H01L 21/66 — испытания или измерения в процессе изготовления или обработки

Номер патента: 244503

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Чеснавичюс

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: импульсный, мост, параметров, перехода, р-п, электрических

...точность измерений. На чертеже показана принципиальная схема описываемого моста.Позициями 1 и 2 обозначены переменные сопротивления, 8 - переменная емкость, 4 - 7 - ом ические сопротивления, 8 - измеряемый образец с . р - п-переходом, 9 - генератор П-образных импульсов уравновешивания;10 - генератор переменного напряжения (например звуковой), 11 - ограничитель и 12 - осциллограф с дифференциальным входом. Импульсный мост уравновешивают по переменному напряжению и ио амплитуде П-образного импульса напряжения уравновешивания в следующем порядке.5 Регулированием сопротивления 1 на экранеосциллографа вершину импульса уравновешивания совмещают с вершиной импульса смещения.Регулированием сопротивления 2 и емкости10 8 синусоиду на экране...

Номер патента: 244511

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Чеснавичюс

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: параметров, р—п-перехода

...импульса, генератор 11 прямоугольных импульсов напряжения уравновешивания с длительностью -. р, генератор 12 прямоугольных импульсов йапряжения смещения с длительностью т, т р, сумматор 13 и осциллограф 14 с дифференциальным входом, один канал осциллографа включен в измерительную диагональ, а другой - в диагональ питания моста.Принцип работы устройства состоит в следующем.В диагональ питания моста поступает прямоугольный импульс напряжения уравновешиРедактор А. Пе а Заказ 2507/17 Тираж 480 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4 пография, пр. Сапунова вания с амплитудой, достаточно малой, чтобы вызванные им изменения параметров р - и-перехода были малы...

Номер патента: 247406

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Институт, Левитас, Могильницкий, Пожела, Сащук

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, электропроводности

...трансформатор, первичной обмоткой которого служит образец из исследуемого материала; питающий трансформатор снабжен дополнительной обмоткой, связанной через переменный резистор с компенсирующей обмоткой, установленной на компенсирующем трансформаторе, вторичная обмотка которого замкнута на измеритель электрического тока.На чертеже изображена схема описываемого устройства, содержащего питающий трансформатор 1, образец 2, компенсирующий трансформатор 3 и нулевой индикатор 4. Трансформатор 3 имеет компенсирующую обмотку 5, подключенную к дополнительной обмотке б трансформатора 1 через переменный резистор 7. Образец 2 является вторичноц обмоткой трансформатора 1 и первичноц обм откой тр анс форм атор а 3.Напряжение, поданное на...

Номер патента: 250321

Опубликовано: 01.01.1969

МПК: H01L 21/66

Метки: wви8лйотеаа, лисин, техническая

...способ отличается от известных тем, что потенциал первого зонда приводят к нулю, фиксируют этот потенциал, затем приводят потенциал второго зонда к нулю и измеряют искомый разностный потенциал.Эти особенности позволяют повысить точность измерения,Схема устройства для реализации данного способа показана на чертеже,Схема содержит генератор 1, конденсаторы 2 - 6, токовые зонды 7, потенциальные зонды 8, потенциометр 9, вольтметр 10 и переключатель 11.Устройства работает следующим образом.Питание осуществляется от генератора 1 с заземленной средней точкой с помощью делителей напряжения, одним из которых регулируют амплитуду (конденсаторами 2 или т), другим - разу (конденсатором 4). Регули. ровка должна обеспечивать настройку...

Номер патента: 258465

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Равин, Семенов, Тэвит

МПК: H01L 21/66

Метки: выводов, полупроводниковыхприборов, рихтовки

...протягивают ез две рихтующие пластины, одна из ко тх неподвижна, а другая вибрирует.Способ поясняется чертежом.Вьсводы 1 транзистора, помещают в щечи, образованные неподвижной 2 и подвижной 3 гребенками. Гребенка 8,:приводимая в движение, например, от электромагнита, вибрируетпостояино меняя сечение щелей и сжимая выводы. Шток 4 перемещает гнездо 5 с прибором в направлении рихтовки от места заделки выводов.к их концам,Для предотвращения натиров:на выводах приборов гнездо 5 в котором установлен корпус прибора, связано с тянущим штоком 4 через пружину, с помощью которой во время контактирования гребенок с выводами гнездо останавливается, а шток продолжает 5 равномерно двигаться.Скорость движения штока и толщина гребенок рассчитываются...

Номер патента: 259213

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бутырский, Ковальский

МПК: H01L 21/66

Метки: добротности

...МАТЕРИАЛАТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО УСТРОЙСТВА 1Изобретение относится к области преобразования тепловой энергии в электрическую.Известны способы измерения добротности термоэлектрических устройств, которые по изменению перепада температур при постоянном тепловом потоке в режиме холостого хода и короткого замыкания требуют заделки термопар в спаи термобатарей, что снижает надежность и точность способа измерения.Описываемый способ отличается от известных тем, что в качестве параметра, характеризующего Л, выбрано отношение э.д.с. в указанных режимах.В описываемом способе замеряется э,д.с. термоэлектрического устройства, по отношению которой определяется его добротность. сутствие необходимости заделки термопар ви термобатарей увеличивает...

Номер патента: 268542

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Голубев, Ломакина, Савин

МПК: H01L 21/66

Метки: shbji00tefa, атентко, техническая

...вы зывая увеличение постоянной составля 1 ощейанодного тока, В результате этого в диагонали моста 1 протекает постоянный ток разбаланса, велич 1 иа которого обратно пропорциональна удельному сопротивлению, Ток разба ланса усиливается и ограшьчпвается усилителем-ограничителем б и огкрьшает сравнивающее устройство 8, определяя действие компенсирующего напряжения с генератора 9 линейно падающего напряжения, которое по дается на сетку генератора 2 и уменьшает токразбалапса до уровня, постоянно установленного на сравнивающем устройстве 8.В момент компепсяцпп тока разояляьсясравнивающее устройство закрывается, 11 Я 25 его выходе образуется импульс, длительностькоторого Ооратно пропор 1 гпОпялыа у дельному сопротивлению. Этот импульс запускает...

Номер патента: 269316

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Белов, Дай, Зубарев, Филимо

МПК: H01L 21/66

Метки: кассета, параметров, полупроводниковых, приборов, электрических

...поштучно, что позволяет упростить конструкцию разбраковочного устройства.На фиг. 1 изображена кассета, общий вид; на фиг. 2 - разрез по А - А на фиг. 1.Корпус 1 кассеты выполнен из алюминиевого сплава. К корпусу крепятся две гребенки 2 из изолирующего материала, имеющие сквозные пазы 3, выполненные с шагом 10 я,н, В гребенках 2 выполнены также направляю. Загрузка приооров производится следую щим образом. Кассета устанавливается настолик так, чтобы рамка 6 оказалась сверху, Рамка 7 остается в корпусе 1, а рамка 6 выдвигается из корпуса до упора ее буртика в корпус кассеты. Приооры укладываются 20 фланцами в противоположные стороны в пазы 3 гребенок 2 так, что онн ложатся выводами на рамку 7. После заполнения первого ряда рамка 6...

Номер патента: 274232

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: H01L 21/66

Метки: зондовых, измерений

...2 к упору 11, после чего проводят замеры пластины.По окончании замеров полукольца разводят н фиксируют пружиной 2, выключают вакуум н снимают пластину с предметного столика. Предмет нза бр етенп я Установка дляпроводниковых п О низма шаговыхОписываемое изобретение относится к технологическому оборудованию электроннойпромышленности, а именно - к оборудованиюдля зондового контроля и измерений интегральных схем, диодов и транзисторов на неразрезанной пластине,Известны установки для зондовых измерений, содержащие механизм шаговых перемещений, манипулятор, предметный столик,кронштейн с головками (зондовьдми и маркировочными) и оптическую систему.К недостаткам установок относятся большой угол отвода кронштейна с головками приустановке и съеме...

Номер патента: 280684

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бабушкин, Веремейчук

МПК: H01L 21/66

Метки: вольтамперных, полупроводниковых, снятия, характеристик

...пластины. Вольтамперную характеристику системы снимают в темноте и сравнивают с кривой анодного растворения германия, не имеющего нарушенного слоя,Недостаток этого устройства заключается в низкой воспроизводимости результатов, а также в том, что при каждом снятии вольтамперных характеристик необходимо многократно наклеивать полупроводниковые пластины на державки для измерения, а затем отсоединять их, а также наносить защитные покрытия на пластины перед травлением. Это делает каждый замер весьма трудоемким ц приводит к увеличению погрешностей измерений.спирали, жестко установленной параллельно плоскости измеряемой пластины.Кроме того, система контактирования с положительным полюсом источника питания представляет собой изолированный...

Номер патента: 323057

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Галков, Фейгинов

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, приборов

...пластину 1 с функциональными элементами на держателе. спутнике 2 (фиг. 1) легкоплавким клеем илипримораживанием, разделяют ее ца кристаллы без нарушения ориентации с помощью устройства 3 (резца скрайберцого станка, пилы или диска установки разрезки), Для этой операции может применяться и травление.Далее прц последовательном перемеще 1 ц 1 ц пластины ца шаг расположения кристаллов 4 контролируют их параметры зондами 5 (фцг. 2), Годные кристаллы поочередно, по мере измерения, отделяют от держателя-спутника 2 устройством 6, применяя местный подогрев пх до температуры плавления крепящего состава с помощью устройства 7, которое может представлять собой трубку для подачи горячего газа либо цдгретый стержень (в частцом случае устройства 6 ц 7...

Номер патента: 296180

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гладченко, Кочкарев, Крачковский, Леваков, Лейбович, Петраковский, Ратнек, Сидоренко, Черный

МПК: H01L 21/66

Метки: классификатор, полупроводниковых, приборов

...контакты 47 припаяны к лепесткам 48, установленным на диске 49 из изоляционного материала. Контакты 47 так же,как и ящики 7, равно расположены по окруж.ности, а их количество (двенадцать) соответствует количеству ящиков. Каждый изконтактов подключен по схеме совпадения ссоответствующим выходом логического устройства к системе управления электроприводом. Диск 49 установлен на кронштейне 43при помощи колонок 50. Контакты 47 управляются постоянным магнитом 51, расположенным в гнезде поводка 38, выполненногоиз немагнитного материала. Магнит 51 удерживается в гнезде прижимным винтом 52,таким образом, высота закрепления магнита(его удаление от контактов 47) регулируется.С целью сужения сектора воздействия магнитного поля магнита на контакты...

Номер патента: 305525

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Кудр, Плешивцев

МПК: H01L 21/66

Метки: влагозащитных, изоляционных, свойств

...вблизи поверхности полупроводника (возникновение граничного слоя), 25 изменение абсорбционных свойств поверхности полупроводника.Принципиальная схема испытания приведена на чертеже, где 1 - источник регулируемой влажности; 2 - измерительная камера;30 8 - чувствительный полупроводниковый элеЗаказ 2035 П 4 Изд. Ы 854 Тираж 473 )1 одпнсноеЦНИИПР Коиитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, К, Раушская наб д, 4,5 Типография, пр. Сапунова, 2 мент; 4 - испытуемый материал; 5 - блок измерения тафф.н н заряда полупроводника.П р и м е р в ы п о л н е н и я. Предварительно готовят чувствительный полупроводниковый элемент, который представляет собой травленую плоскопараллсльную пластину германия с электрическими...

Номер патента: 306512

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Арцис, Кричевский

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, эффективного

...временижизни неосновпых носителей заряда в р-и- переходе полупроводникового прибора по величине извлеченного заряда, отляаюцийая тем, что, с целью повышения точности измерения за счет исключения влияния собственной емкости и обратного сопротивления измеряемого р-п-перехода, на переход подают ток синусоидальной формы, частоту которого после довательно изменяют до достижения извлеченным зарядом своего максимального значения, и далее по полученному значению частоты определяют эффективное время жизни неосновных носителей заряда как величину, 30 обратную этой частоте. зобретение относится к сени физических параметров овь приборов.Известные способы измерения эффективного времени жизни с неосновпых носителей заряда в базе...

Номер патента: 307360

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Рыскин

МПК: H01L 21/66

Метки: напряжений, полупроводниковых, приборов, пробивных

...с генератора счетных импульсов в счетчик.На чертеже показана принципиальная схема предлагаемого устройства.Устройство состоит из генера 1 пускового импульса, управляющего ггера 2,Устройство работает следующим образом.По сигналу Пуск генератор 1 пусковым О импульсом вызывает процесс линейного изменения напряжения на испытуемом приборе и одновременно устанавливает триггер 2 в положение, при котором с входа схемы запрета б снимается напряжение, и счетные импульсы 5 с генератора 5 начинают поступать в счетчик 7.По достижении линейно изменяющимся напряжением величины пробивного напряжения для испытуемого полупроводникового прибора 20 8 резко возрастает ток р-и перехода и, следовательно, падение напряжения на токосъемном сопротивлении 9....

Номер патента: 308390

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гуога, Кальвенас, Климка, Пожела

МПК: H01L 21/66

Метки: поверхностного, потенциала

...полупроводника, прикладывают внешнее электрическое продольное поле, по следнее не нарушает термодинамическое равновесие между свободными носителями и решеткой полупроводника. При этом заряд в области пространственного заряда в полупроводнике изменится таким образом, чтобы 15 экранировать объем полупроводника как от поля заряда, локализованного в поверхностных состояниях, так и от внешнего приложенного электрического поля. Соответственно изменится поверхностный потенциал и одно значно связанное с ним поверхностное сопротивление. Поэтому измеряя изменение поверхностного сопротивления, определяют поверхностный потенциал по теоретическим кривым.Цель изобретения заключается в повыше нии чувствительности измерения, в возможности...

Номер патента: 311224

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Борщ, Плеханов, Ходос

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: разбраковки, транзисторов

...возрастания его величины. Эти калиорованные сигн 1 лы, 1 тяк)к( СР Гнлпропорцион льный )од) л О коэффнцента усиления, снРхаелый с выхода измеряемого транзистора, подотс 51 на соответству 101 цие входы высокоастоРо 0 коутатрз Порядок включения и выключения каналов коммутатора 4 определяется пересчетой управляоще 1 схемой 7, выходы которой соединены с управляющихи входами в.сокочСтотного коммутатора.В первый момент производится поочсредсное включение двух каналов коммутаторов, на входы которых подаются Измер)емый и ка,Рброванн,Й сигналы От првого аттешоатора, В результате поочередного прохождения этИх сигналов через коммутатор на обИей выходий точке образуется высокочастотное, модулсированное по амплитуде напря)кеие, причем глуоина и...

Номер патента: 311317

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бабурин, Терентьев

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, проверки, транзисторов

...включается и, следовательно, разгрузочный лоток 20 находится в исходном положении. При отклонении измеряемых величин от нормы измерительная схема включает электромагнит, который поворачивает лоток 20 и удерживает его в таком положении до окончания цикла, в результате чего транзисторы падают в другую тару,После окончания измерения кулачковый переключатель 19 выключает измерительную схему, толкатель 14 с контактами И отходят в крайнее левое положение, а каретка 7 с рассекателем б - в крайнее правое положение. Кулачок 4, действуя на отсекатель 3, отводит его, освобождая путь транзистору, который по разгрузочному лотку 20 падает в соответствующую тару.Затем цикл повторяется. Предмет изобретения Установка для проверки параметров...

Номер патента: 313179

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Алена, Григулис

МПК: H01L 21/66

Метки: высокочастотный, электромагнитный

...выходное напряжение, характеризующее изменение полного сопротивления (импеданса) измерительного элемента от толщины покрытия. дмет изобретен тй способ пленок нас целью покрытий странения икповения Высоизмеренеметаизмерена полвлияни Изобретение относится к области пленочной микроэлектронной техники, в частности, к области контроля и измерения толщины тонких металлических пленок, нанесенных на полупроводниковые или диэлектрические структу ры.Известен высокочастотный электромагнитный способ контроля, когда поле создается электроиндуктивным датчиком. Недостатком этого способа измерения является значитель ная погрешность измерения как толщины пленок, нанесенных на полупроводниковые структуры с диффузионными слоями, так и средней толщины...

Номер патента: 313180

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Аболтинь, Стикут

МПК: H01L 21/66

Метки: измеритель, полупроводниковых, свойств, слоев, электрофизических

...изменений зазоровконтакта образцов с металличесволновода и повышение чувствмерений с регулировкой ее в блах,левым излучателем (концом волновода). Наличие диэлектрических стерженьков позволяет исключить омический контакт образца с механическими частями волновода. Образец мо жет иметь любую форму, а в результате выбора определенного зазора между образцом и волноводом создается возможность увеличения чувствительности измерений на несколько порядков, что объясняется трансформацией 0 точки вносимого импеданса в удобную для измерения область.Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором приведена схема описываемого устройства, содержащего СВЧ-генератор 5 1, индикаторный блок 2, волноводный щелевой излучатель 3, к которому...

Номер патента: 314159

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Алена, Григулис

МПК: H01L 21/66

Метки: высокочастотный, емкостный, параметров, пластин, полупроводниковых

...указывает удельное сопротивление полупроводника, а перемещениеэлектродов - толпину пластины,На чертеже, представлена схема измерения,1 - полупроводниковая пластина, 2 - сто з3 - электроды, 4 - емкостный датчик,- конденсатор настройки, б - вольтметр,7 - высокочастотный генератор, С - емкостьизмерительного элемента, 1. - индуктивностьизмерительного контура. ЗО Толщина и удельное сопротивление полупроводниковой пластины 1, поставленной на столик 2, измеряются полем электродов 8 емкостного датчика 4 по показателям перемещения датчика и напряжения на электродах в случае установления перемещением датчика резонанса в контур С 1,. При этом на точность измерения не будет влиять зазор и изменение диэлектрической ,проницаемости...

Номер патента: 316136

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Линева, Малкин, Терман

МПК: H01L 21/66

Метки: монокристалла, нарушенного, поверхности, слоя, толщины

...перпендикулярном электронному пу ку, ц измерецце расстояния вдоль направления сканирования от границы косого среза на поверхности моцокристалла до той точки сечения, начиная с которой дифракццонная картина остается нецзхтецной.Сущность изобретения поясняется чер геПодготовка ооьекта к измерениям и последовательность операций при измерении толщины нарушенного слоя состоят в следую щем. Под углом а к плоскости образца с нарушенным слоем 1 делают косое сечение (шлиф), Технологию изготовления шлифа ьыбирают такой, чтобы толщина дополнительного нарушенного слоя, связанного с его изго. товлецисм, была минимальной. Дополнцтель. цый нарушенный слой удаляется химическим травлением, причем изучаемая поверхносп. предварительно покрывается защитным...

Номер патента: 317007

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Пантуев, Поплев, Прилипко

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, полупроводниках, прибор, примесей

...12 переменного тока,5Описываемый прибор работает следующимобразом.Прн подключении контактов исследуемогообразца д к манипулятору па вход усилителя 5 высокой частоты поступает сигнал с амплитудой, пропорциональной барьерной емкости С образца, После усиления сигнала иего детектирования на вход дифференциального усилителя 7 поступает постояш ое напряжение Спо величине соответствуощее С, 15На второй вход дифференциального усилителя подано постоянное напряжеше С черезконтакты реле 8, Это напряжеш е равно напряжению па выходе детектора, если к манипулятору подключена эталонная емкость Сг,20вместо образца. Разница между У, и Г вслучае разбаланса усиливается в усилителе T.Полученное напряжение раз баланса= (lс - 1",1) К подается к образцу 3...

Номер патента: 317132

Опубликовано: 01.01.1971

МПК: H01L 21/66

Метки: 317132

...АВ, При этом индикатором ПДП летучего компонента пад получаемым соединением АВ, является удельное сопротивление самого образца. Образец приготовляется из кристалла соединения АВ в виде тонкой пластинки со средними размерами 0,1 КЗ,ОК К 15,0 люлю, Затем предварительно производят градуировку удельного сопротивления образца но известному давлению пара одного из чистых компонентов соединения (например, В), Для этого образец сб спектрально чистым компонентом В померцают в общий вакуумированный объем - кварцевую ампулу. ЗаВарцевую ампулу омщаю в двухсекционную печь, температурная зона которой представляет собой два регулируемых изотермических участка. Часть ампулы, в которой находится образец, помещается в высокотемгературной области....

Номер патента: 317993

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Клотыньш

МПК: H01L 21/66

Метки: исследования, полупроводниковогоматериала

...в образце 1, при 973 К диффузию меди, получили образец и-типа 1 с холловской подвижностью 1700 смз/в сек. Проведя в образце 1 диффузию меди при 1023 К, получили образец р-типа 12 с холловской подвижностью 76 см 2/в сек. Проведя в образце 1 з диффузию меди при 1123 К, получили образец р-типа 1 з с холловской подвижностью 115 смз/в сек. Проведя в образце 1 з диффузию меди при 1223 К, получили образец 14 р-типа с холловской подвижностью 120 см 2/в сек,Таким образом, путем многократной диффузии меди в этом случае исследовали холлов- скую подвижность в широком интервале физических свойств.Исследование эффекта Нернста-Эттингсгаузена при 300 К в арсениде галлия путем многократной диффузии меди.В исходном образце и-типа арсенида галлия 1 О...

Номер патента: 319019

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Басин, Гриц

МПК: H01L 21/66

Метки: термоэлектрической

...и знак которой не зависят от напряжения. Для ее исключения проводят двухкратные измерениявеличины Р, при противоположных направлениях тока, и затем находят среднюю арифметическую величину.10 Недостатками известного способа являютсябольшое число элементарных измерительныхи расчетных операций, относительно большаяпродолжительность цикла измерений, сравнительно малые значения измеряемых напряже 15 НИЙ.Цель изобретения - уменьшение числа измерительных и расчетных операций, сокращение длительности измерительного цикла и увеличение измеряемых напряжений, что повышает точность определения термоэлектрической добротности,Цель достигается тем, что направление тока через образец переключают скачком, измеряют омическую составляющую...

Номер патента: 324592

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гершинский, Косцов

МПК: H01L 21/66

Метки: 1хкичкнаяьчблиотсна, диффузии, коэффициентов, пленки•сесаоэнаяпатсйткзгт, примесей, тонкие

...1 О величины тока во времени прн анодном растворении образцов; на фиг. 2 графически сравниваются количества электричества, необходимые для анодного растворения верхней пленки тонкопленочной структуры металл металл до и после диффузионного отжита.Зависимость анодного тока 1 при растзорении толстой (1000 А) пленки А 1 показана кривой 1, при растворении тонкои (око 2 о ло 250 А) пленки А 1 - кривой 2,при растворении тонкопленочной системы А 1 - Т 1 перед диффузионным отжигом - кривой 3, причем изменение скорости окисления в точке А соответствует переходу от окисления пленки А 1 25 к окисленшо пленки Т 1. Кривая 4 соответствует зависимости 1(1) прп растворении тонкопленочной системы А 1 - Т 1 после взапхгной диффузии.Площадь АВСО (фиг. 2)...

Номер патента: 326526

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Амринов, Гуро, Ковтонюк

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, жизни, носителей, объемного, полупроводников, слоях

...поверхности полупроводникового материала, 10 Цель изобретения - устрсти результатов измерений оностных свойств (поверхнции) полупроводников и тение точности измерений.Для достижения цели тонкийлупроводника отделяют от оэлектродов слоями диэлектрикатродам прикладывают импульсго поля, под влиянием которогоных носителей заряда выводиполупроводника в приэлектроВ результате этого тепловая генеме преобладает над рекомбиннекоторое время концентрациястигает исходной величины.Параметром кривой восстанодимости объема является величии определяет время жизни. Врс генерацией только в объеме, а ности, потому что при наличии поля приповерхностные области обогащены свободными зарядами, экранирующими это поле. При этом ловушечные центры поверхности...

Номер патента: 327422

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Ашавский, Филиппова

МПК: H01L 21/461, H01L 21/66

Метки: струйного, травления, электролитического

...6 тока травления, электромагнитных клапанов 7 и 8, обеспечивающих требуемое чередование подачи электролита и воды, 15 поступающих через сопла 9 ц 10; коммутирующего устройства 11.Работает устройство следующим образом.После загрзкн заготовки накопительнаяемкость 2 задающего релаксаццонного генера тора 1 заряжается стабилизатором тока заряда 12. При этом ток на выходе задающего генератора, проходящий через заготовку, возрастает до величины тока максимума эталонного диода 3, установленного в генераторе 1.25 Заготовка прц этом отмывается водой, так какклапан 7 открыт и вода поступает через сопло 9. Припереключении эталонного диода на диффузионную ветвь характеристики выходной транзистор 13 стабилизатора тока генера тора 1 запирается, и...

Номер патента: 327423

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Кайгородов, Козлова

МПК: H01L 21/66

Метки: материалах, носителей, подвижности, полупроводниковых

...от плеча 22 двойного волноводного тройш 1 ка 21 к плечу 28 двойного волноводного 20 тройника 16 фазовращателем 24, двойным воловодцым тройником 25 и детекторной секцией 26, присоединенной к плечу 27 двойного волцоводного тройника 25; и регистрирующее устройство 28.25 Предлагаемое устройство работает следующим образомСВЧ сигнал от генератора 6 через вентиль 7поступает на плечо 1 турникетного моста. Уровень СВЧ сигнала, модулируемого в модуля- зО торе 8 низкой частотой от генератора 10, из327423 Предмет изоб 1 рете ния Составитель А. Туляков одактор Т. Юрчикова Гктсд Е, Борисова Ксоректсл И, Шматоваяи тета па 5 типоГрафия 1,остромскОГО управлеиии по печат меряется прибором 11, В турникетном мосту прямой сигнал распределяется между...