H01L 21/66 — испытания или измерения в процессе изготовления или обработки

Номер патента: 339883

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Институт, Левитас, Огильницкий, Пожела, Сащук

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, электропроводности

...трансформатора 2, полупроводникового образца 3, компенсирующего трансформатора 4, нуль-индикатора б, вторичной обмотки компенсирующего трансформатора 6 и конденсатора 7. Вторнидя 00)10 тка кох 1 пенспру 10 гцего трансформатора 6 н конденсатор 7 образу)от ,ол сб) з 1 тс,нный конту 1 э.Трансформатор 4 имеет компенсационную обмотку 8, подключенную к обмотке 9 питающего трансформатора через потенцномстр 10.Образец 3 является вторнчнон:Омоткой питающего трансформатора н первичной обмоткой компенсирующего трансформатора. Напряжение питающего генератора радионмпульсов 1, подключенное к первичной обмотке трансформатора 2, индуцирует э. д. с., создающую в полупроводниковом образце 3 ток, вызывающий появление во вторичной обмотке трансформатора 4...

Номер патента: 341117

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Герман

МПК: H01L 21/66

Метки: вакуумный, герметичности, полупроводниковых, приборов

...и иетехиологичности методов Ввиду необходимости дополнительных операции обезжириванил и сушки,Предлагаемый способ позволяет проверять изделия с замкнутым объемом ца грубую течь от 0,1 л лклсек и более и свободен от недостатков известных методов.По предлагаемому способу коцтролируемый прибор, предварительно выдержанный в вакууме, помещают в нскотопы 11 объем с посто341117 Тираж 448 Заказ 1931/б одписно ипография, пр. Сапунова,янным начальным давлением, которое изменяется на некоторую величину при наличии в изделии грубой течи.В случае отсутствия грубой течи исходное давление изменяется на значительно меньшую величину, зависящую от величины вредного объема и от гажения внутренних поверхностей системы, Для повышения...

Номер патента: 356599

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Краснобаев, Кругликов, Шевцов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, приборов, сопротивления, теплового

...узел автоматического выполнения арифметических операций, состоящий из блока вычитания б и блока деления б, регистрирующий прибор 7, клеммы 8 и 9 для подключения испытуемого прибора.Устройство работает следующим образом.10 Постоянный греющий ток от источника 1,проходя через испытуемый прибор, подключенный к клеммам 8 и 9 вызывает его нагрев до установившейся температуры. Инфракрасное излучение структуры и основания полу проводникового прибора попадает на соответствующие датчики 2 и 3, которые вырабатывают выходные напряжения, пропорциональные температурам структуры и основания, Полученные напряжения поступают на блок 20 вычитания 5, напряжение на выходе которого пропорционально разности температур структуры и основания испытуемого...

Номер патента: 389578

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Баховкин, Куршев, Масленников, Степанов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: изобретения, пгсга, рпи

...повышена благодаря бжено дополнительной зончетырьмя щупами (количеетствует количеству вывороена в поворотный рычаг оединена с блоком ориенниковых приборов по полоизмерения электрическихустройством. 1-1 икняя зондовая головка 5 вмонтирована в поворотный рычаг кронштейна 7 манипулятора д.Предложенное устройство работает следующим образом. 5Из вибробункера 1 транзисторы 8 подаются в гнездо 9 нижней зондовой головки 5 и фиксируются по упорам (см. фпг. 4).Затем вибробункер отключается, и кронштейн 7 переносит транзистор к верхней зондовой 10 головке 4 (см. фиг. 2). Кронштейн перемещается с помощью двух кулачков, укрепленных на распределительном валу (на фиг. 2 не показаны), и соединенных с рычагами 10 и 11, один из которых поворачивает крон...

Номер патента: 390422

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Амазасп, Афанасьева, Григор

МПК: G01N 21/95, H01L 21/66

Метки: выявления, дефектов, кристалла, поверхности, полупроводниковых, приборов

...изображения с усиленным или ослабленным контрастом.20 Длч получения видимого изображения используется световой сигнал, отраженный от поверхности объекта при сканировании светового зонда и регистрируемый фотоэлектронным умножителем.25 На чертеже изображена блок-схема устройства, где обозначены: 1 - телевизионная проекционная трубка; 2 в объектив; 3 - полупро водниковый прибор; 4 - видеоусилитель фотоответа; 5 в световод; б - фотоэлектронный 30 умнояитель (ФЭУ); 7 - видеоусилитель ФЭУ;390422 Составитель В. Громоедактор Б. Нанкина Техред Е. Борисова ейзерман Царькова рректоры: Ми аказ 30686ЦНИИПИ Изд.1734 Тираж 755 осударственного комитета Совета Минист по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5одписное Типография,...

Номер патента: 391503

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Бальзовский, Кричевский

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: теплового

...быть использовано для измерения параметров полупроводниковых приборов как па этапах разработки, так и в процессе производства. 5В известном устройстве для измерения теплового сопротивления полупроводниковых диодав, содержащем источники греющего и измерительного тока с параллельным ключом и разделительным диодом между источником гре ющего тока и измерительной схемой, измерспии теплового сопротвления диодов с относительно большим временем жизни неосновных носителей заряда, особенно в импульсном режиме, имеет место большая погрешность за 15 счет рассасывания заряда, накапливаемого в базе диода при прохождении греющего тока. В результате момент измерения отстоит от момента окончания греющего тока на время рассасывания накопленного...

Номер патента: 397857

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: контактов, надежности, омических, полупроводниковых, приборов

...характеристики р-и перехода прибора. При наличии нарушений омцческого контакта наблюдаются высокочастотные деформации вольт-амперной характеристики. Импульс напряжения, возникающий на контролируемом прибора при пропусканци через397857 ваемые на входы нуль-органа 9, не совпадают.Нуль-орган 9 срабатывает, возбуждая исполнительное устройство 12. В случае посто янного обрыва на выходе генератора 1 формируется прямоугольный импульс и подчеркивается высокочастотная составляющая спектра.В случае постоянного короткого замыкания 10 перехода исследуемого прибора работает блокобнаружения постоянных коротких замыканий 10, выходной сигнаал которого через логическую схему 11 возбуждает исполнительное устройство 12,15 Устройство контроля...

Номер патента: 397858

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Пожала, Толутис, Ука

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: бесконтактного, датчик, концентрации, носителей, полупроводниках

...концентрации,носителей тока по объему часто не бываст равномерным, поэтому цзмсрснцые величины дают картину интегральной концентрации.В случае малых исследуемых образцов измеренные значения более близки к локальной концентрации. Смена образцов в датчике осуществляется легко и быстро, благодаря налцчцю в одцои из полосковых линии сдвигасмоц части.На чертеже схематично показан предложенный датчик.Исследуемый образец 1 помещается в отверстие в центре металлического корпуса 2. Всхняя посеребренная полоска - входное устройство 3, к которой присоединен цснтральцыц провод входного кабеля 4, прпклссца к диэлектрической пластинке 5. Подвижная деталь 6 входного устройства, к которой приклеена посеребренная полоска 7, отодвигается в сторону....

Номер патента: 397859

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Виснап, Дикун, Кальгина, Овчаренко

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: 2(088, 3126удк, авторскому, кл, свидетельствум

...4 включено 1 О реле времени 6. Все элементы устройства подключены к источнику питания 7.Устройство работает следующим образом.К участку испытуемого перехода 8 или 9)прикладывается напряжение от источника пи тания 7, соответствующее рабочему режиму.Обратньш ток перехода в,датчцке-преобразователе тока 1 усиливается. Усиленный сигнал тока перехода сравнивается в схеме сравнения 2 с оигнапом, пропорциональным норме по 20 постоянноц составляющей тока, установленнойв технических условиях. Если оц превышает установленный уровень, то схема сравнения 2 выдает сигнаал в блок коммутации и индикации 4, и устройство сигнализирует о браке.Если же сигнал на выходе датчика-преобразователя 1 меньшс установленной нормы, то происходит его...

Номер патента: 397860

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Воронков, Зелезецкий, Макеев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: микронеоднородности, сопротивления, удельного, фотоэлектрический

...- заряд электрона;0 - полное число носителей, создаваемыхсветом в единицу времени;5 - сечение образца;Ио, рп - подВИЖНОСТЬ, СООТВСТСТВСННО, ОСНОВных и неосновных носителей; р(Х,) - удельное сопротивление в месте нахождения световой полоски;- изменение напряжения, снимаемогос обпазца,397860 Составитель М. Ленешкина Текред Т. Курилко Корректор А. Дзесова Редактор Т. Орловская Заказ 50/17 Изд. Мз 16 Тираж 755 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, К, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 Образец сканировали по длине модулированной с частотой 18 кгц полоской излучения шириной 50 мк, с длиной волны 1,1 мк. Скорость сканирования, осуществляемого...

Номер патента: 399799

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, сопротивления, удельного

...трения и обеспечивает плавносизмерительного зонда как при опускани.и при подъеме.Ь предложенном устройстве поршни гид системы выполнены из тонкостенных томп ковых сил ьфонов, В такой гидросистеме сильфонами вибраций не возникает, узкие каналы гидросистемы также способствуют гашению колебаний.Дроссельная игла имеет резиновое уплотнение 34, в результате получается закрытая гидросистема. Постоянная нагрузка на зонд твердым весом и постоянная скорость опускания поршня гидросистемы при подходе зонда к поверхности измеряемого образца, обеспечивают воспроизводимый динамический удар зонда. Давление на острие зонда возрастает постепенно, так как после касания острием зонда поверхности измеряемого материала палец 17 продолжает еще некоторое...

Номер патента: 401938

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: 401938

...капель защитного кислотостойкого лака, например ХСЛ, структуру травят в растворе НР:НХОз:СНзСООН=2:9:5 на глубину, несколько превышающую толщину двух эпитаксиальных слоев. Полученные меза-структуры защищают сплошным слоем защитного лака, подложку подшлифовывают 0 и затем химически никелируют в стандартномрастворе.Защитные слои лака растворяют в толуолеи измеряют прямую вольт-фарадную характеристику меза-структуры на мостовом измериз тельном приборе в двух характерных точках:при нуле (Со) и при выбранном значении прямого смещения (Сц). Оптимальная величина напряжения смещения определяется экспериментально для данного типа СВЧ-ограничиЗ 0 тельного диода с целью получения максимальЗаказ 26515 Изд. Уа 127 Тираж 755 Подписное Ь,ИИИПИ...

Номер патента: 405088

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Белик, Ких

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: 405088

...с выхода блока схем сопряжения поступает пачка импульсов, амплитуда которых меньше напряжения порога срабатывания пороговой схемы 5. В остальных положениях коммутатора, когда блок 9 подключен к электродам испытуемого транзистора по схеме с общим эмиттером, с выхода блока схем сопряжения на вход пороговой схемы 5 поступают одиночные импульсы, обусловленные переходными процессами при неправильном включении испытуемого транзистора. Это происходит потому, что количество выбросов, амплитуда которых превышает напряжение порога срабатывания пороговой схемы 5, не более емкости Е счетчика, которую выбирают из условия Е= - ,Уг т сигнал с выхода счетчика 3 отсутствует и в момент срабатывания и-го разряда распределителя б с его выхода поступает...

Номер патента: 407251

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Богом, Ермолаев, Жарков, Кустов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: 571)11

...напряжений со средней точкой 15, а триод 12 включен последовательно с первыми двумя и управляется измеряемым сигналом, поступающим на вход 1 б. Напряжение на базу каждого триода поступает через диодно-конденсаторную цепочку, в которой исходный синусоидальный сигнал. Шубина Техред Т, Миронова Корректор А. Степанова Редакто аж 678та Министров Сытийд. 4/5пография НИИМАШ, ст. Щербинка Заказ 535 Изд.1043 Тир ЦНИИПИ Государственного комитета Сове по делам изобретений и откр Москва, Ж, Раушская наб., ПодписноеР преобразуется в импульсы с амплитудой, достаточной для отпирания триодов. Импульс является вершиной синусоиды, обрезанной за счет запирающего смещения на диоде 17, которое создается при заряде конденсатора 18, при этом длительность...

Номер патента: 363943

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, переноса, полупроводниках, явлений

...1 образца, блок 2 питания, блок у температурного режима, блок 4 формировкц контактов, пульт 5 управления, блоки б, 7, 8, 9 компенсации и коммутации, блоки 10, 11 усиления, блок 12 автоматического измерения, олок 18 автоматического управления магнитом, электромагнит 14, компенсатор 15, самопишущий потенциометр 1 б, высокоомный усилитель 17.Устройство работает следующим образом.С помощью блока температурного режима на образце устанавливается стабильная температура. После этого с пульта управления подключают блоки измерения интегральной термоэлектродвижущей силы ц температуры торцов образца, где автоматически измеряются и записываются эти величины, С пульта управления блоки 15, 1 б, 17 отключаются и включаются блоки измерения...

Номер патента: 364047

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Громов, Лобиков, Салон, Стрсменов, Шутилин

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллов, подготовки, сборке

...после разделения кремниевой пластины3, имеет вид, изображенный на фиг, 3. Каждый кристалл 9, содержащий структуру одноймикросхемы, приклеен к спутнику 1 тонкимпрямоугольным слоем 10 глифталиевого лака.Спутник 1 имеет канавки 11 глубиной0,1 - 0,2 люлс, расположенные с шагом, равньвшагу структур кремниевой пластины, в видекоординатной сетки и образуемые прп резкекремниевой пластины 3 проволочками или специально подготовленные заранее. Спутник 1вместе с приклеенными и разделенными крисгаллами 9 отмывают от продуктов разделешгясинтетическим стиральным порошком в теплойводе и сушат. Защитный слой 4 глпфталневоголака снимают ацетоном. Затем спутник 1 скристаллами 9 устанавливают на установкуавтоматического зондового контроля (фпг. 4).На...

Номер патента: 364049

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/66

Метки: многозондовое

...гстаиовки веско.ких зоидОВ ия Одиу коиттктиую площадку и обеспечение возможности измсреиия дицамических парямстрои ИС.Цел дости 1 ястс 51 Гсм, что полижиые Зоиды с несколькими колецообразцыми изгибами, иекоитактирующие концы которых выступают В виде упоров, располокецы в пазах корпуса и поджаты к фиксирующим плащ ям пружинами, причем корпус имеет неподвижные упоры, служащие В совокупцости с иодвижцыми упорами зондов для регулировки последцих.Ня фиг, 1 изображено предлагаемое много зоидовое устройство в двух проекциях с разрезами; ца фиГ. 2 изООря 51 кеи В рязре 30 кл 10 д,15 регулировки зонда ио плоскости.Миогозоцдовое устройство содержит корпус 1, зонды 2. Волиооорязиую иружицу 5, упо 1 с ры 4, и,1 яики 5, ссктйря 1, иижимиыс пииты7,...

Номер патента: 366424

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авдеев, Аркман, Варич, Крашенинин, Нагаев

МПК: H01L 21/66

Метки: производной, температурной

...измерению о(Т)тем илц иным способом с последующим дифференцированием полученной зависимости.Однако процесс дифференцирования снижаетточность определения ЫйТ. Автоматизация 15этого процесса сильно усложняет экспериментальную установку.Предлагаемый способ позволяет непосредственно измерять температурную производнуюэлектропроводцости и заключается в следующем.Как известно, в неравномерно нагретомполупроводнике с градиентом температурыТ, направленном по оси Х, помещенном впеременное магнитное поле В, направленное 25по оси Л, возникает э. д, с, Нернста по оси Ув фазе с магнитным полем. Кроме того, в образце индуцируется э. д. с., повернутая пофазе на д/2 относительно магнитного поля.Экспериментально оказывается возможным ЗО...

Номер патента: 367377

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Биленко, Дворкин, Шехтер

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, концентрации, материалах, неразрушающий, носителей, подвижности, полупроводниковых

...полупроводниковых материалах.Применение призмы с показателем преломления и близким к показателю преломления пг исследуемого материала, позволяет повысить точность определения электрофизических параметров полупроводниковых материалов. Например, при исследовании кремния птипа с концентрацией носителей заряда У= 10"см-з точность определения концентрации и подвижности носителей заряда составляет - 4% и 16% соответственно при использовании призмы из высокоомного кремния и 19% и 30/о, если призма выполнена из высокоомного германия. Допустимая относительная погрешность измерения коэффициента отражения составляла 0,0; установки угла падения - 10.Условие близости значений телей показапгпреломления п и аз, и= - :1, может бытьи,легко реализовано...

Номер патента: 371535

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Боренко, Сушенцов, Теректьев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: нестабильноёшейштглз, обратных, перехрдсш1блиагй, полупроводниковых, токов

...точности ири раздельном контроле дрейфовой и релаксационной составляющих обратного тока пере.; одов. ния непосредственно соединены с блоком принятия решения.На чертеже представлена блок. схема устройства.5 Устройство содержит блок 1 задания режима на испытуемом переходе с токосъемным элементом, соединенный с усилителем 2, выход которого соединен с входами блока т скользящего усреднения, блока 4 выделения релакса ций и блокад задания весовой функции; входыблоков 3 и 4 подключены к двум выходам блока б, а выход блока 3 соединен с входамп блока б памяти, блока 7 принятия решения и блока 4, выход которого подключен к входам бло ков б и 7.Контроль нестабильности обратного токаперехода осуществляется следующим образом.Измеряемый сигнал...

Номер патента: 371639

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Антоновский, Николаев

МПК: H01L 21/66

Метки: всгсоюзнаи

...статического температурного коэффициента.Цель изобретения - повышение точности измерения скорости роста пленки в начальный момент нанесения пленки,Цель достигается тем, чтоза онки, обращенной к кварц ру, установлен нагреватель, создающии тепловой поток на резонатор, равный тепловому потоку от испарителя.Предлагаемое устройство схематически по казано на чертеже.Устройство содержит кварцевый резонатор1, помещенный в охлаждаемый корпус 2 с отверстием 3, заслонку 4 для перекрытия потока пара, поступающего от испарителя б, и нагре- О ватель 6, закрепленный на поверхности заслонки 4, обращенной к кварцевому резонатору г.Устройство работает следующим образом.Заслонкой 4 перекрывают поток пара, поступающего от испарителя 5, затем включают...

Номер патента: 375714

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Гилев, Трофимов, Яраус

МПК: H01L 21/66

Метки: всрос

...18, а нижний конец совмещен с осью вертикального,вала и находится над,разгрузочным узлом 28, На,нижней части вала закреплен кронштейн 24 с,роликами 25, которые ,при вращении вертикального вала нажимают на рычаги 21 и раскрывают контактные ,гнезда для разгрузки приборов.Привод всего устройства осуществляется от электродвигателя 26 через клыноременную передачу 27, редуктор 28, пару конических колес 29 и,распределительный вал 80.Миогопозиционная колодка 18 имеет расположенные по окружности контактные гнезда. Каждому контактному гнезду соответствуют два контакта 81 и два подпружиненных ,рычага 21.Полупроводниковые приборы из накопителя 1 поштучно передаются на транспортер 2. Ловитель 4,снимает приборы из транспорте,ра и укладывает в...

Номер патента: 376735

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Газар, Лементуев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: асесоюзная

...простотой процесса испытания.По предлагаемому способу с целью упрощения процесса испытания соединяют накоротко затворы прибора с остальными электродами, затем подвергают приборы воздействию температуры, величину и время выдержки которой выбирают достаточными для перераспределения заряда в диэлектрике и изменения параметров испытуемого прибора под воздействием электрического поля, вызванного контактной разностью потенциалов структуры прибора,По предлагаемому способу испытания полу. проводниковых приборов величина контактной разности потенциалов в системе металл в диэлектрик в полупроводник (МДП) зависит от природы металла и полупроводника, В частности, в системе А 1 - %02 - Я величина контактной разности потенциалов между А 1 и Я...

Номер патента: 378999

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авторы, Теш

МПК: H01L 21/66

Метки: герметичности, полупроводниковых

...колебания создают кавитационные процессы в жидкости, при которых возникают местные ударные волны с большими мгновенными пи ками давления. Ударные волны при гидродинамическом ударе о поверхность контролируемых изделий и разность давлений между атмосферным и откаченным в объеме изделий резко повышают проникающую способность 15 жидкости в объеме негерметичных изделий.По предлагаемому способу испытывают изделия на герметичность следующим образом.Контролируемые изделия помещают в вертикальном положении в сетчатое приспособ ление, имеющее полое фторопластовое кольцо, Вертикальное расположение изделий выбирают из условия наименьшего экранирования контролируемых поверхностей от ультразвуковых колебаний, Приспособление с изде лиями...

Номер патента: 410339

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: 410339

...время жизПредлагаемый способ отличается через включенный по управляющем ду тиристор пропускают импульсы обратного токов, измеряют времена выключения, соответствующие разл плитудам импульсов обратного ток стояццых амплитудах прямого тока ношения: тем, что у электро- прямого и обратного ичцым ама, при пои из соот 11 обр,и1 обр,тр - время жизни цеосцовцых носи лей заряда в гг-базе тиристора; Изобретение вому приборостИзвестен спо ни цеосцовцых ристора, включ ристор импульс и измерение врОднако этот ходимой точцос обратного выкл от болыпого ко цепи.Цель изобр измерения. теция - повышение точнос время обратного в ответствующее амного тока 1 обр время обратного в ответствующее ам 1 обрамплитуда обратпо цая при измерепии амплитуда обратно цая...

Номер патента: 410340

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: 410340

...схемой ИЛИНа чертеже представлена блок-схема предложенного устройства.Устройство содержит логическую схемуИЛИ 1, счетчик импульсов 2, схему задерж ки 3, генератор импульсов тока 4, генератор пускового импульса 5, генератор линейно изменяющегося напряжения 6, схему сравнения 7.Сигнал Пуск с одного цз выходов генера тора пускового импульса 5 поступает через логическую схему ИЛИ 1 ца генератор импульсов тока 4, а с другого выхода - на генератор линейно изменяющегося напряжения 6.Импульс тока с генератора 4, проходя по це пц эмиттер-коллектор испытуемого транзистора, создает ца цем падение напряжения, амплитуда которого пропорциональна мицималььой толщине базы. Это напряжение и линейно изменяющееся напряжение с генератора 6 25 поддается на...

Номер патента: 411398

Опубликовано: 15.01.1974

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: 411398

...10 низкой частоты.В исходном состоянии исследуемый транзистор отсутствует, при этом выход генератора 11 низкой частоты соединен со входом усилителя 9, выход которого через разделительный 15 конденсатор 5 подсоединен к токозадающемурезистору 4, токосъемному резистору 2 и одному из входов индикатора 1,Вывод токозадающего резистора 4 соединенс выходом источника 8, а вывод токосъемного 20 резистора 2 соединен со вторым входом индикатора 1 и с эмиттерным контактом исследуемого транзистора 3, коллекторный контакт которого соединен с блокирующим конденсатором 6 и источником 7, а базовый контакт 25 транзистора 3 соединен с резистором 10 ивходом усилителя 9.Устройство работает следующим образом.При подключении исследуемого транзистора замыкается...

Номер патента: 417749

Опубликовано: 28.02.1974

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: 417749

...тактовых импульсов 1, коммутатор 2, генератор режимных напряжений 3, нуль-орган 4, генератор опорных уровней 5, схему задержки 6, генератор строб-импульсов 7, схему И 8, регист ратор 9, испытуемый р - и-переход 10.Импульс длительностью Т 0 (фиг. 2,а) поступает с генератора тактовых импульсов 1 и включает соответствующее реле коммутатора 2, через контакты которого напряжение от 30 генератора 3 подается через испытуемый р - и-переход (фиг. 2,б) на вход нуль-органа 4. Протекающий по переходу ток (фиг, 2,в) создает падение напряжения на входном сопротивлении первого входа нуль-органа 4, Одновременно через другие контакты того же реле на второй вход нуль-органа 4 подается опорное напряжение от генератора 5. Передний фронт импульса...

Номер патента: 419817

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Медведев, Петров, Сибирский, Уюеренко

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: 113лерения, полупроводниковых, свойств, электрически4

...с помощь 1 о пстли связи 17, а с СВЧ свин-генератором - с помощью петли связи 5 18. Емкость, образованная полупрозрачнымконтактом 15, волноводом 11 н пластинкой слюды, выбирается таким образом, чтобы сопротивлени 1 с этой емкости на СВЧ было низким, а на частоте генератора 8 - высоким. О Электрическое поле резонатора 4 практически сосредоточено в зазоре между полупрозрачным электродом 15 и торцом штыря 12, таким образом исследуемый образец оказывается вкл 1 оченнь 1 м в СВЧ поле резонатора.5 Устройство работает следующим образом.СВЧ мощность от свип-генератора 1 черезаттенюатор 2, вентиль 3 подастся на резонатор 4. Прошедшая через резонатор мощность регистрируется дстектором. ПродстсктировянО 11 ый сигнал подается на усплп тель...

Номер патента: 421956

Опубликовано: 30.03.1974

Авторы: Алена, Вильдфангс, Эриньш

МПК: G01R 31/265, H01L 21/66

Метки: измерительный, элемент

...структур с помощью высокочастотного электромагнитного поля.Известные измерительные элементы для измерения толщины металлических покрытий, толщины и удельного сопротивления полупроводниковых материалов дают удовлетворительные результаты при изучении сравнительно низкоомных полупроводников в диапазоне частот от десятков килогерц до нескольких десятков мегагерц, но мало эффективны при изучении высокоомных полупроводниковых материалов из-за низкой чувствительности.Для повышения чувствительности необхо. димо увеличить частоту до 200 - 300 Лги, однако с повышением частогы увеличивается влияние на результаты измерения собственной емкости катушки.Цель изобретения - повышение чувстви;ельности измерительного элемента. Цель достигается тем,...