...

Номер патента: 619876

Опубликовано: 15.08.1978

Авторы: Галанов, Костров, Потихонов, Шешин

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, носителей, полупроводниках

...9, генератор 10 (112,5 Гц)Устройство для. измерения концентрации носителей тока в полупроводниках работает следующим образом,Источник оптического излучения(степень поляризации не хуже 99,99) .Плоскость поляризации этого излучения, пройдя через магнитооптичес,кий кристалл, помещенный в обмотку 10электромагнита, поворачивается на,угол, пропорциональный магнитооптическому эффектуПодобный поворотплоскости поляризации имеет место припрохождении излучения через измерительный электромагнит с исследуемымобразцом. Магнитные поля в укаэанныхэлектромагнитах имеют противоположноенаправление и меняются с одинаковойчастотой 1 .Величину магнитного поля электро"магнита 5 можно плавно регулировать(в пределах от 0 до 100 Э),Благодаря этому...

Номер патента: 620918

Опубликовано: 25.08.1978

Авторы: Ашмонтас, Субачюс

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузии, заряда, коэффициента, носителей, переход, полупроводниках, содержащих

...в сильных электрических СВЧ полях.Цель изобретения - повышение точности измерений.Это достигается тем, что на исследуемый полупроводник воздействуют однородным СВЧ полем, определяют отношение тангенсов угла наклона вольтамперной характеристики образца в электрическом поле и без него, а коэффициент диффузии носителей заряда определяют по формуле620918 Е) =(1 - е 11О, 1 х.,Составитель Т. ДозоровТехред О. Луговая. Корректор А. Власенко Тираж 1112 Подписное Редактор Л. ГребенниковаЗаказ 4649/42 ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж.35, Раушская наб., д, 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 411 - термоЭДС горячих носителей заряда;Х - отношение тангенсов...

Номер патента: 575934

Опубликовано: 05.09.1978

Авторы: Гаврилин, Григулис

МПК: G01R 31/303, H01L 21/66

Метки: бесконтактного, пленок, проводящих, сопротивления

...преобразователя и корпусом, а другой - между другим электродом преобразователя и измерительным блоком..На чертеже представлена схема предлагаемого устройства. Устройство содержит генератор 1 измерительный блок 2, например мост, измерительный емкостный преобразователь 3, опервый 4 и второй 5 измерительные электроды, третий электрод 6, индикатор 7,подложку 8, металлический нагреватель9, подстроечный конденсатор 10 и индуктивность 1 1 резонансного контура первого электрода 4, подстроечный конденсатор 12 и индуктивность 13 резонансногоконтура второго электрода 5, емкости 14и 15 зазоров,Устройство работает следующим образом,Устанавливая контур 11, 10 и 14 врезонанс по минимуму индикатора 7, добиваются минимального потенциала на пленке 8...

Номер патента: 635441

Опубликовано: 30.11.1978

Авторы: Благодаров, Бородзюля

МПК: G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: емкости, мдп-структур

...Н. Коляда Заказ 2216/3 Подписное Тираж 1080 Изд. Мо 780 Типография, пр, Сапунова, 2 уровень емкости при произвольном заданном напряжении на образце МДП-структуры.Указанная цель достигается тем, что в устройство введены источник напряжения смещения и дифференциальный усилитель, соединенные с компаратором, причем источник напряжения смещения, схема формирования выходного сигнала и устройство индикации соединены параллельно, выход дифференциального усилителя соединен с управляющим, а выход генератора импульсов - с аналоговым входами схемы формирования выходного сигнала.На чертеже дана структурная схема устройства для измерения емкости МДП-структур.Устройство состоит из образца МДП- структуры Смдп, компаратора 1 (мостовая схема),...

Номер патента: 640216

Опубликовано: 30.12.1978

Авторы: Гудков, Невский, Сушков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: легирования, полупроводниковых, профиля

...персонал, сложно, наладить серийное производство для использования установки в про. мышленности.Известен также способ 2профиля легирования полупматериалов Ба р - и-переходаШоттки путем подачи на ис трации альной рохож- линейО в том ты на кп пл ности где С=еяда-Ущая. Прп включенванного меандром- 1,0 Кгц, в измерися низкочастопныйкоторый легко уси,и подается:на,реги посто ая составля А соя И Лlопределения роводниковых х и барьерах следуемый обеьда-Мое унрощя тому, ч ние схемы достигао отношение частот Существен ЗО ется благодаИзобретение относится к роля свойств полупроводны быть использовано как для так и для непрерывной регис ля легирования в полупровод риалах на р - п-,переходах. единением заяаки-ии така ВЧ, модулиронизкой частоты...

Номер патента: 642798

Опубликовано: 15.01.1979

Авторы: Кревс, Пашковский, Спитковский, Чеджемова

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллов, кристаллографической, ориентации, структурой, сфалерита

...исв 15 5 е,типа У тямиы конкретного использования мого способа.м е р 1, Поверхность 1 П( мо НТе, выраженного из гаэоимпульсно индентируют алрамидой микротвердомера тс нагрузкой 5 г. На исс верхности системы полос с уют равносторонний треугольдая иэ сторон которого дает ческое направление типа н и- ледвико длческо лов, произ талла скость скола Нгье, выращениндентируют после чего на; е р 2. Пл кристалла м Бриджмен примеру 1,Прим 1110 ( мо ного метод аналогично преде- нтации Изобретение относится к полупроводниковому материаловедению и можетбыть использовано в кристаллографии,в частности, для определения кристаллографической ориентации непрозрачных кристаллов,Известен способ определения кристаллографическойориентации непрозрачных...

Номер патента: 653586

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Бурлаков, Красильников, Кукушкин, Люзе, Эленкриг

МПК: H01L 21/66

Метки: ганна, диодов, пленок, пригодности, эпитаксиальных

...что средний за пе О риод ганновских колебаний ток через диод (при полях выше порогового):Змакс мин 21 (Г 1+2 а)+эмин Г1 2близок к Эмщ,.Пролетный режим работы диода Ганна реализуется в апериодическом контуре, который характеризуется тем,что его резонансная частота много 2 Обольше пролетной, а нагрузкой является сопротивление, величина которогомного меньше сопротивления образца.Измерительная установка (фиг. 3)состоит из генератора 1 импульсов,последовательно включенного эмиттерного повторителя 2, к эмиттеру которого подключены апериодический контур3 и клемма 4, Одновременно с клеммы4 подается сигнал на вход усилителягоризонтальной развертки осциллографа 5В коллекторную цепь эмиттерного повторителя включена батарея б,эашунтированная...